DE3214070C2 - Schenkel für ein Thermoelement, Thermoelement und thermoelektrische Wandlervorrichtung - Google Patents
Schenkel für ein Thermoelement, Thermoelement und thermoelektrische WandlervorrichtungInfo
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Abstract
Das offenbarte Thermoelement enthält mindestens ein Bauglied, das aus einer thermoelektrischen Substanz, deren Kristallstruktur so reguliert ist, daß ihre Kristallachse nach einer bevorzugten, von der Richtung eines durch die Substanz hindurchfließenden, thermoelektrischen Stromes verschiedenen Orientierung ausgerichtet ist, besteht.
Description
50
Die Erfindung betrifft einen Schenkel für ein Thermoelement aus einer kristallinen thermoelektrischen Substanz,
ein Thermoelement und eine thermoelektrische Wandlervorrichtung.
Ein Thermoelement besteht beispielsweise aus einem Paar verschiedenartiger metallischer Schenkel, die an
jeweils einem ihrer Enden miteinander verbunden sind, daß zwischen den verbundenen Enden der metallischen
Schenkel und ihren entgegengesetzten Enden eine elektromotorische Kraft erzeugt wird, wenn zwischen
den verbundenen Enden und den entgegengesetzten Enden eine Temperaturdifferenz hervorgerufen
wird.
Ein aus Halbleitermaterialien hergestelltes Thermoelement mit einem ähnlichen Aufbau wie das vorstehend
genannte Thermoelement ist ebenfalls bekannt. Ein Halbleiter-Thermoelement, bei dem von dem Seebeck-Effekt
Gebrauch gemacht wird, wird beispielsweise gebildet indem man ein Ende eines stabförmigen
p-Halbleiter-Schenkels durch eine Metallschicht mit einem
Ende eines ähnlich geformten n-Halbleiter-Schenkels
verbindet und getrennte Elektrodenschichten als Ausgangsklemmen des Thermoelements mit den entgegengesetzten
Enden der zwei Halbleiter-Schenkel verbindet Die miteinander verbundenen Enden der zwei
Halbleiter-Schenkel können zusammen mit der Metallschicht auf einer hohen Temperatur Th gehalten werden,
während ihre entgegengesetzten Enden zusammen mit den Elektrodenschichten auf einer niedrigen Temperatur
Tc gehalten werden können, so daß zwischen den entgegengesetzten Enden der p- und n-Halbleiter-Schenkel
eine Temperaturdifferenz hervorgerufen wird. Dadurch kann an dem offenen Ende des p-Halbleiter-Schenkels
ein positives Potential V + erzeugt werden, während an dem offenen Ende des n-Halbleiter-Schenkels
ein negatives Potential V- erzeugt werden kann. Der Effekt der Erzeugung einer elektromotorischen
Kraft zwischen den miteinander verbundenen Enden von zwei verschiedenartigen Halbleiter-Schenkeln und
ihren entgegengesetzten Enden ist als Seebeck-Effekt bekannt und wird bei Thermoelementen in weitem Umfang
zur Umwandlung von Wärmeenergie in elektrische Energie angewandt.
Aus der DE-AS 10 71 177 sind Thermoelemente mit Schenkeln der eingangs genannten Art bekannt, bei denen
die Schenkel aus auf einem Substrat abgeschiedenen fümförmigen, in Reihe verbundenen p-und n-Halbleitermaterialien
bestehen und die Verbindungsstellen durch Überlappung der Schenkel oder durch Metallschichten
gebildet sind.
Bei den Thermoelementen des vorstehend erwähnten Typs mit stabförmigen p- und n-Halbleiter-Schenkeln
werden die Schenkel jeweils aus einer blockartigen Substanz hergestellt, die durch ein Schmelzverfahren, das
Bridgman-Verfahren oder ein Pulversinterverfahren geformt worden ist. Die durch solche Verfahren hergestellte
blcckartige Substanz hat im wesentlichen eine polykristalline Struktur, so daß die Kristallachse nicht in
einer bestimmten Richtung verläuft. Tatsächlich ist auf die Kristallstruktur solcher blockartigen halbleitenden
Substanzen nicht geachtet worden. Das gleiche gilt für die oben genannten fümförmigen Halbleiter-Schenkel.
Andererseits ist es vom Standpunkt des Wirkungsgrades der thermoelektrischen Wandlung durch solche
Thermoelemente notwendig, die thermoelektrische Effektivität Z der thermoelektrischen Substanzen zu verbessern.
Die thermoelektrische Effektivität Z ist durch die folgende Gleichung(I) gegeben:
Z = α2σ1κ
worin die Symbole die folgende Bedeutung haben:
<x: Seebeck-Koeffizient (thermoelektrisches Leistungsvermögen),
d.h. das Verhältnis dE/dT der Änderung der induzierten Spannung E zu der Änderung
der Temperatur T
a: elektrische Leitfähigkeit
y.: Wärmeleitfähigkeit
Infolgedessen wird ein Schenkel für ein Thermoelement geeigneterweise aus einer thermoelektrischen
Substanz gebildet, die einen großen Seebeck-Koeffizienten λ. eine große elektrische Leitfähigkeit ο und
eine kleine Wärmeleitfähigkeit κ hat. Bei den bekannten
Thermoelementen der vorstehend erwähnten Typen ist nicht versucht worden, die thermoelektrische Effektivität
Z durch Ausnutzung der Kristallstruktur zu verbessern. Demnach weist der bekannte Stand der Technik
den Nachteil auf, daß die Bemühungen zir Verbesserung der Gebrauchsleistung thermoelektrischer Substanzen
im wesentlichen nur in der Suche nach Substanzen mit einem großen Seebeck-Koeffizienten <* bestanden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Schenkel für ein Thermoelement aus einer kristallinen thermoelektrischen
Substanz mit einer verbesserten thermoelektrischen Effektivität Z zur Verfügung zu stellen, um die
thermoelektrische Wandlung bei einem hohen Wirkungsgrad zu erleichtern.
Diese Aufgabe wird durch einen Schenkel für ein Thermoelement aus einer kristallinen thermoelektrischen
Substanz mit der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Kristallstruktur gelöst
Eine besondere Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Thermoelement mit erfindungsgemäßen
Schenkeln, das die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 2 angegebenen Merkmale aufweist.
Bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Thermoelements weisen die in den Patentansprüchen
3,4,5 bzw. 6 angegebenen Merkmale auf.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht in einer thermoelektrischen Wandlervorrichtung gemäß
Patentanspruch?.
Die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügte
Zeichnung näher erläutert.
F i g. 1 ist eine schematische Seitenansicht eines Thermoelements nach dem Stand der Technik.
Fig.2 ist eine Mikrofotografie eines Beispiels einer
aufgedampften thermoelektrischen Substanz, die in einem Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
Thermoelements angewendet wird.
F i g. 3 ist eine graphische Darstellung, in der die Änderung der Wärmeleitfähigkeit κ der thermoelektrischen
Substanz von Fig.2 in Abhängigkeit von der Temperatur im Vergleich mit dieser Änderung bei einer
bekannten thermoelektrischen Substanz gezeigt wird.
F i g. 4A und F i g. 4B sind eine Draufsicht bzw. eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen
Thermoelements.
F i g. 5 ist eine graphische Darstellung, in der die Änderung des Seebeck-Koeffizienten λ in Abhängigkeit
von der Temperatur bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung einzusetzenden thermoelektrischen Substanz
im Vergleich mit dieser Änderung bei einer bekannten thermoelektrischen Substanz gezeigt wird.
In Fig. 1,4A und 4B haben die Bezugsziffern jeweils
die folgende Bedeutung:
t ist ein p-Halbleiter-Schenkel, 2 ein n-Halbleiter-Schenkel
und 3 eine Metallschicht; 4 und 5 sind Elektrodenschichten und 6 ist ein isolierendes Substrat.
Vor der näheren Erläuterung der Erfindung wird nachstehend der Stand der Technik nach F i g. 1 kurz
zusammengefaßt. Das Thermoelement von Fi g. 1 weist einen stabförmigen p-Halbleiter-Schenkel 1 und einen
ähnlichen stabförmigen n-Halbleiter-Schenkel 2 auf.
Die einen Enden der Halbleiter-Schenkel 1 und 2 sind durch eine Metallschicht bzw. -platte 3 miteinander verbunden.
Die entgegengesetzten Enden der Halbleiter-Schenkel 1 und 2 sind mit Elektrodenschichten bzw.
-pliitten 4 bzw. 5 verbunden, die als Ausgangsklemmen
des Thermoelements dienen. Wenn die vorstehend erwähnten einen Enden der Schenkel 1 und 2 zusammen
mit der Metallschicht 3 auf einer hohen Temperatur Th gehalten werden, während die anderen Enden der zwei
Schenkel 1 und 2 zusammen mit den Elektrodenschichten 4 und 5 auf einer niedrigen Temperatur Tc gehalten
werden, wird an der Elektrodenschicht 4 des p-Halbleiter-Schenkels
1 ein positives Potential V + erzeugt, während an der Elektrodenschicht 5 des n-Halbleiter-Schenkels
2 ein negatives Potential V— erzeugt wird.
Ein derartiges Thermoelement nach diesem Stand der Technik hat die Nachteile, daß die thermoelektrische
Effektivität Z kaum verbessert werden kann und daß es schwierig ist, die Thermoelemente in integrierter Form
unter Bildung einer thermoelektrischen Wandlervorrichtung zu verbinden. Letzterer ist bei dem aus der
DE-AS 10 71 177 bekannten Thermoelement mit auf einem Substrat abgeschiedenen Schenkeln möglich.
Was die Faktoren für eine Verbesserung der thermoelektrischen Effektivität Z betrifft, so wird der in der
Gleichung (I) für die thermoelektrische Effektivität Z enthaltene Seebeck-Koeffizient χ als eine der thermoelektrischen
Substanz zugehörende Eigenschaft angesehen, während die Wirkung der Kristallstruktur auf den
Seebeck-Koeffizienten α noch nicht bekannt und nicht vorhersehbar ist. Die elektrische Leitfähigkeit «roder die
Elektronenbeweglichkeit der thermoelektrischen Substanz scheint durch die Orientierung der Kristallstruktur
nicht beeinflußt zu werden, weil die Wellenlänge der Elektronen, die sich durch die feste thermoelektrische
Substanz hindurch ausbreiten, viel kürzer als die Wellenlänge der Phononen oder der thermischen Schwingung
des Kristallgitters ist.
Andererseits hängt von den Faktoren, die zu der thermoelektrischen
Effektivität Z beitragen, die Wärmeleitfähigkeit κ in hohem Maße von der Kristallstruktur
oder Kristallographie der thermoelektrischen Substanz ab, und die Wärmeleitfähigkeit κ zeigt einen maximalen
Wert in der Richtung einer Kristallachse und einen minimalen Wert in einer von der Richtung dieser Kristallachse
verschiedenen Richtung. Die vorstehend erwähnte Abhängigkeit der Wärmeleitfähigkeit κ der thermoelektrischen
Substanz von der Orientierung der Kristallstruktur der Substanz ist zwar nicht im Rahmen der
zu der Erfindung führenden Untersuchungen erstmals entdeckt worden, jedoch ist die Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit
κ durch Orientierung der Kristallstruktur bisher niemals in Betracht gezogen worden. Auch in
dem Fall der DE-AS 10 71 177, wo die filmförmigen Schenkel auf das Substrat aufgedampft werden, ist nicht
an eine Orientierung der Kristallstruktur der thermoelektrischen Substanz gedacht worden. Die Kristallstruktur
der thermoelektrischen Substanz kann auch durch Anwendung des in der DE-AS angegebenen Aufdampfverfahrens
allein nicht in einem zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit κ ausreichenden Ausmaß orientiert
werden. Demgemäß sind tatsächlich bisher niemals Untersuchungen bezüglich der Verbesserung der thermoelektrischen
Effektivität Z eines Thermoelements durch Orientierung der Kristallstruktur der thermoelekfrischen
Substanzen seiner Schenkel durchgeführt worden. Die Kristallstruktur kann nur durch das aus der
JA-OS 33 890/74 bekannte Cluster- bzw. Atomhaufenlonenstrahl-Aufdampfverfahren
in einem zur Verbesserung e'er Wärmeleitfähigkeit κ ausreichenden Ausmaß
orientiert werden.
