DE3005764C2 - Regelbarer Oszillator - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen regelbaren Oszillator, wie er im Oberbegriff des Anspruchs 1 vorausgesetzt ist.

Bei Fernsehempfängern wird die sich wiederholende Horizontal- und Vertikalablenkung eines Elektronenstrahls /ur Bildung eines Rasters mit Horizontal- und Vertikalsynchronimpulsen synchronisiert, die in zeitlicher Relation zur wiederzugebenden Information auftreten. Damit man eine kontinuierliche Ablenkung auch bei fehlender Signalzuführung erhält, wird die Horizontalablenkung durch einen Oszillator gesteuert, der mit den im Videosignalgemisch enthaltenen Synchronimpulsen synchronisiert ist und bei Fehlen von Synchronimpulsen frei schwingt Bei früheren Fernsehempfängern wurden die Oszillatoren direkt durch das Synchronsignal synchronisiert, etwa durch Injektionssynchronisation. Damit dies in zuverlässiger Weise vor sich ging, mußte die Freilauffrequenz des Oszillators dicht bei der Horizontalablenkfrequenz liegen. Wegen mit direkter Synchronisation verbundenen Störungsproblemen hat sich die indirekte Synchronisation in der Praxis eingeführt Hierbei wird ein Oszillator mit einem Phasendetektor und einem Filter in einer Phasenverriegelungsschleife zusammengeschaltet, in welcher das Oszillatorausgangssignal mit dem zeitlichen Mittel der Synchronisierimpulse synchronisiert wird. Die Phasenverriegelungsschleife läßt einen endlichen Phasenfehler zwischen dem Oszillatorsignal und dem gemittelten Synchronsignal zu. der mit abnehmender Schleifenverstärkung der Phasenverriegelungsschleife zunimmt. Zur Verringerung des Phasenfehlers ist es wünschenswert, die Freilauffrequenz des Oszillators so nah wie möglich an die Ablenkfrequenz (bei NTSC-Empfängern näherungsweise 15,734 kHz) zu legen. Es ist im allgemeinen erwünscht, die Notwendigkeit von Justierungen des Horizontalhaltebereichs (Oszillatorfrequenz) zu vermeiden, und damit eine solche Halteeinstellung überflüssig wird, müssen die automatischen Frequenz- und Phasenregelschaltungen (AFPC), zu denen die Phasenregelschleife gehört, unter allen Temperatur- und auch extremen Toleranzbedingungen, mit denen zu rechnen ist. zuverlässig und reproduzierbar arbeiten. Der spannungsgesteuerte Oszillator in einer solchen Regelschleife muß stabil sein und muß einen bestimmten Änderungsbereich haben.

RC- oder Sägezahnoszillatoren sind im Vergleich zu LC-Oszillatoren weder temperatur- noch zeitstabil. Kristalloszillatoren, wie sie im US-Patent 40 20 500 und in der US-PS 30 54 967 beschrieben sind, sind zwar stabil, aber sie lassen sich nur schwierig genügend weit in der Frequenz ziehen, wie es zur Synchronisierung mit nicht normgerechten Synchronisiersignalen erforderlich ist, wie sie von Heimvideokameras oder Videobandgeräten geliefert werden. Unter den verschiedenen LC-Oszillatoren haben diejenigen mit Reihenresonanzkreisen bezüglich der Güte eher eine niedrigere Qualität und sind weniger stabil als äquivalente Parallelresonanzschaltungen. Ein Reihenresonanzoszillator ist in der US-PS 40 55 817 beschrieben.

Von den Parallelresonanz-LC-Schaltungen sind diejenigen, welche eine reaktive Impedanztransformation zur Erzielung einer hohen Güte Q verwenden, also etwa solche, die mit kapazitiven Spannungsteilern gemäß der US-PS 35 53 459 arbeiten, unzweckmäßig, weil sie kompliziert sind und eine große Anzahl von Bauelementen benötigen.

Eine größere Zuverlässigkeit bei komplexen Schaltungen, wie etwa AFPC-Schleifen, erhält man. wenn man den größeren Teil der Schaltung in Form einer integrierten Schaltung ausbildet. Oszillatoren mit einem Differenzverstärkertransistorpaar zwischen dessen Kollektoren ein Parallelresonanzkreis geschaltet ist, eignen sich normalerweise nicht für integrierte Schaltungen, weil sie eine große Anzahl von Schaltungsanschlüssen oder Verbindungspunkten zwischen dem /C und dem externen Schwingkreis erfordern. Bei integrierten Schaltungen, bei welchen die Anzahl benötigter Anschlußflächen durch Anschließen eines Endes des Schwingkreises an ein Bezugspotential, das auch noch

anderweitig für den Betrieb der integrierten Schaltung benötigt wird, verringert ist, kann die beim Zusammenschalten der Eingangsimpedanz des Oszillators und der externen Last gebildete Gesamtimpedanz so niedrig werden, daß die Güte Q des Parallelkreises beeinträchtigt wird

Aus der DE-OS 26 49 933 ist ein regelbarer Oszillator mit einem ersten und einem zweiten Transistor bekannt, deren zusammengeschaltete Emitter an eine Strong ael-Ie angeschlossen sind, und mit einem dritten und einem vierten Transistor, von denen der dritte emitterseitig mit der Basis des ersten Transistors und basisseitig mit einer Betriebsspannungsquelle gekoppelt ist und der vierte emitterseitig mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist, ferner mit einem frequenzbestimmenden Schwingkreis, der mit dem Kollektor des ersten und mit der Basis des vierten Transistors gekoppelt ist, und mit einem einstellbaren Phasenschieber, dessen Eingang an einen ersten Punkt und dessen Ausgang an einen zweiten Punki der aus den vorgenannten Elementen gebildeten Mitkopplungsschleife des Oszillators angeschlossen ist. Der frequenzbestimmende Schwingkreis wird hier durch die Reihenschaltung eines Schwingquares mit einem Trimmkondensator und einem Widerstand gebildet. Der Kollektor des ersten Transistors ist über einen Emitterfolger zur niederohmigen Ansteuerung dieses frequenzbestimmenden Gliedes an dessen eines Ende angekoppelt, während sein anderes Ende an der Basis des vierten Transistors liegt. Der Eingang des Phasenschiebers ist an den Emitter des vierten Transistors angeschlossen, und sein Ausgang ist an den Kollektor des ersten Transistors, also an den AnschluQpunkt des das frequenzbestimmende Glied ansteuernden Emitterfolgers angeschlossen. Ein Oszillator mit zwei als Differenzverstärker emitterseitig zusammengeschalteten und aus einer Stromquelle gespeisten Transistoren ist auch aus der DE-OS 28 01 854 bekannt: Hier ist der Kollektor eines dieser beiden Transistoren über einen Widerstand mit den zusammengeschalteten Emittern zweier weiterer Transistoren, die ebenfalls als Differenzverstärker geschaltet und gegenphasig angesteuert werden, verbunden, deren einer kollektorseitig an die Basis eines Emitterfolgers angeschlossen ist, der wie im Falle der vorgenannten Offenlegungsschrift niederohmig einen Schwingquarz ansteuert, welcher in Reihe mit einem Kondensator auf die Basis desjenigen der beiden erstgenannten Transistoren geführt ist, dessen Kollektor den Strom für die beiden anderen Differenzverstärkertransistoren liefert.

Weiterhin ist aus der US-PS 40 71 832 eine Oszillatorschaltung bekannt, bei der zwei Transistoren emitterseitig zusammengeschaltet und an eine Stromquelle angeschlossen sind und der Kollektor des einen Transistors mit der Basis des anderen Transistors zusammen an einer Betriebsspannung liegen, während die Basis des einen Transistors mit dem Kollektor des anderen Transistors zusammengeschaltet und an ein Ende eines Parallelschwingkreises gelegt ist, dessen anderes Ende ebenfalls an der Betriebsspannung liegt. Die beiden Transistoren sind also mit Kollektor und Basis jeweils über Kreuz gekoppelt, wobei der eine Kreuzkopplungspunkt unmittelbar an die Betriebsspannung und der andere Kreuzkopplungspunkt über den Parallelschwingkreis an die Betriebsspannung gelegt sind. Eine ähnliche Kopplungsweise ist aus der US-PS 36 49 929 bekannt, wo ebenfalls zwei Transistoren emitterseitig zusammengeschaltet und aus einer Stromquelle gespeist sind, iedoch nur der Kollektor eines der beiden Transistoren mit der Basis des anderen verbunden ist, und dieser Verbindungspunkt über einen Paralle'schwingkreis an einer Vorspannungsquelle liegt, an der auch die Basis dieses einen Transistors liegt Der Kollektor des anderen Transistors ist dagegen an den anderen Pol der Betriebsspannung gelegt Die die beiden Transistoren emitterseitig speisende Stromquelle wird von einer Regelschaltung in Abhängigkeit von der Amplitude der Oszillatorschwingung geregelt.

Die Transistoren eines Oszillators sollen möglichst nicht im nichtlinearen oder Sättigungsbetrieb arbeiten, damit man eine maximale Stabilität und minimale Kurvenformverzerrungen erhält Eine Schaltung, welche dies durch Anwendung einer automatischen Verstärkungsregelschaltung (AGC) erreicht, ist in der US-PS 36 49 929 beschrieben. Die Verstärkungsregelschaltung korrigiert die Toleranzen oder temperatur- und zeitabhängige Änderungen der Werte der verschiedenen Bauelemente, welche den Arbeitspunkt des Oszillators soweit zu verschieben suchen, daß Nichtfinearitäten auftreten. Eine Verstärkungsregelschaltung erfordert jedoch zusätzliche Schaltungsteile einschließlich Integrationskondensatoren. Solche Kondensatoren eignen sich aber nicht für integrierte Schaltungen.

Es besteht daher ein Bedürfnis nach einem Oszillator mit veränderbarer Frequenz, dessen Verstärkeriransistoren nicht in der Sättigung arbeiten und der keine automatische Verstärkungsregelschaltung benötigt. Ferner soll die Oszillatorschaltung einen Parallelresonanzkreis verwenden und die auf den Resonanzkreis einwirkende Impedanz soll so hoch sein, daß sich die Güte <? durch externe LC-Komponenten und einen externen Widerstand beeinflussen läßt, und der Resonanzkreis soll die Schaltung nicht belasten. Ferner soll die Schaltung bei der Mittenfrequenz des Resonanzkreises schwingen, wenn die Frequenzregelspannung Null ist, damit die Frequenzregelkennlinie symmetrisch wird und die Mittenfrequenzdrift möglichst klein ist.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung eines Oszillators mit den vorgenannten Eigenschaften. Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung sei nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im einzelnen erläutert. Es zeigt

Fig. la bis Ic eine Ausführungsform des Oszillators in einer Phasenverriegelungsschleife zur Verwendung in einem Fernsehempfänger und

Fig.2 und 3 alternative Ausführungsformen für den Oszillator gemäß Fig. 1.

F i g. 1 a zeigt einen Oszillator 10, der bei einer Nominalfrequenz arbeitet, welche durch einen Resonanzkreis 40 bestimmt wird. Ein Ausgangssignal des Oszillators wird über eine Phasenschieberschaltung 50 einer Multiplizierschaltung 60 zugeführt, die als Verstärker mit veränderbarer Verstärkung zur Einstellung der Amplitude und Richtung der Phasenverschiebung des dem Oszillator wieder zugeführten Signals dient. Ein anderes Ausgangssignal des Oszillators wird einem Phasendetektor 100 zugeführt, der es mit einem Synchronisiersignal, wie etwa den von der Synchronsignaltrennschaltung eines Fernsehempfängers gelieferten Horizontalsynchronsignalen, vergleicht. Das Ausgangssignal des Phasendetektors wird gefiltert und als Regelspannung der Multiplizierschaltung 60 zur Frequenz- und Phasenregelung des Oszillators 10 zugeführt.

Der Oszillator 10 enthält einen ersten und einen zwei-

ten NPN-Transistor 11 und 12, welche miteinander emittergekoppelt sind. Den zusammengeschalteten Emittern wird ein Strom von einer Stromquelle zugeführt, welche aus einem zwischen die Emitter und Masse geschalteten Widerstand 16 besteht. Ein dritter und ein vierter NPN-Transistor 13 und 14 sind mit ihren Emittern an die Basen der Transistoren 11 bzw. 12 angeschlossen. Die Basis des als Diode geschalteten Transistors 13 ist an einen Zwischenanschluß 18 zwischen der Schaltung, wenn diese als integrierte Schaltung ausgeführt ist. und einer äußeren Spannungsquelle B + angeschlossen. Die Basis des Transistors 14 liegt am Kollektor des Transistors 11, und diese beiden sind mit einem Zwischenanschluß 20 verbunden. Es wird eine Mitkopplungsschleife gebildet durch einen Strompfad, der vom Kollektor des Transistors 11 über die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 14 und 12 und zurück über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 11 verläuft, und diese Mitkopplungsschleife kann schwingen.

Der Kollektor des Transistors 12 ist so geschaltet, daß er den Eingangsstrom eines als Diode geschalteten PN P-Transistors 22 führt, der zusammen mit einem weiteren PNP-Transistor 24 als Stromspiegel geschaltet ist. Der Ausgangsstrom des Stromspiegels wird vom Kollektor des Transistors 24 an einen als Block dargestellten Phasendetektor 100 geliefert. Die Transistoren 13 und 14 werden durch ihre Emitter mit Masse verbindende Widerstände 26 bzw. 28 so vorgespannt, daß sie im linearen Teil ihrer Kennlinie arbeiten.

Die Betriebsfrequenz der Mitkopplungsschleife wird durch einen zwischen die Anschlüsse 18 und 20 geschalteten Parallelresonanzkreis 40 bestimmt, der eine Induktivität 42, welche parallel zu einer Kapazität 44 liegt, enthält und dessen Güte Qdurch einen parallel geschalteten externen Widerstand 46 herabgesetzt werden kann.

An einem niederohmigen Punkt, nämlich am Emitter des Transistors 14. wird der Mitkopplungsschleife des Oszillators 10 ein Ausgangssignal entnommen, das über einen Kondensator 52 der Phasenschieberschaltung 50 dem Eingang einer Multiplizierschaltung 60, nämlich de^r Basis eines NPN-Transistors62, zugeführt wird. Die Eingangsimpedanz der Multiplizierschaltung 60 trägt in Verbindung mit den dort wirksamen Widerständen zur Bestimmung der Phasenverschiebung der Phasenschieberschaltung 50 bei. Der Kollektor des Transistors 62 ist an die Spannungsquelle B + angeschlossen, sein Emitter liegt an der Basis des N PN-Transistors 66 und außerdem über einen Widerstand 64 an Masse. Der Transistor 66 bildet mit einem NPN-Transistor 68 ein emittergekoppeltes Paar, dessen zusammengeschalteten Emittern Strom von einem Widerstand 70 zugeführt wird, der zwischen diesen Emittern und Masse liegt. Ein Spannungsteiler 72 mit Widerständen 74 und 76 liegt zwischen dem Anschluß 18 und Masse, und die an seinem Abgriff entstehende Spannung wird über einen Widerstand 78 der Basis des Transistors 62 als Vorspannung zugeführt. Eine ähnliche Vorspannung wird der Basis des NPN-Transistors 80 über einen Widerstand 82 zugeführt. Der Kollektor des Transistors 80 liegt an der Spannung B +, und sein Emitter ist an die Basis des Transistors 68 und über einen Widerstand 84 an Masse geführt. Die Schaltung mit den Transistoren 62 bis 80 wandelt ein erdunsymmetrisches Eingangssignal in zwei gegenphasige Signale an den Kollektoren der Transistoren 66 und 68 zur Gegentaktansteuerung des restlichen Tei Is der M ultiplizierschaltung 60 um.

Der Kollektor des Transistors 66 liegt an den zusammengeschalteten Emittern der NPN-Transistoren 116 und 88, und der Kollektor des Transistors 68 liegt an den zusammengeschalteten Emittern der NPN-Transistort:n 90 und 92. Die Basen der Transistoren 88 und 92 sind zur Bildung einer Hälfte des Differenzsteuereingangs des eine veränderbare Dämpfungseinstellung ermögliche-iden Teils der Multiplizierschaltung 60 zusammengi:- schaltet und die Basen der Transistoren 86 und 90 sind zur Bildung der anderen Hälfte des Differenzeingangs zusammengeschaltet. Der Differenzsteuereingang für die Transistoren 86 bis 92 ist an den Ausgang eines als Block dargestellten Filters 110 angeschlossen. Die Kollektoren der Transistoren 86 und 92 sind zur Bildung des Ausgangs der Multiplizierschaltung 60 zusammengirschaltet und am Kollektor des Transistors ii mit d>;r Mitkopplungsschleife des Oszillators 10 gekoppelt. Die Kollektoren der Transistoren 88 und 90 sind zusammengeschaltet und liegen am Anschluß 18.

Die Phasenverriegelungsschleife wird vervollständigt durch den Anschluß des Ausgangs des Phasendetektors 100 an den Eingang der Filters 110. Ein zweiter Eingang des Phasendetektors 100 ist als Synchronisiereingarig der Schleife an eine nicht dargestellte Synchronsignalschaltung angeschlossen. Die Betriebsweise einer Ph.isenverriegelungsschleife ist bekannt und braucht hier nicht im einzelnen erläutert zu werden. Ebenso sind Multiplizierschaltungen wie die Schaltung 60 bekannt, wofür als Beispiel auf die bereits erwähnte US-F¹S 40 20 500 verwiesen sei.

Die Betriebsweise des Oszillators 10 wird unter Zuhilfenahme der F i g. Ib und Ic verständlich. F i g. Ib zei;;;t in etwa das Wechselstromersatzschaltbild des Oszillators 10. Die niederohmigen Quellen sind als Masse angesetzt worden, und die Vorspannungsverhältnisse sind vernachlässigt. Fig. Ib zeigt den Oszillator in Basisgrundschaltung mit einem Durchlaßstromweg vom Kollektor zum Emitter des Transistors 11, und der Rückkopplungsweg enthält die Basis-Emitter-Strecke der Transistoren 12 und 14 und die Widerstände 16 und 23.

Der Widerstand 28 und der Transistor 14 bilden einen Emitterfolger ebenso wie der Widerstand 16 mit dein Transistor 12. Die hintereinandergeschalteten Emitterfolger bilden eine Transistorschaltung, deren effektive Basis an der Basis des Transistors 14 und deren effektiver Emitter am Emitter des Transistors 12 liegt und mc die effektive Impedanz am Emitter des Transistors Ii1 heraufsetzt und dadurch die Belastung des Resonanzkreises 14 verkleinert, dessen Güte Q durch die LC-Komponenten und den Widerstand 46 bestimmt ist.

