DE3205656C2 - Verfahren zur Herstellung eines Photoleiters und dessen Verwendung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Photoleiters und dessen VerwendungInfo
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Abstract
Es wird ein Photoleitermaterial mit einer hohen Empfindlichkeit im infraroten Licht verfügbar gemacht, das aus diesem Grunde für eine Verwendung in Laser-Druckern besonders gut geeignet ist. Der Photoleiter der vorliegenden Erfindung weist einen Dunkel-Abfall von ungefähr 40 Volt/Sekunde auf und erhöht hierdurch dessen Brauchbarkeit für Infrarot-Laser-Drucker, wenn man ihn bekannten infrarot-empfindlichen Photoleitern vergleichend gegenüberstellt. Der Photoleiter der vorliegenden Erfindung besteht aus Cadmiumsulfid (CdS), Cadmiumselenid (CdSe), Cadmiumcarbonat (CdCO ↓3) und Cadmiumoxid (CdO) in einem Bindemittel, und ihm ist vorzugsweise auch eine geringe Menge eines Kupfer-Dotierungsmittels einverleibt. Der erfindungsgemäße Photoleiter wird dadurch hergestellt, daß man Ammoniak einer Suspension von Cadmiumsulfid/Cadmiumcarbonat in Wasser zusetzt und danach in diese suspendierte Lösung Selenwasserstoff einleitet. Das Ammoniak dient als ein Hilfsmittel, um das Selenid in der Lösung eine längere Zeit zu halten und um es hierdurch möglich zu machen, daß das Selenid in der Lösung eine so lange Zeit verbleibt, die ausreicht, um das Selenid mit der kleinen Menge von Cadmiumionen zu jeder Zeit in Reaktion treten zu lassen und hierdurch eine Suspension von innig miteinander vermischten Cds CdSe CdCO ↓3-Kristalliten zu gewinnen.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Photoleiters nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 sowie dessen Verwendung.
Der nach dem Verfahren erhaltene Photoleiter ist insbesondere zum Beschichten eines Trägers geeignet, unter
Erhalt eines Materials, das für eine Verwendung in elektrophotographischen Kopiergeräten und Computerdruckern
bestimmt ist, die mit infrarotem Licht betrieben werden.
Von zwei gererellen Typen von elektrophotographischen Prozessen zur Erzeugung von Informationskopien
(gleichgültig ob diese im Computer gespeichert oder auf Papier gemacht sind) wird in großem Umfang
Gebrauch gemacht.
Beim Chargetransfer-Prozeß wird eine elektrische Ladung auf die Oberfläche einer Zylindertrommel aufgebracht,
deren Oberfläche mit einem Photoleilcr beschichtet ist. In ausgewählten Bereichen auf der Oberfläche
der aufgeladenen Trommel, welche jenen Bereichen entsprechen, die weiß auf der fertigen Kopie erscheinen
sollen, wird die darauf aufgebrachte Ladung durch Einwirkung von Licht gelöscht indem man die
aufgebrachte Ladung auf die darunterliegende leitende Trommel abfließen läßt. Danach wird ein notwendigerweise
dielektrisches Bildempfangsmaterial, z. B. Papier, auf die Trommel gelegt und die jeweils verbliebene
elektrische Ladung wird von der Oberfläche der Trommel auf das dielektrische Bildempfangsmaterial übertragen.
Auf das Bildempfangsmaterial, auf dem dem Bild entsprechende Bereiche nun aufgeladen sind, wird ein
Toner aufgebracht, der in denjenigen Bereichen auf dem Bildempfangsmaterial haftet, die Aufladungen aufweisen.
Der Toner wird dann fixiert, für gewöhnlich durch Erhitzen und liefert so ein reproduziertes Bild, welches
dem elektrischen Ladungsmuster auf der Oberfläche der Trommel entspricht.
Bei dem zweiten Typ, nämlich dem Tonerbildtransl'crprozeß wird die Oberfläche einer photoleitfühigcn
Trommel zuerst mit einem elektrischen Potential aufge-
laden, und von ausgewählten Regionen dieser Oberfläche,
welche denjenigen Regionen der gedruckten Kopie entsprechen, die weiß erscheinen soll, wird die elektrische
Ladung durch Aufstrahlen von Licht abgezogen, und auf diese Weise wird die gespeicherte Ladung zum
Abfließen auf die darunterliegende leitende Trommel gebracht. Der Toner wird dann direkt auf die Trommel
aufgebracht und haftet an in den Flächenbereichen auf der Trommel, die aufgeladen geblieben sind. Auf die
Trommel wird danach irgendwelches Papier als Bildempfangsmaterial gelegt, und das Tonerbild, das auf der
Trommel gebildet worden ist, wird nach Art eines Drukkers auf das Papier übertragen. Das auf das Papier übertragene
Bild wird dann fixiert, und es entsteht eine elektrophotographische
Kopie.
Von Photoleitern, die auf der Oberfläche der Trommel bekannter Kopierapparate verwendet werden, wird
verlangt, daß sie auch die Farbe rot kopieren, d. h. das Rot auf der Kopie als schwarz oder als grauer Farbton
erscheint. Aus diesem Grunde sind die früher verwendeten Photoleiter so zusammengesetzt, daß sie eine verhältnismäßig
geringe Empfindlichkeit am roten Ende des sichtbaren Spektrums und ebenso im Infrarotbereich
aufweisen, nämlich damit der rote Teil des Spektrums auf den Photoleiter nicht einwirkt, wie es das
weiße Licht tut. Im Gegensatz hierzu ist es bei einer Verwendung in Laser-Druckern erforderlich, einen
Photoleiter auf der Oberfläche der Trommel zu verwenden, der hohe Empfindlichkeit in den roten und infraroten
(IR) Bereichen aufweist. Es ist besonders wünschenswert, einen Photoleiter zu verwenden, der lichtempfindlich
speziell im nahen Infrarotbereich, und zwar im Bereich von 750 bis 850 Nanometer ist, wenn mit
Laser-Dioden gearbeitet wird, die Infrarotlicht in diesem Bereich emittieren. Auf diese Weise wird das von
den Infrarot-Laser-Dioden emittierte Infrarotlicht dazu
benutzt, um Ladung aus vorgegebenen Bereichen der beschichteten Oberfläche der Photoleitertrommel selektiv
zu entfernen.
