JPS6335002A - 高効率mosfet正弦波発生装置 - Google Patents

高効率mosfet正弦波発生装置

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JPS6335002A
JPS6335002A JP61175442A JP17544286A JPS6335002A JP S6335002 A JPS6335002 A JP S6335002A JP 61175442 A JP61175442 A JP 61175442A JP 17544286 A JP17544286 A JP 17544286A JP S6335002 A JPS6335002 A JP S6335002A
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amplitude
wave
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sine wave
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JP61175442A
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ジョン リチャード トーレス
リチャード ビンセント ベス
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RTX Corp
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United Technologies Corp
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Publication date
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/538Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration
    • H02M7/53803Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration with automatic control of output voltage or current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、基本周波数より数倍高いm送置波数でパルス
幅変調されたエンハンスメントモードMO3FETを使
用した、低域P波を行なって調整された正弦波出力を与
える高効率、高出力正位波発生器に関する。
従来の技術及びその問題点 電源供給装置に対して要求される数多くの機能の一つと
して様々な感知器を励起するための調整された正弦波出
力を発生することがある。。
今日の正弦波発生器の設計では対称的な「ΔB級」モー
ドで動作する相補的パワーMO3FET装置を出力段に
使用している。この動作モードて・得られる理論的最大
の効率は78%にすぎない。
この値は古典的な負荷線解析によって求められるもので
、ソースインピーダンスがゼロ、入力インピーダンスが
無限大、また利得が最大の理想的回路部品を使用した場
合についてのものである。実際の回路では理想的なパラ
メータは存在しないから可能な最大効率は78%を下回
る。
周波数変調矩形波をP波することにより正弦波を発生す
るパルス幅変調を基本原理に用いた[D級Jモードの動
作では100%に達する理論的効率が可能である。しか
しかかる構成をバイポーラトランジスタを用いて実行す
る試みはトランジスタのスイッチング時間及び駆動上の
要求に関する原理的な制約から一般に成功していない。
本発明は最大設計定格内のあらゆる無効負荷に対する効
率が80〜90%の高山J)かつ高精度、また低高調波
ひずみ電源供給装置を提供し、もって電源供給装置の技
術を進歩させることを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明はD級パルス幅変調の原理を使った高効率MOS
FET正弦波発生器を提供する。本発明発生器において
は周波数f0の三角波が約1/10foの周波数の可変
振幅正弦波と比較され、得られたパルス幅変調信号によ
って8+及びB−電源をスイッチングすべく一対のパワ
ーMO3FETが駆動される。パワースイッチングによ
って得られた出力はP波され、また!!5i還されて変
調正弦波の振幅を調整する。
