DD150822A5 - Durch eine steuerspannung in seiner frequenz veraenderbarer oszillator - Google Patents

Abstract

Beschrieben wird eine in der Frequenz veraenderbare Oszillatorschaltung mit einem Oszillatorteil, der an einen Phasenschieber und an ein in seiner Verstaerkung steuerbares Element zur Beeinflussung der Groesze des dem Oszillator wieder zugefuehrten phasenverschobenen Signals gekoppelt ist. Der Oszillator enthaelt einen ersten und einen zweiten Transistor, die mit ihren Emittern an eine Stromquelle angeschlossen sind. Die Emitter eines dritten und eines vierten Transistors sind mit der Basis des ersten bzw. zweiten Transistors verbunden. Die Basis des dritten Transistors ist an eine Spannungsquelle und die Basis des vierten Transistors an den Kollektor des ersten Transistors zur Bildung einer schwingungsfaehigen Rueckkopplungsschleife angeschlossen. Zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und der Spannungsquelle befindet sich ein Parallelresonanzkreis, welcher die frequenzempfindliche Phasencharakteristik der Schleife bestimmt, durch welche die Ruhefrequenz festgelegt wird. Der Phasenschieber ist an einem Punkt der Rueckkopplungsschleife angeschlossen. Das in seiner Verstaerkung steuerbare Element ist mit dem Ausgang des Phasenschiebers verbunden.

Description

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Durch eine Steuer3pannung in seiner Frequenz veränderbarer Oszillator

Anwendungsgebiet der Erfindung»

Die Erfindung betrifft einen durch eine Steuerspannung in seiner Frequenz veränderbaren Oszillator.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen;

Bei Fernsehempfängern wird die sich wiederholende Horizontal- und Vertikalablenkung еіпез Elektronenstrahls zur Bildung eines Rasters mit Horizontal- und Vertikalsynchronimpulsen synchronisiert, die in zeitlicher Relation zur wiederzugebenden Information auftreten. Damit man eine kontinuierliche Ablenkung auch bei fehlender Siganlführung erhält, wird die Horizontalablenkung durch einen Oszillator gesteuert, der mit denim Videosignalgemisch enthaltenden Synchronimpulsen synchronisiert ist und bei Fehlen von Synchronimpulsen frei schwingt. Bei früheren Fernsehempfängern wurden die Oszillatoren direkt durch das Synchronsignal syn-

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chronisiert, etwa durch Injektionssynchronisation. Damit dies in zuverlässiger V/eise vor sich ging, mußte die Freilauffrequenz des Oszillators dicht bei der Horizontalablenkfreuqnz liegen. Wegen mit direkter Synchronisation verbundenen Störungsproblemen hat sich die indirekte Synchronisation in der Praxis eingeführt. Hierbei wird ein Oszillator mit einem Phasendetektor und einem Filter in einer Gegenkopplungsphasenverriegelungsschleife zusammengeschaltet, in welcher das 0szillatorausgang3signal mit dem zeitlichen Mittel der Synchronisierimpulse synchronisiert wird. Die Phasenverriegelungsschleife läßt einen endlichen Phasenfehler zwischen dem Oszillatorsignal und dem gemittelten Synchronsignal zu, der mit abnehmender Schleifenverstärkung der Phasenverriegelungsschleife zunimmt. Zur Verringerung des Phasenfehlers ist es wünschenswert, die Freilauffrequenz des Oszillators so nah wie möglich an die Ablenkfrequenz (bei NTSC-Empfängern näherung3weise 15,734 kHz) zu legen. Es ist im allgemeinen erwünscht, die Notwendigkeit von Justierungen dew Horizontalhaltebereich3 (Oszillatorfrequenz) zu vermeiden, und damit eine solche Halteeinstellung überflüssig wird, müssen die automatischen Frequenz- und Phasenregelschaltungen (AFPC), zu denen die Phasenregelschleife gehört, unter allen Temperatur- und auch extremen Toleranzbedingungen, mit denen zu rechnen ist, zuverlässig und reproduzierbar arbeiten. Der spannungsgesteuerte Oszillator in einer solchen Regelschleife muß stabil sein und muß einen bestimmten Änderungsbereich und -grad haben.

RC- oder Sägczahno3zillaotren sind im Vergleich zu LC-Oszillatoren weder temperatur- noch zeitstabil. Kristalloszillatoren, wie sie in den US-PS 4 020 500 und 3 054 96? beschrieben sind, sind zwar stabil, aber sie lassen sich nur schwierig genügend weit in der Frequenz ziehen, wie es zur Synchronisierung nit nicht normgerechten Synchronisiersig-

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nalen erforderlich ist, wie sie von Heimvideokameras oder Videobandgeräten geliefert werden. Unter den verschiedenen LC-Oszillatoren haben diejenigen mit Reihenresonanzkreisen eher eine niedriegere Qualität (was die Güte Q anbetrifft) und sie sind daher stärker verlustbehaftet und weniger stabil als äquivalente Parallelreoonanzschaltungen. Ein Reihenresonanzoszillator ist in der US-PS 4 055 817 beschrieben.

Von den Parallelresonanz-LC-Schaltungen sind diejenigen, welche eine reaktive Impedanztransformation zur Erzielung ©iner hohen Gute Q erhalten, also etwa solche, die mit kapazitiven Spannungsteilern gemäß der US-PS 3 553 459 arbeiten, unzweckmäßig, weil sie kompliziert sind und eine große Anzahl von Bauelementen benötigen.

Eine größere Zuverlässigkeit bei komplexen Schaltungen, wie etwa AFPC-Schleifen, erhält man, wenn man den größeren Teil der Schaltung in Form einer integrierten Schaltung ausbildet· Oszillatoren mit Parallelresonanztankkreisen, die zwischen den Kollektoren eines Differenzverstärkertransistorpaares geschaltet sind, eigenen sich normalerweise nicht für integrierte Schaltungen, weil sie eine große Anzahl von Schaitungsanschlüssen oder Verbindungspunkten zwischen dem IC und dem externen Tankkreis erfordern. Bei denjenigeb integrierten Schaltungen, bei welchen die Anzahl benötigter Anschlußflächen verringert ist durch Anschließen eines Endes des Tankkreises an ein Bezugspotential, das auch noch andererseits für den Betrieb der integrierten Schaltung benötigt wird, kann die Zusammenschaltung der Eingangsimpedanz des Oszillators und der externen Last so niedrig werden, daß die Güte Q des Tankkreises beeinträchtigt wird.

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Die Transistoren des Oszillators sollen möglichst nicht im nichtlinearen oder Sättigungsbetrieb arbeiten, damit man eine maximale Stabilität und minimale Kurνenfоrmverzerrungen erhält. Eine Schaltung, welche dies durch Anwendung einer automatischen Verstärkungsregelschaltung (AGC) erreicht, ist in der US-PS 3 649 929 beschrieben. Die Verstärkungsregelschaltung korrigiert die Toleranzen oder temperatur- und zeitabhängige Änderungen der Werte der verschiedenen Bauelemente, welche den Arbeitspunkt des Oszillators soweit zu verschieben suchen, daß ITichtlinearitäten auftreten. Eine Verstärkungsregelschaltung erfordert jedoch zusätzlich Schaltungsteile einschließlich Integrationskondenoa&oren. Solche Kondensatoren eignen sich aber nicht für integrierte Schaltungen.

Ziel der Erfindung:

Mit der Erfindung soll ein frequenzveränderbarer Oszillator, der mit ungesättigten Transistoren arbeitet und keine automatische Verstärkungsregelschaltung benötigt, geschaffen werden, ferner soll diese Oszillatorschaltung einen Parallelreaonanz-Tankkreis verwenden, bei dem die auf den IPankkreis einwirkende Impedanz so hocht ist, daß sich die Güte Q durch externe LC-Komponenten und einen externen 'Widerstand beeinflussen läßt, und bei der der Tankkreis die Schaltung nicht belastet. Ferner soll die Schaltung bei der Mittenfrequenz des Tankkreises schwingen, wenn die Frequenzregelschaltung Hull ist, damit die Frequenzregelkenn-*· linie symmetrisch wird und die Mittenfrequenzdrift möglichst klein ist.