Photoleiter sind an sich bekannt. Es existieren insbesondere mehrere Patente und Veröffentlichungen, welche
die Verwendung von Cadmiumsulfid/Cadmiumcarbonat bzw. zusätzlich noch Cadmiumselenid und Cadmiumoxid
in Photoleitern beschreiben. Hierzu gehören die US-PS 34 94 789, 39 75 306 und 37 04 123 und insbesondere
die DE-OS 28 10 859, die dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zugrunde gelegt worden ist.
Photoleiter auf Cadmiumsulfid-Basis weisen eine sehr
hohe Dunkel-Leitfähigkeit auf, wodurch ihre praktische Anwendung sehr erschwert wird.
Aus der DE-OS 28 10 859 ist bekannt, daß die Lichtempfindlichkeit
von Photoleitern auf Cadmiumsulfid-Basis im roten Bereich (und zwar sowohl im richtbaren
Rot als auch im Infrarot) durch Erhöhen der Konzentralion der gewählten Dotierungsmittel im phoioleitfähigen
Material (als solche Dotierungsmittel dienen im typischen Fall Kupfer und Chlor) und durch Ersatz eines
Teiles des Cadmiumsulfids durch Cadmiumselenid gesteigert werden kann. Jedoch steigern beide dieser bekannten
Maßnahmen zur Erhöhung der Rotempfindlichkeit von Photoleitern auf Cadmiumsulfid-Basis zugleich
auch die Dunkel-Leitfähigkeit des Photoleiters und die Folge ist ein Anstieg des Dunkel-Abfalls, wodurch
der Photoleiter für eine Verwendung in Kopiergeräten ungeeignet wird. Es ist weiterhin angegeben,
eine Zusammensetzung auf Cadmiumsulfid/Cadmiumcarbonat-Grundlage zu verwenden, die auch eine geringe
Menge an Cadmiumoxid enthält. Diese Maßnahme überwindet gewisse Grenzen und ergibt Photoleiter mit
erhöhter Ladungsaufnahme, verminderten Memory-Effekt (das ist eine zurückgebliebene frühere elektrische
Ladung, die einen »Durchdruck« einer früheren Kopie verursacht) und einer verläßlicheren Leistung in einer
Atmosphäre mit hohem Feuchtigkeitsgehalt und einer erhöhten Geschwindigkeitsstabilität in langen Zeiträumen.
Diese Zusammensetzung hat die Verwendung des äußerst photoempfindlichen Cadmiumsulfids als elektrophotographisches
Medium ermöglicht, und zwar aufgrund der Fähigkeit, Licht bis zu einer genügenden Tiefe
(d. h. ungefähr 20 bis 35 μίτι) zu absorbieren, wodurch
die Möglichkeit eröffnet wird, daß Schichten aus diesem Photoleiter auf der Trommeloberfläche in einer Dicke
!5 gebildet werden können, die ausreicht, um auf dem Photoleiter nach dem Aufladen eine genügende Oberflächenladung
zu speichern und so ein technisch brauchbarer elektrophotographischer Photoleiter erhalten wird.
Darüber hinaus ermöglicht ein solcher Photoleiter, daß die Memory-Effekte durch eine zweckentsprechende
Maschinenkonstruktion eliminiert werden, und hierzu gehört, daß man den Photoleiter der Belichtung vorbelichtet,
um hierdurch alle elektrischen Ladungen, die auf dem Photoleiter zurückbehalten worden sind, zum Abfließen
zu bringen. Von Bedeutung ist, aaß die bloße elektrische Neutralisation der Oberflächenladungen auf
der Photoleitertrommel nicht ausreicht, um dieses Phänomen vollständig zu eliminieren. Leider ist die Infrarot-Empfindlichkeit
des beschriebenen Photoleiters an sich ziemlich gering, wird aber durch die oben beschriebenen
Methoden (erhöhte Dotierungsmittelmengen und Verwendung von Cadmiumsulfid) etwas gesteigert,
was aber Gegenstand einer erhöhten Dunkel-Leitfähigkeit ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, den Weg zu einem Photoleiter der dem Prinzip nach der bekannten
Art zu finden, daß er verbesserte Eigenschaften hinsichtlich hoher Infrarotempfindlichkeit bei geringer
Dunkelleitfähigkeit aufweist und damit insbesondere für Laserdrucker geeignet ist. Diese Aufgabe wird mit
Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Der nach der vorliegenden Erfindung hergestellte Photoleiter weist einen Dunkel-Abfall von ungefähr 40
Volt/Sekunde auf, und hierdurch wird dessen Vewendbarkeit in Infrarot-Laser-Druckern erhöht, wenn man
ihn bekannten infrarotempfindlichen Photoleitern vergleichend gegenüberstellt. Ein Photoleiter der vorliegenden
Erfindung enthält Cadmiumsulfid (CdS), Cadmiumselenid (CdSe), Cadmiumcarbonat (CdCOj) und
Cadmiumoxid (CdO) in einem Bindemittel, und ihm wird auch eine geringe Menge eines Kupfer-Dotierungsmittels
einverleibt. Ein erfindungsgemäß hergestellter Photoleiter wird dadurch hergestellt, daß man Ammoniak
zu einer Suspension von Cadmiumsulfid/Cadmiumcarbonat in Wasser zugibt und danach in diese suspendierte
Lösung Selenwasserstoff einleitet. Das Ammoniak dient hierbei als ein Mittel, um das Seienid längere Zeit in der
Lösung zu halten und es auf diese Weise dem Seienid zu ermöglichen, eine solche Zeitlang in der Lösung zu verbleiben,
die ausreicht, um dem Seienid die Möglichkeit einer Reaktion mit der kleinen Menge von Cadmiumionen
in der Lösung zu jeder Zeit zu eröffnen und hierdurch eine Suspension von innig miteinander vermischten
C JS · CdSe · CdCOj-Kristalliten zu gewinnen.
