DE3026927C2

DE3026927C2 -

Info

Publication number: DE3026927C2
Application number: DE19803026927
Authority: DE
Inventors: Christian St. Maur Fr Combes
Original assignee: Thomson CSF SA
Current assignee: Thales SA
Priority date: 1979-07-17
Filing date: 1980-07-16
Publication date: 1992-07-09
Also published as: FR2462028B1; FR2462028A1; DE3026927A1

Description

Die Erfindung betrifft einen Thyristor für integrierte Schaltungen und Verfahren zu seiner Herstellung. Diese Thyristoren können besonders benutzt werden, um Kreuzungsfelder herzustellen, wie solche für Telefonverbindungen.

Der Thyristor nach der Erfindung ist kompatibel mit einem Aufbau von integrierten Schaltungen mit einem Substrat eines ersten Leitungstyps, auf das man eine epitaktische Schicht des zweiten Leitungstyps aufwachsen läßt, wobei dieser Aufbau auch isolierende Wände vom ersten Leitungstyp aufweist, welche das Substrat mit der oberen Fläche des Plättchens (Chips) verbinden, um jedes Einzelbauelement oder Gruppen von Bauelementen voneinander zu isolieren. Diese isolierenden Wände können erhalten werden, indem man vor der Bildung der epitaktischen Schicht Dotierungsstoffe vom ersten Leitungstyp in das Substrat implantiert und dann nach der Bildung der epitaktischen Schicht eine Diffusion dieser implantierten Stoffe nach oben und eine entsprechende Diffusion von der oberen Fläche des Plättchens nach unten vornimmt.

Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung von Thyristoren für integrierte Schaltungen, das mit der obenerwähnten Baureihe dieses Typs kompatibel ist, wird im folgenden mit Bezug auf die beigefügten Fig. 1A und 1B beschrieben, welche schematisch im Schnitt und in Draufsicht einen solchen Thyristor zeigen. Dieser Thyristor wird erhalten ausgehend von einem Substrat 1 eines ersten Leitungstyps, auf dem eine epitaktische Schicht 2 von entgegengesetztem Leitungstyp abgeschieden wird. Um die Beschreibung zu vereinfachen, wird im folgenden der erste Leitungstyp mit P und der zweite Leitungstyp mit N bezeichnet. Das Bauelement ist durch eine Isolierwand 3 vom Typ P isoliert, die in üblicher Weise erhalten wird, und eine vergrabene Schicht 4 vom Typ N⁺ ist am Boden der durch die Isolierwand 3 begrenzten Wanne vorgesehen. Ausgehend von der oberen Fläche des Plättchens sind in der Wanne zwei getrennte Zonen 5 und 6 vom Typ P ausgebildet, und eine Zone 7 vom Typ N ist in das Innere der einen dieser Zonen vom Typ P eingebracht (in der Figur im Inneren der Zone 5). Metallisierungen G, A und K sind jeweils mit den Zonen 5, 6 und 7 fest verbunden. Man erhält so einen Thyristor, dessen Metallisierung A die Anode, dessen Metallisierung G die Steuerelektrode und dessen Metallisierung K die Kathode bilden. Es sei auch bemerkt, daß eine andere Elektrode g auf der epitaktischen Schicht 2 abgeschieden sein kann, indem man eine örtliche Überdotierung dieser Schicht vorsieht, um einen ohmschen Kontakt in einem Bereich 8 herzustellen. Der Größenordnung nach kann die Dotierung N der epitaktischen Schicht 2 etwa 10¹⁵ bis 5×10¹⁶ at/cm³ betragen, während die Zonen 5 und 6 vom Typ P eine Dotierung in der Größenordnung von 10¹⁸ bis 10¹⁹ at/cm³ und die Zone 7 vom Typ N eine Dotierung von etwa 10²⁰ bis 10²¹ at/cm³ haben.

