DE3218268C2

DE3218268C2 -

Info

Publication number: DE3218268C2
Application number: DE3218268A
Authority: DE
Inventors: Kimiaki Hachiouji Tokio/Tokyo Jp Yamamoto
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1981-05-26
Filing date: 1982-05-14
Publication date: 1990-10-25
Also published as: JPS57195207A; US4488775A; DE3218268A1

Description

Die Erfindung betrifft einen lichtabsorbierenden Belag einer Phasenplatte mit einer Mehrschichtanordnung aus metallischen und dielektrischen Schichten, die eine erste reflexionsmindernde Schichtung mit einer ersten dielektrischen Schicht und einer ersten metallischen Schicht und eine weitere dielektrische Schicht auf der von der ersten dielektrischen Schicht abgewandten Seite der metallischen Schicht umfaßt.

Bei der Phasenkontrastmikroskopie mit herkömmlichen Phasenplatten oder entsprechenden Ringfiltern ohne reflexionsvermindernde Eigenschaften tritt das Problem auf, daß von der Oberfläche der Phasenplatte reflektiertes Licht Bildunschärfen oder sogenannte "Geisterbilder" verursacht.

Zur Vermeidung solcher Bildunschärfen bzw. Geisterbilder ist es daher erforderlich, Lichtreflexionen an der Oberfläche der Phasenplatte möglichst weitgehend zu unterbinden.

Aus der DE-OS 30 25 040 ist ein lichtabsorbierender Belag einer Phasenplatte mit einer Mehrschichtanordnung aus metallischen und dielektrischen Schichten bekannt. Die Mehrschichtanordnung umfaßt eine an der Lichteintrittsseite der Phasenplatte angeordnete reflexionsmindernde Schichtung aus einer ersten dielektrischen Schicht und einer ersten metallischen Schicht. An der der ersten dielektrischen Schicht abgewandten Seite der ersten metallischen Schicht ist eine Schichtenfolge aus zwei unmittelbar aufeinanderfolgenden weiteren dielektrischen Schichten, einer sich daran anschließenden weiteren metallischen Schicht zur Einstellung des Absorptionsverhaltens der Phasenplatte und einer darauffolgenden zusätzlichen dielektrischen Schicht zur Phasenänderung des Transmissionslichtes vorgesehen. Durch entsprechende Wahl der Brechungsindizes und der Dicken der ersten dielektrischen Schicht und der ersten metallischen Schicht wird erreicht, daß Amplitudenbedingungen und Phasenbedingungen für das an der lichteintrittsseitigen Fläche der ersten dielektrischen Schicht reflektierte Licht, für das an der Grenzfläche zwischen der ersten dielektrischen Schicht und der ersten metallischen Schicht reflektrierte Licht und für das an der Grenzfläche zwischen der Rückseite der metallischen Schicht und der darauffolgenden weiteren dielektrischen Schicht reflektierte Licht dahingehend erfüllt werden, daß die einzelnen, vorstehend genannten reflektierten Lichtbeiträge destruktiv interferieren, so daß insgesamt eine Reflexionsverminderung für das von der Lichteintrittsseite der Phasenplatte her auftreffende Licht erzielt wird. Ein Nachteil der aus der DE-OS 30 25 040 bekannten Phasenplatte besteht jedoch darin, daß sie nur für das von der Lichteintrittsseite her auftreffende Licht reflexionsvermindernde Eigenschaften aufweist, nicht aber für Licht, das von der Lichtaustrittsseite her auftrifft. Licht, das im Phasenkontrastmikroskop von der Lichtaustrittsseite her auf die bekannte Phasenplatte trifft, wird somit in nicht unerheblichem Maße insbesondere an der weiteren Metallschicht reflektiert und kann Ursache von Bildunschärfe bzw. von "Geisterbildern" sein.

Aus der JP-OS 8107/81 und der JP-OS 12 615/81 sind lichtabsorbierende Beläge mit reflexionsvermindernden Eigenschaften bekannt. Diese lichtabsorbierenden Beläge sind aus einer dielektrischen Schicht und einer sich daran anschließenden metallischen Schicht gebildet und entsprechen in ihren Reflexionseigenschaften im wesentlichen dem aus der ersten dielektrischen Schicht und der ersten metallischen Schicht gebildeten lichtabsorbierenden Belag gemäß der DE-OS 30 25 040.