すなわち本発明は「0級」パルス幅変調の原理に従って
ゲートされる一対のMOSFET装置を出力段に用いる
ことにより、出力正弦波の振幅変動に反比例した変調信
号振幅変化を与える帰還回路により出力正弦波の振幅を
調整する高効率、高出力の調整正弦波発生器を提供する
。MO3FET装置は二重パワースイッヂに構成されて
おり、温度に関係ない速いスイッチング速度と、無視で
きるゲート駆動電力の散逸と、ON状態で低いソースド
レイン間抵抗を特徴とし、このため導通状態における電
力散逸が最小になる。いくつかの制御回路はP波されて
正弦波になる周波数変調矩形波を発生するMOSFET
二重スイッヂと一体的に集積化されている。この構成に
おいては変調矩形波を発生する際MOSFET装置がデ
ジタル的に、すなわち比較的低い電力を散逸するON状
態と電力散逸がゼロのOFF状態との間を動作されるの
で高い効率を1!:I−ることか可能である。
本発明による高効率MO3FET正弦波発生:≦では高
い効率(80〜90%)と、高い出力容量(10〜10
0VA)と、高い精度とく調整精度1%)と、低い高調
波ひずみ(5%以下)とが最大設31定格内の無効負荷
について得られる。
実施例 本発明の以上の及び伯の利点及び特徴は以下の図面を参
照して行なう最も好ましい実施例の説明より明らかとな
ろう。
第1図は本発明による高効率MOSFET正弦波発生器
10の概略的ブロック系統図である。正弦波発生器10
はこれに供給される双極性矩形波信号をライン14上へ
出力する外部矩形波発振器12に応答する。またやはり
正弦波発生器10外部に設けられる三角波発生器16が
ライン14上の矩形波の周波数よりは大きい周波数を有
する一定振幅の三角波をライン18上に出力する。通常
は三角波の周波数は矩形波の周波数より約10倍高く選
択されるが、もちろん他の周波数を用いることら本発明
範囲内に含まれる。また直流基準電圧源18が直流基準
電圧をライン20上へ出力する。上に高出力正弦波発生
器10の外部に設けられるように示した電圧源、すなわ
ち矩形波発生器12、三角波発振器16、及び直流基準
電圧源18はもちろん発生器10内に設けてもよい。同
様に、図1で発生器10内に示しであるB十電源22及
びB−電源24を発生器10内から取除き、ライン26
上のB+ffi圧とライン28上のB−1圧とを発生器
10の入カポ−1−(図示せず)に供給するようにして
もよい。
第1図でオーブンコレクタバッファ30はライン14上
の矩形波発振器出力信号とライン32上の誤差信号とに
応答してライン34上の矩形波出力信号の振幅をライン
32上の誤差信号の変化に従って変化させる作用をなす
。以下より詳細に説明するが、ライン34上の矩形波の
振幅変化は発生器10出力部のライン36上で検知され
た振幅変化に反比例して変化する。能動帯域濾波器38
及び能動低III濾波器40がライン34上の矩形波信
号をP波してライン42上にライン36上の出力信号と
振幅が反比例した正弦波信号を形成する。
比較器44はライン18上の一定振幅の三角波信号の時
々朗々の大きさをライン42上の振幅が変化している正
弦波信号と連続的に比較する。ライン18上の三角波信
号の周波数は通常ライン42上の振幅が変化している正
弦波の周波数より10倍大きくされ、これにより比較器
44は搬送周波数が三角波のものと等しく、またパルス
幅変調周波数が正弦波の周波数と等しいパルス幅変調さ
れたパルス列を形成する。
この変調効果を第2図に一般的に示す。第2<a>図は
第1図比較器44への典型的な入力波形を示づ一0波形
46は第1図ライン18上の三角波信号を示す。これは
一定振幅の三角波で、周波数は可変振幅の変調正弦波の
周波数より10倍高い値に固定されている。2つの典型
的な正弦波48.50を第2(a)図に示す。これらは
第1図のライン42上の信号に対応する。−殻内に、正
弦波の振幅は三角波の振幅に等しいか小さい。
第2(b)図は比較器44から第2(a)図の三角波4
6に応答してライン56上に出力される、正弦波48に
よって変調された出力信号の波形52を示す。同様に、
第2(C)図は第2(a)図の正弦波変調波形が存在す
る場合にライン56上に現れる同様な出力信号波形58
を示す(第2(a)図の変調波形50及びこれに対応す
る第2(C)図の出力波形58は比較器出力信号の最小
パルス幅から最大パルス幅への変化が正弦波入力電圧の
振幅に直接に比例する様子をわかりゃすくするため点線
で示しである)。
そこで、第2(a)図より三角波信号46の振幅は時間
1=1+に対応する点60において三角波46の振幅が
変調波形50の振幅よりも大きい先の状態から波形50
