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Die
Erfindung bezieht sich auf eine Diodenstruktur mit einem in einem
Halbleitersubstrat ausgebildeten ersten Halbleitergebiet mit einer
Grunddotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp, einem an das erste
Halbleitergebiet anschließenden
zweiten Halbleitergebiet von einem dem ersten Leitfähigkeitstyp
entgegen gesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp, einem
die Funktionalität
der Diodenstruktur bestimmenden pn-Übergang zwischen dem ersten
und dem zweiten Halbleitergebiet, einem an das zweite Halbleitergebiet
anschließenden
dritten Halbleitergebiet vom ersten Leitfähigkeitstyp, mindestens einem
innerhalb des ersten Halbleitergebiets ausgebildeten und an eine
Substratoberfläche
des Halbleitersubstrats anschließenden ersten inneren Kontaktgebiet mit
einer gegenüber
der Grunddotierung erhöhten Kontaktdotierung
vom ersten Leitfähigkeitstyp,
einem mit dem ersten Halbleitergebiet im Bereich des inneren Kontaktgebiets
verbundenen ersten Anschluss und einem mit dem zweiten Halbleitergebiet
verbundenen zweiten Anschluss, wobei einer der Anschlüsse als
Kathodenanschlusss und der andere Anschluss als Anodenanschluss
zu betreiben ist und das dritte Halbleitergebiet mit dem zweiten
Anschluss verbunden ist.
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Halbleiter-Leistungsschalter
werden etwa als Highside-Schaltelemente
zwischen einem Gleichstrommotor als induktiver Last einerseits und
der positiven Versorgungsspannung oder als Lowside-Schaltelemente
zwischen der induktiven Last und der negativen Versorgungsspannung
vorgesehen.
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Wie
in der 1 dargestellt, werden bei Lowside-Leistungsschaltern
zur Ansteuerung einer induktiven Last L Freilaufdioden D eingesetzt,
die beim Abschalten eines Strompfads durch den Lowside-Schalter
und der in Serie zum Lowside-Schalter angeordneten induktiven Last
L einen Strompfad zum Abklingen des Stroms durch die Induktivität L öffnet. Im
einfachsten Fall einer Ansteuerung der induktiven Last L ist der
Netzwerkknoten Q1 mit einer positiven Versorgungsspannung +V und
ein weiterer Anschluss Q3 mit einer negativen Versorgungsspannung –V bzw.
GND verbunden.
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In
neueren Konzepten werden dabei sowohl die Freilaufdiode D als auch
der Leistungsschalter M als integrale Leistungsschaltanordnung SPT
im selben Halbleitersubstrat vorgesehen. Die Anschlüsse der
integralen Leistungsschaltanordnung P sind auf die Netzwerkknoten
Q1, Q2 und Q3 geführt.
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Unabhängig davon,
ob die Freilaufdiode D als ein diskretes Bauelement oder als eine
in die integrale Leistungsschaltanordnung P integrierte Diodenstruktur
D ausgebildet wird, sind ihre Anschlüsse im Transportfall von außen zugänglich und
daher gegen elektrostatische Belastung (ESD, electrostatic discharge)
geschützt
vorzusehen.
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Bei
herkömmlichen
integralen Leistungsschaltanordnungen mit integrierter Freilaufdiode
sind etwa der Lowside-Schalter und die Freilaufdiode in n-dotierten
Wannenstrukturen ausgebildet. Die n-dotierten Wannenstrukturen liegen
auf einem mit einer p-Grunddotierung versehenen Grundsubstrat auf und
sind durch vertikale p-dotierte Trennsinkerstrukturen voneinander
isoliert. Im Fall einer Diode kann durch die n-Wanne eine Kathode ausgebildet sein. Die
Anode wird durch eine von der n-Wanne im Bereich des Halbleitersubstrats
umschlossene p-dotierte Wanne ausgebildet. Die p-Wanne, die die
p-Wanne umschließende
n-Wanne sowie das p-dotierte Grundsubstrat formen eine pnp-Substratstruktur.
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Wird
die Diodenstruktur in Flussrichtung betrieben, so fließt ein Ladungsträgerstrom
von der inneren p-Wanne zur n-Wanne.
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Ein
beträchtlicher
Teil davon wird nicht direkt von der Kathode eingesammelt sondern
gelangt durch die n-Wanne hindurch in das Grundsubstrat. Das Grundsubstrat
ist wegen der niedrigen Dotierung vergleichsweise hochohmig und
in der Regel an das negative Versorgungspotential bzw. an GND-Potential angeschlossen.
In der Folge reicht bereits eine Anodenspannung von mehreren Volt
gegenüber
dem negativen Versorgungspotential aus, um eine nachteilige vergleichsweise
hohe thermische Verlustleistung der Diodenstruktur zu begründen. Zusätzlich wird
durch den Spannungsabfall im Grundsubstrat ein weiterer, von jeweils
zwei benachbarten n-Wannen
und dem dazwischen liegenden Abschnitt des Grundsubstrats gebildeter
parasitärer
npn-Transistor angesteuert und aktiviert, so dass ein zusätzlicher Ladungsträgertransport
zwischen den beiden benachbarten n-Wannen ausgelöst wird.
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Eine
solche Diodenstruktur erfordert aufwendige Guardringe sowie in geeigneter
Weise auszubildende Substratanschlüsse, um durch den parasitären Substrattransistor
in das Grundsubstrat geschleuste Ladungsträger bzw. Löcher effektiv abzuleiten.
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Ein
weiterer Effekt, der dazu führt,
dass Ladungsträger
in das Grundsubstrat gelangen, ist der Querstromfall. Der Querstromfall
tritt etwa dann ein, wenn eine Drain-Spannung eines Leistungsschaltelements,
etwa eines DMOSFETs (diffused metal Oxide semiconductor field effect
transistors) unter das Potential des Grundsubstrats absinkt. In
diesem Fall werden aus der Drain-Struktur des DMOSFETs Elektronen
in das Grundsubstrat injiziert und teilweise von benachbarten n-Wannen eingesammelt.
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Nachteilig
an der beschriebenen Ausbildung der Diode ist demnach insbesondere
die hohe thermische Verlustleistung durch den hohen Substratstrom
im Durchlassbetrieb der Diode, sowie ein durch einen npn-Substrattransistor
zwischen benachbarten n-Wannen induzierter Strom.
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Eine
alternative Anordnung, bei der die hohe Verstärkung des Substrattransistors
in vorteilhafter Weise reduziert ist, ist die Ausbildung der Diode
als Low-Leckage-Diode. Eine herkömmliche
Low-Leckage-Diode, wie sie etwa in der
US 4,887,142 oder in der
US 2002/0079554 A1 beschrieben
ist, ist in der
2 stark vereinfacht im Querschnitt
dargestellt. Dem Querschnitt überlagert
ist eine schematische Darstellung eines Ersatzschaltbildes der realen Low-Leckage-Diode.
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Der
pn-Übergang
der Diode D ist zwischen einer inneren, n-dotierten Wanne 4 und einer
mittleren, p-dotierten Wanne 3 ausgebildet. Die aus den beiden
Wannen 4, 3 gebildete Diode ist ihrerseits in eine
stark n-dotierte, äußere Wanne 2 eingebettet und
durch die äußere Wanne 2 von
einer umgebenden gleitenden Struktur 6 im Halbleitersubstrat 1 getrennt.
Die innere Wanne 4 weist in einem an die Substratoberfläche 10 anschließenden Abschnitt
ein inneres Kontaktgebiet 41 mit einer gegenüber einer Grunddotierung
der inneren Wanne 4 erhöhten
n-Dotierung auf. In ähnlicher
Weise ist im oberflächennahen
Abschnitt der mittleren Wanne 3 ein gegenüber der
umgebenden mittleren Wanne 3 hoch p-dotiertes, mittleres
Kontaktgebiet 31 und im an die Substratoberfläche 10 anschließenden Abschnitt
der äußeren Wanne 2 ein äußeres Kontaktgebiet 21,
das stark n-dotiert ist, ausgebildet. Das innere Kontaktgebiets 41 ist
mit einem Kathodenanschluss K verbunden. Im Bereich der mittleren
Kontaktgebiete 31 wird ein Anodenanschluss A ausgeführt. Die äußere Wanne 2 wird
im Bereich der äußeren Kontaktgebiete 21 kontaktiert
und im gezeigten Ausführungsbeispiel
mit dem Anodenanschluss verbunden und auf das Anodenpotential gelegt.
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Die äußere n-Wanne 2 ist
an das selbe Potential anzuschließen wie die mittlere p-Wanne 3.
Im Durchlassbetrieb der Diodenstruktur werden durch die mittlere
Wanne tretende Ladungsträger
durch die äußere n-Wanne
abgesaugt. Im Querstromfall ist der pn-Übergang zwischen der mittleren
Wanne und der äußeren Wanne
immer gesperrt und die Ladungsträger
werden über
den Anschluss der äußeren Wanne abgeführt.
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Weiter
ist im Ersatzschaltbild ein parasitärer npn-Wannentransistor T2
dargestellt, der über
den Bahnwiderstand R2 der mittleren, p-leitenden Wanne 3 angesteuert
wird und zwischen der inneren, n-leitenden Wanne 4 und
der äußeren, n-leitenden
Wanne 2 wirkt.
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Es
hat sich gezeigt, dass die in der 2 beschriebene
Diodenstruktur in der Praxis eine geringe Standfestigkeit gegenüber einer
elektrostatischen Belastung an den Kathoden- bzw. Anodenanschlüssen hat.
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Ein
Thyristor, dessen vier aufeinander folgende npnp-Gebiete jeweils
in Wannenform ausgebildet sind, ist in der
EP 0 822 596 A2 beschrieben. Ein
durch den Thyristor gebildeter ESD-Schutzschaltkreis ist unterhalb einer
Zündspannung
in beide Richtungen hochohmig und leitet, sobald die zwischen den äußeren Anschlüssen angelegte
Spannung unabhängig
von der Polarität
die Zündspannung überschreitet.
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Eine
laterale Thyristoranordnung, die auf einem SOI-Substrat ausgebildet
ist, ist aus der
US 6,242,763
B1 bekannt. Die npnp-Struktur ist jeweils durch zwei stark
dotierte Gebiete ergänzt,
die zusammen mit den beiden stark dotierten Gebieten an den Kopfenden
der Streifenstruktur Zehnerdioden bilden. Die zusätzlichen,
dotierten Gebiete sind mit dem je weils benachbarten Anschluß des Thyristors
niederohmig verbunden.
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Die
US 4,862,310 beschreibt
eine Diodenstruktur, bei der ein Kontaktgebiet zur Kontaktierung der
Kathode ein Anodengebiet ringförmig
umschliesst.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Diodenstruktur mit hoher
ESD-Standfestigkeit zur Verfügung
zu stellen. Ferner wird von der Aufgabe eine integrale Leistungsschaltanordnung
mit integrierter Low-Leckage-Diode umfasst.
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Diese
Aufgabe wird bei einer Diodenstruktur der eingangs genannten Art
durch das im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebene Merkmal
gelöst.
Eine die Aufgabe lösende
integrale Leistungsschaltanordnung ist im Patentanspruch 10 angegeben.
Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.
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Der
Erfindung liegt in einem ersten Schritt zunächst die Analyse der Mechanismen
zugrunde, die zum Ausfall einer herkömmlichen Low-Leckage-Diode
im ESD-Belastungsfall führen.
Dabei wird von einer Diodenstruktur ausgegangen, die ein in einem
Halbleitersubstrat ausgebildetes erstes Halbleitergebiet mit einer
Grunddotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. An das
erste Halbleitergebiet schließt
ein zweites Halbleitergebiet von einem dem ersten Leitfähigkeitstyp
entgegen gesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp
und an das zweite Halbleitergebiet ein drittes Halbleitergebiet
vom ersten Leitfähigkeitstyp
an. Innerhalb des ersten Halbleitergebiets ist ein an eine Substratoberfläche des
Halbleitersubstrats anschließendes
ersten inneres Kontaktgebiet mit einer gegenüber der Grunddotierung erhöhten Kontaktdotierung
vom ersten Leitfähigkeitstyp
ausgebildet.
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Im
Folgenden wird exemplarisch auf eine Diodenstruktur Bezug genommen,
bei der der erste Leitfähigkeitstyp
der n-Leitfähigkeitstyp
ist. In diesem Fall ist ein Kathodenanschluss der Diodenstruktur
mit dem inneren Kontaktgebiet verbunden sowie in der realen Diodenstruktur
eine parasitäre
npn-Transistorstruktur ausgebildet, die zwischen dem ersten und dem
dritten Halbleitergebiet wirkt und bei einer in Sperrrichtung der
Diodenstruktur wirkenden ESD-Belastung durch einen Bahnwiderstand
des zweiten Halbleitergebiets gesteuert wird.
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Es
kann gezeigt werden, dass bei einer Beaufschlagung des Kathodenanschlusses
mit einem schnellen, kurzen Stromimpuls äquivalent einer simulierten
ESD-Belastung ein Zünden
des parasitären
npn-Transistors zur Verlagerung eines Maximums eines elektrischen
Felds im Bereich des Übergangs
zwischen dem stark n-dotierten inneren Kontaktgebiet und dem anschließenden schwächer n-dotierten
ersten Halbleitergebiet in Richtung eines oberflächennahen Bereichs des Übergangs
führt.
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Innerhalb
der flächig
ausgebildeten Struktur des parasitären npn-Transistors ergeben
sich in Abhängigkeit
eines Abstands zum Anodenanschluss unterschiedliche Spannungsverhältnisse.
Die Basis des npn-Transistors ist in dem von der Anode entferntesten
Abschnitt am höchsten
vorgespannt, so dass sich die größte Stromdichte
etwa bei der in der 2 dargestellten Diodenstruktur
in einem mittleren Bereich der Diodenstruktur auftritt. Die Stromdichte ist
dabei in einem unmittelbar an eine Substratoberfläche des
Halbleitersubstrats anschließenden
Abschnitt des mittleren Bereichs am höchsten. Die entstehende Verlustwärme wird
nur schlecht über
eine auf dem Halbleitersubstrat aufliegende Struktur, typischerweise
ein Oxid, abgeleitet.
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Eine
Wanderung der Stromverteilung im oberflächennahen Bereich des Übergangs
zwischen dem inneren Kontaktgebiet und dem ersten Halbleitergebiet
kann dabei auf die Temperaturabhängigkeit des
Avalanche-Koeffizienten zurückgeführt werden. Insgesamt
wird der Strom im ESD-Belastungsfall durch den Avalanche-Mechanismus
im Übergangsbereich
des inneren Kontaktgebiets mit dem ersten Halbleitergebiet gespeist.
Die dem Avalanche-Mechanismus zugrunde liegende Generation von Ladungsträgern nimmt
mit zunehmender Temperatur des Halbleitersubstrats stark ab. Daher
verschiebt sich ein dem Avalanche-Mechanismus zuzuordnender Anteil
des Stroms in kältere
Bereiche. Die kälteren
Bereiche sind zunächst
die äußeren, oberflächennahen
Bereiche des Übergangs
zwischen der inneren Kontaktstruktur und dem ersten Halbleitergebiet.
Dort wird die Diodenstruktur im weiteren zeitlichen Ablauf thermisch
zerstört.
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In
einem zweiten Schritt der Erfindung wird eine konstruktive Maßnahme getroffen,
die dem Mechanismus, der zur Zerstörung der Diode im ESD-Belastungsfall
führt,
entgegenwirkt.
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Bei
einer Diodenstruktur der eingangs genannten Art werden neben dem
ersten inneren Kontaktgebiet vom Leitfähigkeitstyp des anschließenden ersten
Halbleitergebiets zweite innere Kontaktgebiete vorgesehen, die eine
zum ersten Halbleitergebiet entgegen gesetzte Dotierung aufweisen.
Eine entgegen gesetzte Dotierung ist dabei eine Dotierung von einem
Leitfähigkeitstyp,
der dem jeweils anderen Leitfähigkeitstyp
entgegen gesetzt ist.
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Durch
das zweite innere Kontaktgebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp
wird ein zusätzlicher
parasitärer
Kontakttransistor ausgebildet, der zwischen dem zweiten inneren
Kontaktgebiet und dem zweiten Halbleitergebiet wirkt und durch einen
Bahnwiderstand des ersten Halbleitergebiets gesteuert wird.
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Für den im
Vorangegangenen ausgeführten Fall
eines n-leitenden
ersten Halbleitergebiets ist das zweite innere Kontaktgebiet p-leitend.
Der zusätzliche
parasitäre
pnp-Kontakttransistor
wird durch den Thyristoreffekt zusätzlich zum parasitären npn-Wannentransistor
aktiviert. Durch die Löcherinjektion
in das an das erste Halbleitergebiet anschließende zweite Halbleitergebiet
wird das elektrische Feld im Übergangsbereich
zwischen den inneren Kontaktgebieten und dem ersten Halbleitergebiet
tiefer in das Halbleitersubstrat verdrängt. Damit bildet sich das Zentrum
einer Erwärmung
in einem größeren Abstand
zur Substratoberfläche
und tiefer im Halbleitersubstrat. Damit ist eine bessere Wärmeableitung
in das umgebende Halbleitersubstrat gegeben. Auch erreicht die maximale
Feldstärke
im Halbleitersubstrat und damit die in Wärme umgesetzte Energie nicht die
Maximalwerte, wie sie sich für
eine äquivalente herkömmliche
Diodenstruktur ergeben. Beide Mechanismen wirken in vorteilhafter
Weise einer Zerstörung
des Bauelements entgegen.
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In
vorteilhafter Weise schließt
das zweite innere Kontaktgebiet an die Substratoberfläche des Halbleitersubstrats
an. Das zweite innere Kontaktgebiet ist in gleicher Weise wie das
erste innere Kontaktgebiet mit einem ersten Anschluss der Diodenstruktur
verbunden. Das zweite Halbleitergebiet ist mit einem zweiten Anschluss
der Diodenstruktur verbunden. Einer der beiden Anschlüsse ist
dabei als Kathodenanschluss und der jeweils andere Anschluss als
Anodenanschluss zu betreiben.
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Das
erste Halbleitergebiet ist bevorzugt als mindestens eine im Halbleitersubstrat
vom zweiten Halbleitergebiet umschlossene innere Wanne und das zweite
Halbleitergebiet als mindestens eine im Halbleitersubstrat vom dritten
Halbleitergebiet umschlossene mittlere Wanne ausgebildet. Das dritte Halbleitergebiet
schließt
an ein Grundsubstrat vom zweiten Leitfähigkeitstyp an. Jede mittlere
Wanne kann eine Mehrzahl von inneren Wannen und jede äußere Wanne
eine Mehrzahl von mittleren Wannen aufweisen. Jede Wanne kann mit
mehreren unterschiedlich stark dotierten Teilgebieten vorgesehen sein.
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Das
dritte Halbleitergebiet ist mit dem zweiten Anschluss verbunden,
der auch mit dem zweiten Halbleitergebiet bzw. der mittleren Wanne
verbunden ist.
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Bezüglich der
Anordnung der beiden inneren Kontaktgebiete ergibt sich, dass in
vorteilhafter Weise das zweite innere Kontaktgebiet in einem an
die Substratoberfläche
anschließenden
Abschnitt vom ersten inneren Kontaktgebiet oder das erste innere Kontaktgebiet
vom zweiten inneren Kontaktgebiet umschlossen ist.
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In
einer anderen bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Diodenstruktur
umfassen das erste und das zweite innere Kontaktgebiet jeweils eine
Mehrzahl von Teilgebieten. Jeweils ein Teilgebiet des ersten inneren
Kontaktgebiets und ein Teilgebiet des zweiten inneren Kontaktgebiets
bilden eine Zellenstruktur, die sich entlang mindestens einer der
Flächenachsen
der Substratoberfläche
wiederholt. Teilgebiete, die eine einzelne Zellenstruktur ausbilden,
können
dabei einander jeweils einschließen oder aneinander anschließen.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Diodenstruktur umfasst
mindestens das erste oder das zweite innere Kontaktgebiet eine Mehrzahl
von Teilgebieten. Ausgehend von einem ersten Teilgebiet eines der
beiden inneren Kontaktgebiete aus umfängt aufeinander folgend jeweils
ein Teilgebiet des einen inneren Kontaktgebiets ein Teilgebiet des
jeweils anderen inneren Kontaktgebiets schalenartig.
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Ausgehend
von einem kreisförmigen
oder sechseckigen ersten Teilgebiet umgeben die folgenden Teilgebiete
die vorhergehenden anderen Teilgebiete jeweils ringartig, wobei
der Leitfähigkeitstyp aufeinander
folgender Teilgebiete jeweils abwechselt.
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Die
erfindungsgemäße Diodenstruktur
ist bezüglich
der Stromtragfähigkeit
durch eine Parallelschaltung von identischen Einzel-Diodenstrukturen auf
einfache Weise skalierbar.
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In
bevorzugter Weise ist der erste Leitfähigkeitstyp der n-Leitfähigkeitstyp.
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Die
erfindungsgemäße Diodenstruktur
kann sowohl als diskretes Diodenbauteil als auch integriert in eine
Leistungsschaltanordnung vorgesehen werden.
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Eine
Leistungsschaltanordnung umfasst dabei eine oder mehrere Transistorstrukturen,
die jeweils innerhalb einer auf einem Grundsubstrat von einem zweiten
Leitfähigkeitstyp
aufliegenden ersten Wannenstruktur von einem dem zweiten Leitfähigkeitstyp
entgegen gesetzten ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet
sind. Ferner umfasst die Leistungsschaltanordnung eine oder mehrere
Diodenstrukturen, die jeweils innerhalb einer auf dem Grundsubstrat
vorgesehenen zweiten Wannenstruktur vom ersten Leitfähigkeitstyp
vorgesehen sind. Zwischen den Wannenstrukturen sind jeweils zum
Grundsubstrat vertikale Trennstrukturen vom zweiten Leitfähigkeitstyp
vorgesehen.
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Erfindungsgemäß ist mindestens
eine der in der zweiten Wannenstruktur ausgebildeten Diodenstrukturen
als eine wie oben beschriebene erfindungsgemäße Diodenstruktur vorgesehen,
wobei die Wannenstruktur durch die äußere Wanne bzw. das dritte
Halbleitergebiet der erfindungsgemäßen Diodenstruktur ausgebildet
wird.
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Die äußere Wanne
wird bevorzugt abschnittsweise aus einer vergrabenen Schicht gebildet,
die zwischen einer Unterkante der mittleren Wanne und dem unterliegenden
Grundsubstrat ausgebildet ist. Weitere Abschnitte der äußeren Wanne werden
von vertikalen äußeren Sinkerstrukturen
gebildet, die von einer Substratoberfläche aus in eine auf dem Grundsubstrat
epitaktisch aufgewachsene Prozessschicht eingebracht werden.
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In
bevorzugter Weise ist die Dotierung der vergrabenen Schicht und
der äußeren Sinkerstrukturen
gegenüber
einer Grunddotierung der auf dem Grundsubstrat epitaktisch aufgewachsenen
Prozessschicht um mindestens eine Größenordnung erhöht.
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Die äußere Wanne
kann an das Potential der mittleren Wanne angeschlossen werden,
so dass im Querstromfall in das Grundsubstrat injizierte Ladungsträger über die äußere Wanne
der Diodenstruktur unschädlich
abgeleitet werden können.
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Nachfolgend
werden die Erfindung und deren Vorteile anhand von Zeichnungen näher erläutert, wobei
einander entsprechende Bauteile und Komponenten mit jeweils dem
gleichen Bezugszeichen versehen sind. Es zeigen:
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1 eine
Schaltungsanordnung mit Lowside-Schalter und Freilaufdiode,
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2 einen
schematischen Querschnitt durch eine in eine integrale Leistungsschaltanordnung
integrierte herkömmliche
Low-Leckage-Diode,
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3 einen
schematischen Querschnitt durch eine in eine integrale Leistungsschaltanordnung
integrierte Low-Leakage-Diode
nach einem ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
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4 einen
schematischen Querschnitt durch eine in eine integrale Leistungsschaltanordnung
integrierte Low-Leakage-Diode
nach einem zweiten Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
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5 Stromdichte- und Wärmeverteilung in einer herkömmlichen
Low-Leakage-Diode für
verschiedene Zeitpunkte nach Beaufschlagung mit einer ESD-Belastung,
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6 Stromdichte- und Wärmeverteilung für eine Low-Leakage-Diode nach
einem dritten Ausführungsbeispiel
der Erfindung zu verschiedenen Zeitpunkten nach einer ESD-Belastung,
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7 Diagramme zur Feldstärkeverteilung nach einer ESD-Belastung in einer
herkömmlichen Low-Leakage-Diode
und einer Low-Leakage-Diode nach dem dritten Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
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8 schematische Draufsichten auf innere Kontaktgebiete
nach einem weiteren Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Diodenstruktur,
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9 schematische Draufsichten auf die inneren
Kontaktstrukturen nach einem weiteren Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Diodenstruktur
und
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10 schematische Draufsichten auf innere
Kontaktstrukturen von weiteren Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Low-Leakage-Diode.
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Die 1 und 2 wurden
bereits eingangs erläutert.
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Die 3 stellt
im Querschnitt ein erstes Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Diodenstruktur
dar. Dem Querschnitt ist ein Ersatzschaltbild der realen Diodenstruktur überlagert.
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Ein
die Funktionalität
der Diodenstruktur bestimmender pn-Übergang
D ist zwischen einer inneren Wanne 4 und einer mittleren
Wanne 3 ausgebildet. Die mittlere Wanne 3 ist
schwach p-dotiert, während
die innere Wanne 4 n-dotiert ist. Die aus den beiden Wannen 3, 4 gebildete
Struktur ist innerhalb einer weiteren, stark n-dotierten äußeren Wanne 2 ausgebildet.
Durch die äußere Wanne 2 wird
die innerhalb der äußeren Wanne 2 ausgebildete
Diode D vom umgebenden Halbleitersubstrat 1 getrennt. Im Halbleitersubstrat 1 können weitere
Bauteile, die durch weitere n-Wannen begrenzt werden, ausgebildet
sein. Innerhalb der Wannen 2, 3 und 4 sind
in an eine Substratoberfläche 10 des
Halbleitersubstrats 1 anschließenden Abschnitten jeweils äußere 21,
mittlere 31 und erste innere 41 Kontaktgebiete
ausgebildet. Die Kontaktgebiete weisen jeweils eine Dotierung vom
Typ der umgebenden Wanne, jedoch in um mindestens eine Größenordnung
höherer
Konzentration bzw. Dichte auf.
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Im
Vergleich zu der in der 2 beschriebenen herkömmlichen
Diodenstruktur weist die Diodenstruktur der 3 im Bereich
der inneren Wanne 4 zusätzlich
ein zweites Kontaktgebiet 42 mit einer Dotierung von einem
dem Leitfähigkeitstyp
der inneren Wanne entgegen gesetzten Leitfähigkeitstyp auf. In diesem
Fall trägt
die innere Wanne 4 eine n-Dotierung. Entsprechend weist
das zweite innere Kontaktgebiet 42 eine Dotierung vom p-Leitfähigkeitstyp
auf.
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Zwischen
dem zweiten inneren Kontaktgebiet 42 und der mittleren
Wanne 3 ist ein zusätzlicher pnp-Kontakttransistor T3
ausgebildet, der über
den Bahnwiderstand R3 der inneren Wanne 4 ansteuerbar ist
und im ESD-Belastungsfall zusätzlich
zu einem parasitären
npn-Wannentransistor T2 anspricht. Die mit dem Ansprechen des pnp-Kontakttransistors T3
einhergehende Löcherinjektion
führt zu
einer Verlagerung des sich im ESD-Belastungsfall durch den Stromfluss
einstellenden elektrischen Felds in die Tiefe des Halbleitersubstrats 1 sowie
zu einer Abflachung des elektrischen Feldstärkeverlaufs. Insgesamt ergibt
sich eine bessere Verteilung der durch den ESD-Belastungsfall hervorgerufenen
lokalen thermischen Belastung im Halbleitersubstrat.
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Die 4 führt die
in der 3 stark vereinfacht dargestellte Diodenstruktur
näher aus.
Die Diodenstruktur 92 ist in einem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet,
das ein schwach p-dotiertes Grundsubstrat 6 und eine auf
das Grundsubstrat 6 epitaktisch aufgewachsene schwach n-dotierte
Prozessschicht 5 umfasst. Die äußere Wanne 2 umfasst
eine in einem Übergangsbereich
zwischen dem Grundsubstrat 6 und der epitaktischen Schicht 5 ausgebildete
vergrabene Schicht 22 und von einer Substratoberfläche 10 des
Halbleitersubstrats 1 eingebrachte äußere Sinkerstrukturen 23.
Sowohl die äußeren Sinkerstrukturen 21 als
auch die vergrabene Schicht 22 weisen eine gegenüber der
Dotierung der epitaktischen Schicht um mindestens den Faktor 10
erhöhte
Dotierung auf.
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Die
mittlere Wanne 3 setzt sich aus einer inneren Schicht 33 (pbot) und aus vertikalen inneren Sinkerstrukturen 32 (ptop) zusammen.
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Die
innere Wanne 4 umfasst einen Abschnitt der unveränderten
epitaktischen Schicht 5 als Grundgebiet 44. Vom
Grundgebiet 44 ist im Halbleitersubstrat 1 ein
n-leitendes Kerngebiet 43 eingeschlossen, das eine gegenüber der
Dotierung des Grundgebiets um mindestens den Faktor 10 erhöhte Dotierung
aufweist. Vom Kerngebiet 43 sind im Halbleitersubstrat 1 n-leitende erste innere
Kontaktgebiete 41 und p-leitende zweite innere Kontaktgebiete
umschlossen. Das n-leitende erste innere Kontaktgebiet 41 weist eine
gegenüber
dem Kerngebiet 43 um mindestens den Faktor 10 erhöhte Dotierung
auf.
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Die äußere Wanne 2 der
Diodenstruktur 92 ist durch p-leitende Trennsinkerstrukturen 51, 52 von benachbarten
weiteren Wannenstrukturen 24 getrennt, in denen etwa Transistorstrukturen 91 ausgebildet
sind. Das Grundsubstrat 6 ist mit einem Substratanschluss
S verbunden.
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Die 5A bis 5C zeigen
Simulationsergebnisse für
die Stromdichte- und Wärmeverteilung
in einer herkömmlichen
Diodenstruktur jeweils 2 Nanosekunden, 8 Nanosekunden bzw. 12 Nanosekunden
nach Beaufschlagung des Kathodenanschlusses mit einer linearen Stromrampe
von 2mA/μm/ns
und einer Dauer von 5 Nanosekunden im Bereich des n-leitenden Kerngebiets 43 und
des n-leitenden Grundgebiets 44, der anschließenden g-leitenden mittleren
Wanne 3 sowie der der n-leitenden äußeren Wanne 2. Die
Dichte von Strompfadlinien 7 korrespondiert mit einer sich
einstellenden Stromdichte.
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In
der 5A geben eine 300°-Isotherme 81' und eine 340°-Isotherme 82' die Temperaturverteilung
im Halbleitersubstrat Nanosekunden nach Beaufschlagung mit der Stromrampe
wieder. Anhand des Verlaufs der 325°-Isotherme 83' in der 5B nach
8 Nanosekunden und der 325°-Isotherme 84' sowie der 500°-Isotherme 85' nach 12 Nanosekunden
lässt sich
erkennen, dass die Stromverteilung thermisch bedingt lateral in
Richtung des pn-Übergangs
zwischen dem n-dotierten Grundgebiet 44 und der p-dotierten
mittleren Wanne 3 wandert.
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In
der Folge kommt es dort zu einer lokalen Überhitzung, die zur Zerstörung der
Diodenstruktur führt.
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Die 6A bis 6D zeigen
den 5A bis 5C entsprechende
Simulationsergebnisse für
die Stromdichte- und Wärmeverteilung
in einer Diodenstruktur nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung
jeweils 2 Nanosekunden, 8 Nanosekunden, 12 Nanosekunden und 50 Nanosekunden
nach Beaufschlagung des Kathodenanschlusses mit der Stromrampe entsprechend
der 5.
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Dabei
ist in der 6A eine 300°-Isotherme 81 und eine
311,6°-Isotherme 82,
in der 6B die 300°-Isotherme 83', in der 6C die
300°-Isotherme 84' sowie in der 6D die
300°-Isotherme 84' und die 330°-Isotherme 86 dargestellt.
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An
der Verteilung der Strompfadlinien 7 ändert sich bis 50 Nanosekunden
nach Beaufschlagung mit der Stromrampe wenig. Entsprechend verteilt sich
die Erwärmung
im Halbleitersubstrat vergleichsweise gleichmäßig. Insbesondere aus der 6A ergibt
sich zusätzlich,
dass sich ein Temperaturmaximum im Vergleich zur 5A in
einer größeren Tiefe im
Halbleitersubstrat einstellt, in der sich eine bessere Wärmeableitung
ergibt als in oberflächennahen Bereichen.
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Die
in der 7A bzw. 7B dargestellten Diagramme
geben die elektrische Feldstärke
im Halbleitersubstrat in Abhängigkeit
von einem Abstand zur Substratoberfläche für die Diodenstrukturen entsprechend
der 5 bzw. 6 jeweils
2 Nanosekunden nach Beaufschlagung mit der Stromrampe entsprechend
der 5 wieder.
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Während sich
die maximale Feldstärke
in einer herkömmlichen
Diodenstruktur gemäß der 7A innerhalb
eines Bereichs von 200 bis 700 Nanometern unterhalb der Substratoberfläche einstellt und
ein Maximum von über
2·105 V/m erreicht, ist der Feldstärkeverlauf
in der Diodenstruktur der 6 abgeflacht
und erreicht ein Maximum von lediglich etwa 104 V/m
in einem vergleichsweise großen
Abstand von 4 Mikrometern zur Substratoberfläche.
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Die
folgenden Figuren beziehen sich auf die Anordnung von erstem und
zweitem inneren Kontaktgebiet zueinander. Bei allen beschriebenen
Strukturen sind dabei das erste und das zweite innere Kontaktgebiet
gegeneinander austauschbar.
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In
der 8A ist ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Diodenstruktur
gezeigt, bei dem ein erstes inneres Kontaktgebiet 41 rechteckförmig ausgebildet
und von einem zweiten inneren Kontaktgebiet 42 umgeben
ist.
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Im
Ausführungsbeispiel
der 8B sind zwei gleichartig ausgebildete Teilgebiete
des ersten inneren Kontaktgebiets 41 von einem zweiten
inneren Kontaktgebiet 42 umschlossen. Die Struktur der 8B ist
um weitere Teilgebiete des ersten inneren Kontaktgebiets 41 erweiterbar.
-
In
der 9A ist das erste innere Kontaktgebiet als regelmäßiges Sechseck
ausgebildet und vom zweiten inneren Kontaktgebiet 42 umschlossen.
-
Die 9A lässt sich
wie in der 9B gezeigt um weitere Teilgebiete
der beiden inneren Kontaktgebiete 41, 42 erweitern,
so dass Teilgebiete der beiden inneren Kontaktgebiete 41, 42 jeweils
abwechselnd aufeinander folgen.
-
Gemäß der 9C kann
die in der 9A gezeigte Zellenstruktur sich
in mindestens einer Flächenachse
wiederholend angeordnet werden.
-
Die
in den 10A und 10B gezeigten Anordnungen
entsprechen den Anordnungen der 9A und 9B,
wobei die inneren Kontaktgebiete bzw. die Teilgebiete der inneren
Kontaktgebiete kreis- bzw. ringförmig
ausgebildet sind.
-
- 1
- Halbleitersubstrat
- 10
- Substratoberfläche
- 2
- drittes
Halbleitergebiet (äußere Wanne)
- 21
- äußeres Kontaktgebiet
- 22
- vergrabene
Schicht
- 23
- äußere Sinkerstruktur
- 24
- Nachbarwanne
- 3
- zweites
Halbleitergebiet (mittlere Wanne)
- 31
- mittleres
Kontaktgebiet
- 32
- innere
Sinkerstruktur
- 33
- innere
Schicht
- 4
- erstes
Halbleitergebiet (innere Wanne)
- 41
- inneres
Kontaktgebiet vom ersten Leitfähigkeitstyp
- 42
- inneres
Kontaktgebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp
- 43
- Kerngebiet
- 44
- Grundgebiet
- 5
- Prozessschicht
- 51
- Trennsinkerstruktur
- 52
- Trennsinkerstruktur
- 7
- Strompfadlinie
- 81
- 300°-Isotherme
- 81'
- 300°-Isotherme
- 82
- 311,6°-Isotherme
- 82'
- 340°-Isotherme
- 83
- 300°-Isotherme
- 83'
- 325°-Isotherme
- 84
- 300°-Isotherme
- 84'
- 325°-Isotherme
- 85
- 300°-Isotherme
- 85'
- 500°-Isotherme
- 86
- 330°-Isotherme
- 9
- Leistungsschaltanordnung
- 91
- Transistorstruktur
- 92
- Diodenstruktur
- A
- Anodenanschluss
- D
- Diode
- K
- Kathodenanschluss
- L
- induktive
Last
- M
- Feldeffekttransistor
- P
- Leistungsschaltanordnung
- Q1
- Anschluss
- Q2
- Anschluss
- Q3
- Anschluss
- R1
- Bahnwiderstand
von 2
- R2
- Bahnwiderstand
von 3
- R3
- Bahnwiderstand
von 4
- R4
- Bahnwiderstand
von 1
- S
- Substratanschluss
- T1
- parasitärer bipolarer
Substrattransistor
- T2
- parasitärer Wannentransistor
- T3
- parasitärer Kontakttransistor
- +V
- positive
Versorgungsspannung
- –V
- negative
Versorgungsspannung