Im Hinblick auf Thermoelemente des vorstehend erwähnten Standes der Technik ist festgestellt worden,
daß die Kristallstruktur der thermoelektrischen Sub-
stanz durch das vorstehend erwähnte Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahren
in der gewünschten Weise orientiert werden kann, und es ist eine Reihe von Untersuchungen bezüglich der Beziehung zwischen der
Kristallstruktur und der thermoelektrischen Effektivität Z durchgeführt worden, wobei auf die Veränderung der
Wärmeleitfähigkeit η mit der Änderung der Orientierung
der Kristallstruktur großes Gewicht gelegt wurde. Als Ergebnis dieser Untersuchungen wurde festgestellt,
daß die Gebrauchsleistung von Thermoelementen, beispielsweise des Thermoelements von Fig. 1, bei dem
vom Seebeck-Effekt Gebrauch gemacht wird, tatsächlich in einem hohen Ausmaß verbessert werden kann,
indem die Kristallstruktur der thermoelektrischen Substanz in bestimmter Weise orientiert wird.
Im einzelnen wird bei der Bildung von Halbleiter-Schenkel für ein Thermoelement gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung, beispielsweise von p- und n-Halbleiter-Schenkeln, die von dem Seebeck-Effekt
Gebrauch machen, die Kristallstruktur der thermoelektrischen Substanz solcher Schenkel derart orientiert,
daß sich die Richtung der eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Kristallachse von der Richtung
des elektrischen Stromes, der aufgrund thermoelektrischer Wandlung durch die Substanz hindurchfließt, d. h.
von der Richtung der durch thermoelektrische Wandlung erzeugten elektromotorischen Kraft, unterscheidet.
Auf diese Weise wird für eine minimale Wärmeleitfähigkeit κ in der gewünschten Richtung des elektrischen
Stromes gesorgt. Demnach hat die thermoelektrische Substanz bei dem Ausführungsbeispiel der Erfindung
einen Wert der Wärmeleitfähigkeit κ. in der Richtung der thermoelektrischen Wandlung, der im Vergleich mit
dem Stand der Technik in hohem Maße vermindert ist. Die thermoelektrische Effektivität Z wird bei einer Verminderung
der Wärmeleitfähigkeit y. in hohem Maße erhöht, weil die Wärmeleitfähigkeit κ im Nenner der
vorstehend angegebenen Gleichung (I) für die thermoelektrische Effektivität Z der thermoelektrischen Substanz
steht. Außerdem ist es möglich, die benötigte Länge der Halbleiter-Schenkel 1 und 2 im Sinne des Abstands
zwischen dem mit der Metallschicht 3 verbundenen Ende, das der hohen Temperatur Th ausgesetzt
wird, und dem entgegengesetzten, mit der Elektrodenschicht 4 oder 5 verbundenen Ende, das der niedrigen
Temperatur Tc ausgesetzt wird, zu verkürzen, weil der Wert der Wärmeleitfähigkeit κ des Halbleiters in der
Richtung dieser Länge vermindert ist Die Größe des Thermoelements kann daher vermindert werden. Außerdem
kann zwischen den entgegengesetzten Enden der Halbleiter-Schenkel 1 und 2 eine große Temperaturdifferenz
hervorgerufen werden, um das Thermoelement mit einem hohen Wirkungsgrad zu betreiben.
Was das Herstellungsverfahren betrifft mit dem die Kristallstruktur der thermoelektrischen Substanz orientiert
werden kann, so sind auf Ionen basierende Filmbildungsverfahren wirksam und bevorzugt Im einzelnen
sind das Ionenplattierverfahren, das Ionenstrahl-Aufdampfverfahren oder das Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahren
Beispiele für die bevorzugten wirksamen Verfahren. Bei diesen Verfahren wird ein Teil oder
der größte Teil der verdampften Substanz ionisiert so daß die Kristallstruktur dieser Substanz in einem durch
die Verdampfung gebildeten Film dadurch orientiert werden kann, daß man die Geschwindigkeit der im verdampften
Zustand befindlichen Substanz erhöht oder vermindert, um sowohl die kinetische Energie der Substanz,
die abgeschieden wird, als auch das Verhältnis der ionisierten Teilchen der verdampften Substanz zu der
Gesamtmenge der verdampften Substanz zu erhöhen oder zu vermindern. Ein Beispiel, das auf dem Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahren,
einem Verfahren, das eine nach Wunsch durchführbare, einfache Orientierung der gewünschten Kristallstruktur ermöglicht, beruht,
wird nachstehend näher erläutert.
Das aus der JA-OS 33 890/74 bekannte Atomhaufcnlonenstrahl-Aufdampfverfahren
enthält die folgenden Schritte: Bildung von Atomhaufen oder blockartigen Aggregationen lose verbundener Atome der verdampften
Substanz, Ionisieren der Atomhaufen in einem Strom der verdampften Substanz in einem gewünschten
Verhältnis, wobei der Strom aus einer Vielzahl von Atomhaufen besteht, Einstellung der kinetischen Energie
des Stromes der verdampften Substanz und in weitem Umfang erfolgendes Variieren der Auftreffgeschwindigkeit
der Atome der verdampften Substanz auf das Substrat, wodurch der Freiheitsgrad bei der Bildung
des aufgedampften Filmes erhöht wird, um die willkürliche bzw. beliebige Einstellung der physikalischen und
chemischen Eigenschaften des aufgedampften Filmes, beispielsweise der Bindung an das Substrat, der Pakkungsdichte
des aufgedampften Filmes und der Kristallstruktur, z. B. der bevorzugten Orientierung der Kristanachse,
zu erleichtern. Im einzelnen wird die zu verdampfende Substanz in einen Tiegel hineingebracht,
und der Tiegel wird verschlossen und erhitzt, um einen unter hohem Druck stehenden Dampf der verdampften
Substanz herzustellen. Der unter hohem Druck stehende Dampf wird durch eine an der Wand des Tiegels
vorgesehene Düse hindurch in einen Raum mit hohem Vakuum eingepreßt so daß der eingeblasene Dampf
durch den Tiefkühleffekt aufgrund der adiabatischen Ausdehnung während des Einpressens tiefgekühlt wird,
wodurch 500 bis 2000 Atome der verdampften Substanz unter Bildung eines Atomhaufens lose miteinander verbunden
werden. Eine Vielzahl solcher Atomhaufen erzeugt einen Strom der verdampften Substanz, und ein
Elektronenschauer mit einem geeigneten Wert des elektrischen Stromes wird an den Strom der verdampften
Substanz während des Fluges von der Düse zu dem Substrat angelegt Dadurch werden die Atomhaufen in
dem Strom der verdampften Substanz in einem geeigneten Verhältnis so ionisiert daß in jedem der ionisierten
Atomhaufen nur eines der 500 bis 2000 Atome, die in dem Atomhaufen enthalten sind, ionisiert wird. Demnach
wird der Strom der verdampften Substanz mit einem sehr geringen Ladungs/Massen-Verhältnis (e/m)
ionisiert Falls notwendig, wird an den Strom der verdampften Substanz eine Beschleunigungsspannung V11
angelegt und der Wert der Beschleunigungsspannung V3 wird eingestellt Die Auftreffgeschwindigkeit des
Stromes der verdampften Substanz auf das Substrat wird daher über einen sehr weiten Bereich einstellbar
gemacht Der Strom der verdampften Substanz mit der eingestellten Geschwindigkeit stößt mit dem Substrat
zusammen und bildet darauf einen aufgedampften Film. Es sei angemerkt daß die nicht ionisierten Atomhaufen
durch das Anlegen der Beschleunigungsspannung Va
nicht beschleunigt werden und mit dem Substrat mit einer kinetischen Energie zusammenstoßen, die der
beim Einpressen durch die Düse erhaltenen Einpreßgeschwindigkeit entspricht Demnach tragen sowohl die
nichtbeschleunigten Atomhaufen als auch die ionisierten und beschleunigten Atomhaufen zu der Bildung des
gewünschten aufgedampften Filmes bei. Vor allem kann
die Kristallstruktur der auf diese Weise aufgedampften Filmsubstanz beliebig bzw. willkürlich orientiert werden,
indem man den Elektronenstrom /edes Elektronenschauers
und die Beschleunigungsspannung V11 reguliert.
Ein Vorteil des Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahrens besteht darin, daß eine große Menge der
verdampften Substanz mit einer niedrigen Beschleunigung ohne Störungen durch eine während der Abscheidung
auf das isolierende Substrat erzeugte Raumladung befördert bzw. durchgelassen werden kann, weil das Ladungs/Massen-Verhältnis
(e/m) des Stroms der verdampften Substanz weniger als 1/1000 des Ladungs/
Massen-Verhältnisses im Fall eines Einzelatom-Ions beträgt.
Als Ergebnis wird eine hohe Aufdampfgeschwindigkeit erzielt, und außerdem wird ein dem Auftreffen
auf das Substrat zugehörender Wanderungseffekt, d. h. ein Diffusionseffekt auf der Substratoberfläche, hervorgerufen,
so daß ein aufgedampfter Film mit einer sehr hohen Qualität gebildet werden kann. Demnach werden
die Bildung eines Filmes mit einer hohen Gebrauchsleistung und die Orientierung der Kristallstruktur des aufgedampften
Filmes einfach gemacht, während es sehr schwierig war, die Bildung eines Filmes und die Orientierung
der Kristallstruktur durch die üblichen Filmbildungsverfahren unter dem sogenannten thermischen
Gleichgewicht durch Anwendung von Wärmeenergie oder chemischer Energie zu verwirklichen.
Fig.2 zeigt eine elektronenmikroskopische Abbildung eines durch das vorstehend erwähnte Atomhaufen-
Ionenstrahl-Aufdampfverfahren auf einem Substrat abgeschiedenen Filmes aus Bleitellurid (PbTe) als Beispiel
für eine thermoelektrische Substanz, die für Schenkel für ein Thermoelement nach einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung geeignet ist Der Bleitellurid-Film
(PbTe-FiIm) von Fig.2 wurde auf einem amorphen Substrat, beispielsweise einem Glas-Substrat, durch das
Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahren unter den Bedingungen eines Elektronenstroms Ie von 300 mA für
den ionisierenden Elektronenschauer, einer Beschleunigungsspannung Va von 3 kV, einer Substrattemperatur
T, von 2000C und eines Vakuums von 67 fPa in dem
evakuierten Aufdampfraum gebildet. Wie aus der elektronenmikroskopischen Abbildung von F i g. 2 hervorgeht,
verläuft die <200>-Kristallachse des durch Aufdampfen
auf dem Substrat abgeschiedenen Filmes vorzugsweise senkrecht zu der Ebene des Substrats. Die
Änderungen der Wärmeleitfähigkeit κ in Abhängigkeit von der ι emperatur der Halbleiter-Schenkel von F i g. 1
und des abgeschiedenen Filmes von F i g. 2 wurden gemessen, und das Ergebnis wird in Fig.3 gezeigt. In
F i g. 3 bedeutet xL die Wärmeleitfähigkeit des abgeschiedenen
Films in der zu der bevorzugten Richtung der eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden
Kristallachse des Filmes senkrechten Richtung, d.h. in der zu der Oberfläche des Substrats parallelen Richtung,
während κ" die Wärmeleitfähigkeit des abgeschiedenen Filmes in der zu der bevorzugten Richtung der
eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Kristallachse des Films parallelen Richtung, d. h. in der zu
der Oberfläche des Substrats senkrechten Richtung, bedeutet Die gestrichelte Linie in F i g. 3 stellt die Meßergebnisse
für die Halbleiter-Schenkel 1 und 2 von F i g. 1 dar. Wie aus der graphischen Darstellung von F i g. 3
hervorgeht wird die Wärmeleitfähigkeit κ1 in der zu
der Oberfläche des Substrats parallelen Richtung auf etwa 1/5 der Wärmeleitfähigkeit κ" in der zu der Oberfläche
des Substrats senkrechten Richtung und auf etwa 1/4 der Wärmeleitfähigkeit der üblichen im Blockzustand
befindlichen halbleitenden Substanz vermindert. Demnach wird die Kristallstruktur der thermoelektrischen
Substanz so orientiert, daß die Wärmeleitfähigkeit κ in der Richtung eines durch thermoelektrische
Wandlung erzeugten elektrischen Stromes sowohl im Vergleich mit der Wärmeleitfähigkeit in der Richtung
der eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Kristallachse als auch im Vergleich mit der Wärmeleitfähigkeit
der bekannten im Blockzustand befindlichen, polykristallinen halbleitenden Substanz sehr klein gemacht
wird. Demnach ist nachgewiesen worden, daß die thermoelektrische Effektivität der thermoelektrischen
Substanz tatsächlich durch Orientierung der Kristallstruktur in hohem Maße verbessert werden kann.