Aus der US 36 49 359 und der US-PS 36 79 291 sind aus mehreren metallischen und dielektrischen Schichten bestehende absorbierende Lichtfilter als weitere Beispiele für Mehrschichtanordnungen mit reflexionsvermindernden Eigenschaften bekannt. Die Dicken und Brechungsindizes der Schichten sowie die Folge der Schichten sind so gewählt, daß Licht, welches von der einen Seite des Filters her auf das Filter auftrifft, über einen großen Spektralberich nur schwach reflektiert wird, wohingegen Licht, das von der anderen Seite des Filters her auf das Filter auftrifft, in einem oder mehreren vergleichsweise eng begrenzten Spektralbereich bzw. Spektralbereichen stark reflektiert wird.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen lichtabsorbierenden Belag einer Phasenplatte anzugeben, welcher sowohl für Licht, welches von einer der Plattenseiten her auftrifft, als auch für Licht, welches von der anderen Plattenseite her auftrifft, reflexionsvermindernd wirkt und welcher eine im wesentlichen von der Lichtwellenlänge unabhängige Phasenvariation des Transmissionslichtes gewährleistet.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine zweite, auf die weitere dielektrische Schicht folgende reflexionsvermindernde Schichtung mit einer zweiten dielektrischen Schicht und einer zweiten metallischen Schicht vorgesehen ist, wobei die Wellenlängenabhängigkeit der Phasenverschiebung des durch die zweite metallische Schicht durchgelassenen Lichtes entgegengesetzt zu der Wellenlängenabhängigkeit der Phasenverschiebung des durch die erste metallische Schicht durchgelassenen Lichtes ist.

Der erfindungsgemäße Belag besitzt somit zwei reflexionsvermindernde Schichtungen, die jede für sich und in besonderer Weise in der erfindungsgemäßen Anordnung beiderseits der weiteren dielektrischen Schicht reflexionsvermindernd wirken, und zwar in der erfindungsgemäßen Anordnung sowohl für Licht, das von der Lichteintrittsseite her auf den Belag auftrifft, als auch für Licht, daß von der Lichtaustrittsseite her auf den Belag auftrifft.

Durch die einander entgegengesetzten Wellenlängenabhängigkeiten der Phasenvariationen des durch die erste bzw. durch die zweite metallische Schicht durchgelassenen Lichtes wird erreicht, daß die Phasenverschiebung des Transmissionslichtes insgesamt im wesentlichen wellenlängenunabhängig ist.

Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Zur Erläuterung der Erfindung wird nachstehend auf die Zeichnungen Bezug genommen. Es zeigt

Fig. 1 eine schematische Darstellung des Aufbaus des optischen Systems eines Phasenkontrastmikroskops oder eines hochauflösenden Mikroskops, für das ein lichtabsorbierender Belag nach der Erfindung verwendbar ist,

Fig. 2 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines bekannten lichtabsorbierenden Belages,

Fig. 3 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung,

Fig. 4 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung und

Fig. 5 ein Diagramm mit einer Kurve D zur Illustration der spektralen Reflexionseigenschaften eines Ausführungsbeispiels der Erfindung.

Das optische System eines Phasenkontrastmikroskops besitzt bekanntermaßen einen Aufbau, wie er in Fig. 1 gezeigt ist. Vor einer Kondensorlinse 1 ist eine Ringblende 2 am vorderen Brennpunkt der Kondensorlinse 1 oder in der Nähe des vorderen Brennpunktes der Kondensorlinse 1 angeordnet. Von dem zu betrachtenden Objekt 3 wird durch ein Objekt 4 ein Bild in der Bildebene 6 erzeugt. Am hinteren Brennpunkt des Objektivs 4 oder in der Nähe des hinteren Brennpunktes des Objektivs 4 ist eine Phasenplatte 5 angeordnet, die in der konjugierten Stellung zur Ringblende 2 bezüglich der Kondensorlinse 1 und des Objektivs 4 liegt.

In einem Phasenkontrastmikroskop dieses Aufbaus durchläuft das von einer Lichtquelle ausgesandte Licht die Ringblende 2 a, wird durch die Kondensorlinse 1 zu Parallelstrahlbündeln geformt und durchläuft das zu betrachtende Objekt 3. Nach Hervorrufung einer Phasendifferenz von ¼ Wellenlänge und einer adäquaten Absorption des Lichtes nullter Beugungsordnung mittels der Phasenplatte 5 wird ein Bild des klaren Objektes 3 in der Bildebene 6 erzeugt.

