DE2947761A1

DE2947761A1 - Geregelte spannungsversorgung mit spannungsvervielfacherschaltung

Info

Publication number: DE2947761A1
Application number: DE19792947761
Authority: DE
Inventors: Roger Green Neshanic Station N.J. Stewart
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1978-11-28
Filing date: 1979-11-27
Publication date: 1980-06-04
Also published as: IT1193339B; US4236199A; FR2443159A1; IT7927565A0; FR2443159B1; JPS5574376A; JPS6053553B2

Description

Geregelte Spannungsversorgung mit Spannungsvervielfacher schal tung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine geregelte Spannungsversorgung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Insbesondere betrifft die Erfindung Spannungsversorgungsschaltungen, die eine frequenzabhängig arbeitende Spannungsvervielfacherschaltung erhalten.

Spannungsversorgungss (haitungen dieses Typs werden benötigt, wenn man eine Ausgangsgleichspannung braucht, die einen höheren Wert hat als eine Versorgungs- oder Schieneneingangsspannung. Man findet solche Spannungsversorgungsschaltungen zum Beispiel bei Einrichtungen, in denen eine höhere Speise- oder Steuerschaltung für Flüssigkristalieinrichtungen, die Leseschaltung eines EAROM oder eines statischen RAM (also bestimmte Datenspeicherschaltungen) benötigt werden oder die Arbeitsgeschwindigkeit von CMOS-Verknüpfungsschaltwerken oder Mikro-

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-6-prozessorschaltungen erhöht werden sollen.

Bei den bekannten Spannungsversorgungsschaltungen dieser Art ist der Betriebswirkungsgrad nur in einem ziemlich engen Belastungsbereich relativ hoch. Außerdem läßt die Regelung der Ausgangsspannung der bekannten Spannungsversorgungsschaltungen zu wünschen übrig, so daß die Ausgangsspannung ziemlich stark von der Eingansspannung und der Belastung der Ausgangsspannung abhängt.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile zu vermeiden.

Diese Aufgabe wird bei einer Spannungsversorgung der eingangs genannten Art durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Bei einer Spannungsversorgungsschaltung gemäß der Erfindung erfolgt die Regelung also durch einen in eine Rückführungsschleife zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Spannungsvervielfacherschaitung geschalteten spannungsgesteuerten Oszillator, der die Steuer- oder Speisefrequenz der Spannungsvervielfacherschaltung entsprechend dem Ausgangsspannungswert steuert. Der Wirkungsgrad wird gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung dieser Spannungsversorgungsschaltung dadurch verbessert, daß eine Stromverstärkung in einer Puffereinrichtung bewirkt wird, welche die Eingangscharakteristik der Spannungsvervielfacherschaltung an die Ausgangscharakteristik des spannungsgesteuerten Oszillators anpaßt.

Bei einer speziellen, vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist eine Niveau- oder Pegel verschiebungsschaltung vorgesehen, um die Spannungsvervielfacherschaltung zu desaktivieren, während ihre Eingangs- oder Schienenspannung als Ausgangsspannung geliefert wird.

Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Es zeigen:

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Figur 1 ein Blockschaltbild einer Spannungsversorgung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung und

Figur 2 ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, die die Schaltungsanordnungen der Ausführungsform gemäß Fig. 1 in Kombination mit weiteren Schaltungsanordnungen enthält.

Die in Fig. 1 als Blockschaltbild dargestellte Spannungsversorgung enthält eine Spannungsvervielfacherschaltung 12 eines Typs, bei dem der Wert der Ausgangsspannung proportional der Frequenz der Spannung ist, mit der die Spannungsvervielfacherschaltung gesteuert oder gespeist wird. Zwischen den Ausgang und den Eingang der Spannungsvervielfacherschaltung 12 ist ein Rückführungszweig geschaltet, der einen spannungsgesteuerten Oszillator 14 enthält, um die Steuerfrequenz der Spannungsvervielfacherschaltung in Abhängigkeit vom Wert der Ausgangsspannung zu steuern. Da der Eingang der Spannungsvervielfacherschaltung 12 von ihrem eigenen Ausgang über den spannungsgesteuerten Oszillator 14 gesteuert wird, nimmt der Wert der Ausgangsspannung der Spannungsversorgung 10 einen stabilisierten oder geregelten Wert an. Dieser* Wert ist relativ unabhängig von der Belastung, dem Frequenzgang der Spannungsvervielfacherschaltung 12 und der Spannungsabhängigkeit des spannungsgesteuerten Oszillators 14. Ferner wird Leistung gespart, da die Schwingungsfrequenz des spannungsgesteuerten Oszillators nur gerade so hoch ist,wie es für die Aufrechterhaltung des Wertes der Ausgangsspannung bei der jeweiligen Belastung erforderlich ist.