Gemäß einer Ausführung der Erfindung wird eine erste Lösung durch Vermischen von 1500 g
Cd(NOs)? · 4 H2O (Cadmiumnitrat) mit 5 g
CuCb · 2 H2O (Kupferchlorid) und soviel entionisier-
tem Wasser, wie zum Auffüllen auf ein Volumen von 2700 ml erforderlich ist, hergestellt. Das Kupfer(ll)-chlorid
liefert eine Dotierungsmittel-Konzentration im fertigen Photoleiter von ungefähr 0,6% Kupferatomen
pro Cadmiumatom unter der Annahme, daß kein Verlust an Kupfer oder Cadmium während des
Herstellungsprozesses eintritt. Die Verwendung von Kupfer als Dotierungsmittel in Photoleitern auf Cadmiumsulfid-Basis
verschiebt den Lichtempfindlichkeits-Peak in den Infrarotbereich, jedoch bewirkt die Verwendung
eines Kupfer-Dotierungsmittels in den bekannten Photoleitern keine Verschiebung des Empfindlichkeits-Peaks
in einem Ausmaß, das ausreichen würde, um die bekannten Photoleiter im Infrarotbereich hinreichend
empfindlich zu machen, so daß sie für eine Verwendung in Kopierapparaten geeignet wären. Die Verwendung
von Kupfer als Dotierungsmittel setzt auch die Empfindlichkeit des Photoleiters herab. Um diese
durch das Kupfer-Dotierungsmittel herabgesetzte Empfindlichkeit zu kompensieren, wird ein Chlorid-Dotierungsmittel
verwendet. Das Chlorid-Dotierungsmittel erhöht die Empfindlichkeit, während zugleich die
Dunkel-Leitfähigkeit erhöht wird. Aus diesen Gründen werden verhältnismäßig kleine Mengen von Kupfer und
Chlorid als Dotierungsmittel verwendet.
Es wird dann eine zweite Lösung gebildet, die 480 g NH4HCO3 (Ammoniumhydrogencarbonat), 360 ml konzentrierte
wäßrige Ammoniaklösung mit einem Gehalt von ungefähr 29% NH3 (Ammoniak) und soviel entionisiertes
Wasser enthält, wie zur Auffüllung auf ein Volumen von 2700 ml dieser zweiten Lösung erforderlich ist.
Die 2700 ml der ersten Lösung werden bei Zimmertemperatur mit den 2700 ml der zweiten Lösung unter
Rühren in einer solchen Weise vermischt, daß sich sehr feine Partikel des Cadmiumcarbonats (CdCOs) in Suspension
bilden. Es wird ein Überschuß an Ammoniumhydrogencarbonat verwendet, um die nahezu vollständige
Umsetzung der Cadmiumionen zwecks Bildung von Cadmiumcarbonat sicherzustellen. Die vorangehend
erläuterte Umsetzung läßt sich durch die folgende Gleichung wiedergeben:
)2- + NH4-HCOr + NH;OH-
CdCO3+ 2 NH; +2 NO3- + H2O
Das Cadmiumcarbonat wird an diesem Punkt nicht von der Anschlämmung getrennt, wird aber unter Rühren
ungefähr 30 Minuten lang gealtert. Selbstverständlich ist dieser Alterungsprozeß für die praktische Durchführung
der Erfindung nicht unbedingt erforderlich. Wird jedoch von ihm Gebrauch gemacht, dann kann
man annehmen, daß dieser Alterungsprozeß die Umformung der Oberflächen sehr feinen Cadmiumcarbonat-Partikel
ermöglicht und daß hierdurch okkludierte Ionen von den Cadmiumcarbonat-Partikeln entfernt werden
und so das spätere Waschen der Ausfällungen (nach der Umwandlung zu Cadmiumsulfid) erleichtert wird.
Als eine Alternative hierzu, d. h. der Verwendung einer ersten und einer zweiten Lösung zur Fällung des
CdCO3 (Cadmiumcarbonat) in Form einer Anschlämmung, kann die folgende Arbeitsweise angewendet werden.
Es werden 838 g Cadmiumcarbonat in Reagentien-Reinheit mit 5 g Kupfer(II)-chlorid in 3250 ml entionisiertem
Wasser vermischt. Die entstandene Anschlämmung wird zweckmäßig auf 6 keramische Zerkleinerungsgefäße
(Fassungsvermögen 1,13 I), die 900 g zylinderförmige Mahlkörper (12.7 χ 12,7 mm) enthalten, aufgeteilt.
Nach einem 23 Stunden langen Vermählen auf
einer Kugelmühle wird die Anschlämmung in einen 10-Liter-Becher gegeben, der mit einem mechanischen
Rührer ausgerüstet ist. Es können natürlich auch andere geeignete Methoden zur Gewinnung einer Anschlämmung
von feinen Cadmiumcarbonat-Partikeln angewendet werden.
Zu der nach irgendeiner der vorangehend erläuterten Arbeitsmethoden gewonnenen Cadmiumcarbonat-Suspension
werden 460 ml konzentrierte wäßrige Ammoniaklösung (29% Ammoniak) gegeben, und nach einem
5 bis 10 Minuten langem Rühren wird Schwefelwasserstoff (HjS)-GaS in die gerührte Cadmiumcarbonat-Anschlämmung
durch eine Glasfritte in einer Menge von ungefähr 314 Standard-cnxVMinute annähernd 180 Minuten
lang eingeleitet. Die Anwendung einer Glasfritte ermöglicht eine gute Dispergierung von kleinen Schwefelwasserstoffbläschen
in der Cadmiumcarbonat/Ammoniak-Anschlämmung. Durch die Einleitung von H2S
werden ungefähr 65% des Cadmiumcarbonats in Cadmiumsulfid umgewandelt, wobei im wesentlichen der
gesamte, in die Suspension eingeleitete Schwefelwasserstoff zurBildung von Cadmiumsulfid gemäß der folgenden
Reaktionsgleichung ausgenutzt wird:
CdCO3+ 2 NH4 +OH-+ H2S-CdSl
+CO3--+2NH;+2H2O.
Nachdem die obige Umsetzung abgelaufen ist, enthält die Anschlämmung ungefähr 140 g Cadmiumsulfid
(CdS) und 120 g Cadmiumcarbonat.
Nach diesem Einleiten des Schwefelwasserstoffs und der dadurch erfolgten Umwandlung eines Teils des Cadmiumearbonats
in Cadmiumsulfid können zwei alternative Wege weiter beschritten werden.