Theoretisch könnte die Steuerelektrode dieses Thyristors an die Metallisierung G oder die Metallisierung g angeschlossen sein. Tatsächlich ist es bei den angegebenen Dotierungen zweckmäßiger, die Metallisierung G als Steuerelektrode zu nehmen, das heißt, diejenige, welche in Kontakt ist mit der höchstdotierten der Schicht 2 und der Zone 5. Allgemein sind die epitaktischen Schichten gering dotiert, so daß man die Steuerelektrode auf die andere Schicht legt. Die Metallisierung g dient allein und gegebenenfalls dazu, verschiedene Polarisierungen herzustellen. So ist mit den in der Figur gezeigten Leitungstypen der Thyristor ein solcher mit Kathoden-Steuerelektrode. Wenn man jedoch alle in der Figur gezeigten Leitungstypen umkehrt, wäre die Metallisierung A die Kathode, die Metallisierung K die Anode, und die Steuerelektrode G wäre immer noch auf der gleichen Schicht vorhanden, das heißt derjenigen der beiden Zwischenschichten mit höherem Dotierungsniveau, und es läge in diesem Fall ein Thyristor mit Anoden-Steuerelektrode vor.

In der Theorie betrachtet man oft zwei Transistoren als Äquivalente zum Thyristor. Im vorliegenden Fall sind diese zwei Transistoren ein npn-Transistor mit den Zonen 7, 5 und 2 und ein pnp-Transistor mit den Zonen 5, 2 und 6. Die Zündbedingung (Produkt von Stromverstärkungen) der beiden Elementar- Transistoren wird mit einem Thyristor, der den in den Fig. 1A und1B gezeigten Aufbau hat, leicht erhalten. Dennoch hängt der Spannungsabfall im Thyristor im Leitzustand nur von den Transistoren ab. Er ist gleich der Summe der Sättigungsspannung Basis/Emitter des pnp-Transistors und der Sättigungsspannung Kollektor/Emitter des npn-Transistors. Um diesen Wert zu verringern, den man so gering wie möglich machen möchte, kann man auf die Höhe der Sättigungsspannung Kollektor/Emitter des npn- Transistors einwirken. Bei hohem Durchgangsstromwert im Thyristor muß der pnp-Transistor einen genügenden Strom in die Basis des npn-Transistors injizieren. Andererseits hat der pnp-Transistor, welcher ein Lateral-Transistor ist, einen Stromverstärkungsfaktor, der mit steigendem Strom rasch abnimmt. Um diesen Nachteil zu kompensieren, muß man den Umfang des dem Kollektor gegenüberliegenden Emitters für diesen pnp-Transistor vergrößern, und in der Darstellung des integrierten Thyristors wird die Oberfläche des pnp-Lateral-Transistors viel größer als die des npn- Transistors. Daraus folgt ein Bauelement von erheblichen Abmessungen, wobei dennoch die Begrenzung bleibt, die mit dem verhältnismäßig hohen Wert des Spannungsabfalls im Leitzustand zusammenhängt.

Die Offenlegungsschrift DE 27 53 320 A1 beschreibt einen weiteren Thyristor für integrierte Schaltung, der ein Substrat (12) eines ersten Leitungstyps und weiter folgende Merkmale aufweist:
eine erste becherförmige Zone (14) vom zweiten Leitungstyp (N), die im Substrat enthalten ist;
eine zweite becherförmige Zone (18) vom ersten Leitungstyp (P), die in der ersten Zone enthalten ist;
eine dritte wannenförmige Zone (20) vom zweiten Leitungstyp (N), die in der zweiten Zone enthalten ist;
eine vierte Zone (22) vom ersten Leitungstyp (P), die in der dritten Zone enthalten ist; und
oberflächliche Metallisierungen, die fest mit an der Oberfläche freiliegenden Randbereichen der ersten (14), zweiten (18) und vierten (22) Zone verbunden sind und jeweils der ersten Hauptelektrode (K), der Steuerelektrode (E) und der zweiten Hauptelektrode (A) des Thyristors entsprechen.

Hierbei kann unterstellt werden, daß die dritte Zone (20), welche die Anodenbasiszone darstellt, die am schwächsten dotierte der vier angegebenen ist, obgleich DE 27 53 320 A1 hierzu keine Angaben macht, denn etwas anderes wäre nicht zweckmäßig.

Ein so aufgebauter Thyristor weist also die Merkmale des Oberbegriffs des vorliegenden Anspruchs 1 auf.

Bei diesem bekannten Thyristor ist die dritte Zone (20) durch Umdotieren der zweiten (epitaktischen) Zone (18) durch Ionenimplantation erhalten, wodurch eine große Ungenauigkeit der Dotierung dieser dritten Zone (20) entsteht.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, einen integrierten Thyristor zu schaffen, der mit der eingangs angegebenen technologischen Baureihe kompatibel ist und bei dem der Spannungsabfall zwischen Anode und Kathode im Leitzustand kleiner als bei den bekannten Bauelementen ist. Außerdem soll ein solcher erfindungsgemäßer Thyristor eine kleine Oberfläche auf einer Tablette (Chip) einer integrierten Schaltung einnehmen und günstig herstellbar sein.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen Thyristor für integrierte Schaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1.

Auf diese Weise wird also ein Thyristor mit genau definierter geringer Dotierung der dritten Zone erhalten, was für die gewünschte Charakteristik des Thyristors wesentlich ist.

Eine bevorzugte Ausführungsform ist im Unteranspruch angegeben.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung des Thyristors ist in Anspruch 3 und bevorzugte Ausführungsformen desselben sind in den Unteransprüchen 4 und 5 angegeben.

Vor dem abschließenden Metallisieren können gegebenenfalls oberflächliche Überdotierungen vorgesehen werden.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Figuren erläutert. Hierin zeigen die

Fig. 1A und 1B einen bekannten Thyristor-Aufbau, wie oben beschrieben; die

Fig. 2A und 2B schematisch im Schnitt und in Draufsicht einen erfindungsgemäßen Thyristor und

Fig. 3 einen Kurvenzug, der die Konzentrationsprofile der verschiedenen Zonen eines erfindungsgemäßen Thyristors zeigt.

Zunächst sei bemerkt, daß diese verschiedenen Figuren weder in horizontaler noch in vertikaler Richtung maßstäblich sind und daß die relativen Abmessungen sowie die Dicken der verschiedenen Schichten oder Zonen nicht direkt aus den Figuren entnommen werden können, sondern innerhalb der dem Fachmann bekannten Bereiche liegen.

Mit N+ bzw. P+ ist jeweils eine stark dotierte Zone bezeichnet.

Fig. 2A zeigt ein Halbleitersubstrat 11, in dem eine erste becherförmige Zone 12 vom Typ N⁺ ausgebildet ist, welche einen Boden 121 und eine Wand 122 aufweist. Allgemein ist hier mit becherförmiger Zone ein Bereich bezeichnet, der einen Boden und bis zur oberen Oberfläche des Substrats aufsteigende Seitenwände aufweist.

Es sei bemerkt, daß die Bezeichnung becherförmige Zone keine Kreissymmetrie voraussetzt, obgleich das der Fall sein kann, und in der Draufsicht der Fig. 2B ist erkennbar, daß die verschiedenen Zonen jeweils etwa rechteckigen Umfang haben. In dieser ersten becherförmigen Zone 12 ist eine zweite becherförmige Zone 13 vom entgegengesetzten Leitungstyp ausgebildet. Diese zweite Zone 13 begrenzt eine dritte wannenförmige Zone 14 vom entgegengesetzten Leitungstyp, das heißt im gezeigten Beispiel vom Typ N. In einem oberen Teil der dritten Zone 14 ist eine vierte Zone 15 vom P⁺-Typ ausgebildet. Die dritte Zone 14 ist, wie aus dem folgenden ersichtlich, epitaktisch gebildet und bildet diejenige mit dem niedrigsten Dotierungsniveau unter der Gesamtheit der Zonen 12, 13, 14 und 15. Die Wand 122 der Zone 12 ergibt sich im übrigen aus der gleichen epitaktischen Behandlung. Die obere Oberfläche der Zone 15 ist ebenso wie die bis zur Oberfläche reichenden Teile der becherförmigen Zonen 12 und 13 metallisiert. Die Metallisierung auf der Zone 15 entspricht der Anode A des Thyristors, und die Metallisierungen auf den kranzförmigen freiliegenden Oberflächenbereichen der becherförmigen Zonen 12 und 13 entsprechen jeweils der Kathode K und der Steuerelektrode G des Thyristors. Die oberen Bereiche dieser kranzförmigen Zonen sind in üblicher Weise überdotiert. Man kann auch einen Teil der obenliegenden Oberfläche der Zone 14 überdotieren und die entsprechende Oberfläche des Plättchens metallisieren, um eine Hilfssteuerelektrode g zu erhalten.

Wenn man die beiden zum beschriebenen Thyristor äquivalenten Transistorbauelemente betrachtet, haben diese eine Vertikalstruktur. Der npn-Transistor besteht aus den Zonen 12, 13 und 14 und hat einen geringen Stromverstärkungsfaktor in der Größenordnung von 0,2 bis 0,5 wegen der erheblichen Breite der Basis. Dennoch ist das Zünden möglich wegen des hohen Stromverstärkungsfaktors des pnp-Vertikaltransistors, der aus den Zonen 13, 14 und 15 besteht. Um die Injektion zu verbessern, kann außerdem die oberflächliche Überdotierung N⁺ der Zone 122 oberflächlich den Teil der Zone 13 bedecken. Ein Vorteil des Thyristoraufbaus liegt in seiner großen Kompaktheit und in seiner geringen Spannung im Leitzustand. Der npn-Transistor hat für einen Kollektorstrom O Restspannungen, die in Abhängigkeit vom Basisstrom ansteigen, jedoch ist die Spannung Kollektor/Emitter bei Sättigung praktisch gleich dieser Kollektorrestspannung. Die Spannung im Leitzustand des Thyristors ist daher geringer für eine äquivalente Gesamtoberfläche gegenüber der eines üblichen Aufbaus. Der dynamische Widerstand im Leitzustand liegt in der Größenordnung von 3 bis 4 Ohm.

Von der Erfindung wurden Versuche zum Vergleich von Thyristoren, wie in den Fig. 2A und 2B gezeigt, mit bekannten Thyristoren, wie in den Fig. 1A und 1B gezeigt, durchgeführt. Die bekannte Vorrichtung hatte eine Oberfläche von 200×220 µm² und die erfindungsgemäße Vorrichtung eine Oberfläche von 178×220 µm². Man konnte feststellen, daß die erfindungsgemäße Vorrichtung im Leitzustand einen dynamischen Widerstand in der Größenordnung von 3,5 bis 4 Ohm gegenüber 6 bis 7 Ohm der bekannten Vorrichtung hatte. Anders ausgedrückt, wenn man gemäß dem Stand der Technik für einen Strom von 50 mA einen Spannungsabfall in der Größenordnung von 1 V und für einen Strom von etwa 200 mA einen Spannungsabfall von etwa 2 V hat, erhält man beim erfindungsgemäßen Thyristor für einen Strom von 50 mA einen Spannungsabfall von 1,1 V, für einen Strom von 200 mA einen Spannungsabfall von 1,7 V und für einen Strom von 400 mA einen Spannungsabfall von etwa 2,4 V. Wie ersichtlich, ermöglicht die Erfindung für Stromstärken, die wesentlich über 50 mA liegen, einen geringeren Verbrauch des Thyristors mit einer geringeren Oberfläche.

Wie oben kurz dargelegt, ist der Gesichtspunkt des Aufbaus des erfindungsgemäßen Thyristors nicht zu trennen vom Gesichtspunkt der Dotierungsniveaus der ihn bildenden Schichten. Diese Dotierungsniveaus sind im folgenden mit Bezug auf Fig. 3 erläutert, und dieser zweite Aspekt der Erfindung wird erläutert mit Bezug auf die folgende Beschreibung einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des Thyristors.

Dieser Thyristor wurde hergestellt ausgehend von einem Siliciumsubstrat 11 mit geringem Dotierungsniveau, vom Typ P. In diesem Substrat bildet man durch Diffusion oder Implantation eine Zone 121 mit höheren Dotierungsniveau und vom Typ N, die gewöhnlich vergrabene Schicht genannt wird. Im größeren Teil dieser Zone, indem man einfach einen Randbereich freiläßt, wird ein Dotierungsmittel vom Typ P implantiert (in der Zone 131). Man bildet anschließend gleichmäßig durch epitaktisches Wachstum oberhalb des so behandelten Substrats eine epitaktische Schicht 14 vom Typ N aus und führt dann eine Wärmebehandlung durch, während der das implantierte Dotierungsmittel vom Typ P nach oben diffundiert, während man gleichzeitig von der oberen Oberfläche ein Dotierungsmittel vom gleichen Typ nach unten diffundieren läßt, um die Ränder 132 der becherförmigen Zone 13 zu bilden. Man erhält so die Gesamtanordnung der zweiten Zone 13, welche die Teile 131 und 132 aufweist, und die wannenförmige dritte Zone 14 in der Zone 13. Anschließend führt man eine Diffusion oder Implantation vom Typ P⁺ zur Bildung einer vierten Zone 15 aus, wie ausgehend von der oberen Oberfläche des Plättchens gezeigt. Die verschiedenen Metallisierungen A, G und K werden anschließend in üblicher Weise aufgebracht, indem man gegebenenfalls oberflächliche Überdotierungen der unter den Metallisierungen liegenden Zonen vorsieht, um das ohmsche Leitfähigkeitsverhalten der Kontakte zu verbessern. Der Gesamtaufbau des Thyristors ist begrenzt durch eine Isolierwand 16, die einen nach oben diffundierten Teil 161 und einen nach unten diffundierten Teil 162 aufweist. Der nach oben diffundierte Teil ergibt sich durch eine Implantation vom Typ P, die gleichzeitig mit der zur Bildung der zweiten Zone 13 wurde. Die absteigende Diffusion zur Bildung des Teils 162 wird gleichzeitig mit der absteigenden Diffusion zur Bildung des Teils 132 ausgeführt.

Einer der Vorteile der Erfindung ergibt sich dadurch, daß alle angegebenen Verfahrensstufen solchen Verfahrensstufen entsprechen, die normalerweise bei der Herstellung von linearen integrierten Schaltungen gemäß dem in Verbindung mit der Fig. 1A, B beschriebenen Bautyp durchgeführt werden.

Fig. 3 zeigt das Konzentrationsprofil des Thyristors. Die Ordinaten entsprechen Konzentrationen in at/cm³, und die Abszissen entsprechen Längen. Der Ursprung der Abszissen liegt mit Bezug auf Fig. 2A wesentlich im Inneren der vergrabenen Schicht 12, und die Abszissen erstrecken sich von dort zur Oberfläche des Plättchens (als Größenordnung sei bemerkt, daß die Dicke des Bauelements von der vergrabenen Schicht bis zur Oberfläche des Plättchens etwa 15 µm beträgt). Die Konzentration am Abszissenpunkt 0 in der vergrabenen Schicht beträgt etwa 10¹⁸ at/cm³. Diese Konzentration verringert sich bei der Annäherung an die zweite Zone 13 vom Typ P. Die maximale Konzentration der P-Zone 13 beträgt etwa 5×10¹⁸ at/cm³. Die epitaktisch hergestellte dritte Zone 14 hat eine im wesentlichen gleichmäßige Konzentration von etwa 10¹⁵ at/cm³, und die Diffusionsschicht 15 vom Typ P⁺ hat eine oberflächliche Konzentration von etwa 5×10¹⁹ at/cm³. Die halbe Dicke der vergrabenen Schicht nach den verschiedenen Diffusionsstufen beträgt etwa 2 µm, die Dicke der P-Zone 13 etwa 4 bis 15 µm, die der epitaktischen Zone 14 unterhalb der Zone 15 etwa 5 bis 6 µm und die der Zone 15 etwa 3 bis 4 µm.

Die maximal zulässige Rückwärts-Sperrspannung des Thyristors ist begrenzt durch die Durchbruchsspannung des pnp-Transistors mit den Zonen 15, 14, 11, wobei diese Durchbruchsspannung gleich ist der Durchschlagsspannung des unter der Zone 15 liegenden Bereichs der Zone 14. Mit den oben angegebenen Konzentrations- und Dickenwerten der Zonen, welche einem Herstellungsverfahren für lineare integrierte Schaltungen entsprechen, beträgt der gefundene Wert der maximal zulässigen Rückwärts-Sperrspannung etwa 15-20 V. Dieser Wert reicht aus für Anwendungen für Kreuzungsfelder.

Falls eine höhere Spannung verlangt wird, sind eine spezifische Implantation in der Zone 131 und eine Wahl eines anderen Dotierungsmittels, dessen Diffusionskoeffizient geringer als der des Materials der Zone 161 ist, möglich. Die Dicke der Zone 14 ist größer und die entsprechende Durchbruchsspannung höher. Es ist jedoch erforderlich, daß der Rand 132 des Dotierungsmittels vom Typ P die Zone 131 erreicht, welche feiner ist, damit die Gesamtanordnung einen Becher bildet und man einen Thyristoraufbau erhält. Das bewirkt eine Vergrößerung der seitlichen Diffusionen der Zonen 132, 161 und 162. Man kann auch die Zone 131 auf gemischte Weise implantieren, wobei die Mitte ein erstes Dotierungsmittel empfängt und der Rand ein zweites Dotierungsmittel, das gleich dem zur Herstellung des Teils 161 der Isolierwand implantieren ist. Dabei wird das erste Dotierungsmittel so gewählt, daß es eine geringere Diffusionsgeschwindigkeit als das zweite Dotierungsmittel hat. Dieses Verfahren weist zwar einen zusätzlichen Arbeitgsgang auf, bleibt jedoch verträglich mit der Fabrikation linearer integrierter Schaltungen.

Die maximal zulässige Rückwärts-Sperrspannung des Thyristors ist jedoch stets kleiner als die Durchbruchsspannung des pnp- Transistorsubstrats der für die linearen integrierten Schaltungen gewählten Baureihe.

Claims

1. Thyristor für integrierte Schaltungen, der ein Substrat (11) eines ersten Leitungstyps (P) und weiter folgende Merkmale aufweist:

- eine erste becherförmige Zone (12) vom zweiten Leitungstyp (N⁺), die im Substrat enthalten ist;
- eine zweite becherförmige Zone (13) vom ersten Leitungstyp (P), die in der ersten Zone enthalten ist;
- eine dritte wannenförmige Zone (14) vom zweiten Leitungstyp (N), die in der zweiten Zone enthalten ist;
- eine vierte Zone (15) vom ersten Leitungstyp (P⁺), die in der dritten Zone enthalten ist, wobei die dritte Zone (14) die am schwächsten dotierte der vier angegebenen Zonen ist; und
- oberflächliche Metallisierungen, die fest mit an der Oberfläche freiliegenden Randbereichen der ersten (12), zweiten (13) und vierten (15) Zone verbunden sind und jeweils der ersten Hauptelektrode (K), der Steuerelektrode (G) und der zweiten Hauptelektrode (A) des Thyristors entsprechen,

dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Zone (14) eine epitaktische Zone ist.

2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine vierte Metallisierung mit der dritten Zone (14) fest verbunden ist und eine Hilfssteuerelektrode (g) für den Thyristor bildet.

3. Verfahren zur Herstellung eines Thyristors nach einem der Ansprüche 1 und 2, ausgehend von einer Halbleiterscheibe eines ersten Leitungstyps, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensstufen:

a) in der Halbleiterscheibe wird die erste Zone (12) vom zweiten Leitungstyp (N⁺) gebildet;
b) durch Implantation wird in ersten Zone die zweite Zone (13) vom ersten Leitungstyp (P) gebildet;
c) durch epitaktische Behandlung wird eine Schicht (14) vom zweiten Leitungstyp (N) über der gesamten Oberfläche der Halbleiterscheibe und den vorerwähnten Zonen gebildet;
d) es wird erhitzt, um die implantierte Zone (13) des ersten Leitungstyps (P) nach oben und gleichzeitig ein Dotierungsmittel des ersten Leitungstyps (P) von der oberen Oberfläche des aus Halbleiterscheibe und epitaktischer Schicht gebildeten Substrats und gemäß dem Umriß der Zone (14) diffundieren zu lassen, um so eine Wanne der dritten Zone (14) zu isolieren;
e) in einen Teil der epitaktischen Wanne (14) läßt man eine vierte Zone (15) vom ersten Leitungstyp (P⁺) diffundieren und
f) die Oberfläche der vierten Zone (15) und die an der Oberfläche freiliegenden Randbereiche der ersten (12) und zweiten Zone (13) werden metallisiert.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem gleichzeitig mit der Stufe b) eine Implantation gemäß einem äußeren Umriß der ersten Zone (12) mit einem Dotierungsmittel vom ersten Leitungstyp (P) in der Halbleiterscheibe vorgenommen wird und daß gleichzeitig mit der Stufe d) eine aufsteigende und absteigende Diffusion gemäß diesem äußeren Umriß bewirkt wird, um eine Isolierwand (162) zu bilden.

5. Verfahren nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Implantation in der ersten Zone (12) bewirkt wird, indem man in der Mitte dieser Zone ein erstes Dotierungsmittel und am Rand ein zweites Dotierungsmittel implantiert, wobei das zweite Dotierungsmittel das gleiche ist wie das nach Anspruch 4 implantierte und wobei das erste Dotierungsmittel eine kleinere Diffusionsgeschwindigkeit als das zweite Dotierungsmittel aufweist.