Ferner kann ein entsprechendes hochauflösendes Mikroskop realisiert werden, indem ein Ringfilter anstelle der Phasenplatte in dem in Fig. 1 dargestellten optischen System angeordnet wird, wie es beispielsweise in der japanischen Offenlegungsschrift 12 615/81 beschrieben ist. Bei einem solchen Phasenkontrastmikroskop oder hochauflösendem Mikroskop können Unschärfe und Geisterbilder durch Licht verursacht werden, das von der Oberfläche der Phasenplatte bzw. des entsprechenden Ringfilters reflektiert wird. Es ist daher ein wesentliches Erfordernis, daß Lichtreflexionen an der Oberfläche der Phasenplatte bzw. des Ringfilters möglichst weitgehend unterbunden werden. Es ist möglich, das Auftreten von Unschärfe und Geisterbildern zu verhindern, indem die Phasenplatte oder das Ringfilter mit reflexionsvermindernden Eigenschaften versehen werden.

Als Beispiels eines lichtabsorbierenden Belages (Phasenplatte, Ringfilter etc.) mit reflexionsvermindernden Eigenschaften sei der Belag nach der japanischen Offenlegungsschrift 8107/81 genannt. Dieser lichtabsorbierende Belag hat den in Fig. 2 gezeigten zweischichtigen Aufbau aus einer metallischen Schicht b mit dem komplexen Brechungsindex ₂ und einer an der Lichteintrittsseite angeordneten dielektrischen Schicht a mit dem Brechnungsindex n₁. An der Lichteintrittsseite der dielektrischen Schicht a ist eine Glasplatte mit dem Brechungsindex n₀ angeordnet. An der Lichtaustrittsseite der metallischen Schicht b ist eine dielektrische Schicht c mit dem Brechungsindex n₃ vorgesehen. r₀ bezeichnet den Amplitudenreflexionsfaktor (Fresnelscher Reflexionskoeffizient) der Grenzfläche 1 S zwischen der dielektrischen Schicht a und der darüberliegenden Schicht (Glasplatte). ₁ bezeichnet den Amplitudenreflexionsfaktor der Grenzfläche 2 S zwischen der dielektrischen Schicht a und der metallischen Schicht b und ₂ bezeichnet den Amplitudenreflexionsfaktor der Grenzfläche 3 S zwischen der metallischen Schicht b und dem Träger (dielektrische Schicht an der Austrittsseite). Zur Erzielung reflexionsvermindernder Eigenschaften ist es wesentlich, daß das an der Grenzfläche 2 S mit hohem Reflexionsvermögen reflektierte Licht unter Verwendung von an einer anderen Oberfläche reflektiertem Licht ausgelöscht wird. Zu diesem Zweck ist es notwendig, die Brechungsindizes der dielektrischen Schicht a und der metallischen Schicht b so zu wählen, daß den Bedingungen n₁≠n₃ und | ₁ | < | ₂ | genügt ist, da das die metallische Schicht b durchlaufende Licht geschwächt wird. Um das von der Grenzfläche 3 S mit hohem Reflexionsvermögen reflektierte Licht mit dem von der Grenzfläche 2 S reflektierten Licht auszulöschen, ist es ferner wesentlich, die Dicke der metallischen Schicht b so zu wählen, daß das von der Grenzfläche 3 S reflektierte und die Grenzfläche 2 S erreichende Licht nahezu in Gegenphase zu dem an der Grenzfläche 2 S reflektierten Licht ist (um eine Phasendifferenz π zu erzeugen).

Der in der japanischen Offenlegungsschrift 12 615/81 beschriebene lichtabsorbierende Belag ist in der vorstehend dargelegten Weise mit reflexionsvermindernden Eigenschaften versehen.

Nachstehend wird die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert.

Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung des Aufbaus eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung. I bezeichnet eine erste Schichtung aus einer ersten dielektrischen Schicht a und einer ersten metallischen Schicht b. Die erste Schicht I ist nach dem gleichen Prinzip wie bei dem vorstehend beschriebenen bekannten Belag ausgebildet und besitzt auch unabhängig von weiteren Schichten reflexionsvermindernde Eigenschaften für Licht, das entsprechend der Zeichnung von oben auftrifft. II bezeichnet eine zweite Schichtung, bestehend aus einer zweiten metallischen Schicht d und einer zweiten dielektrischen Schicht e, die in ihrer Aufeinanderfolge entgegengesetzt zu den Schichten der Schichtung I angeordnet sind. Die Schichtung II ist so ausgebildet, daß sie reflexionsvermindernde Eigenschaften für entsprechend der Zeichnung von unten auftreffendes Licht besitzt. Zwischen den Schichtungen I und II liegt eine sich von den Schichtungen I und II unterscheidende weitere dielektrische Schicht c. Der Belag nach der Erfindung umfaßt somit zwei Schichtungen I und II, die auf beiden Seiten (entsprechend der Zeichnung auf der oberen und der unteren Seite) der weiteren dielektrischen Schicht c angeordnet sind.

Bei dem lichtabsorbierenden Belag dieses Aufbaus hat die erste Schichtung I reflexionsvermindernde Eigenschaften für - in der Zeichnung - von oben auftreffendes Licht. Das die Schichtung I durchlaufende Licht wird in bestimmtem Maße von der Metallschicht b absorbiert, und geschwächtes Licht i _c trifft auf die Schichtung II. Das gechwächte Licht i _c ist bedeutend schwächer als das auftreffende Licht i. Aus diesem Grunde ist der Teil des Lichtes i _c, der an der Grenzfläche 4 S der metallischen Schicht d der Schichtung II reflektiert wird, sehr schwach. Ferner wird das an der Grenzfläche 4 S reflektierte Licht durch das von der Grenzfläche 5 S reflektierte Licht teilweise ausgelöscht und entsprechend weiter geschwächt. Darüber hinaus wird das an der Grenzfläche 4 S reflektierte Licht teilweise von der metallischen Schicht b absorbiert, wenn es die Schichtung I durchläuft. Daher ist das in entgegengesetzter Richtung zum auftreffenden Licht zurücklaufende Licht, nachdem es an der Grenzfläche 4 S reflektiert worden ist und die Schichtung I durchlaufen hat, sehr schwach. Zusätzlich kann das Reflexionslicht in dem ganzen lichtabsorbierenden Belag weiter reduziert werden, da das an der Grenzfläche 4 S reflektierte Licht durch einen Teil des an der Grenzfläche 2 S der Schichtung I reflektierten Lichtes ausgelöscht werden kann. Mittels der Schichtenanordnung nach der Erfindung ist es somit möglich, die reflexionsvermindernden Eigenschaften des lichtabsorbierenden Belages wesentlich zu verbessern.

Aufgrund des in bezug auf die weitere dielektrische Schicht c im wesentlichen symmetrischen Aufbaus des lichtabsorbierenden Belages nach diesem Ausführungsbeispiel erhält man reflexionsvermindernde Eigenschaften für von der Oberseite auftreffendes Licht und in entsprechender Weise auch für von der Unterseite auftreffendes Licht.

Nachstehend werden für dieses Ausführungsbeispiel Angaben zur Amplitudenbedingung zum Löschen von Licht, das von der Schichtung II reflektiert wird, gemacht, wobei das Licht i _c, das die Schichtung I durchlaufen hat, die Schichtung II mit dem Teil des auftreffenden Lichtes i durchläuft, das von der Schichtung I reflektiert ist.

Der Reflexionsfaktor der Grenzfläche 1 S sei mit r₀, der Reflexionsfaktor der Grenzfläche 2 S mit ₁ und der Reflexionsfaktor der Grenzfläche 3 S mit ₂ bezeichnet.

Für die obengenannte Amplitudenbedingung ist in vorteilhafter Weise zu fordern, daß die optische Dicke (Brechungsindex× Dicke) der weiteren dielektrischen Schicht c einem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 entspricht, falls | r₀ | + | ₂ | e⁻^γ < | ₁ | ist. Für den Fall, daß | r₀ | + | ₂ | e⁻^γ < | ₁ | ist, ist in vorteilhafter Weise zu fordern, daß die optische Dicke der weiteren dielektrischen Schicht c zu einem geradzahligen Vielfachen von λ/4 entpricht. Der Faktor γ hat einen Wert, der sich aus der Erfüllung der Bedingung 4f ₂d₂/λ=δ-i γ (i: imaginäre Einheit) ergibt. γ repräsentiert somit den Imaginärteil der linken Seite der vorstehenden Gleichung, und δ repräsentiert den Realteil.