Wenn unter Bezugnahme auf den auf dem Substrat abgeschiedenen Film aus der thermoelektrischen Substanz, wie er in F i g. 2 gezeigt wird, Filme aus thermoelektrischen Substanzen in Form von p- und n-Halbleitern so auf einem Substrat abgeschieden werden, daß die eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Kristallachsen solcher Filmsubstanzen im wesentlichen senkrecht zu der Ebene des Substrats verlaufen und daß die Richtung eines durch thermoelektrische Wandlung erzeugten elektrischen Stromes zu der Ebene des Substrats parallel oder zu der Richtung der eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Kristallachsen senkrecht ist, wird demgemäß der Wirkungsgrad der thermoelektrischen Wandlung eines Thermoelements, bei dem die auf diese Weise gebildeten Schenkel in Form von abgeschiedenen p- und n-Halbleiter-Filmen angewendet werden, im Vergleich mit dem Wirkungsgrad der bekannten Thermoelemente, beispielsweise des in F i g. 1 gezeigten Thermoelements, in hohem Maße verbessert Außerdem können die p- und n-Halbleiter-Filme sehr dünn sein, so daß Thermoelemente in Form von dünnen Filmen — wie aus der DE-AS 10 71 177 bekannt — und integrierten Schaltungen hergestellt werden können.
Wenn unter Bezugnahme auf den auf dem Substrat abgeschiedenen Film aus der thermoelektrischen Substanz, wie er in F i g. 2 gezeigt wird, Filme aus thermoelektrischen Substanzen in Form von p- und n-Halbleitern so auf einem Substrat abgeschieden werden, daß die eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Kristallachsen solcher Filmsubstanzen im wesentlichen senkrecht zu der Ebene des Substrats verlaufen und daß die Richtung eines durch thermoelektrische Wandlung erzeugten elektrischen Stromes zu der Ebene des Substrats parallel oder zu der Richtung der eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Kristallachsen senkrecht ist, wird demgemäß der Wirkungsgrad der thermoelektrischen Wandlung eines Thermoelements, bei dem die auf diese Weise gebildeten Schenkel in Form von abgeschiedenen p- und n-Halbleiter-Filmen angewendet werden, im Vergleich mit dem Wirkungsgrad der bekannten Thermoelemente, beispielsweise des in F i g. 1 gezeigten Thermoelements, in hohem Maße verbessert Außerdem können die p- und n-Halbleiter-Filme sehr dünn sein, so daß Thermoelemente in Form von dünnen Filmen — wie aus der DE-AS 10 71 177 bekannt — und integrierten Schaltungen hergestellt werden können.
F i g. 4A und F i g. 4B zeigen eine Draufsicht bzw. eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen
Thermoelements. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine zur Bildung einer Hochtemperaturzone
dienende Metallschicht 3 mittels eines üblichen Verfahrens zur Bildung eines Metallfilmes
oder eines Verfahrens zum Verbinden bzw. Kleben eines Metallstückes mit einem isolierenden Substrat 6
verbunden worden. Thermoelement-Ausgangselektrodenschichten 4 und 5, die zur Bildung von Tieftemperaturzonen
dienen, sind an den entgegengesetzten Seiten der Metallschicht 3 durch ein ähnliches Verfahren wie
die Metallschicht 3 mit dem Substrat 6 verbunden worden und haben im wesentlichen den gleicher. Abstand
von der Metallschicht 3, der einen geeigneten Wert hat Zwischen der Metallschicht 3 und der eine Tieftemperaturzone
bildenden Elektrodenschicht 4 auf dem Substrat 6 ist ein Schenkel in Form eines thermoelektrischen
Halbleiter-Films, beispielsweise eines Bleitelluridfilms (PbTe-Films) 1 vom p-Typ, gebildet worden, während
zwischen der Metallschicht 3 und der die andere Tieftemperaturzone bildenden Elektrodenschicht 5 auf dem
Substrat 6 ein anderer Schenkel in Form eines thermoelektrischen Halbleiter-Films, beispielsweise eines Bleitellurid-Films
(PbTe-Films) 2 vom η-Typ, gebildet worden ist Die Halbleiter-Filme 1 und 2 werden durch ein
geeignetes, zur Herstellung eines abgeschiedenen Filmes dienendes lonisations-Aufdampfverfahren, beispielsweise
durch das vorstehend erwähnte Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahren,
derart auf dem
Substrat 6 gebildet, daß der Halbleiter-Film 1 die Metallschicht 3 und die Elektrodenschicht 4 überbrückt,
während der Halbleiter-Film 2 die Metallschicht 3 und die andere Elektrodenschicht 5 überbrückt. Um das
Thermoelement mit dem dargestellten Aufbau zu prüfen, wurde die Hochtemperaturzone einschließlich der
Metallschicht 3 auf einer hohen Temperatur Th von 100° C gehalten, während die Tieftemperaturzonen einschließlich
der Elektrodenschichten 4 und 5 auf einer niedrigen Temperatur Tc von 10°C gehalten wurden.