1. Alternative
Die entstandene Anschlämmung, die sowohl Cadmiumsulfid als auch Cadmiumcarbonat enthält, wird
zweckmäßig in zwei Hälften unterteilt. Eine Hälfte wird durch eine Filterzentrifuge gegeben, um so die Flüssigkeit
von dem ausgefällten Cadmiumcarbonat/Cadmiumsulfid zu trennen. Dieser ausgefällte »Kuchen«
wird ungefähr 40 Minuten in entionisiertem Wasser gewaschen, um Salze, wie Ammoniumnitrat und Ammoniumcarbonat,
zu entfernen. Etwas okkludiertes Chlorid wird in der Flüssigkeit und während des Waschens des
Kuchens entfernt Der so entstandene feuchte Cadmiumcarbonat/Cadmiumsulfid-Kuchen
wird in eine zweite Anschlämmung umgewandelt, und zwar durch Vermischen
mit ungefähr 2500 ml entionisiertem Wasser in einem Küchenmixer. Zu dieser Anschlämmung werden
13,3 ml einer Lösung von entionisiertem Wasser zugesetzt, die 7,388 g Cd(NO3J2 · 4 H2O (Cadmiumnitrai)
und 0,0246 g CuCI2 · 2 H2O (Kupfe^IIJ-chlorid) enthalt.
Die Anschlämmung wird dann mit 300 ml reiner konzentrierter Ammoniaklösung (ca. 29% NH3) versetzt.
Die genannte Menge des Kupfer(II)-chlorids gewährleistet
eine Dotierungsmittel-Konzentration (Kupferatome pro Cadmiumatom) von annähernd 0,6% in dem
fertigen Photoleiter unter der Annahme, daß kein Kupfer und kein Cadmium während der Reststufen dieses
Prozesses verlorengehen. Diese Anschlämmung wird dann etwa 30 Minuten unter ständigem Rühren gealtert.
Abermals sei bemerkt, daß dieser Alterungsprozeß für die praktische Durchführung der Erfindung nicht unbe-
dingt erforderlich ist, doch kann angenommen werden, daß während dieser Zeit das zugesetzte Cadmium einige
frische Cadmiumcarbonat-Partikel bilden kann, die nicht mit Cadmiumsulfid überzogen sind und auf deren
Oberflächen sich später Cadmiumselenid-Partikel bilden
können und so ein inniges Gemisch aus CdS · CdSe · CdCO3 entstehen kann.
Zu diesem Zeitpunkt wird in die gerührte Anschlämmung durch eine Glasfritte Selenwasserstoff
(HjSe)-GaS mit einer Durchsatzgeschwindigkeit von ungefähr 26,8 Standard-cmVMinute etwa 20 Minuten
lang eingeleitet. Die in der Anschlämmung absorbierte Menge Selenwasserstoff ist, auf molare Mengen bezogen,
der Menge der Cd(NO3J2 · 4 H2O-Lösung äquivalent,
die nach dem erneuten Anschlämmen zugesetzt worden ist, wie es die nachstehende Reaktionsgleichung
veranschaulicht:
2 N H4OH + Cd(NO3)2 + H2Se-+
CdSe + 2 NH4NO3+ 2 H2O.
CdSe + 2 NH4NO3+ 2 H2O.
Zu diesem Zeitpunkt wird die Anschlämmung abermals durch eine Filterzentrifuge gegeben, und der abgeschiedene
Kuchen, der etwa 70 g CdS (Cadmiumsulfid), 60 g CdCO3 (Cadmiumcarbonat) und 3 g CdSe (Cadmiumselenid)
enthält, wird in entionisiertem Wasser gewaschen, um die meisten Spuren von Salzen (wie Ammoniumnitrat
und Ammoniumcarbonat), die als Nebenprodukte während des Prozesses gebildet werden, zu
entfernen. Etwas okkludiertes Chlorid wird in der Flüssigkeit und während des Waschens des Kuchens entfernt.
Der hinte-bliebene, ausgefällte Kuchen wird dann trockengeschleudert, um die Hauptmenge der Flüssigkeit
zu entfernen. Der abgeschiedene Kuchen wird danach ungefähr 15 Stunden lang in einem Trockenschrank
in einer Luftatmosphäre von 110 bis U5°C getrocknet, um im wesentlichen alle restliche Feuchtigkeit
zu entfernen.
2. Alternative
Es werden 300 ml konzentrierte Ammoniaklösung (ungefähr 29% NH3) zu der einen Hälfte der Anschlämniung
gegeben, die sowohl Cadmiumsulfid als auch Cadmiumcarbonat enthält. Diese Anschlämmung wird dann
mit 13,3 ml einer Lösung von entionisiertem Wasser versetzt, die 7,388 g Cd(NO3)2 ■ 4 H2O (Cadmiumnitrat)
und 0,0246 g CuCl2 ■ 2 H2O (Kupfer(II)-chlorid, zur
Aufrcchterhaltung einer Dotierungsmittel-Konzentration von 0,6%) enthält Diese Aufschlämmung wird etwa
30 Minuten lang unter ständigem Rühren gealtert. Auch diesmal sei bemerkt, daß die Anwendung dieses Alterungsprozesses
für die praktische Durchführung der vorliegenden Erfindung nicht wesentlich ist. Doch kann
angenommen werden, daß während dieser Zeit das zugesetzte Cadmium einige frische Cadmiumcarbonat-Partikel
bilden kann, die nicht mit Cadmiumsulfid überzogen sind und auf deren Oberfläche sich später Cadmiumselenid-Partikel
bilden können, und so ein inniges CdS · CdSe ■ CdCOs-Gemisch gewonnen werden kann.
Zu diesem Zeitpunkt wird in die gerührte Anschlämmung durch eine Glasfritte Selenwasserstoff (H2Se) mit
einer Durchsatzgeschwindigkeit von ungefähr 26,8 Standard-cmVMinute etwa 20 Minuten lang eingeleitet.