Für den Fall, daß vollständige Reflexionsauslöschung bei diesem lichtabsorbierenden Belag nicht erforderlich ist, braucht die optische Dicke der weiteren dielektrischen Schicht c nicht genau ein geradzahliges oder ungeradzahliges Vielfaches von λ/4 betragen, sondern es kann ein beliebiger, dem geradzahligen oder dem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 nahekommender Wert gewählt werden. Es ist daher durch Wahl der Dicke der weiteren dielektrischen Schicht c möglich, das Ausmaß der Phasenverschiebung bzw. der Phasenvariation des den lichtabsorbierenden Belag durchlaufenden Lichtes zu steuern. Darüber hinaus kann der Durchlässigkeitsfaktor des lichtabsorbierenden Belages nach der Erfindung durch Variation der Dicken der metallischen Schichten b und d in gewissem Maße eingestellt werden. Die dielektrischen Schichten der Schichtungen I und II des lichtabsorbierenden Belages nach dem vorstehend dargelegten Ausführungsbeispiel, d. h., die erste dielektrische Schicht a und die zweite dielektrische Schicht e, können aus demselben Material oder aus verschiedenen Materialien hergestellt sein. Für die Anwendung des lichtabsorbierenden Belages einer Phasenplatte nach der Erfindung in der Phasenkontrastmikroskopie bzw. hochauflösenden Mikroskopie ist es zweckmäßig, daß die Phasenvariation des Transmissionslichtes frei von einer Wellenlängenabhängigkeit ist (das Ausmaß der Phasenvariation ist im allgemeinen je nach Wellenlänge unterschiedlich). Die Wellenlängenabhängigkeit des Transmissionslichtes kann in dem lichtabsorbierenden Belag nach der Erfindung auf ein Minimum herabgesetzt werden, indem verschiedene Materialien für die Schichtungen I und II verwendet werden, so daß die Schichtungen I und II einander entgegengesetzte Wellenlängenabhängigkeiten besitzen. Wenngleich jede der Schichtungen I und II dieses Ausführungsbeispiels aus zwei Schichten besteht, ist es nicht immer erforderlich, die Anordnung in dieser Weise zu treffen.

Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines lichtabsorbierenden Belages nach der Erfindung. Bei diesem weiteren Ausführungsbeispiel besteht jede der Schichtungen I und II aus drei Schichten. Dieser lichtabsorbierende Belag enthält die erste Schichtung I aus dielektrischen Schichten a und f zu beiden Seiten einer ersten metallischen Schicht b und die zweite Schichtung II aus dielektrischen Schichten g und e zu beiden Seiten der zweiten metallischen Schicht d.

Darüber hinaus kann der lichtabsorbierende Belag nach der Erfindung auch so ausgebildet sein, daß er Schichtungen I und II enthält, die aus vier oder mehr Schichten bestehen. Dabei kann selbstverständlich die Dicke der einzelnen Schichten (dielektrische Schichten und metallische Schichten) so gewählt werden, daß insgesamt optimale spektrale Reflexionsfaktoren, Absorptionsfaktoren usw. erzielt werden.

Nachstehend sind Daten eines Ausführungsbeispiels eines lichtabsorbierenden Belages nach der Erfindung angegeben.

n₀ = 1,52 (Glasplatte)
n₁ = 2,33	d₁ = 30 nm
₂ = 1,97-3,33 i	d₂ = 10,2 nm
n₃ = 1,33	d₃ = 103 nm
₄ = 0,89-1,51 i	d₄ = 31,5 nm
n₅ = 2,33	d₅ = 23,9 nm
n₆ = 1,52 (Glasplatte)

Der lichtabsorbierende Belag mit den vorstehend aufgeführten Daten hat den in Fig. 3 schematisch dargestellten Aufbau und die in Fig. 5 anhand einer Kurve D dargestellten spektralen Reflexionseigenschaften.

Wie sich aus Fig. 5 ergibt, wird bei dem lichtabsorbierenden Belag nach der Erfindung ein hoher Grad der Reflexionsverminderung erreicht. Die metallischen Schichten in den Schichtungen I und II dieses Ausführungsbeispiels sind aus verschiedenen Materialien hergestellt, um die Wellenlängenabhängigkeit der Phasenverschiebung des Transmissionslichtes auf ein Minimum herabzusetzen.