so F i g. Ic zeigt die Vorspannungsschaltung für den Oszillator 10, wobei die Wechseistrompfade nichi ge/.eiji sind. Wie man sieht, wird der Oszillator im wesentlichen symmetrisch vorgespannt. Die Ruhespannung am Kollektor des Transistors 11 ist B + , seine Basisspannung liegt um 1 Übe und seine Emitterspannung um 2 Utv unterhalb von B +. Auf diese Weise kann die Spannung am Kollektor des Transistors 11 über fast 4 Übe verändern, ohne daß der Transistor 11 in die Sättigung gerat. Dadurch werden Veränderungen der Güte ζ) des Reso-

nanzkreises, temperatur- und/oder zeitabhängige Änderungen in der Sättigungsspannung des Transistors 11 oder im Wert des Widerstandes 16 verringert. Da diese unerwünschten Schwankungen der Schaltungsparameter sich bei dieser Schaltung nicht kritisch auswirken, besteht keine Notwendigkeit für eine Verstärkungsregelschaltung zur Einhaltung eines genauen Ausgangspegels.
Bei Ausbildung in integrierter Schaltung hat die An-

Ordnung gemäß Fig. la auch den Vorteil der Einsparung von Fläche auf dem Schaltungsplättchen. Da die Kollektoren der Transistoren 11, 86 und 92 zusammengeschaltet sind, kann man eine einzige Isolationsinsel verwenden, welche in das monolithische Halbleiterplättchen diffundiert ist, um die Kollektoren vom Substrat zu trennen. Die praktische Symmetrie der Schaltung und die geringe Belastung des Resonanzkreises erlauben einen Betrieb des Oszillators bei der Mittenfrequenz des Resonanzkreises, wenn die Regelspannung für die Multiplizierschaltung den Wert Null hat. Dies trägt dazu bei, die Frequenzänderungscharakteristik des spannungsgesteuerten Oszillators symmetrisch zu machen, und dies ist für Fernsehanwendungen besonders vorteilhaft. Ί5

Die Bestimmung der Güte Q des Kreises über die Wahl des parallel zum Resonanzkreis 40 wirksamen Widerstandes ermöglicht eine externe Bestimmung der Verstärkung des Oszillators.

F i g. 2 zeigt eine Ausführungsform, bei welcher die Vorspannungsschaltung anders ausgebildet ist, um die Möglichkeit eines Temperaturausgleiches zu bieten. Die Bezeichnungen der Schaltungselemente entsprechen denjenigen der F i g. 1, jedoch mit einer vorgestellten 2. Die Kollektoren der Transistoren 212, 213 und 214 in der Schaltung gemäß F i g. 2 sind ebenso wie in F i g. 1 an B + angeschlossen, jedoch sind der Resonanzkreis, der Kollektor des Transistors 211 und die Basen der Transistoren 213 und 214 an eine Vorspannungsquelle 200 angeschlossen, die als Batterie dargestellt ist und eine niedrigere Spannung als B + hat. Die Spannung am Emitterwiderstand 216 wird bei 2 Übe unterhalb des Potentials der Vorspannungsquelle 200 gehalten. Der Temperaturgang des Oszillators kann über die Einstellung der Spannung der Vorspannungsquelle 200 bestimmt werden. Beispielsweise führt eine Erhöhung der Vorspannung zu einem Anstieg der Spannung am Widerstand 216 und zu einem Ansteigen der mittleren Kollektorströme der Transistoren 211 und 212. Der ansteigende Kollektorstrom des Transistors 211 fließt über den Resonanzkreis 240 und erhöht die Wechselspannung an diesem. Damit läßt sich die Wechselspannung am Kollektor des Transistors 212 zur Verhinderung einer Sättigung steuern.

Die in F i g. 3 dargestellte Oszillatorschaltung ist ahnlieh wie diejenige der Fig.2, jedoch ist der Resonanzkreis noch besser von Schaltungsteilen isoliert, welche die Güte ζ) verschlechtern. Die Schaltelemente sind entsprechend F i g. 1 bezeichnet, jedoch mit vorgestellter 3. Das Ausgangssignal der als Block dargestellten Verstärkungsregeischaliung 360, welche der MultipliZierscha!- iung 60 in Fig. 1 entspricht, wird den zusammengeschalteten Emittern der Transistoren 311 und 312 anstatt dem Resonanzkreis, wie in den F i g. 1 und 2, zugeführt. Diese Injektion erfolgt an einem Punkt der Mitkopplungsschleife, welche die Kollektor-Emitter-Strekke des Transistors 311 und die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 312 und 314 enthält Die Impedanz der Verstärkungsregelschaltung beeinflußt jedoch nicht den Resonanzkreis 340, wie dies bei der Schaltung gemäß F i g. 1 der Fall sein kann, weil die Signaleinspeisung an einem niederohmigen Punkt der Mitkopplungsschleife erfolgt. Bei der Schaltung gemäß F i g. 3 wird der Resonanzkreis 340 nur durch den Kollektor des Transistors 311 und die Basis des Transistors 314 belastet, während der Resonanzkreis 40 gemäß F i g. 1 von den Kollektoren der Transistoren 11, 86 und 92 und der Basis des Transistors 14 belastet wird. Damit läßt sich die Impedanz des Resonanzkreises 340 und die Oszillatorschleifenverstärkung bei der Schaltung gemäß F i g. 3 in weiterem Ausmaß bestimmen.

Es versteht sich für den Fachmann, daß man eine höhere Stabilität erreichen kann durch Vergrößerung der Anzahl der hintereinandergeschalteten Emitterfolger in der Mitkopplungsschleife. So können drei oder mehr Emitterfolger in Kaskade geschaltet werden, nach Art der Fig. Ib und Ic, im Sinne einer höheren Stabilität, solange wie zusätzliche Basis-Emitter-Strecken mit der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 12 in Kaskade geschaltet werden, um die Vorspannungssymmetrie zu erhalten. Auch kann der Eingang des Stromspiegels 22, 24 gemäß Fig. 1 in den Koilektorkreis des Transistors 14 anstatt des Transistors 12 eingefügt werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Oszillator mit einem ersten und einem zweiten Transistor (11 bzw. 12), deren zusammengeschaltete Emitter an eine Stromquelle (Widerstand 16) angeschlossen sind, und mit einem dritten und einem vierten Transistor (13 bzw. 14), von denen der dritte (13) emitterseitig mit der Basis des ersten Transistors (11) und basisseitig mit einer Betriebsspannungsquelle (B +) gekoppelt ist und der vierte (14) emitterseitig mit der Basis des zweiten Transistors (12) verbunden ist, ferner mit einem frequenzbestimmenden Schwingkreis (40), der mit dem Kollektor des ersten (11) und der Basis des vierten Transistors (14) gekoppelt ist, und mit einem einstellbaren Phasenschieber (SO), der in eine aus dem ersten, zweiten und vierten Transistor (11, 12, 14) und dem Schwingkreis (40) gebildeten Mitkopplungsschleife des Oszillators eingeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des vierten Transistors (14) und der Kollektor des ersten Transistors (11) mit einem Ende des als Parallelschwingkreis (42, 44, 46) ausgebildeten frequenzbestimmenden Schwingkreises (40) gekoppelt sind, der mit seinem anderen Ende an die Betriebsspannung (B +) geführt ist.

2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektoren des dritten und vierten Transistors (13, 14) an die Betriebsspannungsquelle (B +) angeschlossen sind.

3. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingang des Phasenschiebers (50) mit dem Emitter des vierten Transistors (14) verbunden ist.

4. Oszillator nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang des Phasenschiebers (50) mit dem Kollektor des ersten Transistors (II) verbunden ist.

5. Oszillator nach Anspruch 1, 2 ocier 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang des Phasenschiebers (50) an den Zusammenschaltungspunkt der Emitter des ersten und zweiten Transistors (311,312) angeschlossen ist.

6. Oszillator nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter des dritten und vierten Transistors (13, 14) über einen ersten bzw. zweiten Widerstand (26; 226; 326 bzw. 28; 228; 328) mit einem Bezugspotential (Masse) verbunden sind.

7. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des zweiten oder vierten Transistors an den Eingang eines Stromspiegels (22, 24) geschaltet ist.