DE2940369C2 - Target - Google Patents
TargetInfo
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- DE2940369C2 DE2940369C2 DE19792940369 DE2940369A DE2940369C2 DE 2940369 C2 DE2940369 C2 DE 2940369C2 DE 19792940369 DE19792940369 DE 19792940369 DE 2940369 A DE2940369 A DE 2940369A DE 2940369 C2 DE2940369 C2 DE 2940369C2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Target zum Abstäuben von mindestens zwei unterschiedlichen
metallischen Werkstoffen in einem vorgegebenen Mengenverhältnis, wobei diese Werkstoffe in einer
ebenen Fläche angeordnet sind.
Targets der vorstehend charakterisierten Art sind aus der DE-OS 19 08 310 bekannt. Die aus Teilkathoden aus
unterschiedlichen Werkstoffen aufgebaute Gesamtkathode ist in der Weise ausgebildet, daß die Teilkathoden
nebeneinander in einem isolierenden Material direkt mit den Spannungsversorgungsquellen über Kabel verbunden
sind. Die Teilkathoden sind gleichmäßig in einer ebenen Fläche verteilt.
Bekannt sind aus der FR-OS 20 11 047 aus einer Pulvermischung aus Tantal und Aluminium durch
Sintern hergestellte Targets, die zur Herstellung dünner Schichten für Mikro-Schaltkreise verwendet werden.
Aus der DE-AS 15 15 314 ist eine Targetanordnung bekannt, bei der Auflagescheiben unterschiedlichen
Durchmessers aus unterschiedlich zu zerstäubenden Werkstoffen mit einer die oberste Scheibe überragenden
Schraube auf einer Platte aus zu zerstäubendem Werkstoff festgehalten sind, wobei die Schraube
ebenfalls aus zu zerstäubendem Werkstoff besteht. Diese treppenförmige Targetausbildung eignet sich für
stationäre Zerstäubungsanlagen, bei denen die zu bestäubende Vorrichtung der Geometrie der treppenförmigen
Targetanordnung angepaßt ist. Bei dieser Anordnung ist nicht auszuschließen, daß sich die
Schraubverbindung in der Endphase des Abstäubens lockert oder sogar auseinanderfällt wodurch unkontrollierbare
und nicht vorhersehbare Abstäubungsverhältnisse auftreten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Target der eingangs genannten Art die Abstäubung von
unterschiedlichen metallischen Werkstoffen in gewünschtem vorgegebenen Mengenverhältnis und in
einfacher Weise ohne erheblichen Arbeits- und Geräteaufwand zu ermöglichen. Gelöst wird diese
ίο Aufgabe für ein Target der eingangs charakterisierten
Art erfindungsgemäß dadurch, daß es aus einer Platte
aus dem einen abzustäubenden Werkstoff besteht, die durchgehende Bohrungen mit kreisförmigem Querschnitt
aufweist, in die Bolzen aus dem zweiten
is abzustäubenden Werkstoff mit Pass-Sitz eingesetzt
sind.
Dadurch ist vorteilhafterweise erreicht, daß bei der Herstellung des beschriebenen Targets keine Verschiebung
des Flächenverhältnisses zwischen den abzustäubenden Werkstoffen zu befürchten ist wie dies
beispielsweise bei durch Plattieren unter Druck und Wärme herzustellenden Targets der Fall wäre. Die
beschriebenen Targets können nahezu restlos abgestäubt werden, so daß praktisch keine wesentlichen
Schrottverluste auftreten. Durch Größe und Verteilung der Bohrungen über die Plattenfläche lassen sich
beliebig gewünschte Mengenverhältnisse der abstäubenden Werkstoffe einstellen. Die Herstellung der
Targets ist sehr einfach, es wird lediglich eine
Vorteile ergeben sich auch dadurch, daß die Bohrungen jeweils in einem Endbereich erweitert sind
und in die Erweiterung das ihr angepaßte verdickte Ende des Bolzens eingreift Der erweiterte Endbereich
ist in bevorzugter Weise als Senkbohrung ausgebildet.
abgekehrt ist.
Bohrungen einen von den übrigen Bohrungen unterschiedlichen Querschnitt aufweist oder wenn die
Bohrungen ungleichmäßig in der Platte verteilt sind. Hierdurch wird deutlich, welche Vielfalt die beschriebenen
Targets hinsichtlich der Einstellung eines vorgegebenen gewünschten Mengenverhältnisses bieten.
Überdies ist es zweckmäßig, wenn die Platte aus Tantal und die Bolzen aus Aluminium bestehen.
Im folgenden sind Ausführüngsbeispiele der Erfindung
anhand der Figuren näher erläutert Es zeigt
so F i g. 1 einen Vertikalschnitt durch ein Target
F i g. 2 bis 4 jeweils eine Aufsicht auf die abzustäubende Plattenfläche.