Das Erfindungsprinzip läßt sich auf die verschiedenste Weise realisieren. Eine bevorzugte Ausführungsfomi ist in Fig. 2 dargestellt, in der die Spannungsvervielfacherschaltung 12' und der spannungsgesteuerte Oszillator 14' genauer dargestellt sind.Die Spannungsvervielfacherschaltung 12' enthält Dioden D., D„,...Dq, die mit Kondensatoren C., C^,...Cg eine Leiter- oder Kettenschaltung bilden. Die Dioden D. bis D_g sind mit gleicher Polung in Reihe zwischen eine Eingangs- oder Schienenspannungsklemme +V und eine Ausgangsklemme T_n geschaltet, während die Kondensatoren C. bis C_ft individuell zwischen die verschiedenen Verbindungen zwischen den einzelnen Dioden D₁ bis Dg und abwechselnd eine von zwei komplementären Takteingangsklemmen φ bzw. φ geschaltet sind, wie aus Fig. 2 ersichtlich ist. Durch eine solche Leiter-

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schaltung wird die Spannung an der Klemme T_Q auf ähnliche Weise erhöht, wie bei der bekannten Cockcroft-Walton-Spannungsverviel facherschaltung siehe z.B. die Veröffentlichung "On-Chip High-Voltage Generation in MNOS Integrated Ciruits Using an Improved Voltage Multiplier Technique," IEEE Journal of Solid State Circuits, Band SC-11, No. 3, Juni 1976. Durch die Oiodenkette D- bis Dg wird also Strom "gepumpt", wenn die Kondensatoren C., C,. Cg und C, während alternierender Halbwellen des Taktsignals aufgeladen bzw. entladen werden, während die Kopplungskondensatoren C₂, C., Cg und Cg während der gleichen Halbwellen entladen bzw. geladen werden. Dabei nimmt die Spannung an den aufeinanderfolgenden Verbindungspunkten der Dioden der Diodenkette progressiv bis zum Ausgangsspannungswert an T_Q zu. Anstelle der in Fig. 2 dargestellten Leiterschaltung kann die Spannungsverviel facherschaltung 12' selbstverständlich auch andere frequenzempfindliche Spannungsverviel facherschal tungen enthalten. Außerdem kann zwischen den Ausgang der Spannungsvervielfacherschaltung 12 und Masse ein Kondensatorinicht dargestellt) geschaltet werden, wenn eine Glättung der Welligkeit der Ausgangsspannung erwünscht ist.

Der spannungsgesteuerte Oszillator 14' enthält eine ungeradzahlige Mehrzahl von Inverterstufen, hier drei Inverterstufen I-, I₂ und I,. die in eine kontinuierliche Schleife oder einen Ring geschaltet sind. Ferner ist eine Einrichtung 16 vorgesehen, um den zu einer oder mehreren der Inverterstufen fließenden Strom entsprechend dem Wert der Spannung an einer Klemme Ty zu steuern. Da die kontinuierliche Schleife eine ungerade Anzahl von Inverterstufen enthält, liefert der Spannungsgesteuerte Oszillator 14' ein Schwingungssignal am Ausgang jeder der Inverterstufen I₁, I₂ und I₃. Die Frequenz dieser Schwingungssignale hängt von der Kombination der Betriebseigenschaften der Inverterstufen ab, insbesondere von ihren Eingangskapazitä'ten, die während jedes Schwingungszyklus geladen und aufgeladen werden müssen. Wenn die Schaltung der Inverterstufen Ip I₂ und I₃ einmal gewählt worden ist, liegen die Funktionseigenschaften fest und die Frequenz des spannungsgesteuerten Oszillators 14' wird dann durch die Stromsteuereinrichtung 16 bestimmt, wie z.B. in der US-PS 40 72 910 erläutert ist.

