DE3140956C2 - Fotostromverstärker - Google Patents
FotostromverstärkerInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
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-
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Abstract
Ein Fotostromverstärker mit einem Fotoelement weist eine erste und eine zweite Stromspiegelschaltung auf, wobei das Fotoelement die beiden Stromspiegelschaltungen ansteuert. Die beiden Stromspiegelschaltungen sind derart miteinander verschaltet, daß die zweite Stromspiegelschaltung außer vom Fotoelement auch von der ersten Stromspiegelschaltung angesteuert wird.
Description
An moderne Fotostromverstärker werden verschiedene Anforderungen gestellt So soll beispielsweise bei
Fotostromverstärkern ein möglichst linearer Zusammenhang zwischen der einfallenden Beleuchtungsstärke
und dem Ausgangsstrom des Fotoverstärkers bestehen. Außerdem soll ein Fotostromverstärker einen möglichst
geringen Tempsraturgang aufweisen. Fotostromverstärker
sollen außerdem zusammen mit dem Fotoelement integrierbar sein.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Fotostromverstärker
anzugeben, der die oben angegebenen Bedingungen besser erfüllt als bekannte Fotostromverstärker.
Diese Aufgabe wird bei einem Fotostromverstärker mit einem Fotoelement nach der Erfindung
dadurch gelöst, daß er eine erste und eine zweite Stromspiegelschaltung aufweist, daß das Fotoelement die beiden
Stromspiegelschaltungen ansteuert und daß die beiden Stromspiegelschaltungen derart miteinander verschaltet
sind, daß die zweite Stromspiegelschaltung außer vom Fotoelement auch von der zweiten Stromspiegelschaltung
angesteuert wird. Die Stromspiegelschaltungen dienen zur Verstärkung des Fotostromes.
Die Transistoren der ersten Stromspiegelschaltung sind zu den Transistoren der zweiten Stromspiegelschaltung
vorzugsweise komplementär. Die erste Stromspiegelschaltung weist vorzugsweise drei Transistoren
auf, wobei die Emitter des ersten und dritten Transistors miteinander verbunden sind. Die zweite
Stromspiegelschaltung weist dagegen vorzugsweise
se zwei Transistoren auf, deren Basen miteinander und deren
Emitter miteinander verbunden sind.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung sind den beiden Stromspiegelschaltungen noch weitere Stromspiegelschaltungen
zur weiteren Verstärkung nachge-
schaltet. Diese bestehen vorzugsweise aus zwei Transistoren mit zusammengeschalteten Emittern und Basen.
Als Fotoelement wird vorzugsweise eine in Sperrichtung betriebene Fotodiode verwendet.
Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen erläutert.
Die F i g. 1 zeigt die Gfundschaltung eines Fotostromverstärkers
nach der Erfindung. Der Fotostromverstärker der F i g. 1 besteht aus zwei zusammengeschaltetcn,
nicht gegengekoppelten Stromspiegeln. Der
b5 erste Stromspiegel besteht aus den PNP-Transistoren 1,
2 und 3, während der zweite Stromspiegel aus den NPN-Transistoren 4 und 5 besteht.
Das Fotoelement ist im Ausführungsbeispiel der
F i g. 1 eine Fotodiode 6, die so beschaltet ist, daß sie in
Sperrichtung betrieben wird und als Stromquelle beide Stromspiegelschaltungen mit Strom versorgt. Die
F i g. 2 dient zur Erläuterung der Schaltung der F i g. 1, und zwar sind bei der F i g. 2 die beiden Stromspiegel
auseinander gezogen und voneinander getrennt, um die Funktionsweise besser erklären zu können.
Der Kollektorstrom des dritten Transistors (3) des ersten Stromspiegels errechnet sich aus der Beziehung
Ic3 = N · /o, wobei N = Ae3/Aei das Verhältnis der
Emitterfläche Ae3 des dritten Transistors 3 zur Emitterflache
Ae ι des ersten Transistors 1 ist Diese Beziehung
gilt auch für sehr kleine Ströme (Ιο, Ia im nA-Bereich),
und ist weitgehend unabhängig von der Temperatur und der Stromverstärkung B der einzelnen Transistoren, sobald
die Stromverstärkung BsIO wird. Das gleiche gilt
auch für den zweiten Stromspiegel der F i g. 2. Der zweite StroEispiegel ist allerdings für größere Ströme besser
geeignet als der erste Stromspiegel. Mit der bipolaren Technologie sind ohne weiteres Emitterflächen-Verhältnisse
N zwischen 2 und 10 realisierbar.