Mit der Bezugsziffer 1 ist eine Platte bezeichnet die
beispeislweise aus Tantal besteht. In diese Platte sind Bohrungen 2 mit kreisförmigem Querschnitt eingebracht,
die auf der der abzustäubenden Plattenfläche 3 abgekehrten Plattenfläche 4 in ihrem Endbereich
erweitert sind. In diese Bohrungen sind die Bolzen 5 mit Pass-Sitz eingebracht Sie bestehen beispielsweise aus
Aluminium und besitzen ein vergrößertes Ende 6. Mit der Platte 1 ist noch die Platte 7 verbunden,
beispielsweise eine Kupferplatte, die als Zwischenplatte oder Löthilfe für die Verbindung des Targets mit einem
kühlbaren Träger dient
F i g. 2 zeigt ein Targel der beschriebenen Art, das in
der Platte 1 Bohrungen gleichen Querschnitts aufweist, in die. Bolzen 5 eingesetzt sind. Wie ersichtlich, liegt eine
gleichmäßige Verteilung der Bolzen über die Oberflä-
ehe der Platte 1 vor.
Bei der Ausführung des Targets nach Fig.3 sind
Bohrungen unterschiedlichen Querschnitts gleichmäßig über die Oberfläche der Platte 1 verteilt vorgesehen, in
die Balzen 5 bzw. 5' eingesetzt sind. Dabei können die
Bolzen 5 und 5' aus gleichem Werkstoff bestehen; es ist aber auch möglich, daß die Bolzen S und die Bolzen 5'
aus unterschiedlichem Werkstoff bestehen, so daß das Target sich aus drei verschiedenen Werkstoffen
zusammensetzt, wenn die Platte 1 aus einem Werkstoff besteht, der wiederum von denen der Bolzen 5 und 5'
verschieden ist.
Schließlich zeigt F i g. 4 noch ein Ausführungsbeispiel für ein Target, bei dem eine ungleichmäßige Verteilung
von Bolzen 5 in der Platte 1 vorliegt.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Target zum Abstäuben von mindestens zwei unterschiedlichen metallischen Werkstoffen in einem
vorgegebenen Mengenverhältnis, wobei diese Werkstoffe in einer ebenen Fläche angeordnet sind,
dadurch gekennzeichnet, daß es aus einer Platte (1) aus dem einen abzustäubenden Werkstoff
besteht, die durchgehende Bohrungen (2) mit kreisförmigem Querschnitt aufweist, in die Bolzen
(5) aus dem zweiten abzustäubenden Werkstoff mit Pass-Sitz eingesetzt sind.
2. Target nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrungen (2) jeweils in einem
Endbereich erweitert sind und in die Erweiterung das ihr angepaßte verdickte Ende (6) des Bolzens (S)
eingreift
3. Target nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erweiterte Endbereich eine Senkbohrung
ist
4. Target nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erweiterte Endbereich der
Bohrung (2) sich auf der der abzustäubenden Fläche (3) abgekehrten Plattenseite befindet
5. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der Bohrungen
(2) einen von den übrigen Bohrungen unterschiedlichen Querschnitt aufweist
6. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet daß die Bohrungen (2)
ungleichmäßig in der Platte (1) verteilt sind.
7. Target nach einem der Ansprüche t bis 6, dadurch gekennzeichnet daß die Platte (1) aus
Tantal und die Bolzen (S) aus Aluminium bestehen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792940369 DE2940369C2 (de) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Target |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792940369 DE2940369C2 (de) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Target |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2940369A1 DE2940369A1 (de) | 1981-05-07 |
DE2940369C2 true DE2940369C2 (de) | 1982-10-21 |
Family
ID=6082757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792940369 Expired DE2940369C2 (de) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Target |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2940369C2 (de) |
Families Citing this family (8)
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GB2102027A (en) * | 1981-07-18 | 1983-01-26 | Gen Eng Radcliffe 1979 | Target for magnetically enhanced sputtering of chromium-iron alloy |
AT388752B (de) * | 1986-04-30 | 1989-08-25 | Plansee Metallwerk | Verfahren zur herstellung eines targets fuer die kathodenzerstaeubung |
DE3710497A1 (de) * | 1987-03-30 | 1988-10-20 | Tzn Forschung & Entwicklung | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von duennen, aus mehreren elementaren komponenten bestehenden filmen |
US20080128931A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | National Chiao Tung University | Method for preparing nanocomposite ZnO-SiO2 fluorescent film by sputtering |
TW201207139A (en) * | 2010-06-23 | 2012-02-16 | Tosoh Smd Inc | Bimetallic rotary target |
RU178867U1 (ru) * | 2016-05-04 | 2018-04-20 | Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "НОК" | Вакуумная микроразмерная кристаллизационная ячейка |
DE102021104255A1 (de) | 2021-02-23 | 2022-08-25 | Cemecon Ag. | Zerstäubungstarget |
Family Cites Families (3)
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FR1574686A (de) * | 1968-01-11 | 1969-07-18 | ||
FR2011047A1 (en) * | 1968-06-17 | 1970-02-27 | Western Electric Co | Tantalum-aluminum alloys |
-
1979
- 1979-10-05 DE DE19792940369 patent/DE2940369C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2940369A1 (de) | 1981-05-07 |
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8331 | Complete revocation |