Darlegung des Wesens der Erfindung:

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält ein frequenzveränderbarer Oszillator, der sich mit

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einer Steuerspannung regeln läßt, einen ersten und einen zweiten Transistor mit je Basis- und Kollektorelektroden. Die Emitter des ersten und zweiten Transistors sind zusammengeschaltet und mit einer Stromquelle verbunden. Der dritte und der vierte Transistor, die ebenfalls je Basis-Und Emitterelektroden aufweisen, sind mit ihren Emitterelektroden an die Basen des ersten bzw. zweiten Transistors angeschlossen. Die Basis des dritten Transistors ist an eine Betriebsspannungsquelle angeschlossen, die Basis des vierten Transistors ist zur Bildung einer schwingungsfähigen Mitkopplungsschleife an den Kollektor des ersten Tranaistors angekoppelt. Ein Parallelresonanzkreis liegt zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und der Spannung3quelle zur Bildung einer frequenzempfindlichen Pha3encharaktiristik in der Schleife. Ein einstellbares Phasenverschiebungsglied ist mit einem Eingang an einen ersten Punkt der Mitkopplungsschleife und mit einem Ausgang an einen zweiten Punkt der Mitkopplungsschleife angeschlossen und entnimmt aus dieser am ersten Punkt ein Oszillatorsignal, das nach Phasenverschiebung unter Steuerung durch die Regelspannungsquelle zur Stabilisierung der Oszillatorfrequenz am zweiten Punkt wieder in die Mitkopplungsschleife eingeführt wird.

Ausführunnobeispiclc:

In den beiliegenden Zeichnungen zeigen die

Pig. la: die Schaltung einer Phasenverriegelungsbis Ic: schleife zur Verwendung in einem Fernsehempfänger gemäß der Erfindung und die

Pig. 2: alternative Ausführungsformen der Anordnung und 3: gemäß Pig. I.

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Pig. la zeigt allgemein einen Oszillator 10, der bei einer Nominalfrequenz arbeitet, welche durch einen Tankkreis bestimmt wird. Ein Ausgangssignal des Oszillators wird über eine Phasenschieberschaltung 50 einer Multiplizierschaltung 60 zugeführt, die als Verstärker mit veränderbarer Verstärkung zur Bestimmung der Amplitude und Richtung der Phasenverschiebung des dem Oszillator wieder zugeführten Signals dient. Ein anderes Ausgangssignal des Oszillators wird einem Phasendetektor 100 zugeführt, der es mit einem Synchronisiersignal, wie etwa den von der Synchronsignaltrennschaltung eines Fernsehempfängers gelieferten Horizontalsynchronsignalen, vergleicht. Das Ausgangssignal des Phasendetektors wird gefiltert und als Regelspannung der IJultiplizierschaltung 60 zur Frequenz- und Phasenregelung des Oszillators 10 zugeführt.

Der Oszillator 10 enthält einen ersten und einen zweiten NPN-Transistor 11 und 12, welche miteinander emittergekoppelt sind. Den zusammengeschalteten Emittern wird ein Strom von einer Stromquelle zugeführt, welche aus einem zw.ischen die Emitter und Masse geschalteten Widerstand besteht. Ein dritter und ein vierter 1TP1I-Tran3istor 13 und 14 sind mit ihren Emittern an die Basen der Transistoren 11 bzw. 12 angeschlossen. Die Вазіз des als Diode geschalteten Transistors 13 ist an einen Zwischenanschluß 18 zwischen der Schaltung, wenn diese аіз integrierte Schaltung ausgeführt ist, und einer äußeren Spannungsquelle B+ angeschlossen. Die Basis de3 Transistors 14 liegt am Kollektor des Transisitors 11, und diese beiden sind mit einem Zwischenanschluß 20 verbunden. Es wird eine Mitkopplungsschleife gebildet durch einen Strompfad, der vom Kollektor des Transistors 11 über die Baais-Emitter-Strecken der Transistoren 14 und 12 und zurück über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 11 verläuft, und diese Mitkopplungsschleife kann schwingen.

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Der Kollektor des Transistors 12 ist so geschaltet, daß er den Eingangsstrom eines als Diode geschlateten PlTP-Transistors 22 führt, der zusammen mit einem weiteren PlTP-Transistor 24 als Stromspiegel geschaltet ist. Der Ausgangsstrom des Stromspiegels wird vom Kollektor des Transistors 24 an einen als Block dargestellten Phasendetektor 100 geliefert. Die Transistoren 13 und 14 arbeiten im Ienearen Teil ihrer Kennlinie und werden durch Widerstände 26 bzw. 38 vorgespannt, welche ihre Emitter mit Masse verbinden. Die Betriebsfrequenz der Mitkopplungsschleife wird durch einen zwischen die Anschlüsse 18 und 20 geschalteten Tankkreis 40 bestimmt. Dieser Tankkreis enthält eine Induktivität 42, welche parallel zu einer Kapazität 44 liegt. Die Güte Q des Kreises kann durch einen über die Induktivität 42 geschalteten externen Widerstand 46 herabgesetzt werden.

An einem niederohmigen Punkt, nämlich am Emitter des Transistors 14 wird der LIitkopplungsschleife des Oszillators 10 ein Ausgangasignal entnommen, das über einen Kondensator 52 der Phasenschieberschaltung 50 dem Eingang einer Multiplizierschaltung 60, nämlich der Вазіз eines ITPIT-Transistors 62, zugeführt wird. Die Eingangsirmedanz der Multiplizierachaltung 60 trägt in Verbindung mit ihren Vorspannungswiderständen zur Bestimmung der Phasenverschiebung der Phasenschieberschaltung 50 bei. Der Kollektor аез Transistors 62 i3t an die Spannungsquelle B+ angeschlossen, sein Emitter liegt an der Basis de3 NPIT-Tranoistors 66 und außerdem über einen Widerstand 64 an Ыаззе. Der Transistor 66 bildet mit einem ITPIT-Transistor 68 ein emittergekoppeltes Paar, dessen zusammengeochalteten Emittern Strom von einem Widerstand 70 zugeführt wird, der zwischen diesen Emittern und blasse liegt. Ein Spannungsteiler 72 mit Widerständen 74 und 76 liegt zwischen dem Anschluß 18 und Masse, und die an seinem Abgriff entstehende Spannung wird

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der Basis des HPII-Transistors 80 über einen Widerstand 82 zugeführt. Der Kollektor des Transistors 80 liegt an der Sapnnung B+ und sein Emitter ist an die Вазіа de3 Transistors 68 und über einen Widerstand 84 an Masse geführt. Die Schaltung mit den Widerständen 62 bis 80 dient als Paraphasenveratärker, der ein erdunsymmetrische3 phasenverschobenea Eingangssignal in zwei gegenphasige Signale an den Kollektoren der Transistoren 66 und 68 zur Gegentaktansteuerung des restlichen Teils der Llultiplizierschaltung 60 umwandelt.

Der Kollektor des Transistors 66 liegt an den zusammengeschalteten Emittern der IJPIJ-Transistoren 86 und 88, und der Kollektor des Transistors 68 liegt an den zusammengeschalteten Emittern dor HPlI-Transistoren 90 und 92. Die Basen der Transisotron 88 und 92 sind zur Bildung einer Hälfte des Differenzsteuereingangs de3 Dämpfungsveränderungsabschnittes der Llultiplizierschaltung 60 zusammgengeschaltet und die Basen der Transistoren 86 und 90 sind zur Bildung der anderen Hälfte -des Differenzoingang3 zusammengeschaltet. Der Differenzsteuercingang für die Transistoren 86 bis 92 ist an den Ausgang eines аіз Block dargestellten Pilterkrei3es 110 angeschlossen. Die Kollektoren der Transistoren 86 und 92 sind zur Bildung des Ausgangs der I.Iultiplizierschaltung 60 zuoaramengeschaltet und am Kollektor des Transistors 11 mit der Iuitkopplung3-schleife des Oszillators 10 gekoppelt. Die Kollektoren der Transistoren 88 und 90 sind zu3ammgengeschaltet und liegen am Anschluß 18.

Die Phasenverriegelung3schleife wird vervollständigt durch den Anschluß des Ausgangs des Phasendetektors 100 an den Eingang der Filterschaltung 110. Ein zweiter Eingang des Pha3endetektors 100 ist an eine nicht dargestellte Synchronsignalschaltung angeschlossen, зо daß für ein Hach-

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laufen des Frequenz und Phase dea Oszillators IO nach den Synchronsignalen gesorgt ist. Die Betriebsweise eines Phasenverriegelungaschleife ist im Stande der Technik bekannt und braucht hier nicht im einzelnen erläutert zu werden. Ebenso sind Multiplizierschaltungen wie die Schaltung 60 bekannt, wofür als Beispiel auf die bereits erwähnte US-PS 4 020 500 verwiesen aei. Die Betriebsweise des Oszillators 10 wird unter Zuhilfenahme der Pig. Ib und Ic verständlich. Pig. Ib zeigt in etwa funktionsmäßig das Wechselstromersatzschaltbild des Oszillators 10. Die niederohmigen Quellen sind als Masse angesetzt worden und die Vorspannungsverhältnisse sind vernachlässigt. Die Anordnung gemäß Pig. Ib zeigt sich als Oszillator in Basisgrundschaltung mit einem Durchlaßstromweg vom Kollektor zum Emitter des Transistors 11, und der Rückkopplungsweg enthält die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren und 14 und die Widerstände 16 und 28. Der Widerstand 28 und der Transistor 14 bilden einen Emitterfolger ebenso wie der ''Widerstand 16 mit dem Transistor 12. Die hintereinandergeschalteten Emitterfolger bilden eine Transistorechaltung, deren effektive Basis an der Basis des Transistors 14 und deren effektiver Emitter am Emitter des Transistors 12 liegt und die die effektive Impedanz am Emitter des Transistors 11 heraufsetzt und dadurch die Belastung de3 Tankkreises 14 verkleinert, so daß seine Güte Q durch LC-Komponenten und/oder den Widerstand 46 bestimmt ist.

Pig. lc zeigt die Vorspannungsschaltung für den Oszillator 10, wobei die Y/echnelstrompfade nicht gezeigt sind. Wie man sieht, erfolgt die Vorspannung im wesentlichen symmetrisch. Die Ruhespannung am Kollektor des Transistors ist B+, seine Basisspannung liegt um 1 V, und seine Emitterspannung um 2 V_be unterhalb von B+. Auf diese Weise kann die Spannung am Kollektor des Transistors 11 sich über fast 4 V^_e verändern, ohne daß der Transistor 11 gesättigt wird.

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Dadurch werden Veränderungen der Güte Q des Tankkreises, temperatur- und/oder zeitabhängige Änderungen in der Sättigungsspannung des Transistors 11 oder im Wert des Widerstandes l6 im Vergleich zur gewünschten Signalampiitude verringert. Da diese unerwünschten Schwankungen der Schaltungsparameter sich bei der erfindungsgemäßen Schaltung nicht kritisch auswirken, besteht keine llotwendigkeit für eine Verstärkuungsregelschaltung zur Einhaltung eines genauen Ausgangspegels.

Bei Ausbildung in integrierter Schaltung hat die Anordnung gemäß Fig. la auch den Vorteil der Einsaprung von Fläche auf dem SchaltungsplUttchen. Da die Kollektoren der Transistoren 11, 86 und 92 zusammengeschaltet sind, kann man eine einzige Isolationsinsel verwenden, welche in das monolithische Halbleiterplättchen diffundiert ist, um die Kollektoren vom Substrat zu trennen. Die praktische Symmetrie der Schaltung und die geringe Belastung des Тапккгеізез erlauben einen Betrieb des Oszillators bei der Llittenfredes Тапккгеізез, wenn die Regelspannung für die Llultiplizierschaltung den V/ert Hull hat. Dies trägt dazu bei, die Frequenzänderungscharakteri3tik des spannungsgesteuerten Oszillators symmetrisch zu machen, und die3 ist für Fernsehanwendungen besonders vorteilhaft.

Die Bestimmung der Güte Q des Кгеісез üoer die V/ahl des parallel zum Тапккгеіз 40 wirksamen V/iderstandes ermöglicht eine externe Bestimmung der Verstärkung des Oszillators.

Fig. 2 zeigt eine Ausführungsforra der Erfindung, bei welcher die Vorspannungsschaltung anders ausgebildet ist, um die Möglichkeit еіпез Temperaturausgleiches zu bieten. Die Bezeichnungen der Schaltungselemente entsprechen denjenigen der Fig. 1, jedoch mit einer vorgestellten 2. Die Kollektoren der Transi3otren 212, 213 und 214 in der Schaltung gemäß Fig. 2 3ind ebenso wie in Fig. 1 an B+ angeschlossen,

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jedoch sind der Tankkreis, der Kollektor des Transistors 211 und die Вазеп der Transistoren 213 und 214 an eine Vorspannungsquelle 200 angeschlossen, die аіз Batterie dargestellt ist und eine niedrigere Spannung als Ы/ hat. Die Spannung am Emitterv/iderstand 216 wird bei 2 V, unterhalb des Potentials der Vorspannungsquelle 200 gehalten. Der Temperaturgang des Oszillators kann über die Einstellung der Spannung der Vorspannungsquelle 200 bestimmt werden» Beispielsweise führt eine Erhöhung der Vorspannung zu einem Anstieg derSpannung am Widerstand 216 und zu einem Ansteigen der mittleren Kollektorströme der Tansistoren 211 und 212, Der ansteigende Kollektorstrom des Transistors 211 fließt über den Resoanzkreis 240 und erhöht die Wechselspannung an diesem. Damit läßt sich die Wechselspannung am Kollektor des Transistors 212 zur Verhinderung einer Sättigung steuern.

Die in Pig. 3 dargestellte Oszillatorschaltung ist ähnlich wie diejenige der Pig. -2, jeodch ist der Тапккгеіз noch weiter von Kopplungen isoliert, welche die Güte Q verschlechtern. Die Schaltelemente sind entsprechend Pig. I bezeichnet, jedoch mit vorgestellter 3. Da3 Au3gangssignal der als Block dargestellten Verstärkungsregelschaltung ЗбО, welche der LTultiplizierschaltung 60 in Pig. I entspricht, wird dem zusammengeschalteten Emittern der Transistoren 311 und 3k2 anstatt dem Tankkreis, wie in den Pig. I und 2, zugeführt. Diese Injektion erfolgt an einem Punkt der Mitkopplungsschleife, welche die Kollektor- Emitter-Strecke des Transistors 311 und die Basis-Emitter-Strecken der Traneisotren 312 und 314 enthält. Die Impedanz der Verstärkungsregelschaltung beeinflußt jedoch nicht den Tankkreis 314, wie dies bei der Schaltung gemäß Pig. 1 der Fall sein kann, weil die Signaleinspeisung an einem niederohmigen Punkt der Mitkopplungsschleife erfolgt. Bei der Schaltung gemäß Pig. wird der Tankkreis 340 nur durch den Kollektor de3 Tran-

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siators 311 und die Basis des Transistors 314 belastet, während der Tankkreis 40 gemäß Fig. 1 von den Kollektoren der Transistoren 11, 86 und 92 und der Ваэіз des Transistors 14 belastet wird. Damit läßt sich die Impedanz des Tankkreises 340 und die Oszillatorschleifenverstärkung bei der Schaltung gemäß Fig. 3 in weiterem Ausmaß bestimmen.

Es versteht sich für den Fachmann, daß man eine höhere Stabilität erreichen kann durch Vergrößerung derAnzahl der hintereinandergeschalteten Emitterfolger in der Llitkopplungsschleife. So können drei oder mehr Emitterfolger in Kaskade geschlatet werden, nach Art derFig. Ib und Ic, im Sinne einer höheren Stabilität, solange wie zusätzliche Bais-Emitter-Strecken mit der Вазіз-Eraitter-Strecke des Transisotrs 12 in Kaskade geschaltet werden, um die Vorapannungssymmetrie zu erhalten. Auch kann der Eingang des Stromspiegels 22, 24 gemäß Fig. 1 in den Kollektorkreis des Transistors 14 anstatt de3 Transistors 12 eingefügt werden·

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Claims (8)

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1. Durch eine Steuerspannung in зеіпег Frequenz veränderbarer Oszillator, gekennzeichnet durch einen ersten und einen zweiten Transistor (11; 211; 311 bzw. 12; 212; 312), deren Emitter zusaramengeschaltet und an eine Stromquelle (16; 216; 316) angeschlossen sind, durch einen dritten und einen vierten Transistor (13; 213; 313 bzw. 14; 214; 314), deren Emitter entsprechend an die Bais des ersten bzw. zweiten Transistors angeschlossen sind, während die Basis des dritten Transistors an eine Betriebsspannungsquelle (B+; 200; 300) und die Basis des vierten Transistors an den Kollektor des ersten Transistors zur Bildung einer schwingungsfähigen Mitkopplungsschleife angeschlossen sind, durch einen Parallelresonanzkreis (40; 240; 340), der zwischen den Kollektor de3 ersten Transistors und die Betriebsspannungsquelle zur Bestimmung der frequenzempfindlichen Phasencharakteristik in der Schleife gekoppelt ist, durch eine veränderbare Phasenschieberschaltung (5), die mit einem Eingang an einen ersten Punkt der I.Iitkopplungsschleife und mit einem Ausgang an einen zweiten Punkt der Mitkopplungsschleife angeschlossen ist, um der Mitkopplungsschleife am ersten Punkt ein Oszillatorsignal zu entnehmen und es nach Phasenverschiebung unter Steuerung durch die Regelspannung zur Bestimmung der Schwingungsfrequenz an einem zweiten Punkt in die Schleife wieder einzukoppeln,

2, Oszillator nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Kollektoren des zweiten, dritten und vierten Transistors (12, 13, 14) an die Betriebsspannungsquelle (B+) angeschlossen sind.

3« Oszillator nach Punkt 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Stromquelle einen Widerstand (16) umfaßt.

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4. Oszillator nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der erste Punkt der Emitter der vierten Transistors (14) ist.

5„ Oszillator nach einem der Punkte 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß der zweite Punkt der Kollektor des ersten Transistors (11) ist.

6. Oszillator nach Punkt 4, gekennzeichnet dadurch, daß der zweite Punkt der Zusammenschaltungspunkt der Emitter des ersten und zweiten Transistors (311, 312) ist.

7. Oszillator nach einem der vorstehenden Punkte, gekennzeichnet dadurch, daß die Emitter des dritten und vierten Transistors über einen ersten bzw. einen zweiten Widerstand (26; 226; 326 b.zw. 28; 228; 328) zur Vorspannung des dritten und vierten Transistors für linearen Betrieb mit einem Bezugspotential (!.lasse) verbunden sind.

8. Oszillator nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch einen Stromspiegel (22; 24; 222; 224; 322; 324), dessen Eingang in Reihe mit .einem der Kollektoren des zweiten bzw. vierten Transistors geschaltet ist.

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