In der Grundschaltung der F i g. 1 sind die Pmitterflächen
der Transistoren 1,2 und 3 im ersten Stromspiegel wie folgt gewählt:
N \ · Ae\
Dabei ist N1 das Verhältnis von Ausgangsstrom des
ersten Stromspiegels zu seinem Eingangsstrom, der gleich dem vom Fotoelement gelieferten Fotostrom ist.
Entsprechend wird für die Transistoren 4 und 5 des zweiten Stromspiegels folgende Emitterflächenbeziehung
gewählt:
Beim zweiten Stromspiegel wird in die gemeinsame Basis des vierten und fünften Transistors sowohl der
Fotostrom Ip als auch der Ausgangsstrom (Ici) des ersten
Stronr piegels eingespeist. Da der Ausgangsstrom des ersten Stromspiegels Ia = N\ ■ Ip ist, wird in die
gemeinsame Basis der Transistoren 4 und 5 des zweiten Stromspiegels der Gesamtstrom Ip + N 1 ■ Ip eingespeist
Der Kollektorstrom des Transistors 5 und damit der Ausgangsstrom des zweiten Stromspiegeis ergibt
sich aus der Beziehung
/n= yV2-(l + ΛΠ)· lp.
Wählt man z. B. N 1 ·- /V 2 = 6, so ist der Strom am
Ausgang der Grundschaltung der F i g. 1
Bei dem Fotost/omverstärker nach der Erfindung erhält
man also eine Stromverstärkung, welche allein durch die Verhältnisse der Emitterflächen der Transistoren
bestimmt wird und weitgehend von der Stromverstärkung B der einzelnen Transistoren unabhängig
ist.
Wenn die Versorgungsspannung Us der Crundschaltung
zwischen 1,8 und 22 Volt gewählt wird, so wird die Sperrspannung an der Fotodiode sehr klein (unter
500 mV). Die richtige Wahl der Versorgungsspannung ist wichtig für die Kompensation der Temperaturabhängigkeit
des Fotostromes, da der stark temperaturabhängige Dunkelstrom der Fotodiode, welcher als Fehlerstrom
zu dem Fotostrom stets summiert wird, spannungsabhängig ist, jedoch bei Sperrspannungen unter
500 mV verschwindend klein wird.
Die Gtundschaltung der Fig. 1 ist a's Dreipol zu betrachten.
Dabei kann der Kollektor des Transistors 5 (Ausgang) an eine zweite Versorgungsspannung getrennt
von + Us angeschlossen werden. Verbindet man jedoch den Kollektor des Transistors 5 mit dem Pluspol
der Schaltung, wie er in der F i g. 3 gezeigt ist, so erhält man einen Zweipol.
Der Versorgungsstrom h der gesamten Schaltung ist
nun gleichzeitig das zur Beleuchtungsstärke proportionale Ausgangssignal. Es ergibt sich aus der Beziehung
I5= lp.(N\
1).
Daraus folgt, daß bei Ip = 0, d. h. ohne Beleuchtung,
auch der Versorgungsstrom U gleich Null wird. Im Dunkelzustand
ist die Schaltung demnach praktisch verlustfrei. Als /s fließt im Dunkelzustand lediglich ein vernachlässigbarer
kleiner Strom, der sich aus der Summe der Sperrströme der Transistoren erg.»;. Diese Sperrströme
sind jedoch bei Versorgungsspannungen unter 5 V insgesamt kleiner als 1 η A und damit vernachlässigbar.
Die F i g. 4 zeigt die Grundschaltung in komplementärer
Form. Während die Transistoren bei den Schaltungen dtr Fig. 1 bis 3 im ersten Stromspiegel (1, 2, 3)
PNP-Transistoren und im zweiten Stromspiegel (4, 5) NPN-Transistoren sind, sind bei der Anordnung der
F i g. 4 die Transistoren im ersten Stromspiegel (1, 2, 3) NPN-Transistoren und im zweiten Stromspiegel (4, 5)
PN P-Transistoren.
Bei der Anordnung der F i g. 5 ist die Grundschaltung der F i g. 1 bis 4 um zwei Stromspiegel (7, 8 und 9, 10)
erweitert Diese zusätzlichen Stromspiegel bringen eine weitere wesentliche Verstärkung. Mit einem Fotostromverstärker
nach Fig.5 kann eine Gesamtverstärkung
des Fotostromes erreicht werden, die zwischen 500 und 1000 liegt.
Der Fotostromverstärker nach der Erfindung hat verschiedene wesentliche Vorteile. So wird beispielsweise
dfrch die Erfindung ein großer Empfindlichkeits- und
Linearitätsbereich erzielt, und zwar ohne externen Abgleich oder externe zusätzliche Bauelemente. Der Fotostromverstärker
nach der Erfindung kann sowohl als Zweipol als auch als Dreipol eingesetzt werden. Der
Stromverbrauch ist abhängig von der einfallenden Beleuchtung . Im Dunkeln ist der Stromverbrauch praktisch
Null. Dies ist ein wesentlicher Vorteil bei Batteriebetrieb. Die Schaltung nach der Erfindung ist einfach in
ihrem Aufbau und erfordert beispielsweise keine negative Stromgegcnkopplung, welche die Stabilität der
Schaltung bezüglich Selbstschwingen gefährden würde. Wird die Anordnung nach der Erfindung in monolithisch
integrierter Form ausgeführt, so hat sie den zusätzlichen Vorteil, daß durch die Beschalfing der Fotodiode
auch der Fotostrom des Subtret-pn-Übergangs als Signalstrom ausgenutzt wird. Der pn-übergang zwischen
p-Subtrat und η-Epitaxie wirkt bei Bestrahlung auch als eine Fotodiode und hat je nach Beschallung
bo einen störenden Einfluß auf das Verhalten der integrierten
Oberflächen-Fotodiode.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (13)
1. Fotcstromverstärker mil: einem Fotoelement,
dadurch gekennzeichnet, daß er eine erste und zweite Stromspiegelschaltung aufweist, daß das
Fotoelement die beiden Stnomspiegelschaltungen
ansteuert und daß die beiden Stromspiegelschaltungen derart miteinander verschaltet sind, daß die
zweite Stromspiegelschaltung außer vom Fotoelement auch von der ersten Stromspiegelschaltung angesteuert
wird.
2. Fotostromverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren der ersten
Stromspiegelschaltung zu den Transistoren der zweiten Stromspiegelschaltung komplementär sind.
3. Fotostromverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromspiegelschaltung
drei Transistoren aufweist und daß die Emitter des ersten und dritten Transistors miteinander
verbündten sind,
4. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet daß bei Verwendung
von PNP-Transistoren in der ersten Stromspiegelschaltung die Basen des ersten und
dritten Transistors mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden sind.
5. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung
von NPN-Transistoren in der ersten Stromspiegelschaltung die Emitter des ersten und
dritten Transistors mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden'.,ind.
6. Fotostromverstärke,· nach einem der Ansprüche
1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stromspiegelschaltung zwei Transistoren als vierten
und fünften Transistor aufweist und daß die Basen dieser beiden Transistoren miteinander und die
Emitter dieser beiden Transistoren miteinander verbunden sind.
7. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung
von PNP-Transistoren in der zweiten Stromspiegelschaltung die Basis des vierten Transistors
mit dem Kollektor des vierten Transistors verbunden ist
8. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche
1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von PNP-Transistoren in der ersten
Stromspiegelschaltung und NPN-Transistoren in der zweiten Stromspiegelschaltung der Kollektor
des zweiten Transistors mit den Emittern des vierten und fünften Transistors verbunden ist.
9. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung
von NPN-Transi:5toren in der ersten Stromspiegelschaltung und PNP-Transistoren in der
zweiten Stromspiegelschaltung der Emitter des zweiten Transistors mit den Basen des vierten und
fünften Transistors verbunden ist.
10. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche I bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß noch weitere
Stromspiegelschaltungen nachgeschallet sind, die jeweils aus zwei Transistoren bestehen, deren Emitter
miteinander und deren Elasen miteinander verbunden sind und bei denen beim vorgeschalteten
Transistor die Basis mit dem Kollektor verbunden
ti. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche
1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Fotoelement eine Fotodiode vorgesehen ist, die in Sperrichtung
betrieben wird.
12. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß bei der
Stromspiegelschaltung mit zwei Transistoren die Verstärkung durch das Emitterflächenverhältnis von
Ausgangstransistor zu Eingangstransistor gewählt wird.
13. Fotostromverstärker nach einem der Ansprüche
1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß bei der
Stromspiegelschaltung mit drei Transistoren die Verstärkung durch das Emitterflächenverhältnis
vom zweiten Transistor zum ersten Transistor gewählt wird.
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ID=6144166
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO1992013401A1 (en) * | 1991-01-25 | 1992-08-06 | Unigrafic Ag | Device for communication by light |
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JP2988795B2 (ja) * | 1992-05-29 | 1999-12-13 | シャープ株式会社 | 受光増幅装置 |
FR2733098B1 (fr) * | 1995-04-11 | 1997-07-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Amplificateur de courant |
-
1981
- 1981-10-15 DE DE19813140956 patent/DE3140956C2/de not_active Expired
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