Die in der Anschlämmung absorbierte Selenwasserstoffmenge
ist — auf molare Mengen bezogen — der Cd(NOj)2 · 4 H2O-Menge äquivalent, die der Suspension
vor dem Einleiten des Selenwasserstoffs zugesetzt worden war, wie es die nachstehende Reaktionsgleichung
veranschaulicht:
2 NH4OH +Cd(NOj)2 + H2Se —
CdSe + 2 NH4NOj-r2 H2O.
Zu diesem Zeitpunkt wird die Anschlämmung durch ίο eine Filterzentrifuge gegeben, und der abgeschiedene
Kuchen, der ungefähr 70 g CdS (Cadmiumsulfid), 60 g CdCO3 (Cadmiumcarbonat) und 3 g CdSe (Cadmiumselenid)
enthält, wird mit entionisiertem Wasser gewaschen, um die meisten Spuren von Salzen (wie Ammoniumnitrat
und Ammoniumcarbonat), die als Nebenprodukte während des Prozesses gebildet werden, zu entfernen.
Etwas okkludiertes Chlorid wird in der Flüssigkeit und während des Waschens des Kuchens entfernt.
Der hinterbleibende, abgeschiedene Kuchen wird dann trockengeschleudert, um die Hauptmenge der Flüssigkeit
zu entfernen. Der abgeschiedene Kuchen wird danach ungefähr 15 Stunden lang in einem Trockenschrank
in einer Luftatmosphäre bei 110 bis 115'C getrocknet,
um alle restliche Feuchtigkeit zu entfernen.
Restliche Stufen des Verfahrens
Das entweder nach der oben beschriebenen Alternative 1 oder der Alternative II gewonnene trockene Material
wird dann abgekühlt, bis zu etwa einer solchen Feinheit zerkleinert, die einer Maschenweite von
0,71 χ 0,71 mm eines Maschensiebes entspricht, auf flache Tabletts ausgebreitet und ungefähr 3 bis 10 Stunden
lang bei 250 bis 290°C unter einem inerten Gas (d. h.
unter einem Gas, das nicht mit dem trockenen Material während des Calcinierens reagiert) calciniert. Vorzugsweise
wird diese Calcinierung ungefähr 8 Stunden bei etwa 270°C durchgeführt. Diese Calcinierung wird vorteilhafterweise
in einem Ofen durchgeführt, der evakuiert ist, und von einem umlaufenden Strom eines Inertgases,
wie Stickstoff, durchströmt wird, und zwar mit einer Umwälzgeschwindigkeit von ungefähr
0,127 mVStd. Die Anwendung eines Inertgases ist empfehlenswert, weil in dem Fall, in dem die Calcinierung in
einer Luftatmosphäre erfoigt, Cadmiumsulfat (CdSO4) gebildet werden kann. Cadmiumsulfat is hygroskopisch
und — sollte es in dem fertigen Photoleiter vorhanden sein — so macht es den Photoleiter sehr empfindlich
gegen Feuchtigkeit einschließlich der Feuchtigkeit, die in der Luft vorhanden ist. In dieser Calcinierungsstufe
werden alle Restwassermengen und alle flüchtigen Salze, wie Ammoniumnitrat oder Ammoniumcarbonat, sowie
andere flüchtige Verunreinigungen entfernt, die während des Wasch- und Trockenprozesses nicht entfernt
werden konnten. Man kann annehmen, daß auch etwas Chlorid während der Calcinierung entfernt wird.
Durch diesen Calcinierungsprozeß diffundiert auch das Kupfer-Dotierungsmittel durch die Cadmiumsulfid- und
Cadmiumselenid-Partikel, wodurch ein im wesentlichen homogenes Gemisch mit konsistentem Dotierungsmittel-Niveau
erzeugt wird. Bei dieser Calcinierungsstufe wird auch eine kleine Menge Cadmiumoxid durch Zersetzung
von Cadmiumcarbonat gemäß der Gleichung
CdCO3 5= CdO + CO2J
gebildet.
Diese geringe Menge Cadmiumoxid, die während der
Calcinierungsstufe erzeugt wird, macht die Hauptmenge wenn nicht sogar die Gesamtmenge des Cadmiumoxids
aus, die im fertigen Photoleiter enthalten ist. Die Menge des Cadmiumoxids, die während dieser Calcinierungsstufe
erzeugt wird, liegt in der Größenordnung von 0,05 bis 2,5%, vorzugsweise zwischen 0,2 und 1,0%.
Die während dieser Calcinierungsstufe erzeugte Cadmiumoxidmenge wird mit steigender Calcinierungsternperatur
und steigender Calcinierungsdauer erhöht. Überdies wird dann, wenn der Gasstrom nicht ausreicht, um
genügend COj (Kohlendioxid) aus der Calcinierungsatmosphäre
zu entfernen, das Cadmiumcarbonat daran gehindert, sich zu Cadmiumoxid zu zersetzen, und hierdurch
wird die Menge des erzeugten Cadmiumoxids herabgesetzt. Zu den weiteren Faktoren, welche die
Cadmiumoxid-Menge im fertigen Produkt beeinflussen, gehört der Gasstrom und der Druck. Wenn der Gasstrom
während der Calcinierungsstufe nur ungenügend fließt, werden flüchtige Salze, die durch die Calcinierungstemperatur
ausgetrieben werden sollen, nicht aus dem trockenen Material entfernt. Das Vorhandensein
von solchen Salzen und von Verunreinigungen im fertigen Photoleiter führt zu einem Photoleiter, der eine
hohe Dunkel-Leitfähigkeit und eine niedrige Empfindlichkeit aufweist. Fällt die Cadmiumoxid-Menge unter
0,05%, dann nimmt die Empfindlichkeit des Photoleiters ab. In ähnlicher Weise wird der Dunkel-Abfall über Gebühr
hoch, wenn die Cadmiumoxid-Menge einen Wert von über 2,5% erreicht.
Das so gebildete calcinierte Pulver wird dann bis zu
dem Zeitpunkt, an dem es gebraucht wird, in einem geschlossenen Behälter gelagert, um das Eindringen von
Feuchtigkeit und von Verunreinigungen zu verhindern. Die spezifizierte Arbeitsmethode ist nur beispielhaft angeführt
worden, und die speziellen Mengen der chemischen Substanzen, die verwendet wurden, führen zu einem
Photoleiterpulver, das aus ungefähr 69% Cadmiumsulfid, 28,5% Cadmiumcarbonat, 2% Cadmiumselenid
und 0.5% Cadmiumoxid besteht, bei einer 0,6% Mol-Konzentration des Kupfer-Dotierungsmittels pro
Cadmiumatom. Selbstverständlich kann der Prozentgehalt eines jeden dieser Bestandteile in einem weiten
Bereich variiert werden, wie es weiter unten näher erläutert wird.