よりも小さい後の状態へ移行するのがわかる。これは第
2(C)図において第1図ライン56上の信号の高出力
状態から低出力状態への変化を表わしている出力波形5
8の変化によっても示されている。これは三角波が比較
:器44の非反転入力端子に供給され、変調波が反転入
力端子に供給されるように構成されていることによる。
逆も真である場合に(よ形成される波形は第2(b)及
び第2(C)図で示したものの単に鏡像になるにすぎな
い。第1図ライン42上に第2(a)図の変調波形50
のかわりに波形48が存在している場合は高状態から低
状態への移行は第2(b)図に波形52で示したように
やや遅れた時間t2で生じる。これは三角波46が波形
50よりやや小さい振幅の正弦波48によって変調され
る場合交点62が第2(a)図に示すように時間的にや
や遅れて現れるためである。三角波46の値が増大して
いく場合は逆の現象が生じる。
そこで、第2(a)図において、三角波振幅は時間t=
t4に対応する点66において振幅のより大きい波形5
0と交差づる前に時間t=t3において振幅のより小さ
い波形48と交差する。
上記第2図の波形についての説明と同様な議論により、
第2図においては時間の経過に伴う最小パルス幅から最
大パルス幅へのパルス幅変化は変調信号の振幅が大きい
程大であることが示される。
この状態はアコーデオンに譬えることができ、第2(b
)図は引張られた優中稈度に圧縮されたアコーデオン、
第2(C)図は引張られた後両方向から強い力で圧縮さ
れたアコーデオンに似ている。
このように、変調されたパルスのパルス幅は正弦波入力
電圧に直接に比例して変化することがわかる。もちろん
第1図の比較器44において非反転入力端子に正弦波変
調波を入力し、反転入力端子に三角波を入力するように
してもよい。この場合は生じるパルス変調は上記のもの
と逆になる以外は同様である。
第3及び第4図はライン36上の正弦波出力信号の相対
的な大きさをそれぞれ波形100及び102として示す
図である。これらの波形はそれぞれ第2(b)図及び第
2(C)図の変調パルス列52及び58に対応する。変
化幅のより大きい変調パルス列58は相応に振幅の大き
い出力信号102に対応するのがわかる。同様にパルス
幅変化の幅がより小さい波形52は比較的小振幅の出力
正弦波100に対応する。、これらの波形はLC濾波器
出力がしdI/dtM直接に比例するとして理論的に導
いたものである。
第1図ライン56上の変調パルス列は駆動増幅器70に
より電力増幅されライン72を経て絶縁変圧器74の一
次側に供給され、ライン76上のグー1−信号となって
二重MOSFETパワースイッチ78を駆8する。絶縁
が必要な理由はB+及びB−電源を使用するためである
。絶縁変圧器は比較器44の駆ljJ電力容聞を増大す
るために増幅i!!ニア 0によって駆動される。この
結果、ゲートソース間容量を迅速に充放電する電流を別
に与えることによりパワーMOSFETのスイッチング
時間が速くなる。パワースイッチ78はB+及びB−電
源22.24に応答してライン80上にライン56上の
パルス列と同様な、ただし電力レベルのより大きい変調
パルス列出力を与える。
MO8F、ETパワースイッチ78の変調出力は低域し
C濾波器82によってP波され、これにより生じた高電
力正弦波出力信号がライン36上に出力される。ライン
36上の出力信号振幅はライン56上の変調パルス列信
号に生じている最小値から最大値へのパルス幅の変化に
直接に比例している。本回路の出力信号について電力容
aは10〜100VAの範囲である。またその効率は8
0〜90%の範囲である。さらに、本回路出力信号は設
31定格内のあらゆる無効負荷に対して高調波ひずみが
少ない(5%以下)。
ライン36上の出力正弦波振幅は誤差増幅器84の反転
入力端子への帰還ループを設けることで調整される(約
1%の精度で)。誤差増幅器84は出力電圧のピーク値
を、ライン90上へ高精度整流器92より出力される全
波整流信号のピーク振幅に直接に比例する大きさの直流
信号をライン88に出力するピーク検出器86によって
モニタする。高精度整流器92はライン94を介して絶
縁変圧器及び出力モニタ96J:り入力されるが、一方
絶縁変圧器及び出力モニタ96はライン98を介してI
c濾波器より入力される。オープンコレクタバッフF3
0は矩形波の振幅をピロと選択されたレベルとの間でラ
イン32上の誤λ゛lt圧の大きさに従って制御し、こ
のため、ノ;差増幅器の非反転入力端子上の基準電圧の
大きさがライン36上の出力正弦波電圧の振幅を決定す