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AIs Stromsteuereinrichtung 16 und die verschiedenen Inverterstufen I., I_? und I^ kann man verschiedene Schaltungsanordnungen verwenden. Die Ausführungsform gemäß Fig. 2 wurde für eine Anwendung der Spannungsversorgung ausgelegt, bei der durch ein Kommando- oder Steuersignal an einer Steuersignalklemme Tp nach Wunsch einer von zwei positiven Ausgangsspannungswerten gewählt werden kann. Eine solche Spannungsversorgung eignet sich besonders zur Erzeugung von zwei Werten einer Ausgangsspannung vorgegebener Polarität, wie sie bei manchen Datenspeichern während des Abfrage- bzw. Speicherzyklus benötigt werden. Das Steuersignal an der Klemme T_c wird einem Eingang eines NAND-Gliedes zugeführt, das als Inverterstufe I₃ geschaltet ist. Das Ausgangssignal des spannungsgesteuerten Oszillators 14' wird vom Ausgang dieses NAND-Gliedes abgenommen, der außerdem mit den Steuerelektroden zweier komplementärer MOS-Transistoren Q. und Q_? verbunden ist, die eine bekannte CMOS-Schaltung bilden, die als Inverterstufe I. arbeitet. Die Drain-Source-Kanäle der Transistoren Q. und Q_? sind in Reihe geschaltet und das Ausgangssignal der Inverterstufe I. wird von der Verbindung der Kanäle dieser Transistoren abgenommen und dem Eingang einer Inverterstufe I- zugeführt. Der andere Eingang des NAND-Gliedes ist mit dem Ausgang der Inverterstufe I2 verbunden, die in irgendeinerlbekannten Weise geschaltet sein kann, z.B. wie die CMOS-Inverterstufe I.. Das die Inverterstufe I·, bildende NAND-Glied invertiert das Ausgangssignal der Inverterstufe I_? nur, wenn das Steuersignal an der Klemme Tp positiv ist. Ohne ein positives Steuersignal an der Klemme T- treten daher in der geschlossenen Schleife des spannungsgesteuerten Oszillators 14' keine Schwingungssignale auf; der Oszillator ist dann außer Betrieb und an seinem Ausgang tritt eine Gleichspannung auf.

Die Stromsteuereinrichtung 16 enthält MOS-Transistoren Q3 und Q4 des gleichen Leitungstyps wie Q2, und MOS-Transistoren Q5 und Q6 des gleichen Leitungstyps wie QI. Die Transistoren Q3 und Q5 dienen zur Zuführung von Strom zur Inverterstufe I. von der die niedrige bzw. die hohe Spannung führenden Zuführungsleitung oder Leitungsschiene. Die Größe des zugeführten Stromes wird durch die MOS-Transistoren Q4 und Q6 gesteuert, die mit den Transistoren Q3 bzw. Q5 konventionelle Stromspiegel verstärker CMA-I bzw. CMA-2 bilden. Die Klemme T,, ist mit dem Eingang CMA-I verbunden und der Wert der an dieser Klemme liegenden Spannung steuert daher die Stromzufuhr von der "Hochspannungs"-Schiene über Q₅. Außerdem ist der Drain-Source-Kanal