Es erscheint auch wichtig, darauf hinzuweisen, daß ein das bloßes mechanisches Zusammenmischen von Cadmiumsulfid,
Cadmiumcarbonat, Cadmiumoxid und Cadmiumselenid mit oder ohne Kupfer- und bzw. oder
Chlorid-Dotierungsmittel, wie gefunden wurde, keinen Photoleiter liefert, der im Infrarotbereich empfindlich
ist. Dies deutet darauf hin, daß offenbar irgendwelche Wechselwirkungen zwischen diesen Komponenten des
Photoleiters auftreien, die während des vorerwähnten Verfahrens ablaufen, was für die spezifischen photoleitfähigen
Eigenschaften im Infrarotbereich von maßgeblicher Bedeutung ist.
Für den Fachmann versteht es sich von selbst, daß das Verfahren der vorliegenden Erfindung in vielfacher
Hinsicht variiert werden kann. So kann beispielsweise das Cadmiumnkrat durch ein anderes lösliches Cadmiumsalz
ersetzt werden, vorzugsweise durch ein Salz, das ein Anion aufweist, welches eine Verbindung, die
verflüchtigt werden kann, zu bilden vermag, und die letztgenannte Verbindung kann dann durch Erhitzen
entfernt werden. In ähnlicher Weise kann das Kupfer-Dotierungsmittel durch die Verwendung eines anderen
löslichen Kupfersalzes, wie Kupfernitrat, ersetzt werden. Auch das Chlorid-Dotierungsmittel kann beispielsweise
durch Cadmiumchlorid ersetzt werden, wenngleich von der Verwendung von Metallchloriden, wie
Eisen(III)-chlorid, abgesehen werden sollte, weil das in dem photoleitfähigen Pulver hinterbleibende Metall die
Dunkelleitfähigkeit erhöht. Anstelle von Schwefelwasserstoff
kann offensichtlich auch Ammoniumsulfid verwendet werden. Wenn auch in den Beispielen alle Verfahrensstufen
bei Zimmertemperatur durchgeführt worden sind, so können diese beim erfindungsgemäßen
ίο Verfahren in einem weiten Bereich von Temperaturen
durchgeführt werden.
Das calcinierte Pulver wird dann mit einem Harz und einem Lösungsmittel vermischt, um eine Suspension zu
bilden, die zum Aufsprühen auf die leitende Oberfläche eines Schichtträgers geeignet ist. Ist erst einmal die photoleitfähige
Suspension auf eine leitende Oberfläche aufgesprüht und trocknen gelassen worden, dann bildet
sich ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer hohen Empfindlichkeit im Infrarotbereich,
das sich besonders für die Verwendung in Kopierapparaten eignet, die mit Infrarotlicht betrieben werden, wie
z. B. Laser-Druckern.
Ein typisches Gemisch, das zum Aufsprühen auf einen Schichtträger geeignet ist, besteht aus ungefähr 130 g
des erfindungsgemäß hergestellten calcinierten Pulvers; 125 g eines hitzehärtbaren Acrylharzes; 330 ml eines
Lösungsmittels, das aus einem aromatischen Kohlenwasserstoff-Lösungsmittel mit dem Siedebereich 161 bis
177°C besteht; 30 ml n-Butanol; 25 ml 2-Äthoxyäthylacetat;
und 2,5 ml Xylol mit einem Gehalt von 1% SiIiconöl. Die von Herstellerfirmen Röhm and Haas, Central
Solvents and Chemicals Co., Dow-Corning Corp. solcher Stoffe herausgegebenen Broschüren mit den
Kennzahlen AT-50, SC-100 und DC-200 geben dem Fachmann speziellere Verarbeitungsdetails. Die genannten
Ingredienzien werden miteinander vermischt und ungefähr 20 Stunden lang gemahlen und sie bilden
dann eine zum Aufsprühen oder Aufstreichen auf eine leitende Oberfläche geeignete äußerst homogene photoleitfähige
Suspension, die Partikel mit einer Teilchengröße in der Größenordnung von weniger als 1 μιη bis
zu ungefähr 3 μηι aufweist.
Wenn auch spezielle Mengenanteile von spezifischen Chemikalien für ein typisches, zum Aufspritzen geeignetes
Gemisch vorangehend angeführt sind, so versteht es sich doch von selbst, daß ein breiter Bereich von Mischungen,
welche die calcinierten Chalkogenid-Pulver, hergestellt nach der vorliegenden Erfindung, enthalten,
möglich ist. Beispielsweise wird das Acrylharz als Bindcmittel wegen seiner hohen Kratzfestigkeit verwendet.
Es können aber auch andere Bindemittel verwendet werden. Als Lösungsmittel können z. B. Äthyltoluol und
Xylol sowie Gemische derselben zur Anwendung kommen. Weiter wird das n-Butanol verwendet, um die Löslichkeit
des Vernetzungsmittels des Acrylharzes aufrechtzuerhalten; es können aber auch n-Pentanol. lsopentano!
und 2-ÄthyIhexanoI anstelle des n-Buianols
zur Anwendung gelangen. In ähnlicher Weise kann das n-Butanol durch andere geeignete Chemikalien ersetzt
werden, falls das Acrylharz durch andere Harze ausgetauscht wird. Das Siliconöl dient als ein Egalisiermittel,
wie es in großem Umfang in der Farbstoffindustric verwendet wird. Das Egalisiermittel eliminiert wellige
Oberflächen durch Herabsetzung der Oberflächenspannung des Sprays.
Das Photoleiter-Gemisch wird auf eine !eilende
Oberfläche mit einem Abziehstab, wie z. B. einem drahlgewickelten Stab aufgebracht. Abweichend hiervon
kann das Photoleiter-Spraygemisch auf eine leitende Oberfläche durch Aufsprühen mit einer Spritzpistole
aufgebracht werden, wie sie in der Anstrichfarbentechnik in großem Umfang benutzt wird. Nach dem Aufbringen
wird das Phololeiter-Gemisch getrocknet durch ungefähr 1 stündiges Backen in einer Luftatmosphäre bei
etwa 200"C. Die besonders empfehlenswerte Viskosität
des Photoleiter-Gemischs sowohl für den Auftrag mit dem drahtgewickelten Stab als auch mit der Spritzpistole beträgt 17 bis 27 Sekunden, bestimmt mit einem
Zahn-Meßbecher Nr. 2. Natürlich können auch Gemische mit anderen Viskositäten verwendet werden. Die
Dicken der auf die leitende Oberfläche aufgebrachten photoleitfähigen Schicht sollen im typischen Fall in der
Größenordnung von 25 bis 35 Mikron liegen, obwohl auch Dicken anderer Größenordnungsbereiche möglich
sind. Schließlich können auch andere Beschichtungsmethoden angewendet werden.
Ein nach der Lehre der Erfindung hergestellter Photolciter,
wie sie vorangehend erläutert ist, besteht — in Gewichtsprozent ausgedrückt — z. B. aus ungefähr
69% Cadmiumsulfid, 2% Cadmiumselenid, 28,5% Cadmiumcarbonat
und 0,5% Cadmiumoxid bei einer 0,6% Mol-Konzentration des Kupfer-Dotierungsmittels pro
Cadmiumatom. Er weist eine Empfindlichkeit von ungefähr 24 Volt/erg/cm2 bei 630 Nanometer, von 15 Volt/
crg/cm2 bei 780 Nanometer und von 7 Volt/erg/cm2 bei
820 Nanometer auf. Ein ähnlicher Photoleiter, der nach der Lehre der Erfindung hergestellt wurde, besteht — in
Gewichtsprozent ausgedrückt — aus ungefähr 66% Cadmiumsulfid, 5% Cadmiumselenid, 28,5% Cadmiumcarbonat
und 0,5% Cadmiumoxid bei einer 0,6%-Mol-Konzentration des Kupfer-Dotierungsmittels pro Cadmiumatom,
und er weist eine relative Empfindlichkeit auf, wie sie als Kurve A in der Figur wiedergegeben ist.
Zu Vergleichszwecken ist in der Figur die mit B markierte Kurve dargestellt, welche die relative Empfindlichkeit
— gegen die Wellenlänge aufgetragen —. eines zum oben angegebenen Stand der Technik gehörenden
Phololeiters veranschaulicht, der — in Gewichtsprozent ausgedrückt — aus ungefähr 35% Cadmiumcarbonat,
b4,5% Cadmiumsulfid und 0,5% Cadmiumoxid besteht, bei einer 0,6%-Mol-Konzentration des Kupfer-Dotierungsmittels
pro Cadmiumatom. Ähnlich veranschaulicht die mit C markierte Kurve in der Figur die relative
Empfindlichkeit — gegen die Wellenlänge aufgetragen — eines anderen bekannten Photoleiters, der — in Gewichtsprozent
ausgedrückt — besteht aus ca. 49,5% Cadmiumcarbonat, 50% Cadmiumsulfid und 0,5% Cadmiumoxid
bei einer 0,25%-Mol-Konzentration des Kupfer-Dotierungsmittels pro Cadmiumatom. Die Dicken
der Photoleiterschichten, die den Kurven A, B und Cder Figur entsprechen, betragen 22 bis 33 μίτι.
Der Dunkelabfall eines Photoleiters, hergestellt nach
der vorliegenden Erfindung, ist signifikant geringer als der Dunkelabfall anderer bekannter Photoleiter, die im
Infrarotlicht empfindlich sind.
Ein erfindungsgemäß hergestellter Photoleiter kann bei Verwendung in Acrylharz als Bindemittel ein Oberflächenpotential
von 30 bis 38 Volt pro μπι Dicke halten,
ehe der elektrische Durchschlag der Photoleiterschicht erfolgt.
Der erfindungsgemäß hergestellte Photoleiter ist bipolar, d. h., er kann alternativ positiv oder negativ aufgeladen
werden, und die Ladung kann an ausgewählten Regionen auf der Photoleiteroberfläche durch Lichteinstrahlung
entfernt werden.
Obwohl für die beschriebenen Ausführungsbeispiele spezielle Mengen in der Erfindungsbeschreibung angeführt
sind, so können auch vielfältige Variationen und Änderungen der Mengenanteile vorgenommen werden.
Es ist gefunden worden, daß ein nach der Lehre der Erfindung hergestellter Photoleiter, der die gestellte
Aufgabe löst — in Gewichtsprozent ausgedrückt —, 50 bis 80% Cadmiumsulfid bis zu 20% Cadmiumselenid, 50
bis 20% Cadmiumcarbonat und bis zu etwa 2,5% Cadmiumoxid enthält, wobei die jeweiligen Prozentsätze
ίο zusammen 100% (abzüglich Dotierung) ausmachen. Das
Kupfer-Dotierungsmittel kann in einer Menge bis zu ungefähr 2% Kupferatomen pro Cadmiumatom verwendet
werden. Innerhalb des angegebenen Mengenbereichs liegen die bevorzugt in Frage kommenden Mengenbereiche
— in Gewichtsprozent ausgedrückt — bei 65 bis 73% Cadmiumsulfid, 1 bis 8% Cadmiumselenid,
20 bis 34% Cadmiumcarbonat, 0,2 bis 1,0% Cadmiumoxid und 0,6 bis 1% Kupferatomen pro Cadmiumatom
(wieder insgesamt 100%).