ることになる。これは誤差増幅器がその出力を修正して
反転及び非反転入力端子上の電圧を同じ値に維持するよ
うに動作するためである。
第5図は本発明による高効率MO3FET正弦波発生器
10aの詳細なブロック系統図である。
第1図と異なり、第5図回路では三角波発生器16と直
流基準電圧源18とが回路10中に含まれる。一方第1
図回路と類似している点は矩形波発振器12が回路から
除外されている点である。
そこで、第5図ではライン14上の矩形波入力信号は図
示の回路10外部の特定しない短形波発振器より供給さ
れる。
三角波発生器16はCD4013Dフリツプフロツプ1
09よりなる矩形波発生器より構成される。このフリッ
プ70ツブ109はライン110を介して積分器として
接続構成されている演算増幅i!!+112へ矩形波を
供給する。こうして形成された三角波はライン18を経
て例えば1M139比較冴の如き低電ノ〕低オフセツi
−電圧装置などよりなる比較器105を含む比較器回路
44に交流結合される。ライン56上の変調パルス列は
図示の如く構成されてオフ及びオン状態の間を交互に変
化する高速のスイッチング信号をライン72上に出力す
る数個のバイポーラトランジスタよりなる駆動増幅器に
供給される。変圧器74はこの信号を一対の二次側巻線
へ結合し、この二次巻線より絶縁されたゲート信号がM
OSFETスイッチ78に供給される。MOSFETス
イッチ78は第5図に示すような相補的スイッチであっ
て一方Nチャンネル形M OS F E T、他方はP
チ17ンネル形MOSFETであるが、両方共Nチャン
ネル形あるいはPチャンネル形であってもよい1.いず
れにせよ、これらのMOSFETはそれぞれ大ささの等
しい正又は負の直流電源に接続されている。
上記構成によって形成される高パワーパルス幅変調信号
はライン36上に正弦波出力信号を供給づるLC濾波器
82へ供給される。
変圧器の一時側96aがライン36うえの出力信号をそ
の二次側96bへ結合し、これから出力モニタ信号がラ
イン94を介して高精度整流器92へ供給される。ライ
ン90上の全波整流出力信号は演算増幅器120を含む
ピーク検出器86へ供給される。ピーク検出器はライン
90上の整流された信号のピーク振幅に比例した大きさ
の出力信号をライン88に出力する。
ピーク検出器の出力は演算増幅器122を含む誤差増幅
器84の反転入力端子に印加される。誤差増幅器84の
出力はオーブンコレクタバッファ30によって周期的に
接地レベルにチョップされる。ライン14上の矩形波入
力のデユーティサイクルが50%の場合ライン34上の
信号のデユーデイサイクルも50%になる。さらに別の
演算増幅器124及σ126が帯賊戸波器38及び低域
濾波器40として接続構成され、ライン42を介して比
較器44へ可変振幅変調正弦波信号を供給する。
以上、本発明を実施例について説明したが、本発明の思
想及び範囲内で様々な変形、省略あるいは追加が可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による高効率MOSFET正弦波発生器
の単純化した概略的ブロック系統図、第2(a)図は第
1図の比較器へ供給される入力波形を示す図、第2(b
)図は第1図比較器の比較的小振幅の入力正弦波信号に
対応した出力波形を示1図、第2(C)図は第1図比較
器の比較的大振幅の入力正弦波信号に対応した出力波形
を示づ図、第3図は第2(b)図の如き変調波形によっ
て生じる本発明発生器出力波形の一部を示す図、第4図
は第2(C)図の如き変調波形によ−)で生じる本発明
発生器出力波形の一部を示す図、第5図は便宜上第5A
図及び第5B図に分けて示した本発明による高効率MO
SFET正弦波発生回路のより詳細な概略的回路図であ
る。 10.103−・・高効率MOSFET正弦波発1器、
1?・・・矩形波発振器、14.18,20゜26.2
8.32.34.36.42.56゜72.76.80
.88,90,94.98゜110・・・ライン、16
・・・三角波発生器、22・・・B+電源、24・・・
B−電源、30・・・オーブンコレクタバッファ、38
・・・帯1a!濾波器、40・・・低域濾波器、44,
105・・・比較器、46・・・三角波、48゜50・
・・正弦波、52,58,100.102・・・波形、
60.62.64.66・・・交点、70・・・増幅器
、74・・・絶縁変圧器、78・・・MOSFETパワ
ースイッチ、82・・・LC濾波器、84・・・誤差増
幅器、86・・・ピーク検出器、92・・・高精度整流
器、96・・・絶縁変圧器及び出力モニタ、96a・・