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des Transistors Q6 im Stromspiegelverstärker CMA-I mit dem Drain-Source-Kanal des Transistors Q4 in Reihe geschaltet, so daß in diesen Kanälen Ströme gleicher Größe fließen. Der Wert der Spannung an der Klemme T_v steuert daher also auch die Stromzufuhr von der "Niederspannungs"-Schiene Q₃ und die Größe dieses Stromes muß gleich der des von der Hochspannungsschiene zugeflihrten Stromes sein. Die Polarität des Ausgangssignals vom Inverter I, bestimmt selbstverständlich,ob der Inverter I. Strom von der Hochspannungsschiene oder der Niederspannungsschiene leitet und die Stromspiegelverstärker CMA-1 und CAM-2 sind so aufgebaut, daß sie die Größe dieses Stromes in einem inversen Verhältnis zum Wert der Spannung an der Klemme Tw steuern. Die Steuerelektroden-Source-Spannung von Q₅ und Q₆ nimmt ja zu oder ab, wenn der Wert der Spannung an der Klemme T.. über dem Leitungsschwellwert von Q₅ und Q, verringert bzw. erhöht wird. Da sich die Frequenz des spannungsgesteuerten Oszillators 14'proportional zu dem der Inverterstufe I. zugeführten Strom ändert, wie oben erwähnt worden war, nimmt diese Frequenz auch zu oder ab, wenn der Wert der Spannung an der Klemme T., über dem Leitungsschwellwert von Q₅ und Q₆ abnimmt bzw. zunimmt. Der Frequenzsteuerbereich des spannungsgesteuerten Oszillators 14' ist sehr groß und die Frequenz kann im ganzen Aussteuerbereich monoton vergrößert und verkleinert werden.

Die Spannungsvervielfacherschaltung 12 kann vom spannungsgesteuerten Oszillator 14 direkt angesteuert werden, bei vielen Ausführungsformen der Erfindung des in Fig. 1 dargestellten Typs wird jedoch vorteilhafterweise zusätzlich eine Puffereinrichtung 18 verwendet, wie es in Fig. 2 dargestellt ist, um die Eingangscharakteristik des Leiternetzwerks in der Spannungsverviel facherschal tung 12' an die Ausgangscharakteristik des spannungsgesteuerten Oszillators 14' anzupassen. Da das Ausgangssignal des spannungsgesteuerten Oszillators 14' vom NAND-Glied I₃ abgenommen wird, enthält die Puffereinrichtung 18 mindestens eine nicht dargestellte Inverterschaltung, um die Phasenverschiebung von 180° zwischen den Steuer- oder Speisesignalen φ und Φ herzustellen. Da außerdem eine Erhöhung der Ausgangsspannung der Spannungsversorgung 10' in der Spannungsvervielfacherschaltung 12' durch Aufladen der Kondensatoren C. bis Cg mit Strömen, die den Anschlüssen φ und φ stattfindet, kann der durch die Spannungsversorgung 10' gespeiste Verbraucher eine Stromverstärkung in der Puffereinrichtung 18 notwendig

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-limachen. Der Ausgang des NAND-Gliedes kann durch eine ungerade bzw. gerade Anzahl von invertierenden Verstärkern mit den Anschlüssen φ und φ verbunden sein, um diese Stromverstärkung zu bewirken. Die Schaltung soll ferner so ausgelegt sein, daß ein Abgleich der Eigenschaften der Signalwege zwischen den Anschlüssen φ und φ in der Puffereinrichtung gewährleistet ist, so daß die Anstiegszeit des Signals am einen Anschluß und die Abfallszeit des Signals am anderen Anschluß im wesentlichen komplementär sind. Wenn die Anstiegs- und Abfallszeiten der Signale nicht komplementär sind, ist das die Anschlüsse φ und φ speisende Schwingungssignal nicht symmetrisch (also "schief") und es tritt eine Phasenverschiebung zwischen dem Aufladen der Kondensatoren C., C₃, C₅ und C, und dem Entladen der Kondensatoren C₀, C«, C_c und C₀ ein. Wenn in der Puffereinrichtung 18 eine Stromverstärkung erfolgen soll, wie oben erläutert wurde, kann man CMOS-Inverter verwenden, um das im vorstehenden erwähnte Symmetrieproblem zu vermeiden, wobei die Breiten der P-Kanäle und der N-Kanäle in den CMOS-Invertern in Bezug aufeinander so bemessen werden, daß eine Anpassung der Eigenschaften der zu den Anschlüssen φ und φ führenden Signalkanäle gewährleistet ist.

Es kann in Abhängigkeit von der Größe der Spannung an der Hochspannungsschiene erforderlich sein, Maßnahmen vorzusehen, um die Spannung an der Eingangskiemme T_v des spannungsgesteuerten Oszillators 14 bezüglich der Spannung an der Ausgangsklemme Tq der Spannungsvervielfacherschaltung 12' zu versetzen, so daß sich der gewünschte geregelte Wert der Spannung an der Ausgangsklemme Τ» ergibt. Um eine solche Regelung zu gewährleisten,muß bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 die Steuerelektroden-Source-Spannung von Q,- und Q_ß von ihrem Leitungsschwellenwert proportional zum Absinken des Ausgangsspannungswertes erhöht werden. Ein solcher Spannungsversatz läßt sich offensichtlich auf verschiedene Weise bewirken; bei dem in Fig. 2 dargestellten AusfUhrungsbeispiel der Erfindung wird die Versetzung der Spannungen durch eine Anzahl in Reihe geschalteter Dioden D. bis D_n bewirkt, an denen der gewünschte Spannungsabfall zwischen den Klemmen T₀ und T_v auftritt. Ferner ist der Drain-Source-Kanal eines MOS-Transistors Q₇ zwischen die Klemme Iy und die Niederspannungsschiene geschaltet, während die Hochspannungsschiene mit der Steuerelektrode des Transistors Q₇ verbunden ist, der dann als stromaufnehmende Einrichtung ("Stromsenke") arbeitet.

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Bei Verwendung der Stromversorgung gemäß Fig. 2 für Abfrage- und Speicheroperationen eines speziellen Speichers muß an der Klemme T_Q der Spannungsvervielfacher-Schaltung 12' die Spannung der Hochspannungsschiene liegen, wenn an der Steuersignal klemme Tp ein Steuersignal niedrigen Wertes liegt. Dies wird mit einer Niveauverschiebungseinrichtung bewirkt, die unter Steuerung durch das Steuersignal den spannungsgesteuerten Oszillator 14' außer Betrieb zu setzen und der Klemme T„ die Spannung der Hochspannungsschiene aufzudrucken gestattet. Die Spannung der Hochspannungsschiene wird der Klemme Tq über den Drain-Source-Kanal eines MOS-Transistors QgZugefUhrt. Die Steuerelektrode von Q₈ ist mit der Steuersignal klemme Tp über die Reihenschaltung der Drain-Source-Kanäle von Transistoren Q_g und Q₁Q, deren Leitungstyp zu dem des Transistors Q₈ komplementär ist, und außerdem mit der Klemme T_Q über den Drain-Source-Kanal eines MOS-Transistors Qjj , der den gleichen Leitungstyp wie Q₈ hat, verbunden. Die Steuerelektroden von Qg und Q.« sind miteinander und mit der Hochspannungsschiene verbunden. Die Steuersignal klemme T- ist über einen Inverter I. mit der Steuerelektrode Q₁₁ gekoppelt. Der spannungsgesteuerte Oszillator 14' wird durch sein NAND-Glied I₃ außer Betrieb gesetzt, wenn die Niveauverschiebungseinrichtung eingeschaltet ist.

Es war oben bereits erwähnt worden, daß der spannungsgesteuerte Oszillator 14' außer Betrieb gesetzt wird, wenn dem einen Eingang des NAND-Gliedes ein Steuersignal niedrigen Wertes zugeführt wird. Hierdurch wird auch die Spannungsvervielfacherschaltung 12' abgeschaltet, da der spannungsgesteuerte Oszillator dann eine Ausgangsgleichspannung liefert. Die Transistoren Qq und Q.Q werden jedoch leitend, wenn der Steuersignal klemme Tp ein Steuersignal niedrigen Wertes zugeführt wird, so daß der Transistor Qg ebenfalls leitend wird und die Hochspannungsschiene mit der Klemme Tq verbindet. Das Steuersignal niedrigen Wertes sperrt ferner den Transistor Q₁₁ über den Inverter I₄. Wenn jedoch der Steuersignal klemme Tp ein Steuersignal hohen Wertes zugeführt wird, wird der Transistor Q₁₁ leitend und führt das Ausgangssignal von der Spannungsvervielfacherschaitung 12* der Steuerelektrode des Transistors Qg zu, der dann gesperrt wird, und die Hochspannungsschiene von der Klemme Tq abtrennt. Die Transistoren Qg und Q₁Q werden ebenfalls gesperrt und trennen die Steuerelektrode von Q₈ von der Steuersignalklemme Tp ab, wenn an dieser ein Steuersignal hohen Wertes liegt.