Wie im vorstehenden dargelegt, besitzt der lichtabsorbierende Belag nach der Erfindung in hohem Maße reflexionsvermindernde Eigenschaften und erlaubt daher eine Mikroskopie ohne Unschärfe oder "Geisterbilder", wenn der lichtabsorbierende Belag in einem Phasenkontrastmikroskop bzw. einem hochauflösenden Mikroskop verwendet wird. Der erfindungsgemäße lichtabsorbierende Belag weist reflektionsvermindernde Eigenschaften für von beiden Seiten auftreffendes Licht auf. Der lichtabsorbierende Belag macht es ferner möglich, den Grad der Phasenvariation bzw. der Phasenverschiebung des Transmissionslichtes und das Durchlaßvermögen vorzugeben. Außerdem ermöglicht es die vorliegende Erfindung, die Wellenlängenabhängigkeit der Phasenvariation auf ein Minimum herabzusetzen.

Claims

1. Lichtabsorbierender Belag einer Phasenplatte mit einer Mehrschichten-Anordnung aus metallischen und dielektrischen Schichten, umfassend

- eine erste reflexionsvermindernde Schichtung (I) mit einer ersten dielektrischen Schicht (a) und einer ersten metallischen Schicht (b) und
- eine weitere dielektrische Schicht (c) auf der von der ersten dielektrischen Schicht (a) abgewandten Seite der metallischen Schicht (b),

gekennzeichnet durch

- eine zweite, auf die weitere dielektrische Schicht (c) folgende reflexionsvermindernde Schichtung (II) mit einer zweiten dielektrischen Schicht (e) und einer zweiten metallischen Schicht (d),

wobei die Wellenlängenabhängigkeit der Phasenverschiebung des durch die zweite metallische Schicht (d) durchgelassenen Lichtes entgegengesetzt zur Wellenlängenabhängigkeit der Phasenverschiebung des durch die erste metallische Schicht (b) durchgelassenen Lichtes ist.

2. Lichtabsorbierender Belag einer Phasenplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere dielektrische Schicht (c) eine optische Dicke von einem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 aufweist, wenn die Bedingung | r₀ | + | ₂ | e⁻^γ < | ₁ | erfüllt ist und eine optische Dicke von einem geradzahligen Vielfachen von λ/4 aufweist, wenn die Bedingung { | r₀ | + | ₂ | e⁻^γ < | ₁ | } erfüllt ist,
worin λ die Lichtwellenlänge, γ den Imaginärteil des Ausdrucks 4π ₂d₂/λ, d₂ die Dicke der ersten metallischen Schicht (b), ₂ den komplexen Brechungsindex der ersten metallischen Schicht (b), r₀ das Reflexionsvermögen der lichteintrittsseitigen Oberfläche der ersten dielektrischen Schicht (a), ₁ das Reflexionsvermögen der Grenzfläche zwischen erster dielektrischer Schicht (a) und erster metallischer Schicht (b) und ₂ das Reflexionsvermögen der Grenzfläche zwischen der ersten metallischen Schicht (b) und der weiteren dielektrischen Schicht (c) bezeichnet.

3. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite dielektrische Schicht (a, e) aus gleichem Material bestehen.

4. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die folgenden Daten: n₀ = 1,52 (Glasplatte) n₁ = 2,33 d₁ = 30 nm ₂ = 1,97-3,33 i d₂ = 10,2 nm n₃ = 1,33 d₃ = 103 nm ₄ = 0,89-1,51 i d₄ = 31,5 nm n₅ = 2,33 d₅ = 23,9 nm n₆ = 1,52 (Glasplatte)

worin n₀, n₁, . . . die Brechungsindices und d₁, d₂, . . . die Dicken der einzelnen Schichten der Mehrschichtenanordnung der Reihe nach von der Lichteintrittsseite aus angeben.

5. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite dielektrische Schicht (a, e) aus verschiedenem Material bestehen.

6. Lichtabsorbierender Belag nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Schichtung (I, II) jeweils aus einer dielektrischen Schicht (a, g), einer metallischen Schicht (b, d) und einer dielektrischen Schicht (f, e) bestehen.