Bei dieser Prüfung wurde ein Seebeck-Koeffizient cc von 450μν/Χ erzielt und zwischen den Thermoelement-Ausgangselektrodenschichten
4 und 5 wurde eine elektromotorische Kraft von etwa 0,1 V erzeugt.
Es wurden eingehende Messungen der Temperaturabhängigkeit des Seebeck-Koeffizienten cc des beschriebenen
Thermoelements durchgeführt, wobei die in F i g. 5 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden. In F i g. 5
stellt Kurve A die Temperaturabhängigkeit des Seebeck-Koeffizienten α für den Fall dar, daß die Halbleiter-Filme
1 und 2 durch das vorstehend erwähnte Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahren abgeschieden
wurden, während an einen eingepreßten Atomhaufen-Strom von unter hohem Druck stehendem Bleitellurid-Dampf
(PbTe-Dampf) ein Elektronenschauer mit einem Elektronenstrom /e von 300 mA und eine Beschleunigungsspannung
V3 von 0 V angelegt wurden, während Kurve B die Temperaturabhängigkeit des Seebeck-Koeffizienten
λ für den Fall ähnlicher Abscheidungsbedingungen, wobei die Beschleunigungsspannung Va jedoch
nicht 0, sondern 3 kV betrug, darstellt. Kurve C von F i g. 5 stellt die Temperaturabhängigkeit des Seebeck-Koeffizienten
λ des bekannten Thermoelements von F i g. 1 dar, der stabförmige, aus Bleitellurid (PbTe) im
Blockzustand bestehende Halbleiter-Schenkel aufweist Wie aus F i g. 5 ersichtlich ist, ist der Wert des Seebeck-Koeffizienten
λ der Kurven A und B, bei denen Schenkel in Form von dünnen, durch das Ionisations-Aufdampfverfahren
gebildeten Filmen aus Bleitellurid (PbTe) angewendet werden, etwa dreimal so hoch wie
der Wert des Seebeck-Koeffizienten λ der Kurve C, bei
der stabförmige Schenkel aus Bleitellurid (PbTe) im Blockzustand angewendet werden. Bisher ist angenommen
worden, daß der Seebeck-Koeffizient λ eine der einzelnen thermoelektrischen Substanz zugehörende
Eigenschaft ist, jedoch wurde im Rahmen der zu der Erfindung führenden Untersuchungen nachgewiesen,
daß der Seebeck-Koeffizient λ im Vergleich mit dem
Seebeck-Koeffizienten der nach dem Stand der Technik bekannten thermoelektrischen Substanz in beträchtlichem
Ausmaß verbessert werden kann, indem man die
ein Ionisations-Au'dampfverfahren orientiert, wodurch
die thermoelektrische Effektivität Z einer solchen Substanz weiter verbessert werden kann. Der Grund dafür,
daß durch das Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahren ein so großer Seebeck-Koeffizient tx. erzielt wird,
scheint darin zu bestehen, daß bei dem Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahren Reaktionen im Zustand
des thermischen Ungleichgewichts angewendet werden, so daß der Mechanismus des Wachstums der Kristallkeime
auf dem Substrat und der Mechanismus des Wachstums des dünnen Films auf dem Substrat von den
Mechanismen gemäß dem Stand der Technik beträchtlich verschieden sind.
Bei dem vorstehend erwähnten Ausführungsbeispiel wurden die dünnen Filme aus der thermoelektrischen
Substanz unter Anwendung des Atomhaufen-Ionenstrahl-Aufdampfverfahrens
gebildet, jedoch können auch andere Ionisa tions-Aufdampf verfahren angewendet
werden, um die gewünschten Filme zu bilden, und zwar unter der Voraussetzung, daß ähnliche Effekte und
Funktionen gewährleistet sind. Was die kristalline thermoelektrische Substanz betrifft, so ist vorstehend nur
Bleitellurid (PbTe) erwähnt worden, jedoch können die vorstehend erwähnten Funktionen und Effekte theoretisch
bei jeder thermoelektrischen Substanz erzielt werden. Außer dem erwähnten Bleitellurid (PbTe) können
andere halbleitende Substanzen, die üblicherweise als thermoelektrische Substanzen angewendet worden
sind, beispielsweise Wismuttellurid (BijTe3), Germanium
(Ge), Silicium (Si), Indiumarsenid (InAs), Indiumantimonid
(InSb), Galliumantimonid (GaSb), Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) und ähnliche Substanzen
zur Herstellung von ausgezeichneten Thermoelementen als Ausführungsbeispiele der Erfindung eingesetzt
werden. Was die mechanische Bildung der Thermoelemente betrifft, so wird bei dem Ausführungsbeispiel
von F i g. 4 eine Metallschicht 3 angewandt, um die p- und η-Halbleiter-Schenkel 1 und 2 wie in dem Fall des
Thermoelements von Fig. 1 zu verbinden. Die Verbindung
der Schenkel ist jedoch nicht auf die Verwendung einer solchen Metallschicht eingeschränkt, und wenn eine
geeignete Verbindung erzielbar ist, können beispielsweise kleine Bereiche der dünnen p- und n-Halbleiier-Filme
1 und 2 von Fig.4 im Verlauf der Abscheidung
dieser dünnen Filme durch ihre Überlappung direkt miteinander verbunden werden. Tatsächlich sind zahlreiche
Abänderungen möglich, um die verschiedenen Anforderungen zu erfüllen, die bei bestimmten Anwendungen,
beispielsweise für die Herstellung von integrierten Schaltungen, gestellt werden.
Insbesondere können thermoelektrische Wandlervorrichtungen mit erwünschten Nenndaten der Spannung
und des Stromes leicht hergestellt werden, indem eine Anzahl der beschriebenen Thermoelemente, beispielsweise
des in F i g. 4 gezeigten Thermoelements, als Baugruppeneinheiten in Reihe oder parallel verbunden
werden. Eine solche thermoelektrische Wandlervorrichtung kann beispielsweise auf einem Substrat integriert
werden. Wenn das isolierende Substrat 6 aus einem flexiblen, isolierenden Material wie Ethylenglykol-Terephthalsäure-Polyester
oder Polyimid hergestellt wird, wird ein flexibles Thermoelement erhalten, wodurch die
Anwendung eines solchen Thermoelements enveitcrt wird. Es ist auch einfach, die als Tieftemperaturzonen
dienenden Elektrodenschichten 4 und 5 in einer für die Elektrolyse geeigneten Weise auszubilden, beispielsweise
indem der Bereich der Metallschicht 3 von F i g. 4 in sattelförmiger Gestalt ausgebildet wird, während die
Bereiche des dünnen Halbleiter-Filmes in Form eines umgekehrten U ausgebildet werden, so daß die die Tieftemperaturzonen
bildenden Elektrodenschichten 4 und 5 einander gegenüberstehend in einen auch als Kühlmittel
dienenden, flüssigen Elektrolyten eintauchen. Die auf diese Weise ausgebildeten Thermoelemente können zur
Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie mit einer niedrigen Spannung und einer großen Stromstärke
eingesetzt werden, um auf elektrolytischem Wege Wasserstoff zu erzeugen. Demnach können die beschriebenen
Thermoelemente sehr einfach für die Umwandlung von natürlicher Energie für praktische oder
industrielle Zwecke angewendet werden.
Wie vorstehend beschrieben wurde, kann bei den Ausführungsbeispielen der Erfindung die Wärmeleitfähigkeit
der den Schenkel bildenden thermoelektrischen
11
Substanz in der Richtung des durch die Substanz hindurchfließenden,
elektrischen Stromes vermindert werden, und der Seebeck-Koeffizient einer solchen Substanz
kann erhöht werden, so daß die thermoelektrische Effektivität der thermoelektrischen Substanz im Ver- 5
gleich mit der thermoelektrischen Effektivität nach dem Stand der Technik in hohem Maße erhöht werden kann.
Solche Thermoelemente können in Form von dünnen Filmen oder integrierten Schaltungen gebildet werden.
Die Thermoelemente können in jeder gewünschten io Form hergestellt werden, die für besondere Anwendungen
geeignet ist, beispielsweise für verschiedene Temperaturfühler oder Elektrolyseelektroden für die Ausnutzung
von natürlicher Energie.
15 Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
20
25
30
35
40
45
50
55
•5
Claims (7)
1. Schenkel für ein Thermoelement aus einer kristallinen
thennoelektrischen Substanz, dadurch
gekennzeichnet, daß die Substanz eine Kristallstruktur hat, die so orientiert ist, daß sich die
Richtung der eine maximale Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Kristallachse von der Richtung eines
durch thermoelektrische Wandlung in der Substanz erzeugten elektrischen Stromes unterscheidet
2. Thermoelement mit Schenkeln nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Paar Schenkel
in Form von zwei Filmen (1,2), die aus zwei verschiedenen kristallinen thennoelektrischen Substanzen
hergestellt sind, und ein Substrat (6), auf dem die zwei Filme ausgebildet sind, enthält, daß die zwei
Filme derart auf dem Substrat abgeschieden sind, daü die Substanz jedes Films eine Kristallstruktur
hat, die so orientiert ist, daß die eine maximale Warmeleitfähigkeit
aufweisende Kristallachse senkrecht zu der Ebene des Substrats verläuft, und daß die
einen Enden der zwei Filme miteinander verbunden sind, während die entgegengesetzten Enden der
zwei Filme getrennt mit auf dem Substrat abgeschiedenen, getrennten Ausgangselektrodenschichten (4,
5) verbunden sind (F i g. 4).
3. Thermoelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß von den zwei Filmen der eine
Film (1) aus einem p-Halbleiter besteht, während der
andere Film (2) aus einem η-Halbleiter besteht
4. Thermoelement nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die einen Enden der zwei
Filme (1,2) durch eine Metallschicht (3) miteinander verbunden sind.
5. Thermoelement nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die einen Enden der zwei
Filme durch ihre teilweise Überlappung direkt miteinander verbunden sind.
6. Thermoelement nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (6)
aus einem flexiblen, isolierenden Material besteht.
7. Thermoelektrische Wandlervorrichtung, mit Thermoelementen nach einem der Ansprüche 2 bis
6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von in integrierter Form verbundenen Thermoelementen
vorgesehen sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56056993A JPS57172784A (en) | 1981-04-17 | 1981-04-17 | Thermoelectric conversion element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3214070A1 DE3214070A1 (de) | 1982-11-04 |
DE3214070C2 true DE3214070C2 (de) | 1986-05-22 |
Family
ID=13043012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3214070A Expired DE3214070C2 (de) | 1981-04-17 | 1982-04-16 | Schenkel für ein Thermoelement, Thermoelement und thermoelektrische Wandlervorrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4443650A (de) |
JP (1) | JPS57172784A (de) |
DE (1) | DE3214070C2 (de) |
GB (1) | GB2097185B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0506093A1 (de) * | 1991-03-27 | 1992-09-30 | Nippon Ferrofluidics Corporation | Thermoelektrisches Wandlerglied und Verfahren zu seiner Herstellung |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3408724A1 (de) * | 1984-01-20 | 1985-07-25 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Strahlungsmessgeraet und unter verwendung desselben ausgebildetes, aus einem der strahlung ausgesetzten messgeraet und einem gegen die strahlung abgeschirmten referenzgeraet bestehenden messsystem |
US4640977A (en) * | 1984-04-23 | 1987-02-03 | Omnimax Energy Corporation | Thermoelectric generator using variable geometry with support pedestals of dissimilar materials than the basic thermoelectric semi-conductor elements |
US4881979A (en) * | 1984-08-29 | 1989-11-21 | Varian Associates, Inc. | Junctions for monolithic cascade solar cells and methods |
US4634803A (en) * | 1985-02-25 | 1987-01-06 | Midwest Research Institute | Method of obtaining optimum performance from a thermoelectric heating/cooling device |
EP0469638B1 (de) * | 1986-10-27 | 1995-08-30 | Anritsu Corporation | Leistungsdetektor mit einem Dünnschichtleiter |
RU2010396C1 (ru) * | 1993-04-12 | 1994-03-30 | Николай Степанович Лидоренко | Термоэлектрический элемент, батарея термоэлектрических элементов и способ их изготовления |
WO1998011612A1 (fr) * | 1996-09-13 | 1998-03-19 | Komatsu Ltd. | Materiau semi-conducteur thermoelectrique, procede de fabrication correspondant et procede de forgeage a chaud d'un module a base de ce materiau |
DE10045419B4 (de) * | 2000-09-14 | 2007-12-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Bauelements, thermoelektrisches Bauelement sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US7164077B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-01-16 | Research Triangle Institute | Thin-film thermoelectric cooling and heating devices for DNA genomic and proteomic chips, thermo-optical switching circuits, and IR tags |
JP2005506693A (ja) * | 2001-10-05 | 2005-03-03 | リサーチ・トライアングル・インスティチュート | フォノンブロッキング電子伝達低次元構造 |
EP1495498B1 (de) * | 2002-04-15 | 2013-04-10 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thermoelektrische einrichtung mit doppelseitigen peltier-übergängen |
TWI231644B (en) * | 2003-06-12 | 2005-04-21 | Tung Chiou Yue | Application of low-temperature solid-state type thermo-electric power converter |
US7638705B2 (en) * | 2003-12-11 | 2009-12-29 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thermoelectric generators for solar conversion and related systems and methods |
US7649139B2 (en) * | 2004-03-25 | 2010-01-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module |
US7523617B2 (en) * | 2004-10-22 | 2009-04-28 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thin film thermoelectric devices for hot-spot thermal management in microprocessors and other electronics |
US8063298B2 (en) * | 2004-10-22 | 2011-11-22 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Methods of forming embedded thermoelectric coolers with adjacent thermally conductive fields |
TWI303760B (en) * | 2004-11-19 | 2008-12-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Computer having thermoelectric device |
US20090321692A1 (en) * | 2005-01-05 | 2009-12-31 | Locascio Michael | Nanostructured material comprising semiconductor nanocrystal complexes |
WO2006110858A2 (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-19 | Nextreme Thermal Solutions | Methods of forming thermoelectric devices including superlattice structures and related devices |
WO2007002342A2 (en) * | 2005-06-22 | 2007-01-04 | Nextreme Thermal Solutions | Methods of forming thermoelectric devices including electrically insulating matrixes between conductive traces and related structures |
US8623687B2 (en) * | 2005-06-22 | 2014-01-07 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Methods of forming thermoelectric devices including conductive posts and/or different solder materials and related methods and structures |
WO2007103249A2 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Nextreme Thermal Solutions | Methods of forming thermoelectric devices using islands of thermoelectric material and related structures |
US20070261730A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | General Electric Company | Low dimensional thermoelectrics fabricated by semiconductor wafer etching |
US20070277866A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | General Electric Company | Thermoelectric nanotube arrays |
US9601677B2 (en) * | 2010-03-15 | 2017-03-21 | Laird Durham, Inc. | Thermoelectric (TE) devices/structures including thermoelectric elements with exposed major surfaces |
US20140251403A1 (en) * | 2011-10-20 | 2014-09-11 | Sheetak, Inc. | Thermoelectric energy converters and manufacturing method thereof |
US10290794B2 (en) | 2016-12-05 | 2019-05-14 | Sridhar Kasichainula | Pin coupling based thermoelectric device |
US11024789B2 (en) | 2013-12-06 | 2021-06-01 | Sridhar Kasichainula | Flexible encapsulation of a flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of N-type and P-type thermoelectric legs |
US10141492B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-11-27 | Nimbus Materials Inc. | Energy harvesting for wearable technology through a thin flexible thermoelectric device |
US10367131B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-07-30 | Sridhar Kasichainula | Extended area of sputter deposited n-type and p-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device |
US10566515B2 (en) | 2013-12-06 | 2020-02-18 | Sridhar Kasichainula | Extended area of sputter deposited N-type and P-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device |
US20180090660A1 (en) | 2013-12-06 | 2018-03-29 | Sridhar Kasichainula | Flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of n-type and p-type thermoelectric legs |
US11283000B2 (en) | 2015-05-14 | 2022-03-22 | Nimbus Materials Inc. | Method of producing a flexible thermoelectric device to harvest energy for wearable applications |
US11276810B2 (en) | 2015-05-14 | 2022-03-15 | Nimbus Materials Inc. | Method of producing a flexible thermoelectric device to harvest energy for wearable applications |
JPWO2021079733A1 (de) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1071177B (de) * | 1958-01-17 | |||
US3648470A (en) * | 1970-05-28 | 1972-03-14 | Gary E Schultz | Materials composition arrangement for thermoelectric heating and cooling |
US4047144A (en) * | 1971-06-30 | 1977-09-06 | Becton, Dickinson Electronics Company | Transducer |
US4136435A (en) * | 1973-10-10 | 1979-01-30 | Li Chou H | Method for making solid-state device |
US4054478A (en) * | 1976-05-25 | 1977-10-18 | Nu-Pak Corporation | Method of manufacturing a thermoelectric device |
US4292579A (en) * | 1977-09-19 | 1981-09-29 | Constant James N | Thermoelectric generator |
-
1981
- 1981-04-17 JP JP56056993A patent/JPS57172784A/ja active Granted
-
1982
- 1982-04-08 GB GB8210446A patent/GB2097185B/en not_active Expired
- 1982-04-16 US US06/369,116 patent/US4443650A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-04-16 DE DE3214070A patent/DE3214070C2/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0506093A1 (de) * | 1991-03-27 | 1992-09-30 | Nippon Ferrofluidics Corporation | Thermoelektrisches Wandlerglied und Verfahren zu seiner Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4443650A (en) | 1984-04-17 |
JPS57172784A (en) | 1982-10-23 |
DE3214070A1 (de) | 1982-11-04 |
GB2097185A (en) | 1982-10-27 |
JPH0159749B2 (de) | 1989-12-19 |
GB2097185B (en) | 1984-12-05 |
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---|---|---|
DE3214070C2 (de) | Schenkel für ein Thermoelement, Thermoelement und thermoelektrische Wandlervorrichtung | |
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