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Das beschriebene Ausführungsbeispiel der Erfindung ist selbstverständlich nicht einschränkend auszulegen, da, wie erwähnt, viele der beschriebenen speziellen Schaltungsteile durch wirkungsgleiche Schaltungen ersetzt werden können.

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Leerseite

Claims

PA ι-ΚΝΊ ANWA'.TE

DR. I)IKTKII V. KKZOLD

I)IPL. ING. ΓΚΤΚΙΙ SCIlC TZ

DIHL. INO. WOLFGANG IIIiUSLER

MiHlA-TIlKItKSlA STIlASSIS 33

ροντκλπι (ieiman D-BOOO MUKNCllK.V 80

TELlrON Οβ·/4ΤββΟβ

U.S.Serial No. 964,388 Filed: November 28,1978

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TKLKUHAMM BOMBEI

22. November 1979 RCA 72570 Dr.v.B/Schä

RCA Corporation, New York, N.Y., V.St.A.

Geregelte Spannungsversorgung mit Spannungsvervielfacherschaltung

Patentansprüche

( 1.^Geregelte Spannungsversorgung mit einer Spannungsvervielfacher-Schaltung, die eine von der Frequenz der sie speisenden Spannung abhängige Ausgangsspannung liefert, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsvervielfacherschaltung (12) in eine Rückführungsschleife geschaltet ist, welche einen spannungsgesteuerten Oszillator (14) enthält, der die Arbeitsfrequenz der die Spannungsvervielfacherschaltung speisenden Spannung entsprechend dem Wert der Ausgangsspannung steuert.

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2. Spannungsversorgung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine durch ein Steuersignal (an T) gesteuerte

Einrichtung vorgesehen ist, um den spannungsgesteuerten Oszillator (14; 14') außer Betrieb zu setzen und um einetAusgangsklemme (T_Q) der Spannungs- vervielfacherschaltung (12) einen Schienenspannungswert (+V) aufzudrücken.
3. Spannungsversorgung nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß das Steuersignal (an T) den spannungsgesteuerten Oszillator (14; 14') durch eine Torschaltung (I₃) außer Betrieb setzt und der Ausgangsklemme (T_Q) der Spannungsvervielfacherschaltung (12;12') den Schienenspannungswert (+V) über den Drain-Source-Kanal eines ersten MOS-Transistors (Qg) zuführt, dessen Steuerelektrode mit der Ausgangskiemne (Tq) der Spannungsvervielfacherschaltung über den Drain-Source-Kanal in einem zweiten MOS-Transistor (Q₁₁) des gleichen Leitungstyps wie der erste Transistor (Q₈) und außerdem mit einem Steuersignalanschluß (T ) über die in Reihe geschalteten Drain-Source-Kanäle in einem dritten und einem vierten MOS-Transistor (Q₉, Q₁₀). deren Leitungstyp komplementär zum Leitungstyp des ersten Transistors (Q₈) ist und die Steuerelektrode des zweiten Transistors (Q₁₁) mit der Steuersignal klemme über einen In verter (I.) gekoppelt ist.und daß die Steuerelektroden des dritten und des vierten Transistors (Q₉₁ Q._Q) zusammen an die Schienenspannung (+V) angeschlossen sind.
4. Spannungsversorgung nach Anpsruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der spannungsgesteuerte Oszillator (14') mit der Spannungsvervielfacherschaltung (12¹) zum Verstärken des zwischen diesen beiden Schaltungen fließenden Stromes über eine Puffereinrichtung gekoppelt ist.
5. Spannungsversorgung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der spannungsge steuerte Oszillator (14¹) eine ungeradzahlige Anzahl von Inverterstufen (I., I₂, I3), die in eine ununterbrochene Schleife geschaltet sind, und eine Einrichtung (16), die den einer oder mehreren dieser Inverterstufen zugeführten Strom gemäß einer inversen Funktion, insbesondere umgekehrt proportional zum Wert der Spannung am Ausgang der Spannungsvervielfacher- schaltung steuert und damit die Frequenz des Oszillators (12') bestimmt,

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enthält.
6. Spannungsversorgung nach Anspruch 5, d a d u r ch gekennzeichnet, daß die erste Inverterstufe (I.) zwei MOS-Transistoren (Q., Qp) komplementären Typs enthält, deren Drain-Source-Kanäle in Reihe geschaltet sind; daß die Einrichtung zur Stromsteuerung die Drain-Source-Kanäle dieser beiden Transistoren getrennt an eine Schienenspannung hohen bzw. niedrigen Wertes (+V bzw. Masse) über entsprechende Drain-Source-Kanäle eines dritten bzw. vierten MOS-Transistors (Q₅, (K), die den gleichen Leitungstyp haben, wie derjenige der ersten beiden Transistoren (Q., Q2), mit dem sie verbunden sind, legt; daß die Schienenspannungsseite des Drain-Source-Kanals des dritten Transistors mit einer Seite des Drain-Source-Kanals eines fünften MOS-Transistors (Q₆),der den gleichen Leitungstyp hat wie er, verbunden ist; daß die Steuerelektrode des vierten Transistors (QJ mit der Steuerelektrode eines sechsten MOS-Transistors (Q.) des gleichen Leitungstyps verbunden ist; daß der fünfte und der sechste Transistor mit einer Seite ihrer Drain-Source-Kanäle gemeinsam an die Steuerelektroden des vierten und sechsten Transistors (Q₃, Q₄) angeschlossen sind; daß die andere Seite des Drain-Source-Kanals des sechsten Transistors (Q-) mit der niedrigen Schienenspannung (Masse) verbunden ist; daß der Ausgang der Spannungsvervielfacherschaltung (12') mit den miteinander verbundenen Steuerelektroden des dritten und des vierten Transistors (Qc. Qr) gekoppelt ist und daß der ersten Inverterstufe (Q., Qp) über den Drain-Source-Kanal entweder des dritten oder des vierten Transistors (Q,-; Qo) Strom einer Größe zugeführt ist, der umgekehrt proportional dem Wert der Ausgangsspannung der Spannungsvervielfacherschaltung (14) ist.
7. Spannungsversorgung nach Anspruch 6, dadurch gekennz e i c h η e t, daß der Eingang einer zweiten Inverterstufe (Ip) zwischen die Drain-Source-Kanäle des ersten und des zweiten Transistors (Qi. Qo) geschaltet ist; daß ein als dritte Inverterstufe (I₃) arbeitendes NAND-Glied mit seinem Ausgang an die Steuerelektroden des ersten und zweiten Transistors (Q., Q₂) verbunden ist; daß die Eingänge des NAND-Gliedes getrennt mit dem Ausgang der zweiten Inverterstufe (Ip bzw. einem Steuersignalanschluß (T ) gekoppelt ist, um den spannungsgesteuerten Oszillator sperren zu können.

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8. Spannungsversorgung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (°λ··· D.,, Q,) zum Verlagern der Steuerelektroden-Quellen-Spannung des dritten und des fünften Transistors (Q₅, Q₆) bezüglich der Ausgangsspannung der Spannungsvervielfacherschaltung (12') derart, daß beim Absinken der Ausgangsspannung von ihrem Endwert die Steuerelektroden-Quellen-Spannung des dritten und des vierten Transistors (Q₅, Q₆ ) vom Leitungsschwellenwert proportional ansteigt und dadurch den Stromfluß durch die erste Inverterstufe (L) erhöht.
9. Spannungsversorgung nach Anspruch 8, dadurch gekennzei chnet, daß die Einrichtung zum Versetzen der Spannung Dioden (D., ...D_n) enthält, die in Reihe miteinander zwischen den Ausgang der Spannungsvervielfacherschaltung (12') und die Steuerelektroden des dritten und des fünften Transistors (Q₅, Q₆) geschaltet sind.
10. Spannungsversorgung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (D_A,...D_N, Q,) zum Versetzen des Spannungsniveaus zwischen dem Ausgang der Spannungsvervielfacherschaltung (12)und dem spannungsgesteuerten Oszillator (14') zur Einstellung des geregelten Wertes der Ausgangsspannung der Spannungsvervielfacherschaltung.

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