DE3218268A1

DE3218268A1 - Lichtabsorbierender belag mit reflexionsvermindernden eigenschaften

Info

Publication number: DE3218268A1
Application number: DE19823218268
Authority: DE
Inventors: Kimiaki Hachiouji Tokio Yamamoto
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1981-05-26
Filing date: 1982-05-14
Publication date: 1982-12-16
Also published as: JPS57195207A; US4488775A; DE3218268C2

Description

oot 7830

14.05.1982

L/Ro

B e sch r e j b u ng

Die Erfindung bezieht sich auf einen lichtabsorbierenden Belag mit reflex^ionsvermindernden Eigenschaften.

^,Zeichnungen Zur Erläuterung der Erfindung wird auf dTe^Bezug genommen. Tn den Zeichnungen zeigt:

Fig. 1 in schematischer Darstellung den Aufbau des optischen Systems eines Phasenkontrastmikroskops oder eines hochauflösenden Mikroskops unter Verwendung eines lichtabsorbierenden Belags nach der Erfindung,

Fig. 2 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines üblichen lichtabsorbierenden Belags,

Fig. 3 schematisch den Aufbau eines erfindungsgemäßen lichtabsorbierenden Belags nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 4 schematisch den Aufbau eines erfindungsgemäßen lichtabsorbierenden Belags gemäß einem anderen Ausführungsboispiel der Erfindung und

Fig. 5 Kurven für das Transmi ssi onsvermiigen von Uchtabsorbicronden Belügen gemäß den Ausfuhrungsbeispielen,

Bekanntlich besitzt das optisch«¹ System eines Phasenkontrastmi kroskops einen Aufbau, wie er aus Fig. 1 ersichtlich ist. Vor einer KondensorIinse 1 ist eine Ringblende

am vorderen Brennpunkt der Kondensorlinse oder in der Nachbarschaft von diesem angeordnet. Von dem zu betrachtenden Objekt, 3 wird durch ein Objektiv 4 ein Bild 6 erzeugt. Eine Phasenplatte. S ist am hinteren Brennpunkt des Objektivs 4 oder in dessen Nähe angeordnet uno^in der konjugierten Stellung zur Ringblende 2 bezüglich der Kondensorlinse und des Objektivs 4·

In einem Phasenkontrastmikroskop dieses Aufbaus durchläuft das von einer Lichtquelle ausgesandte Licht die Ringblende 2a, wird durch die Kondensorlinse 1 zu Parallelstrahlbündeln geformt und durchläuft das zu betrachtende Objekt. Hin Bild eine« klaren Objekts 3 wird auf der Bildebene 6 nach Hervorrufung einer Phasendifferenz von 1/4 Wellenlänge und einer adäquaten Absorption des zerstreutes Lichtes nullten Ordnung, das die Phasenplatte 5 durchlaufen hat, erzeugt,

E.s kann auch hochauflösendes Mikroskop erzeugt werden, indem ein Ringfilter anstelle der Phasenplatte in dem in Fig. 1 dargestellten optischen System angeordnet wird, wie es beispielsweise» in der Japanischen Offenlegungsschrift 12615/81 beschrieben ist. Bei einem solchen Phasenkontrastmikroskop oder hochauflösendem Mikroskop können Unscharfe und Geisterbilder von Licht hervorgerufen worden, da« von der Oberfläche der Phasenplatte oder des im ^f ikroskop verwendeten Ringfilters reflektiert wird. Es .st daher ein wesentliches Erfordernis, daß die in Phast-nkontrastmikroskopen verwendete Phasenplatte oder das im hochauflösenden Mikroskop verwendete Ringfilter von ihrer Oberfläche sonst reflektiertes Licht auslöschen. Mit andern Worten ist es möglich, das Auftreten von Unscharfe oder Geisterbildern zu verhindern, indem die Phasenplatte oder das Ringfilter mit nichtreflektierenden Eigenschaften versehen werden. Dies ist wesentlich für die Erzielung guter Ergebnisse mit einer Phasenplatte oder einem Ringfilter.

Als ein Beispiel eines solchen lichtabsorbierenden Belages mit reflexionsverminderndon Eigenschaften sei der Belag nach dor Japanischen OS 8107/81 genannt. Dieser liehtabsorbierendo Belag hat einen zweischichtigen Aufbau, d. h. eine metallische Schicht b und eine dielektrische Schicht a, die auf der Lichteintrittsseite angeordnet ist, wie Fig. zeigt. Wenn bei diesem 1ich(absorbierenden Belag der Brechungsindex der dielektrischen Schicht a mit η und der komplexe Brechungsindex der metallischen Schicht b mit n„ und der der Glasplatte an der Eintrittsseite der dielektrischen Schicht a mit dem Brechungsindex n„ bezeichnet wird und eine dielektrische Schicht mit dem Brechungsindex n_ an der Austrittsseite der metallischen Schicht b des Iichtabsorbierenden Belages angeordnet ist, ergibt sich folgendes: Wenn der Amplitudenreflexionsfaktor (Fresnelsche Reflexionskoeffizient) der Grenzfläche IS zwischen der dielektrischen Schicht und der darUberliegenden Schicht (Glasplatte) mit r_j der Amplitudenrof1oxionsfaktor der Grenzfläche 2S zwischen der dielektrischen Schicht a und der metallischen Schicht b mit r- und der Amplitudenreflexionsfaktor der Grenzflache 3 S zwischen der metallischen Schicht b und im Trüger (dielektrische Schicht) an der Austrittsseite mit r„ bezeichnet wird, dann ist es wesentlich um reflexmindernde Eigenschaften zu erhalten, wenn durch die Grenzflache 2S mit hohem Reflexionsvermögen das reflektierte Licht ausgelöscht wird, unter Verwendung einer Reflexion an einer anderen Oberfläche. Aus dioücra Grunde ist e>s notwendig, die Brechungsindizes der dielektrischen Schicht und der metallischen Schicht b so zu"wählen, daß den Bedingungen η j η_ und|r.|<^ J r J genügt ist, da das Licht geschwächt wird, wenn es die metallische Schicht b durch 1 auf-t. Weiterhin ist es, um das von der Grenzfläche 3S mit hohem Reflexionsvermögen reflektierte I.icht mit dem von der Gren/fJache 2S reflektierten Licht auszulöschen wesentlich, die Dicke der metallischen Schicht b so zu wählen, daß das von der Grenzfläche 3S reflektierte

und die Grenzfläche 2S erreichende Licht, nahezu in Gegenphase zu dem an der Grenzfläche 2S reflektierten Licht
ist (um eine Phasendifferenz TT*zu erzeugen).

Der in der Japanischen Offenlegungsschrift I26I5/8I beschriebene lichtabsorbierende Belag ist in dieser Weise
mit reflektionsvermindernden Eigenschaften versehen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen lichtabsorbieronden Belag anzugeben, der lichtabsorbierende Eigenschaften bezüglich des Auftreffen« von Licht von beiden Seiten aufweist und eine verbesserte Ref lekti onsverraindorung besitzt.

Dies wird erfindungsgemäß erreicht durch die in den Ansprüchen gekennzeichneten Merkmale.

Der erfindungsgemäße lichtabsorbierende Belag besitzt zwei Schichtungen aus einer dielektrischen Schicht und einer metallischen Schicht, die genügend Reflektionsverminderung hervorrufen, sowohl wenn sie einzeln als auch gegenüberliegend an beiden Seiten einer weiteren dielektrischen
Schicht angeordnet sind.

Die Erfindung sei nun anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert.

Fig. 3 zeigt schematisch den Aufbau eines ersten Ausführungsbeispiels eines lichtabsorbierenden Belages nach der vorliegenden Erfindung. Dabei bezeichnet I eine Schichtung aus einer dielektrischen Schicht a und einer metallischen Schicht b, dir nach dem gleichen Prinzip wie bei dem übliehen Belag ausgebildet ist und reflexmi ndernde Eigenschaften für Licht besitzt, das entsprechend der Zeichnung von obon auftrifft, wenn die Schichtung T unabhängig betrachtet wird. Die Schichtung II besteht aus einer

metallischen Schicht d und einer dielektrischen Schicht e entgegengesetzt zur Schichtung I und ist so ausgebildet, daß sie reflektionsvormindornde Eigenschaften für entsprechend der Zeichnung von unten auftreffendes Licht besitzt. Fine dielektrische Schicht c, die sich von den Schichtungen Γ und Il unterscheidet, liegt dazwischen, so daß der erfindungsgemäße Belag zwei Schichtungen I und II enthält, die auf beiden Seiten (entsprechend der Zeichnung auf der oberen und der unteren Seite) der dielektrischen Schicht c angeordnet sind.

Bei dem lichtabsorbierenden Belag dieses Aufbaus hat die Schichtung I reflektionsmindernde Eigenschaften für - in der Zeichnung - von oben auftreffendes Licht. Das die Schichtung T durchlaufende Licht wird durch die Metallschicht b in bestimmten Maß absorbiert und geschwächtes Licht i trifft auf die Schichtung II. Das geschwächte Licht i ist bedeutend .schwächer als das auf treffende Licht i. Daher reflektiert, die Grenzfläche 4S der metallischen Schicht d der Schichtung II einen sehr schwachen Teil dos Lichtes

Weiterhin wird das an der Grenzfläche 4S reflektierte Licht teilweise ausgelöscht durch das von der Grenzfläche 5S rof lokt ierte Licht, und wird entsprechend weiter geschwächt. Darüborhinaus wird das an der Grenzfläche 4S reflektierte Licht teilweise durch die metallische Schicht b absorbiert, wenn e.s die Schichtung 1 durchläuft. Daher ist das in entg <ⁱf»^-«'nges<^>( zter Richtung zum auf treffenden Licht zurücklaufende Licht nachdem es an der Grenzfläche 4S reflektiert worden ist. und die Schichtung I durchlaufen hat, sehr schwach . Zusätzlich kann das Reflektionslicht in dem ganzen 1ichtabsorbierenden Belag weiter reduziert werden, da das an der Grenzfläche 4S reflektierte Licht durch einen Teil des an der Gron/flache 2S der Schichtung 1 reflektierten Lichtes ausgelöscht werden kann, d. h. bei der erfindungsgemiißen Anordnung ist es möglich, die ref Lekt ionsvermindernden Eigenschaften des lichtabsorbierenden Belages

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wesentlich zu verbessern.

Weiterhin wird dadurch, daß der lichtabsorbierende Belag nach diesem Ausfuhrungsbeispiel einen Aufbau besitzt, der im wesentlichen symmetrisch zur dielektrischen Schicht c ist, auch reflektionsvermindernde Eigenschaften für von der Unterseite auftreffendes Licht besitzen, ähnlich wie für das von oben auftreffende Licht.

Es sei nun die Amplitudenbedingung für dieses Ausführungsbeispiel zum Löschen von Licht, das von der Schichtung II reflektiert wird, angegeben, wobei das Licht i , das die Schichtung I durchlaufen hat, die Schichtung II mit dem Teil des auftn>ffenden Lichtes i durchläuft, das von der Schichtung I reflektiert ist.

Der Reflexionsfaktor der Grenzfläche IS sei mit r~, der Reflexionsfaktor der Grenzfläche 2S mit r, und der Reflektionsfaktor der Grenzfläche 3S mit r, bezeichnet. FUr die obengenannte Amplitudenbedingung ist es wünschenwert, die optische Dicke (Brechungsindex χ Dicke) der dielektrischen Schicht c so zu wählen, daß sie ein ungradzahliges Vielfaches von 7*/A ist, falls Jr_nI + It· I e~^<jr, J oder ein gradzahliges Vielfaches falls j r„/ + |r₂/ ^e ^i **i*» ^wo~ rin der Faktor % einen Wert besitzt, daß der Bedingung genilgt ist ί 47Tⁿ'>d₂/X ^T -<ji^(i = imagniärer Z Yl). Das bedeutet, daß V den Imaginärteil der linken SeHe der obengenannten Gleichung diirstellt ((J stellt den Real toil dar).

Wenn vollständige Reflektionsauslöschung nicht erforderlich ist bei diesem lichtabsorbierenden Belag braucht die optische Dicke der dielektrischen Schicht c nicht genau ein gradzahliges oder ungradzahliges Vielfaches von

7^-/4 betragen, sondern es kann ein beliebiger dem nahekommender Wert gewählt werden, l-.s ist daher möglich, das

Ausmaß der Phasenvariation des den lichtabsorbierenden Belag durchlaufenden Lichtes zu steuern durch Wahl der Dicke der dielektrischen Schicht c. Weiterhin kann der Durch-1assigkeitsfaktor des erfindungsgemäßen lichtabsorbierendon Belages in gewissem Maße geregelt werden, durch Variation der Dicken dor metallischen Schichten b und d. Die Schichten der Schichtungen I und II des lichtabsorbierenden Belages nach diesem Ausfuhrungsbeispiel, d. h. die dielektrische Schicht a, die dielektrische Schicht e, die metallische Schicht b und die metallische Schicht d können aus demselben Material oder verschiedenen Materialien hiergestellt sein. Um den erfindungsgemäßen Belag bei einer Phasonpl att<* oder einem Filter in einem hochauflösenden Mikroskop anzuwenden, ist es zweckmäßig, wenn die Phasenvariation des Transmissionslichtes frei von einer WeI-lenlängenabhängigkeit (das Ausmaß der Phasenvariation ist je nach Wollenlänge unterschiedlich) ist. In einem solchen Falle kann die WeI1enlängonabhängigkeit des Transmissions1ichtes auf ein Minimum im lichtabsorbierenden Belag insgesamt hergesetzt werden, indem verschiedene Materialien für die Schichtungen I und II verwendet werden, so daß die Schichtungen I und Tl einander entgegengesetzte Wellenlängenabhängigkeiten besitzen. Da jede der Schichtungen I und II aus zwei Schichten bei dieser AusfUhrungsform besteht, ist es nicht immer notwendig, die Anordnung so zu treffen. Fig. 4 zeigt ein anderes Ausfuhrungsbeispiel eines lichtabsorbierendes Belages nach der Erfindung, bei dem jede der Schichtungen I und II aus drei Schichten besteht. Dieser lichtabsorbierende Belag enthält die Schichtung I aus dielektrischen Schichten a und f zu beiden Seiten einer mc»taIl i sehen Schicht b und die Schichtung II besteht aus dielektrischen Schichten g und e zu beiden Seiten der metallischen Schicht d.

Darüberhinaus kann der erfindungsgemäße lichtabsorbierende Belag auclt so ausgebildet sein, daß er Schichtungen I und

II enthalt, die aus vier oder mehr Schichten bestehen. Dabei kann selbstverständlich die Dicke der einzelnen Schichten (dielektrische Schichten und metallische Schichten) beim erf i ndungsgemäßen lichtabsorbierenden Belag so gewühlt, worden, daß insgesamt optimale spektrale Reflexionsfaktoren, Absorptionsfaktoren usw. erreicht werden.

Es seien nun die Daten erfindungsgemäßer lichtabsorbierender Beläge angegeben.

Belag A

n_Q - 1,52 (Glasplatte)

ⁿi	= 2,33	^di -	30	nm
"2	= 1,97-3,33 i	^d2 -	10,2	nm
ⁿ3	- 1,33	^d3 "	300,8	nm
"4	= 1,97-3,33 i	^d4 ■	10,2	nm
ⁿs	« 2,33	^d5 '	30	nm
ⁿ6	=1,52 (Glasplatte)

Belag B

ⁿo ·	1,52 (Glasplatte)	^dl	- 38,	6	. nm
	2,33	^d2	- 10,	2	nm
	1,97-3,33 i	^d3	- 142	,9	nm
ⁿ3 ^β	1,33	^d4	= 10,	2	nm
^h4 '	1,97-3,33 i	^d5	= 30		nm
ⁿ5 ⁼	2,33

η, - 1,52 (Glasplatte)

Belag C

η = 1,52 (Glasplatte)

η_χ = 2,33 dj « 30 nm

ήj = 1,97-3,33 i d₂ = 9,1 nm

n₃ = 1,33 d₃ - 127,-8 nm

ή₄ = 1,97-3,33 i d₄ * 12,7 nm

n₅ = 2,33 d₅ - 30 nm n, = 1,52 (Glasplatte)

Belag D

η -- 1,52 (Glasplatte)

n_t = 2,33 dj * 30 nm

K_{2 s} 1,97-3,33 i d₂ = 10,2 nm

η = 1,33 d. = 103 nm

ή₄ = 0,89-1,51 i d₄ - 31,5 nm

nm

n₅ = 2,33 d₅ = 23,9

n. -- 1,52 (Glasplatte)

Die lichtabsorbierenden Belag« A, B, C und D haben den schematisch in Fig. 3 dargestellten Aufbau und die als Kur-ViMi A, B, C und D in Fig. 5 eingezeichneten spektralen Reflex ionseigenschaften.

Wir eich aus Fig. 5 ergibt, wird bei allen Ausfuhrungsbeispielen ein hoher Grad der Reflex ionsverminderung erreicht. Bei dem Belag D sind die metallischen Schichten in den Schichtungen I und Il au.s verschiedenen Materialien hergestellt, um die WeI lenl iingenabhangi gke i t der Phasenvariation d<\s diirchgo lassenen Lichtes auf aiii Minimum herabzu-

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setzen. Dies ergibt sich aus der Tatsache, daß die spektrale Durchlaßcharakteristik D eine Durchbiegung besitzt, die von der der anderen abweicht.

Wie im vorstehenden gezeigt, besitzt der erfindungsgemäße lichtabsorbierende Belag hohe reflektionsvermindernde Eigenschaften und erlaubt eine Mikroskopie ohne Schürfe oder Geisterbilder, wenn der lichtabsorbierende Belag in einem Phasenkontrastmikroskop oder einen hochauflösenden Mikroskop verwendfit wird. Weiterhin weist der erfindungsgemäße lichtabsorbierende Belag reflex-"!onsvermindernde Eigenschaften für von beiden Seiten auftreffendes Licht auf. Schließlich macht es der erfindungsgemüße lichtabsorbioronde Belag möglich, den Grad der Phasenvariation, den Durchlaßgrad und das Durchlaßvermögen vorzugeben· Außerdem ermöglicht es die vorliegende Erfindung, die WoJ1enlängenabhängigkeit der Phasenvariation auf ein Minimum herabzusetzen ,

Claims

PATENTANWALT Dtei-Phya RICHARD LUYKEN

Olympus Optical Co., Ltd.
of Hatagaya 2-43-2
Shinbuya-ku
Tokio / JAPAN

oot 7830

I4.O5.I982

L/Ro

Lichtabsorbierender Belag mit reflexionsvermindernden Eigenschaften

Patent a η s ρ γ ti c h e

g P-v
1 . Lichtabsorbierender BeIag,V-k ennzei. chnet durch eine erste Schichtung und eine zweite Schichtung, die jeweils zumindest eine dielektrische Schicht und zumindest eine metallische Schicht aufweisen und reflexionsvermindernde Eigenschafton besitzen, wenn sie unabhängig verwendet werdet* und durch deren Anordnung an beiden Seiten einer weiteren dielektrischen Schicht.
2. I i chtabsorbiere.nder Belag nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schichtung j aus einer ersten dielektrischen Schicht und einer ersten f metallischen Schicht und tliv /.weite Schichtung aus einer

/weiten dielektrischen Schicht und einer zweiten metall!- [

scheu Schicht bestehen.
3. I.ichtabsorbierender Belag nach Anspruch 2, dadurch f g e k e η η /. e i c h η e t , daß die erste und die zweite j

dielektrische Schicht aus dem gleichen Material hergestellt f

sind, und daß die erste und zweite metallische Schicht ebenfalls aus dem gleichen Material hergestellt sind.
4. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 3, gekennzeichnet durchdie folgenden Daten:

n_Q = 1,52 (Glasplatte)

ⁿi 2 ,33 33 i ^di · 30 nm "2 - 1 ,97-3, ^d2 * 10,2 nm ⁿ3 » 1 ,33 33 i ^d3 " 300,8 nm ή₄ - 1 ,97-3, ^d4 - 10,2 nm ⁿ5 - 2 ,33 ^d5 ■ 30 nm

n₆ s 1,52 (Glasplatte)
5. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 3, g e k e η η zeichnet durch die folgenden Daten:

n_Q = 1,52 (Glasplatte)

ⁿi - 2,33 3,33 i ^di - 38, 6 nm "2 - 1,97- ^d2 - 10, 2 nm n₃ , 1 ,33 3,33 i ^d3 * 142 ,9 nm ^Λ4 * 1,97- ^d4 ⁼ 10, 2 nm n₅ . 2,33 (Glasplatte) ^d5 ^K 30 nm n₆ « 1,52
6. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 3, g e k e η η ζ e lehnet durch die folgenden Daten:

n_Q 1,52 (Glasplatte)

ⁿi -- 2, 33 33 i ^di ^c 30 ,8 nm "2 = 1, 97-3, d₂ , 9,1 nm »3 = 1, 33 ^d3 127 nm

ⁿ4 » 1, 97- -3,33 i ^d4 ^c 12, 7 nm ⁿ5 - 2, 33 ^d5 " 30 nm ⁿ6 = 1, 52 (Glasplatte)
7. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 2, dadurch gekennze ichnet, daß die erste und die zweite dielektrische Schicht aus dem gleichen Material, die erste und zweite metallische Schicht jedoch aus verschiedenen
ge

Material hergestellt sind.
8. Lichtabsorbierender Belag nach Artspruch 7, gekenn zeichnet durch die folgenden Daten:

ⁿ0 « 1,52 (Glasplatte) 1,51 i ^di · 30 2 nm ⁿi = 2,33 d₂ ,- 10, nm ^AJS = 1,97-3,33 i (Glasplatte) ^d3 * 103 5 nm ⁿ3 « 1,33 ^d4 · 31, 9 nm ^Ä4 = 0,89- d_s- 23, nm ⁿ5 - 2,33 _n = 1,52
9. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 7» dadurch gekennze i chnet, daß die Wellenlängeabhär^igkeit der Phasenvariation des durchgelassenen Licht- „s der
ersten metallischen Schicht entgegengesetzt zu der der
zweiten metallischen Schicht gewählt wird.
10. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite dielek trische Schicht aus verschiedenen Materialien hergestellt sind und daß ferner auch die erste· und zweite metallische Schicht aus verschiedenen Materialien hergestellt sind.
11. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 10, da durch gekennzeichnet, daß die WeIlenla"ngenabha"ngigkeit dor Phasenvariationen des durchgelassenon Lichtes der ersten metallischen Schicht entgegengesetzt xu der der zweiten metallischen Schicht ist,
12. Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine erste Schichtung aus einer ersten dielektrischen Schicht und einer metallischen Schicht einer zweiten Schichtung, bestehend aus einer zweiten dielektrischen Schicht und einer zweiten metallischen Schicht und einer dritter» dielektrischen Schicht, wobei die erste und zweite Schicht, einander entgegengesetzt auf beiden Seiten der dritten dielektrischen Schicht- angeordnet sind und der 1 iehtabsorbi«rondo Belag der Bedingung genügt J r· J + j r„/ e "S /¹^₁/ und die dritte dielektrische Schicht eine optische Dicke von einem ungradzahligon Vielfachen von 7**/4 besitzt; worin bezeichnen:

r„ das Reflektionsvermögen der eintrittsseitigen Oberfläche

der ersten dielektrischen Schicht, T₁ das Refl«'ktionsvormögon der Grenzfläche zwischen erster dielektrischer Schicht und erster metallischer Schicht

und
r« das Reflektionsvermögen der Grenzfläche zwischen erster metallischer Schicht und dritter dielektrischer Schicht.

13- Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 1, g e k e η η zeichnet durch eine erste Schichtung aus einer ersten dielektrischen Schicht und einer ersten metallischen Schicht, einer zweiten Schichtung aus einer zweiten dielektrischen Schicht und einer zweiten metallischen Schicht und einer dritten dielektrischen Schicht, wobei die erste und zweite Schichtung einander gegenüberliegend auf beiden Seiton der dritten dielektrischen Schicht angeordnet sind und der 1iehtabsorbi.crendo Belag der Be-

dingung | r_Q| + j r„| d'^^jrjj genügt und die dritte dielektrische Schicht eine optische Dicke Von einem, gradzahl igen Vielfachen von 7^/4 besitzt; worin bezeichnen:

r~ das Reflektionsvermögen der elntrittsseitigen Oberfläche der ersten dielektrischen Schicht,

r. das Reflektionsvermögen der Grenzfläche zwischen erster dielektrischer Schicht und erster metallischer Schicht und

r„ das Reflektionsvermögen der Grenzfläche zwischen erster metallischer Schicht und dritter dielektrischer Schicht.

14« Lichtabsorbierender Belag nach Anspruch 1» d a durch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Schichtung je aus einer dielektrischen Schicht, einer metallischen Schicht und einer dielektrischen Schicht bestehen.