Wenn auch spezifische Chloridmengen in den angeführten Beispielen zugesetzt worden sind, so werden
doch beträchtliche Chloridmengen im Zuge der Filter-, Wasch- und Calcinierstufen entfernt, und es hinterbleibt
eine geringe Menge eines Chlorid-Dotierungsmittels in dem photoleitfähigen Pulver.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (12)
1. Verfahren zur Herstellung eines Photoleiters mit einem Gehalt an Cadmiumcarbonat, aus Cadmiumcarbonat
gebildetem Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid und Cadmiumoxid, sowie mit Kupfer bis zu
2% Kupferatome auf Cadmiumatome, bezogen als Dotierungsmittel, wobei man
10
a) eine wäßrige Suspension von Cadmiumcarbonat mit einem der Dotierung entsprechendem
Gehalt an Kupfer(II)-chlorid herstellt,
b) dieser Suspension Ammoniumhydroxid zusetzt und
c) dann in diese Suspension Schwefelwasserstoff einleitet, bis ein vorgegebener Anteil des Cadmiumcarbonats
in Cadmiumsulfid umgewandelt ist, und wobei
d) ein im späteren Verfahrensablauf gebildeter Kristallitniederschlag nach seiner Trocknung zu
einem Pulver so lange in einer inerten Atmosphäre bei einer solchen Temperatur calciniert
wird, bis sich in der Mischung ein vorgegebener Anteil an Cadmiumoxid gebildet hat,
gekennzeichnet dadurch,
e) daß der nach den Stufen a) bis c) hergestellten Suspension ein Cadmiumsalz mit einem Gehalt
von bis zu 2% Kupferatome pro Cadmiumatome sowie Ammoniumhydroxid zugesetzt wird,
und
f) daß in die gebildete Suspension in einer solchen Menge Selenwasserstoff eingeleitet wird, daß
das in der Stufe e) zugesetzte Cadmiumsalz in einen vorgegebenen Mengenanteil an Cadmiumselenid
übergeführt wird, wobei der derart separat gebildete Anteil an Cadmiumselenid bis zu 20 Gew.-°/o betragt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß man die eingesetzten Mengen der Materialien
und Reaktionspartner sowie die Reaktionsbedingungen in der Stufe d) so bemißt, daß der sich
ergebende Photoleiter in Gewichtsprozenten aus 67 bis 73% Cadmiumsulfid, 1 bis 8% Cadmiumselenid,
20 bis 34% Cadmiumcarbonat und 0,05 bis 1,5% Cadmiumoxid sowie 0,6 bis 1,0% Kupferatome pro
Cadmiumatome besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß man in Stufe a) zur Herstellung
der wäßrigen Cadmiumcarbonatsuspension von einer Lösung von Cadmiumnitrat mit Kupfer(ll)-chlorid
ausgeht und Ammoniumhydrogencarbonat und Ammoniumhydroxid zusetzt und unter Bildung der Suspension vermahlt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß man in Stufe a) zur Herstellung
der wäßrigen Calciumcarbonatsuspension reines Cadmiumcarbonat mit Kupfer(II)-chlorid in
Wasser unter Bildung der Suspension vermahlt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß man in Stufe e) direkt
in die Stufe c) erzeugte Suspension einsetzt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß man die in Stufe c)
erhaltenen Niederschläge von der flüssigen Phase trennt und anschließend unter Bildung einer Suspension
wieder mit Wasser vermischt und die so erhaltene Suspension in Stufe e) einsetzt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet dadurch, daß man in Stufe e) als
Cadmiumsalz Cadmiumnitrat einsetzt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet dadurch, daß man in Stufe d) bei 250
bis 2900C für einen Zeitraum von 3 bis 12 Stunden in
Stickstoffatmosphäre calciniert.
9. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet dadurch,
daß man bei 270° C ungefähr 8 Stunden lang calciniert
10. Verwendung des nach einem Verfahren eines der Ansprüche 1 bis 9 hergestellten Photoleiters zur
Herstellung von elektrophotographischem Aufzeichnungsmaterial
mit verbesserter Rot- und Infrarotempfindlichkeit.
11. Verwendung des Photoleiters nach Anspruch
10 in einem Gemisch mit hitzehärtbarem Acrylharz und einem aromatischen Kohlenwasserstoff-Lösungsmittel
als photoleitender Film.
12. Verwendung des Photoleiters nach Anspruch 10 oder 11 in einem Laser-Drucker.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/263,953 US4434222A (en) | 1981-05-15 | 1981-05-15 | Method of forming infrared-sensitive photoconductors of cadmium salt crystallites |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3205656A1 DE3205656A1 (de) | 1982-11-25 |
DE3205656C2 true DE3205656C2 (de) | 1986-09-25 |
Family
ID=23003950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3205656A Expired DE3205656C2 (de) | 1981-05-15 | 1982-02-17 | Verfahren zur Herstellung eines Photoleiters und dessen Verwendung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4434222A (de) |
JP (1) | JPS57205752A (de) |
CA (1) | CA1192736A (de) |
DE (1) | DE3205656C2 (de) |
FR (1) | FR2506037B1 (de) |
GB (1) | GB2099166B (de) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1139532A (en) * | 1965-08-04 | 1969-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | A process for the production of a photoconductive material for use in electrophotography |
FR1500187A (fr) * | 1966-08-10 | 1967-11-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | Procédé d'électrophotographie pour la fabrication d'un matériau sensible à la lumière |
CA1125495A (en) * | 1977-07-11 | 1982-06-15 | Morris Feinleib | Cadmium sulfide/cadmium carbonate/cadmium oxide photoconductor |
DE3039118A1 (de) * | 1979-10-18 | 1981-04-30 | Minolta Camera K.K., Osaka | Elektrofotografisches kopierverfahren |
-
1981
- 1981-05-15 US US06/263,953 patent/US4434222A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-01-15 CA CA000394224A patent/CA1192736A/en not_active Expired
- 1982-01-25 GB GB8202008A patent/GB2099166B/en not_active Expired
- 1982-02-17 DE DE3205656A patent/DE3205656C2/de not_active Expired
- 1982-05-13 FR FR8208371A patent/FR2506037B1/fr not_active Expired
- 1982-05-15 JP JP57080875A patent/JPS57205752A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2099166B (en) | 1985-04-24 |
DE3205656A1 (de) | 1982-11-25 |
GB2099166A (en) | 1982-12-01 |
FR2506037A1 (fr) | 1982-11-19 |
CA1192736A (en) | 1985-09-03 |
FR2506037B1 (fr) | 1986-09-19 |
JPS57205752A (en) | 1982-12-16 |
US4434222A (en) | 1984-02-28 |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3249739 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3249739 |
|
AH | Division in |
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|
D2 | Grant after examination | ||
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |