DE3140956A1 - "fotostromverstaerker" - Google Patents

"fotostromverstaerker"

Info

Publication number
DE3140956A1
DE3140956A1 DE19813140956 DE3140956A DE3140956A1 DE 3140956 A1 DE3140956 A1 DE 3140956A1 DE 19813140956 DE19813140956 DE 19813140956 DE 3140956 A DE3140956 A DE 3140956A DE 3140956 A1 DE3140956 A1 DE 3140956A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current mirror
transistors
transistor
mirror circuit
amplifier according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813140956
Other languages
English (en)
Other versions
DE3140956C2 (de
Inventor
Stephan 7100 Heilbronn Dermitzakis
Kurt 7105 Leingarten Hintzmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Conti Temic Microelectronic GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19813140956 priority Critical patent/DE3140956C2/de
Publication of DE3140956A1 publication Critical patent/DE3140956A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3140956C2 publication Critical patent/DE3140956C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Fotostromverstärker
  • An moderne Fotostromverstärker werden verschiedene Anforderungen gestellt. So soll beispielsweise bei Fotostrom verstärkern ein möglichst linearer Zusammenhang zwischen der einfallenden Beleuchtungsstärke und dem Ausgangsstrom des Fotoverstärkers bestehen. Außerdem.soll ein Fotostromverstärker einen möglichst geringen Temperaturgang aufweisen. Fotostromverstärker sollen außerdem zusammen mit dem Fotoelement integrierbar sein.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Fotostromverstärker anzugeben, der die oben angegebenen Bedingungen besser erfüllt als bekannte Fotostromverstärker. Diese Aufgabe wird bei einem Fotostromverstärker mit einem Fotoelement nach der Erfindung dadurch gelöst, daß er eine erste und eine zweite Stromspiegelschaltung aufweist, daß das Fotoelement die beiden Stromspiegelschaltungen ansteuert und daß die beiden Stromspiegelschaltungen derart miteinander verschaltet sind, daß die zweite Stromspiegelschaltung außer vom Fotoelement auch von der zweiten Stromspiegelschaltung angesteuert wird. Die Stromspiegelschaltungen dienen zur Verstärkung des Fotostromes.
  • Die Transistoren der ersten Stromspiegelschaltung sind zu den Transistoren der zweiten Stromspiegelschaltung vorzugsweise komplementär. Die erste Stromspiegelschaltung weist vorzugsweise drei Transistoren auf, wobei die Emitter des ersten und dritten Transistors miteinander verbunden sind.
  • Die zweite Stromspiegelschaltung weist dagegen vorzugsweise zwei Transistoren auf, deren Basen miteinander und deren Emitter miteinander verbunden sind.
  • Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung sind den beiden Stromspiegelschaltungen noch weitere Stromspiegelschaltungen zur weiteren Verstärkung nachgeschaltet. Diese bestehen vorzugsweise aus zwei Transistoren mit zusammmengeschalteten Emittern und Basen. Als Fotoelement wird vorzugsweise eine in Sperrichtung betriebene Fotodiode verwendet.
  • Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen erläutert.
  • Die Figur 1 zeigt die Grundschaltung eines Fotostromverstärkers nach der Erfindung. Der Fotostromverstärker der Figur 1 besteht aus zwei zusammengeschalteten, nicht gegengekoppelten Stromspiegeln. Der erste Stromspiegel besteht aus den PNP-Transistoren 1, 2 und 3, während der zweite Stromspiegel aus den NPN-Transistoren 4 und 5 besteht.
  • Das Fotoelement ist im Ausführungsbeispiel der Figur 1 eine Fotodiode 6, die so beschaltet ist, daß sie in Sperrichtung betrieben wird und als Stromquelle beide Stromspiegelschaltungen mit Strom versorgt. Die Figur 2 dient zur Erläuterung der Schaltung der Figur 1, und zwar sind bei der Figur 2 die beiden Stromspiegel auseinander gezogen und voneinander getrennt, um die Funktionsweise besser erklären zu können.
  • Der Kollektorstrom des dritten Transistors (3) des ersten Stromspiegels errechnet sich aus der Beziehung IC3 = N.Io t wobei N = AE3/AE1 das Verhältnis der Emitterfläche AE3 des dritten Transistors 3 zur Emitterfläche-AEl des ersten Transistors 1 ist. Diese Beziehung gilt auch für sehr kleine Ströme (Io, IC3 im nA-Bereich), und ist weitgehend unabhängig von der Temperatur und der Stromverstärkung B der einzelnen Transistoren, sobald die Stromverstärkung B = 10 wird. Das gleiche gilt auch für den zweiten Stromspiegel der Figur 2. Der zweite Stromspiegel ist allerdings für größere Ströme funktionsfähiger als der erste Stromspiegel. Mit der bipolaren Technologie sind ohne weiteres Emitterflächen-Verhältnisse N zwischen 2 und 10 realisierbar.
  • In der Grundschaltung der Figur 1 sind die Emitterflächen der Transistoren 1, 2 und 3 im ersten Stromspiegel wie folgt gewählt: AE3 = AEl und AE2 = Nl. AEl Dabei ist N1 das Verhältnis von Ausgangsstrom des ersten Stromspiegels zu seinem Eingangsstrom, der gleich dem vom Fotoelement gelieferten Fotostrom ist.
  • Entsprechend wird für die Transistoren 4 und 5 des zweiten Stromspiegels folgende Emitterflächenbeziehung gewählt: AE5 = N2-AE4 Beim zweiten Stromspiegel wird in die gemeinsame Basis des vierten und fünften Transistors sowohl der Fotostrom 1 p als auch der Ausgangsstrom (IC3) des ersten Stromspiegels eingespeist. Da der Ausgangsstrom des ersten Stromspiegels IC3 = Nl.Ip ist, wird in die gemeinsame Basis der Tranp sistoren 4 und 5 des zweiten Stromspiegels der Gesamtstrom 1 + Nl.I eingespeist. Der Kollektorstrom des p p Transistors 5 und damit der Ausgangsstrom des zweiten Stromspiegels ergibt sich aus der Beziehung C5 ~ N2.(1 + N1).I Wählt man z. B. N1 = N2 = 6, so ist der Strom am Ausgang der Grundschaltung der Figur 1 1c5 = 42.I Bei dem Fotostromverstärker nach der Erfindung erhält man also eine Stromverstärkung, welche allein durch die Verhältnisse der Emitterflächen der Transistoren bestimmt wird und weitgehend von der Stromverstärkung B der einzelnen Transistoren unabhängig ist.
  • Wenn die Versorgungsspannung U der Grundschaltung zwischen 5 1,8 und 2,2 Volt gewählt wird, so wird die Sperrspannung an der FotoG;a4 gehr klein (unter 500 mV). Die richtige Wahl der Versorgungsspannung ist wichtig für die Kompensation der Temperaturabhängigkeit des Fotostromes, da der stark temperaturabhängige Dunkelstrom der Fotodiode, welcher als Fehlerstrom zu dem Fotostrom stets summiert wird, spannungsabhängig ist, jedoch bei Sperrspannungen unter 500 mV verschwindend klein wird.
  • Die Grundschaltung der Figur 1 ist als Dreipol zu betrachten.
  • Dabei kann der Kollektor des Transistors 5 (Ausgang) an eine zweite Versorgungsspannung getrennt von +Us angeschlossen werden. Verbindet man jedoch den Kollektor des Transistors 5 mit dem Pluspol der Schaltung, wie er in der Figur 3 gezeigt ist, so erhält man einen Zweipol.
  • Der Versorgungsstrom Is der gesamten Schaltung ist nun gleichzeitig das zur Beleuchtungsstärke proportionale Ausgangssignal. Es ergibt sich aus der Beziehung Is 1 .(Nl + 1).(N2 + 1).
  • p Daraus folgt, daß bei 1 = o, d. h. ohne Beleuchtung, auch p der Versorgungsstrom Is gleich Null wird. Im Dunkel zustand ist die Schaltung demnach praktisch verlustfrei. Als Is fließt im Dunkelzustand lediglich ein vernachlässigbarer kleiner Strom, der sich aus der Summe der Sperrströme der Transistgen ergibt.
  • Diese Sperrströme sind jedoch bei Versorgungsspannungen unter 5 V insgesamt kleiner als 1 nA und damit vernachlässigbar.
  • Die Figur 4 zeigt die Grundschaltung in komplementärer Form.
  • Während die Transistoren bei den Schaltungen der Figuren 1 bis 3 im ersten Stromspiegel (1,2,3) PNP-Transistoren und im zweiten Stromspiegel (4,5)NPN-Transistoren sind, sind bei der Anordnung der Figur 4 die Transistoren im ersten Stromspiegel (1,2,3) NPN-Transistoren und im zweiten Stromspiegel (4,5) PNP-Transistoren.
  • Bei der Anordnuny der Figur 5 ist die Grundschaltung der Figuren 1 bis 4 um zwei Stromspiegel (7,8 und 9,10) erweitert.
  • Diese zusätzlichen Stromspiegel bringen eine weitere wesentliche Verstärkung. Mit einem Fotostromverstärker nach Figur 5 kann eine Gesamtversärkung des Fotostromes erreicht werden, die zwischen 500 und 1000 liegt.
  • Der Fotostromverstärker nach der Erfindung hat verschiedene wesentliche Vorteile. So wird beispielsweise durch die-Erfindung ein großer Empfindlichkeits- und Linearitätsbereich erzielt, und zwar ohne externen Abgleich oder externe zusätzliche Bauelemente. Der Fotostromverstärker nach der Erfindung kann sowohl als Zweipol als auch als Dreipol eingesetzt werden. Der Stromverbrauch ist abhängig von der einfallenden Beleuchtung. Im Dunkeln ist der Stromverbrauch praktisch Null. Dies ist ein wesentlicher Vorteil bei Batteriebetrieb. Die Schaltung nach der Erfindung ist einfach in ihrem Aufbau und erfordert beispielsweise keine negative Stromgegenkopplung, welche die Stabilität der Schaltung bezüglich Selbstschwingen gefährden würde.
  • Wird die Anordnung nach der Erfindung in monolithisch integrierter Form ausgeführt, so hat sie den zusätzlichen Vorteil, daß durch die-Beschaltung der Fotodiode auch der Fotostrom des Subtrat-pn-Übergangs als Signal strom ausgenutzt wird. Der pn-Übergang zwischen p-Subtrat und n-Epitaxie wirkt bei Bestrahlung auch als eine Fotodiode und hat je nach Beschaltung einen störenden Einfluß auf das Verhalten der integrierten Oberflächen-Fotodiode.

Claims (1)

  1. patentansprüche 1 Fotast erst«;rker mit einem Fotoelement' ddurch- gekennzeichnet, daß er eine erste und eine zweite Stromspiegelschaltung aufweist, daß das Fotoelement die beiden Stromspiegelschaltungen ansteuert und daß die beiden Stromspiegelschaltungen derart miteinander verschaltet sind, daß die zweite Strornspiegelschaltung außer vom Fotoelement auch von der ersten Stromspiegelschaltung angesteuert wird 2) Fotostromverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren der ersten Stromspiegelschaltung zu dentTransistoren der zweiten Stromspiegelschaltung komplementär sind.
    3) Fotostromverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromspiegelschaltung drei Transistoren aufweist und daß die Emitter des ersten und dritten Transistors miteinander verbunden sind.
    4) Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von PNP-Transistoren in der ersten Stromspiegelschaltung die Basen des ersten und dritten Transistors mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden sind.
    5)- Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von NPN-Transistoren in der ersten Stromspiegelschaltung die Emitter des ersten und dritten Transistors mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden sind.
    6) Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stromspiegelschaltung zwei Transistoren als vierten und fünften Transistor aufweist und daß die Basen dieser beiden Transistoren miteinander und die Emitter dieser beiden Transistoren miteinander verbunden sind.
    7) Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von PNP-Transistoren in der zweiten Stromspiegelschaltung die Basis des vierten Transistors mit dem Kollektor des vierten Transistors verbunden ist.
    8) Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von PNP-Transistoren in der ersten Stromspiegelschaltung und NPN-Transistoren in der zweiten Stromspiegelschaltung der Kollektor des zweiten Transistors mit den Emittern des vierten und fünften Transistors verbunden ist.
    9) Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von NPN-Transistoren in der ersten Stromspiegelschaltung und PNP-Transistoren in der zweiten Stromspiegelschaltung der Emitter des zweiten Transistors mit den Basen des vierten und fünften Transistors verbunden ist.
    10) Fotostromve;rstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß noch weitere Stromspiegelschaltungen nachgeschaltet sind, die jeweils aus zwei Transistoren bestehen, deren Emitter miteinander und deren Basen miteinander verbunden sind und bei denen beim vorgeschalteten Transistor die Basis mit dem Kollektor verbunden ist.
    11) Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Fotoelement eine Fotodiode vorgesehen ist, die in Sperrichtung betrieben wird.
    12) Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Stromspiegelschaltung mit zwei Transistoren die Verstärkung durch das EmatteEf henverhältnis von Ausyangstransistor zu Einyangstransistor gewählt wird.
    13) Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Stromspiegelschaltung mit drei Transistoren die Verstärkung durch das Emitterflächenverhältnis von zweiten Transistor zu ersten Transistor gewählt wird.
DE19813140956 1981-10-15 1981-10-15 Fotostromverstärker Expired DE3140956C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813140956 DE3140956C2 (de) 1981-10-15 1981-10-15 Fotostromverstärker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813140956 DE3140956C2 (de) 1981-10-15 1981-10-15 Fotostromverstärker

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3140956A1 true DE3140956A1 (de) 1983-05-05
DE3140956C2 DE3140956C2 (de) 1984-08-02

Family

ID=6144166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813140956 Expired DE3140956C2 (de) 1981-10-15 1981-10-15 Fotostromverstärker

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3140956C2 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2553242A1 (fr) * 1983-10-06 1985-04-12 Telefunken Electronic Gmbh Amplificateur a large bande pour amplifier un courant photoelectrique
US4663749A (en) * 1985-01-11 1987-05-05 U.S. Philips Corporation Apparatus for reproducing information from an optically readable record carrier
EP0577265A2 (de) * 1992-05-29 1994-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Lichtempfindliche Verstärkungsvorrichtung zur Erweiterung eines Wechselspannungsbereichs
EP0738038A1 (de) * 1995-04-11 1996-10-16 STMicroelectronics S.A. Stromverstärker

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE9100218L (sv) * 1991-01-25 1992-07-26 Unigrafic Ag Saett och anordning foer kommunikation genom ljus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Philips Technische Rundschau" 32.Jahrgang, 1971/72, Nr.1, S.8 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2553242A1 (fr) * 1983-10-06 1985-04-12 Telefunken Electronic Gmbh Amplificateur a large bande pour amplifier un courant photoelectrique
US4663749A (en) * 1985-01-11 1987-05-05 U.S. Philips Corporation Apparatus for reproducing information from an optically readable record carrier
EP0577265A2 (de) * 1992-05-29 1994-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Lichtempfindliche Verstärkungsvorrichtung zur Erweiterung eines Wechselspannungsbereichs
EP0577265A3 (de) * 1992-05-29 1994-12-28 Sharp Kk Lichtempfindliche Verstärkungsvorrichtung zur Erweiterung eines Wechselspannungsbereichs.
EP0738038A1 (de) * 1995-04-11 1996-10-16 STMicroelectronics S.A. Stromverstärker
FR2733098A1 (fr) * 1995-04-11 1996-10-18 Sgs Thomson Microelectronics Amplificateur de courant
US5867066A (en) * 1995-04-11 1999-02-02 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Current amplifier
US6125094A (en) * 1995-04-11 2000-09-26 Stmicroelectronics S.A. Current amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
DE3140956C2 (de) 1984-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2412393C3 (de) Stromstabilisierungsschaltung
DE2160432C3 (de) Konstantspannungsschaltung
DE2166507B2 (de) Bezugsspannungsschaltung
DE3836338A1 (de) Temperaturkompensierte stromquellenschaltung mit zwei anschluessen
DE2423478B2 (de) Stromquellenschaltung
DE2260405B2 (de) Bezugsspannungsgeneratorschaltung
DE4237122A1 (de) Schaltungsanordnung zur Überwachung des Drainstromes eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors
DE2207233C3 (de) Elektronischer Signalverstärker
DE2513906B2 (de) Stromspiegelverstaerker
DE2229090B2 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines einer Lichtmenge proportionalen Stromes
DE3048041A1 (de) Elektrisch veraenderliche impedanzschaltung mit rueckkopplungsausgleich
EP0952508A1 (de) Referenzspannung-Erzeugungsschaltung
DE2462423C3 (de) Operationsverstärker
DE3545392C2 (de)
DE2533421A1 (de) Monolithischer verstaerker
DE3230429C2 (de)
DE3715238A1 (de) Transistor-schalteinrichtung mit basisstrom-regulierung
DE3140956A1 (de) "fotostromverstaerker"
DE2328402A1 (de) Konstantstromkreis
DE2924171C2 (de)
DE3824105C2 (de) Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer stabilisierten Ausgangsspannung
DE1126496B (de) Stromregler zur Aufrechterhaltung eines konstanten Gleichstromes
DE2828147A1 (de) Pufferverstaerker
DE3037319A1 (de) Steuerschaltung fuer einen bewegungslosen transistorschalter fuer gleichstromlasten mit hohem einschaltstrom
DE3731130C2 (de) Spannungs/Strom-Wandleranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 74072 HEILB

8339 Ceased/non-payment of the annual fee