JPH01186168A - 受光用高圧発生回路 - Google Patents

受光用高圧発生回路

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JPH01186168A
JPH01186168A JP63008381A JP838188A JPH01186168A JP H01186168 A JPH01186168 A JP H01186168A JP 63008381 A JP63008381 A JP 63008381A JP 838188 A JP838188 A JP 838188A JP H01186168 A JPH01186168 A JP H01186168A
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pulse
capacitor
current drive
current
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Inventor
Katsuhiro Ishimura
克宏 石村
Chikao Aoki
周生 青木
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光伝送装置の受信回路に用いられる受光用高圧
発生回路に関するものである。
（従来の技術） 光伝送装置の受信回路において、受光素子としてアバラ
ンシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を使用する場合、　
ＡＰＤの内部増倍作用を引き起こするたの高圧を発生す
る高圧発生回路が必要となる。
第２図は従来の受光用高圧発生回路の一例である（例え
ば、昭和６１年度電子通信学会総合全国大会講演講文集
（昭６ｌ−３−５）、２４８５）。
第２図において、矩形波発振回路７は約１００ｋＨｚの
ノクルスを発生し、内在するＣＭＯＳインバータを介し
てスイッチング回路８に出力する。スイッチング回路８
のＭＯＳＦＥＴ　８１は前記・母ルスによシスイツチン
グ動作を行ない、コンデンサ８２と共振するトランス９
の１次側に振幅の大きいパルスを生じさせる。なお、８
３は出力電圧を安定化するだめの定電圧ダイオードであ
る。トランス９の１次側に生じたＡ’ルスはトランス９
によシ昇圧され、更にコッククロ、フト・ウオルトン回
路４によシ昇圧整流され、ロー・臂スフィルタ５により
リッゾル成分が除去された後、受光用高圧電源として用
いられるものである。
（発明が解決しようとする課＠） しかしながら、前記受光用高圧発生回路においては、小
型化が困難で面実装化に不向きなＭＯＳＦＥＴやトラン
スを使用しているので、回路の小型化を進めることが困
難であるという欠点があった。
本発明は前記欠点を除去し、小型化、簡素化を図った受
光用高圧発生回路を提供することを目的とする。
（課項を解決するための手段） 本発明は、・母ルスを発生するパルス発振回路と、前記
ノマルスを電流増幅する電流駆動回路と、電流増幅され
た／？ルスを通過させるコンデンサと、前記コンデンサ
を介して入力されるノクルスを昇圧整流する昇圧整流回
路とを備えたことを特徴とする受光用高圧発生回路であ
る。
（作用） 本発明は、／’Ｐルス発振回路の出力パルスを電流駆動
回路により電流増幅し、コンデンサを介して昇圧整流回
路を駆動し、該昇圧整流回路によシ・クルスを昇圧整流
してアバランシェフォトダイオードに必要な高圧を得る
ものである。
（実施例） 第１図は本発明の実施例であって１はＣＭＯＳ　ｙ−ト
を用いたパルス発振回路、２は０ＭＯ８？−）２１．２
２．２３を並列接続した電流１駆動回路、３はコンデン
サ、４は入力パルスを昇圧整流するコツククロフト・ウ
オルトン回路、５はロー・母スフィルタ、６はアバラン
シェフォトダイオード（ＡＰＤ）である。なお、パルス
発振回路１の見損周波数は抵抗１２とコンデンサ１３の
積で決まる時定数に比例した周波数である。
第１図において、ノｅルス発振回路１から出力された・
ぐルスは電流駆動回路２によって電流増幅され、コンデ
ンサ３を介してコツククロフト・ウオルトン回路４を駆
動する。前記・ぐルス発振回路１の出力側は第１図に示
すようにＣＭＯＳケ９−トであるので電流駆動能力が小
さく、直接コツククロフト・ウオルトン回路４を駆動し
ても該コツククロフト・ウオルトン回路４からはＡＰＤ
　６に必要な高圧を得ることができないので、前記電流
駆動回路２を用いて電流駆動能力を高めている。コツク
クロフト・ウオルトン回路４は、昇圧整流回路の一例で
あって、複数のダイオードとコンデンサにより構成され
ておシ、入力された・ぐルスを昇圧整流して高圧の直流
電圧を出力する。前記高圧の直流電圧はローｉＪ？スフ
ィルタ５によりリッグル成分が除去され、ＡＰＤ　６に
印加される。
以上、説明したように本実施例によれば、小型化の困難
なＭＯＳ　ＦＥＴやトランスを使用することなく回路を
構成したので、回路の小型化、更には簡素化を実現する
ことができる。
（発明の効果） 以上、詳細に説明したように本発明によれば、・母ルス
発振回路に電流駆動回路を接続して昇圧整流回路への電
流駆動能力を上げ、又電流駆動回路と昇圧整流回路との
間にコンデンサを用いることにより　ＭＯＳ　ＦＥＴ等
のスイッチング素子やトランスを不要としたので、回路
の小型化を図ることが可能となり、又、回路の簡素化、
信頼性向上、コスト低減も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の受光用高圧発生回路、第２図は従来の
受光用高圧発生回路である。 １・・・・クルス発振回路、２・・・電流駆動回路、３
・・・コンデンサ、４・・・コツククロフト・ウオルト
ン回路、５・・・ローノ母スフィルタ、６・・・ＡＰＤ
　。 特許出願人　　沖電気工業株式会社 、半・全８月のダＴ：、用高圧梵生口路第１図 従来ので尤用高圧発主因路 第２図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 パルスを発生するパルス発振回路と、 前記パルスを電流増幅する電流駆動回路と、電流増幅さ
    れたパルスを通過させるコンデンサと、 前記コンデンサを介して入力されるパルスを昇圧整流す
    る昇圧整流回路とを備えたことを特徴とする受光用高圧
    発生回路。
JP63008381A 1988-01-20 1988-01-20 受光用高圧発生回路 Pending JPH01186168A (ja)

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EP89300499A EP0325454A3 (en) 1988-01-20 1989-01-19 High voltage generating circuit for light reception
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