・変圧器一次側、96b・・・変圧器二次側、109・
・・フリップフロップ、112,124.126・・・
演算増幅器。 特許出願人 ユナイテッド デクノロシーズ−ヘ   
                         
      ヘε               1 
     ぐFIG、J FIG  4

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1の周波数の正弦波変調信号を出力する可変振
    幅正弦波源と、第1の周波数より大きい第2の周波数の
    、かつ該変調信号の振幅と等しいか大きい振幅の三角波
    信号を出力する固定振幅三角波電圧源とに応答する正弦
    波発生装置であって:該正弦波源は該装置からの誤差信
    号に応答して該変調信号の振幅を該誤差信号に応じて変
    化させ、また該装置は: 別々の入力端における該変調信号及び該三角波信号に応
    じて低パワー変調パルス列信号を出力する比較器手段と
    ; 該変調パルス列信号に応じて増幅された変調パルス列信
    号を出力する駆動増幅器手段と;一次側及び二次側巻線
    を有し、一次側巻線に加えられた増幅された変調パルス
    列信号に応答して絶縁されたゲートを駆動する交流駆動
    信号を二次側巻線に形成する絶縁変圧器手段と;一対の
    、各々そのゲート入力部に加えられる交流ゲート駆動信
    号の一方にのみ応答し、対の一方は正の直流電圧源と接
    続され他方は上記正の直流電圧源と同じ大きさの負電圧
    を与える負の電圧源に接続されて変調パルス列パワー出
    力信号を出力するMOSFETパワースイッチと;該変
    調パルス列パワー出力信号に応答して正弦波パワー出力
    信号を出力するLC濾波器と;該正弦波パワー出力信号
    に応答してその大きさを基準信号の大きさと比較し、誤
    差信号を該可変振幅正弦波源へ供給して該変調信号の振
    幅を該正弦波パワー出力信号に反比例して変化させ、も
    って該正弦波パワー出力信号の電圧値を誤差信号の値を
    ゼロになるように減少させる誤差回路手段とを備えたこ
    とを特徴とする装置。
  2. (2)該誤差回路手段はさらに 該正弦波パワー出力信号に応答して整流信号を出力する
    整流器手段と; 該整流信号に応答して該整流信号のピーク振幅値に直接
    に比例した大きさの直流電圧信号を出力するピーク検出
    手段と; 該ピーク検出手段からの該直流電圧信号及び基準信号に
    応じて該直流電圧信号の大きさと該基準信号との差に直
    接に比例する大きさの該誤差信号を出力する誤差増幅器
    手段とを備えたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の装置。
  3. (3)該誤差回路手段はさらに 一定振幅の第1の矩形波信号出力を出力する矩形波発振
    器と; 該誤差信号及び該矩形波信号出力に応じて振幅が該正弦
    波パワー出力信号の大きさの変化に反比例して変化する
    第2の矩形波出力を与えるオープンコレクタバッファと
    ; 該第2の矩形波出力信号に応じて該正弦波変調信号を出
    力する濾波器手段とを備えたことを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の装置。
JP61175442A 1985-07-31 1986-07-25 高効率mosfet正弦波発生装置 Pending JPS6335002A (ja)

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US06/760,849 US4649467A (en) 1985-07-31 1985-07-31 High efficiency MOSFET sine wave generator
US760849 1985-07-31

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JPS6335002A true JPS6335002A (ja) 1988-02-15

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US (1) US4649467A (ja)
EP (1) EP0211796B1 (ja)
JP (1) JPS6335002A (ja)
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