DE3019583A1 - Ueberwachungs-verfahren und waechter fuer aetzen - Google Patents

Ueberwachungs-verfahren und waechter fuer aetzen

Info

Publication number
DE3019583A1
DE3019583A1 DE19803019583 DE3019583A DE3019583A1 DE 3019583 A1 DE3019583 A1 DE 3019583A1 DE 19803019583 DE19803019583 DE 19803019583 DE 3019583 A DE3019583 A DE 3019583A DE 3019583 A1 DE3019583 A1 DE 3019583A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
spectral intensity
etch
intensity
etching
atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19803019583
Other languages
English (en)
Other versions
DE3019583C2 (de
Inventor
Shinya Iida
Hideo Komatsu
Tatsumi Mizutani
Kazuyoshi Ueki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE3019583A1 publication Critical patent/DE3019583A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3019583C2 publication Critical patent/DE3019583C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

HITACHI, LTD., Tokyo, Japan
Überwachungs-Verfahren und Wächter für Ätzen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und einen Wächter zum überwachen des Prozesses (oder des Ablaufs) und der Beendigung von Ätzen bei einem Trockenätz-Prozeß mit Glimmentladung-Plasma.
Im Rahmen der Miniaturisierung von elektronischen Bauelementen wie integrierten Halbleiterschaltungen wird ein sogenanntes Trockenätzen unter Verwendung von Plasma eingesetzt, das eine genaue und feine Bearbeitung der entsprechenden Werkstoffe gestattet. Seiner umfassenden Einführung in die Praxis stehen aber einige Schwierigkeiten entgegen:
Eine Schwierigkeit beim Trockenätzen ist die unzureichende Reproduzierbarkeit der Ätz-Geschwindigkeit. Die Ursachen dafür liegen in der Schwierigkeit der genauen Steuerung der Reinheit des in ein Plasma übergeführten Gases und der Schwankung der Oberflächentemperatur des zu ätzenden Werkstücks. Wegen dieser Schwankung der Ätz-Geschwindigkeit erfordert das Trockenätzen in vielen Fällen einen Wächter, um den Ablauf des Ätzens einschließlich dessen Beendigung zu verfolgen. Beispielsweise kann in einem derartigen Wächter die Emissions-Intensität einer
81-(AW89-O3)Hd-KT 030050
ausgewählten Wellenlänge eines Emissions-Spektrums des Plasmas Überwacht werden, ebenso ist eine Massenspektroskopie zur Überwachung der Ionen-Intensität einer ausgewählten Massenzahl möglich, und zwar für Trockenätzen von Al, Al-Legierungen, Si und SiO2.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß bei Anwendung dieser Verfahren die Emissions-Intensität oder die Massenspektrum-Intensität, die für. überwachungs-Zwecke erfaßt werden, häufig stark mit den Ätz-Parametern wie Druck des Gas-Plasmas und der Hf-Leistung zur Plasma-Anregung schwanken. Wegen dieser Schwankungen der Emissions-Intensität und der Massenspektrum-Intensität ist bisher ein genaues überwachen des Ätzens unmöglich.
Es ist ferner von den Erfindern festgestellt worden, daß bei einer angestrebten Automatisierung des Ätzens mittels eines Wächters die Beendigung des Ätzens wegen der vorbezeichneten Schwankungen fehlerhaft erfaßt werden kann.
Vorsorglich werden als bekannter Stand der Technik angegeben:
(i) JP-OS 51-104268
(ii) JP-OS 53-64 636 und
(iii) JP-OS 53-34 641.
Demgegenüber ist es Aufgabe der Erfindung, ein Überwachungs-Verfahren und einen Wächter zum überwachen -von Trockenätzen zu schaffen, die mit einer Korrektur ausgestattet sind, um genau das Verfahren und die Beendigung unabhängig von Schwankungen der Ätz-Parameter beim überwachen des Trockenätzens anhand des Emissions-Spektrums oder des Massen-Spektrums zu. verfolgen.
Erfindungsgemäß- wird eine bestimmte, ätzabhängige Spektral-Intensität von Atomen oder Molekülen, die im Glimmentladungs-
030050/0716
Plasma während des Ätzens eines Werkstücks durch Ionen oder im Glimmentladungs-Plasma entstehende Radikale erzeugt werden, durch eine ändere Spektral-Intensität korrigiert« die ätzunabhängig ist, indem die resultierende Signal-Intensität überwacht wird.
Die ätzabhängige Spektral-Intensität ist eine Emissionsspektrum-Intensität einer spezifischen Wellenlänge oder eine Massenspektrum-Intensität einer spezifischen Massenzahl zum Oberwachen des Ätzzustande, und sie kann im folgenden zur überwachung des Ätzzustands benutzt werden, d. h., eine Spektral-Intensität von Atomen oder Molekülen, die den zu ätzenden Werkstoff oder ein Ätz-Reaktionsprodukt bilden. Wenn z. B. Al durch Plasma,einer Gasverbindung mit Chlor-Atomen ·: .trockenzuätzen ist« kann ein Emissions-Spektrum von Al-Atomen der Wellenlänge 396 na oder ein Emissions-Spektrum von AlCl-Molekülen der Wellenlänge .261,4 nm oder ein Massen-Spektrum von AlCl der Maesenzahl 62 oder ein Massen'-Spektrum von AlCl2 der Massenzahl 9? verwendet werden.
Die ätzabhängige Spektral-Intensität ist gewöhnlich eine Emissionsspektrum-Intensität oder eine Massenspektrum-Intensität von äfcanen. oder Molekülen, die unabhängig von den Atomen oder Molekülen des zu ätzenden Werkstoffs oder den Xtz-Reaktionsprodukten sind, wobei ihre Wellenlänge oder Massenzahl von der des ätzabhängigen Spektrums verschieden sein kann. Wenn z. B. Al durch Plasma in einer Gas-Umgebung mit CCl4 trockenzuätzen ist,, kann ein Emissions-Spektrum von Cl-Atomen der Wellenlänge 500 nm oder ein Massen-Spektrum von CCl2 der Massenzahl 72 verwendet werden. In einem einfacheren Fall kann die gesamte Spektral-Intensität eines gesamten Wellenlängenbereichs oder eines gesamten Massenzahlbereichs anstelle der Spektral-Intensität der ausgewählten Wellenlänge oder Massenzahl benutzt werden.
0 300 50/0716 . . . bad orkunal.
Der Ätz-Prozeß, durch den das Werkstück durch die Ionen oder Radikale, erzeugt vom Glimmentladungs-Plasma, geätzt wird, benutzt eine für sich bekannte Ätz-Technik, die Plasma-Ätzen oder Zerstäubungs-Ätzen genannt wird, oder auch Trockenätzen. Wenn Al zu ätzen ist, wird es durch Ionen oder Radikale geätzt, die durch die Entladung einer Gasverbindung mit Chlor-Atomen erzeugt werden.
Wenn ein Emissions-Spektrum zum Überwachen verwendet wird, ist ein Spektrum einer spezifischen Wellenlänge selektiv für die Messung von deren Intensität zu extrahieren. Ein für sich gut bekanntes optisches Filter oder ein für sich gut bekanntes Beugungsgitter können für die Selektion des Spektrums spezifischer Wellenlänge verwendet werden.
Ein einfaches Vorgehen zum Korrigieren der ätzabhängigen Spektral-Intensität durch die ätzunabhängige Spektral-Intensität besteht darin, den Quotienten der beiden Intensitäten zu bilden, d. h., ein Verhältnis beider Intensitäten, obwohl die Erfindung darauf keineswegs beschränkt ist.
Der erfindungsgemäße Wächter für den Ätz-Prozeß kann insbesondere aufweisen:
- eine Meßeinrichtung für die ätzabhängige spezifische Spektral-Intensität der Atome oder Moleküle, die im Glimmentladungs-Plasma während des Ätzens des Werkstücks durch die Ionen oder Radikale, erzeugt im Glimmentladungs-Plasma/ erzeugt werden;
- eine Meßeinrichtung für die ätzunabhängige Spektral-Intensität und
- eine Einrichtung zur Erzeugung des korrigierten Werts der Spektral-Intensität, abgeleitet durch Korrektur der ätzabhängigen Spektral-Intensität mittels der ätzunabhängigen Spektral-Intensität.
030050/0716
Die Einrichtung zur Erzeugung des korrigierten Werts kann einfach in einem Dividierer der beiden Intensitäten bestehen, obwohl die Erfindung darauf nicht beschränkt ist.
Die Spektral-Intensität-Meßeinrichtung sowie die Einrichtung zum Erzeugen des korrigierten Werts und schließlich die Verarbeitungseinrichtung sind für sich gut bekannt.
Die Spektren für die Messung der Intensität und die Auswahl dieser Spektren sind bereits oben angegeben worden.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Plasma-Emissions-Spektrum, wenn
' Al durch ein BCl--Gas-Plasma geätzt wird;
Fig. 2 die zeitliche Änderung im Verlauf der Intensität eines Überwachungssignals, wenn Al trockengeätzt wird, und
Fig. 3 das Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Ätz-Wächters.
Die Korrektur der überwachungssignal-Intensität in erfindungsgemäßer Weise wird jetzt anhand eines Beispiels erklärt, gemäß dem Al durch BCl_-Gas-Plasma trockengeätzt wird. Eine Kurve 1 in Fig. 1 zeigt ein Plasma-Emissions-Spektrum gemessen von einem Spektral-Photometer bei Trockenätzen von Al. In der Kurve 1 deuten die Emissions-Spektren bei den Wellenlängen 394,4 nm und 396,1 nm die Emission von Al-Atomen an, die nur beim Ätzen von Al auftreten. Daher kann durch überwachen der zeitlichen Änderung dieser Emissions-Intensität das gesamte Verfahren und die Beendigung des Ätzens überwacht werden. In
030050/0716
der Kurve 1 bedeutet ein breites Emissions-Peak nahe der Wellenlänge 500 nm die Emission von Cl-Atomen oder Cl-Ionen. Eine Kurve 2 in Fig. 2 beschreibt ein Emissions-Spektrum, wenn der Druck von Gas-Plasma während des Ätzens ansteigt. Die Emissions-Intensitäten bei den beiden oben erwähnten Wellenlängen nehmen gemäß, der Kurve 2 ab. Wenn die Ätz-Parameter wie Hf-Leistung oder Gas-Zusammensetzung variieren, nehmen die Emissions-Spektren im Fall der Kurve 2 ab-oder im gesamten Wellenlängen-Bereich zu. Auf jeden Fall kann durch überwachen des Verhältnisses der Emissions-Intensität bei der Wellenlänge 396,1 nm zur Emissions-Intensität bei der Wellenlänge 500 nm eine unbeabsichtigte Schwankung der Überwachungs-Signal-Intensität unterdrückt werden, damit nicht fehlerhaft auf eine Beendigung des Ätzens geschlossen wird.
Fig. 2 zeigt die zeitliche Änderung der Überwachungs-Signal-Intensität, wobei eine Kurve 3 eine Überwachurigs-Signal-Intensität bei der Wellenlänge 396,1 nm und eine Kurve 4 eine korrigierte Signal-Intensität, die gleich dem Verhältnis der Emissions-Intensität bei der Wellenlänge 396,1 nm zur Emissions-Intensität bei der Wellenlänge 500 nm ist, bedeuten. In Fig. 2 bezeichnet ein Zeitpunkt A den Beginn des Ätzens, ein Zeitintervall von B bis C das Auftreten von Druckschwankungen und ein Zeitpunkt D die Beendigung des Ätzens. Gemäß der Kurve 3 könnte der Zeitpunkt B irrtümlich als Beendigungs-Zeit des Ätzens angenommen werden, jedoch wird diese Möglichkeit durch Fig. 4 ausgeschlossen.
In Fig. 1 und 2 können die Ordinaten-Achsen einen beliebigen Maßstab tragen.
Ausführungsbeispiel 1:
Al wurde durch BCl^-Gas-Plasma geätzt. Während des Ätzens wurde eine Signal-Intensität gleich dem Verhältnis fQ der Al-Emis-
030050/0716
sions-Intensität (Wellenlänge 396,1 nm) zur Cl-Emissions-Intensität ( Wellenlänge 500 nm) überwacht.
Ein Wächter zur Erzeugung eines derartigen überwachungssignals ist in Fig. 3 abgebildet. Im einzelnen besitzt er:
- ein Interferenz-Filter 10, das Licht der Wellenlänge 396 nm durchläßt,
- ein Interferenz-Filter 11, das Licht der Wellenlänge 500 nm durchläßt,
- opto-elektronische Wandler 12 und 13 zum Umsetzen der entsprechenden Licht-Intensitäten in elektrische Signal-Intensitäten X bzw. Y,
- einen Teiler 14 zur Erzeugung eines Verhältnisses (X/Y) des Ausgangssignals des opto-elektronischen Wandlers 12 zum Ausgangssignal des opto-elektronischen Wandlers 13 .und
- einen Schreiber 15 zum Aufzeichnen des Ausgangssignals vom Teiler 14.
Wenn das Ausgangssignals des Teilers 14 für automatischen-Betrieb verwendet wird, kann der Schreiber 15 auch weggelassen werden. Die zeitliche Änderung des Überwachungssignals, das vom Schreiber 15 aufgezeichnet ist, ermöglicht anhand einer Kurve die genaue Bestimmung der Beendigung des Ätz-Prozesses unabhängig von Schwankungen der Hf-Leistung und des Drucks während des Al-Ätzens. ■ '
Ausführungsbeispiel 2: .
Al wurde mit CC^-Gas-Plasma geätzt. Ätz-Reaktionsprodukte AlCl (Massenzahl 62) und CCl2 (Massenzahl 72) wurden durch ein Quadru-
030050/0 716
pol-Massenfilter erfaßt, und das Verhältnis dieser Signal-Intensitäten, gewonnen durch einen Teiler ähnlich dem im Ausführungsbeispiel· 1, wurde überwacht, um den Ablauf des Al-Ätzens und dessen Beendigung zu verfolgen. Auch bei diesem Ausführungsbeispiel könnte ähnlich wie beim Ausführungsbeispiel die Beendigung des Ätzens genau erfaßt werden.
Erfindungsgemäß kann also das Ätzen genau während des Trockenätzens unabhängig von Schwankungen der Ätz-Bedingungen überwacht werden, so daß die Erfindung sich vorteilhaft für automatisierte Prozesse eignet, die eine genaue Ermittlung der Beendigung des Ätzens erfordert.
Obwohl hier beispielsweise das Al-Ätzen besonders erläutert worden ist, ist der erfindungsgemäße Wächter gleichfalls anwendbar auf das Ätzen anderer Werkstoffe, z. B. Si, SiO „ und Si^N.. Obwohl die Cl-Emissions-Intensität bei der Wellenlänge 500 nm als Bezugssignal zur Korrektur bei der überwachung des Emissions-Spektrums benutzt worden ist, kann ein ähnlicher Effekt erreicht werden, wenn die Emissions-Intensität (oder sogar die Emissions-Intensität aller Wellenlängen, also nicht nur die Spektral-Intensität) von Atomen, Molekülen oder Ionen davon, die nicht gleich Ätz-Reaktionsprodukte sind, wie Al und AlCl, überwacht wird. In diesem Fall sollte allerdings darauf geachtet werden, daß die Ansprechzeiten des Paars von opto-elektronischen Wandlern gleich sein müssen. Wenn die Ansprechzeiten voneinander unterschiedlich sind, ist eine genaue Korrektur des überwachungssignals nicht möglich.
030050/0716

Claims (12)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zum überwachen des Ätzens eines Werkstücks mittels Ionen oder Radikalen, hergestellt durch Glimmentladungs-Plasma, dadurch gekennzeichnet,
    - daß eine bestimmte, vom Ätzen abhängige Spektral-Intensität von Atomen oder Molekülen, erzeugt im Plasma, mittels einer anderen, vom Ätzen unabhängigen Spektral-Intensität korrigiert wird, und
    - daß die resultierende Signal-Intensität überwacht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    - daß die ätzabhängige und die ätzunabhängige Spektral-Intensität gleich der Emissions-Spektrum-Intensität bei einer bestimmten bzw. bei einer anderen Wellenlänge gewählt sind.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    - daß die ätzabhängige und die ätzunabhängige Spektral-Intensität gleich einer Massen-Spektrum-Intensität einer bestimmten bzw. einer anderen Massenzahl gewählt wird.
    8l-(A4689-o3)Hd-Kr
    030050/0716
    3013583
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2,
    dadurch gekennzeichnet,
    - daß die ätzabhängige Spektral-Intensität gleich einer Plasma-Emissions-Spektrum-Intensität bei einer bestimmten Wellenlänge, ausgewählt durch ein optisches Filter oder ein Beugungsgitter, und
    - die ätzunabhängige Intensität gleich einer Plasma-Emissions-Spektrum-Intensität bei einer anderen Wellenlänge, ausgewählt durch ein optisches Filter oder ein Beugungsgitter, gewählt wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
    - daß das Verhältnis der ätzabhängigen Spektral-Intensität zur ätzunabhängigen Spektral-Intensität überwacht wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5,
    dadurch gekennzeichnet,
    - daß das Verhältnis einer Spektral-Intensität von Al-Atomen oder AlCl-Molekülen zu einer Spektral-Intensität von Cl-Atomen überwacht wird,
    - wobei die Al-Atome bzw. AlCl-Moleküle und Cl-Atome während des Ätzens von Al oder einer Al-Legierung mittels Plasma einer Gasverbindung einschließlich Chlor-Atomen erzeugt werden.
    030050/0716
  7. 7. Wächter für das Ätzen eines Werkstücks mittels Ionen oder Radikalen, erzeugt in Glimmentladungs-Plasma, gekennzeichnet durch
    - eine Einrichtung zur Messung einer vom Ätzen abhängigen bestimmten Spektral-Intensität von Atomen oder Molekülen, erzeugt im Plasma;
    - eine Einrichtung zur Messung einer vom Ätzen unabhängigen Spektral-Intensität; und
    - eine Einrichtung zur Erzeugung einer korrigierten Spektral-Intensität, die durch Korrektur der ätzabhängigen Spektral-Intensität mittels der ätzunabhängigen Spektral-Intensität vorgenommen wird.
  8. 8. Wächter nach Anspruch 7,
    dadurch gekennzeichnet,
    - daß die ätzabhängige und die ätzunabhängige Spektral-Intensität gleich der Emissions-Spektrum-Intensit ät bei einer bestimmten bzw. bei einer anderen Wellenlänge gewählt sind.
  9. 9. Wächter nach Anspruch 7,
    dadurch gekennzeichnet,
    - daß die ätzabhängige und die ätzunabhängige Spektral-Intensität gleich einer Massen-Spektrum-Intensität einer bestimmten bzw. einer anderen Massenzahl gewählt wird.
    030050/0716
    -A-
  10. 10. Wächter nach Anspruch 8,
    dadurch gekennzeichnet,
    - daß die Einrichtung zur Messung der ätzabhängigen Spektralintensität ein optisches Filter oder Beugungsgitter zur Auswahl des Emissions-Spektrum der bestimmten Wellenlänge und Mittel zur Messung der ausgewählten Spektral-Intensität aufweist, und
    - daß die Einrichtung zur Messung der ätzunabhängigen Spektralintensität ein optisches Filter oder ein Beugungsgitter zur Auswahl des Emissions-Spektrum der anderen Wellenlänge und Mittel zum Messen der ausgewählten Spektral-Intensität aufweist.
  11. 11. Wächter nach einem der Ansprüche 7-10, dadurch gekennzeichnet,
    - daß. die Einrichtung zur Erzeugung der korrigierten Spektral-Intensität aufweist:
    - Mittel (14) zum Berechnen des Verhältnisses der ätzabhängigen Spektral-Intensität zur ätzunabhängigen Spektral-Intensität.
  12. 12. Wächter nach Anspruch 11,
    gekennzeichnet durch
    - Mittel (10, 12) zur Messung einer Spektral-Intensität von Al-Atomen oder AlCl-Molekülen und
    - Mittel (11, 13) zur Messung einer Spektral-Intensität von Cl-Atomen,
    - wobei die Al-Atome oder AlCl-Moleküle und die Cl-Atome während des Ätzens von Al oder einer Al-Legierung mittels Plasma einer Gasverbindung einschließlich Chlor-Atomen erzeugt werden, und
    - Mittel (14) zum Berechnen des Verhältnisses der beiden Spektral-Intensitäten.
    030050/0716
DE3019583A 1979-05-28 1980-05-22 Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Plasmaätzung von Werkstücken Expired DE3019583C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6503179A JPS55157233A (en) 1979-05-28 1979-05-28 Method and apparatus for monitoring etching

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3019583A1 true DE3019583A1 (de) 1980-12-11
DE3019583C2 DE3019583C2 (de) 1984-11-29

Family

ID=13275193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3019583A Expired DE3019583C2 (de) 1979-05-28 1980-05-22 Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Plasmaätzung von Werkstücken

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4289188A (de)
JP (1) JPS55157233A (de)
DE (1) DE3019583C2 (de)
GB (1) GB2050952B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0199114A2 (de) * 1985-04-16 1986-10-29 Schering Aktiengesellschaft Herstellung metallischer Strukturen auf anorganischen Nichtleitern
DE3901017A1 (de) * 1989-01-14 1990-07-19 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur ueberwachung des schichtabtrags bei einem trockenaetzprozess
DE102014112723A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Eaton Industries Austria Gmbh Verfahren zur Unterscheidung eines Lichtbogens von einem leuchtenden Gas enthaltend zumindest Metalldampf

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57161063A (en) * 1981-03-31 1982-10-04 Nippon Sheet Glass Co Ltd Method and device for sticking metallic oxide film on substrate
US4415402A (en) * 1981-04-02 1983-11-15 The Perkin-Elmer Corporation End-point detection in plasma etching or phosphosilicate glass
US4394237A (en) * 1981-07-17 1983-07-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Spectroscopic monitoring of gas-solid processes
US4457820A (en) * 1981-12-24 1984-07-03 International Business Machines Corporation Two step plasma etching
FR2531774A1 (fr) * 1982-08-12 1984-02-17 Cit Alcatel Dispositif de controle d'epaisseur de couches minces faiblement absorbantes
JPS59129428A (ja) * 1983-01-13 1984-07-25 Fujitsu Ltd プラズマエッチング方法
FR2555308B1 (fr) * 1983-11-21 1986-12-05 Cit Alcatel Tete photometrique et applications a des dispositifs de controle de l'epaisseur d'une couche mince
JPS61242024A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Matsushita Electronics Corp エツチング終点検出方法
FR2587838B1 (fr) * 1985-09-20 1987-11-27 Radiotechnique Compelec Procede pour aplanir la surface d'un dispositif semi-conducteur utilisant du nitrure de silicium comme materiau isolant
US4675072A (en) * 1986-06-25 1987-06-23 International Business Machines Corporation Trench etch endpoint detection by LIF
US4713140A (en) * 1987-03-02 1987-12-15 International Business Machines Corporation Laser luminescence monitor for material thickness
US5045149A (en) * 1988-10-24 1991-09-03 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for end point detection
US5208644A (en) * 1990-05-18 1993-05-04 Xinix, Inc. Interference removal
JPH04196529A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp プラズマ処理装置
US5290383A (en) * 1991-03-24 1994-03-01 Tokyo Electron Limited Plasma-process system with improved end-point detecting scheme
US5877032A (en) * 1995-10-12 1999-03-02 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission
JP3157605B2 (ja) * 1992-04-28 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5308414A (en) * 1992-12-23 1994-05-03 International Business Machines Corporation Method and apparatus for optical emission end point detection in plasma etching processes
US5565114A (en) * 1993-03-04 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Method and device for detecting the end point of plasma process
JPH06302556A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Nec Yamagata Ltd 反応性イオンエッチングの終点検出器
US5348614A (en) * 1993-06-22 1994-09-20 Lsi Logic Corporation Process for dynamic control of the concentration of one or more reactants in a plasma-enhanced process for formation of integrated circuit structures
KR100276736B1 (ko) * 1993-10-20 2001-03-02 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5392124A (en) * 1993-12-17 1995-02-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for real-time, in-situ endpoint detection and closed loop etch process control
US5788869A (en) * 1995-11-02 1998-08-04 Digital Equipment Corporation Methodology for in situ etch stop detection and control of plasma etching process and device design to minimize process chamber contamination
US5928532A (en) * 1996-11-11 1999-07-27 Tokyo Electron Limited Method of detecting end point of plasma processing and apparatus for the same
US6406641B1 (en) * 1997-06-17 2002-06-18 Luxtron Corporation Liquid etch endpoint detection and process metrology
US6534007B1 (en) * 1997-08-01 2003-03-18 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint of a chamber cleaning
US6060328A (en) * 1997-09-05 2000-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Methods and arrangements for determining an endpoint for an in-situ local interconnect etching process
US6246473B1 (en) 1998-04-23 2001-06-12 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6165312A (en) * 1998-04-23 2000-12-26 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6077386A (en) * 1998-04-23 2000-06-20 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6269278B1 (en) 1998-04-23 2001-07-31 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6090302A (en) * 1998-04-23 2000-07-18 Sandia Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6123983A (en) * 1998-04-23 2000-09-26 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6134005A (en) * 1998-04-23 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6169933B1 (en) 1998-04-23 2001-01-02 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6254717B1 (en) 1998-04-23 2001-07-03 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6132577A (en) * 1998-04-23 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6223755B1 (en) 1998-04-23 2001-05-01 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6192826B1 (en) 1998-04-23 2001-02-27 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6157447A (en) * 1998-04-23 2000-12-05 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6275740B1 (en) 1998-04-23 2001-08-14 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6419801B1 (en) 1998-04-23 2002-07-16 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6221679B1 (en) * 1998-04-23 2001-04-24 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6261470B1 (en) 1998-04-23 2001-07-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US20040035529A1 (en) * 1999-08-24 2004-02-26 Michael N. Grimbergen Monitoring a process and compensating for radiation source fluctuations
US6878214B2 (en) * 2002-01-24 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Process endpoint detection in processing chambers
US6979579B1 (en) * 2004-03-30 2005-12-27 Lam Research Corporation Methods and apparatus for inspecting contact openings in a plasma processing system
US7431404B2 (en) * 2005-08-05 2008-10-07 Shimano Inc. Bicycle having annular sealing member
US7759136B2 (en) * 2006-03-29 2010-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Critical dimension (CD) control by spectrum metrology
JP5227245B2 (ja) * 2009-04-28 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4198261A (en) * 1977-12-05 1980-04-15 Gould Inc. Method for end point detection during plasma etching
US4246060A (en) * 1979-01-02 1981-01-20 Motorola, Inc. Plasma development process controller

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Solid State Technology, April 79, H. 4, S. 109,115 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0199114A2 (de) * 1985-04-16 1986-10-29 Schering Aktiengesellschaft Herstellung metallischer Strukturen auf anorganischen Nichtleitern
EP0199114A3 (en) * 1985-04-16 1988-10-19 Schering Aktiengesellschaft Berlin Und Bergkamen Manufacture of metallic structures on inorganic non-condmanufacture of metallic structures on inorganic non-conductors uctors
DE3901017A1 (de) * 1989-01-14 1990-07-19 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur ueberwachung des schichtabtrags bei einem trockenaetzprozess
US4948259A (en) * 1989-01-14 1990-08-14 Leybold Aktiengesellschaft Method and apparatus for monitoring layer erosion in a dry-etching process
DE102014112723A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Eaton Industries Austria Gmbh Verfahren zur Unterscheidung eines Lichtbogens von einem leuchtenden Gas enthaltend zumindest Metalldampf
US10320176B2 (en) 2014-09-04 2019-06-11 Eaton Intelligent Power Limited Method for distinguishing an arc from a luminous gas containing at least metal vapor

Also Published As

Publication number Publication date
DE3019583C2 (de) 1984-11-29
GB2050952B (en) 1983-02-23
JPS55157233A (en) 1980-12-06
GB2050952A (en) 1981-01-14
JPS5712529B2 (de) 1982-03-11
US4289188A (en) 1981-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3019583A1 (de) Ueberwachungs-verfahren und waechter fuer aetzen
EP0105961B1 (de) Verfahren zum Messen der abgetragenen Schichtdicke bei subtraktiven Werkstückbearbeitungsprozessen
DE10207330A1 (de) Verfahren zum Herstellen akustischer Dünnfilmvolumenresonatoren (FBARs) mit unterschiedlichen Frequenzen auf dem gleichen Substrat durch eine Subtraktionsverfahren und Vorrichtung, die das Verfahren beinhaltet
DE2727976A1 (de) Verfahren zum bestimmen des partialdruckes und der konzentration eines gases und schaltungsanordnung zum durchfuehren des verfahrens
DE10207329A1 (de) Verfahren zur Massenbelastung akustischer Dünnfilmvolumenresonatoren (FBARs) zum Erzeugen von Resonatoren mit unterschiedlichen Frequenzen und Vorrichtung, die das Verfahren beinhaltet
DE3118834A1 (de) Verfahren zum bestimmen des endpunktes eines physikalischen aetzprozesses und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3636954A1 (de) Massenspektrometer mit atmosphaerendruck-ionisation
EP0465515B1 (de) Verfahren zur überwachung von ionen-unterstützten bearbeitungsvorgängen an wafern und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
EP0298274A1 (de) Verfahren zum Strukturieren einer Kupfer- und/oder Permalloyschicht mittels Trockenätzen
DE4105516C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur verbesserten Wiedergabe von Konturen
EP0231786A2 (de) Verfahren zur Elimination von Störungen eines Messsignals
DE2539184A1 (de) Atomabsorptions-spektrometer
DE69415287T2 (de) Verfahren zur isotopenanalyse mittels der optischen emissionsspektometrie eines durch laserenergie erzeugten plasma
DE19935495A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
DE10230252B4 (de) Verfahren zur Herstellung integrierter Mikrosysteme
DE69422890T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration von Verunreinigungselementen
CH622616A5 (de)
EP0094907B1 (de) Verfahren zur Messung der Oxidationsgeschwindigkeit einer Metallschmelze
DE3424329A1 (de) Verfahren zum herstellen von masshaltigen titanstrukturen
DE2939521C2 (de) Massenspektrometer
DE3122702A1 (de) Verfahren zur ermittlung von signalparametern von periodischen elektrischen rechtecksignalen und anordnungen zur durchfuehrung des verfahrens
DE3780165T2 (de) Geraet fuer eine entladungsmaschine.
EP0098443A2 (de) Spektrometer
DE3043517C2 (de)
DE2118427A1 (de) Verfahren zur Steuerung von Lei stungs schaltern

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee