DE3420966A1 - Siebdruckverfahren und einrichtung zur ausuebung desselben - Google Patents
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Description
C.CLeemput 1
Siebdruckverfahren und Einrichtung
zur Ausübung desselben
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Siebdruckverfahren
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und eine Einrichtung zur Ausübung des Verfahrens gemäß
dem Oberbegriff des Anspruchs 13.
Ein Verfahren zur Herstellung derartiger elektrischer Schaltkreise ist bekannt aus dem Artikel "Thickfilm
or: using metallized thru holes, multilayer structure, and surface mounting components for highest packing
density. A study" von M. Bergmann, veröffentlicht in
Proceedings of the 4th Eur. Hybrid Microelectronics
Conf., Copenhagen, 17. bis 20. Mai 1983.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, durch die es möglich
ist, eine große Anzahl von Bohrungen in dem Substrat und ggf. Bohrungen mit verschiedenen Durchmesser
in dem Substrat mit einer möglichst gleichmäßigen
und ununterbrochenen metallischen Leitschicht zu versehen.
Erfindungsgemäß wird dies durch die im Kennzeichen des
Anspruchs 1 bzw. des Anspruchs 13 angegebenen Maßnahmen
C.CLeemput 1
und Merkmale getost. Durch diese Maßnahmen wird erreicht,
daß auch über einen größeren Fertigungszeitraum eine
gleichmäßige Beschichtung aller Bohrungen gewährleistet
ist. Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des Ver- .
fahrens und der Einrichtung wird der Unterdruck in einer Vakuumkammer erzeugt, die unmittelbar dem Substrat benachbart
ist und diese Kammer ist mit einem Vakuumvorratsbehälter
verbunden, dessen Volumen wesentlich größer ist als dasjenige der Vakuumkammer.
Durch die Anwendung eines Vakuumvorratsbehälters von relativ
großem Volumen wird der unter dem Substrat erzeugte Druck während des Siebdruckvorgangs konstant gehalten,
obwohl während des Siebdruckprozesses die Anzahl der beschichteten
Bohrungen in dem Maße zunimmt, wie die Rakel oder die Quetschwalze über das Substrat bewegt wird,
so daß diese Bohrungen kleinere Dimensionen aufweisen als die unbeschichteten.
Weitere vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen und nachfolgend anhand der
in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele
beschrieben. Dabei zeigen:
Fig. 1 einen schematischen Aufbau einer Siebdruckeinrichtung
gemäß der Erfindung mit einer Arbeitsplatte,
die im Schnitt gemäß der Linie II-II in Fig. 2
dargestellt ist, wobei die einzelnen Teile in verschiedenen Maßstäben dargestellt sind und
C.CLeemput 1
Fig. 2 einen schematische Draufsicht auf die Arbeitsplatte.
Die dargestellte Siebdruckeinrichtung enthält eine
ArbeitspLatte 1, ein Drucksieb 2 und eine bewegliche
Rakel 3 oder Quetschwalze, die beide auf der Arbeitsplatte
1 montiert sind. Letztere weist eine Aussparung auf, in der drei unbeweglich angeordnete Fixierelemente
5, 6, 7 und, wie schematisch dargestellt, ein bewegliches Fixierelement 8 angeordnet sind. Der Boden der Aussparung
4 ist mit einer großen Ansaugöffnung 9 versehen.
Diese bildet eine Verbindung zwischen der Aussparung 4 und einer Vakuumkammer 10, die durch einen Abschlußdekkel
11 verschlossen ist und ihrerseits über eine erste Leitung 12, ein Ventil 13 und eine zweite Leitung 14 mit
einem Vakuumvorratsbehälter 15 verbunden ist. Das Verhältnis der Summe der Volumen des Vakuumvorratsbehälters
und der Leitung 14 und der Summe der Volumen der Vakuumkammer
10 und der Leitung 12 ist im wesentlichen etwa 500 : 1, wobei die beiden Leitungen 12 und 14 je einen
Durchmesser von etwa 5 cm aufweisen. Die Summe der beiden letztgenannten Einheiten ist etwa 150 cm . Der Vakuumvorratsbehälter
15 ist mit einem Vakuumerzeuger 16 über
eine Leitung 17 verbunden und sowohl der Vakuumvorratsbehälter
15 als auch die Vakuumkammer 10 sind an entsprechende Unterdrucksteuereinheiten 18 bzw. 19 über
Leitungen 20 bzw. 21 angeschlossen. Die Unterdrucksteuereinheiten
18 und 19 besitzen elektrische Ausgänge, die an Eingänge einer elektrischen Steuereinrichtung 22 angeschlos
sen sind, deren Ausgang an einen Steuereingang des Vakuumerzeugers
16 angeschlossen ist. Hierdurch ist ein
— Q _
C.C Leemput 1
Regelkreis gebildet, der die Elemente 16, 14, 10, 18,
19 und 22 umfaßt. Dieser Regelkreis gewährleistet, daß
der in den Unterdrucksteuereinheiten 18, 19 gemessene
Unterdruck innerhalb von + 10 % eines vorgegebenen Wertes bleibt und insbesondere von diesem Wert maximal
um 300 Pa (3 g/cm2) abweicht.
In der Aussparung 4 ist ein quadratisches Keramiksubstrat
23 eingesetzt und durch.das bewegliche Fixierelement 8 gegen die festen Fixierelemente 5, 6 und 7
gedruckt. Das Substrat 23 hat eine Seitenlänge von etwa
5 cm und eine Dicke von 0,076 cm und es ist mit Bohrungen 24 versehen, die sich zwischen den beiden Oberflächen
desselben erstrecken. Der Durchmesser dieser Bohrungen 24 beträgt etwa 0,035 cm.
Schließlich ist noch eine allgemeine Steuereinrichtung
vorgesehen, die das Drucksieb 2, die Rakel 3 bzw. Quetschwalze, das Ventil 13 und den Vakuumerzeuger 16 steuert
und die ihrerseits durch die Unterdrucksteuereinheit
gesteuertwird.
Die oben beschriebene Siebdruckeinrichtung arbeitet durch
Steuerung mittels der Steuereinheit 25 wie folgt:
Zu Beginn des Druckverfahrens werden die Unterdrucksteuereinheiten
18 und 19 auf vorbestimmte Unterdruckwerte eingestellt,
beispielsweise auf 4.400 Pa (44 g/cm ) bzw.
auf 4.700 Pa (47 g/cm ), wobei vorausgesetzt ist, daß
der Druckverlust zwischen der Vakuumkammer 10 und dem
2 Vakuumvorratsbehälter 15 etwa 300 Pa (3 g/cm ) entspricht.
C.CLeemput 1
Der Vakuumer zeuger 16 wird dann in Betrieb genommen und
aLs Folge davon wird im VakuumvorratsbehaLter 15 der gewünschte
Unterdruck von 4.700 Pa (47 g/cm ) erhalten. In der Vakuumkammer 10 wird noch kein Unterdruck erzeugt,
da das Ventil 13 noch geschlossen ist. Anschließend wird ein bestimmter Betrag einer elektrisch leitfähigen
Paste, beispielsweise DP 9061 oder DP 6120 der
Firma Dupont de Nemours, vor die Rakel bzw. Quetschwalze 3 gebracht und diese anschließend über das Drucksieb 2
bewegt. Hierdurch wird auf dem Drucksieb 2 eine Schicht gleichförmiger Dicke erzeugt, die in Form einer vorgesehenen,
nicht dargestellten ersten Maske vorhanden ist.
Wenn dieser Verfahrensschritt abgeschlossen ist und die
Rakel 3 bzw. Quetschwalze zu ihrer Ausgangsstelle zurückgeführt
ist, wird das Ventil 13 geöffnet. Hierdurch wird infolge des oben genannten großen Verhältnisses des
Volumens der Leitung 14 und des Vakuumvorratsbehälters
einerseits und der Vakuumkammer 10 und der Leitung 12 andererseits der gewünschte Unterdruck von 4.400 Pa C44 g/cm )
sehr rasch in der Vakuumkammer 10 erreicht. Hierauf wird die Rakel 3 abgesenkt und mit einer Geschwindigkeit von
etwa 7 cm/sec. über das Substrat 23 gezogen, um die auf dem Drucksieb 2 vorhandene Schicht der elektrisch leitfähigen
Paste durch das Drucksieb 2 hindurch auf die
Oberfläche des Substrats 23 aufzudrücken. Entsprechend
der auf dem Drucksieb 2 vorhandenen ersten Abdeckmaske wird auf der Oberfläche ein erster elektrischer Schaltkreis
aufgebracht. Infolge des in der Vakuumkammer 10
- 10 -
C.Cleemput 1
vorhandenen Unterdruckes wird das Substrat 23 fest gegen
den Boden der Aussparung 4 gedrückt und die inneren Wandungen
der Bohrungen 24 des Substrats 23 werden mit einer Schicht der elektrisch Leitfähigen Paste beschichtet,
deren Dicke etwa 50 bis 90 % der Dicke des Substrats 23 beträgt.
Es sei erwähnt, daß infolge des relativ großen Volumens
des Vakuumvorratsbehälters 15 der Unterdruck in der Vakkumkammer
10 im wesentlichen konstant bleibt, obwohl infolge der Bewegung der Rakel 3 bzw. der Quetschwalze die Bohrungen
24 im Substrat 23 allmählich mit der Paste beschichtet und damit kleiner werden.
Das so erhaltene bedruckte Substrat 23 wird anschließend getrocknet und ggf. erhitzt, wonach es umgedreht wird
und einem erneuten Druckprozeß unterworfen wird. Für diesen Verfahrensschritt erhält das Drucksieb 2 eine zweite
Abdeckmaske (in der Zeichnung nicht dargestellt), wobei
der Unterdruck in der Vakuumkammer 10 jetzt auf einen Wert von etwa 9.600 Pa (69 g/cm ) eingestellt ist. Dieser
höhere Unterdruck kann wegen der Reduzierung der Innendurchmesser der Bohrungen 24 des Substrats 23 erwünscht
sein. Auf diese Weise ist ein zweiter elektrischer Schaltkreis
auf das Substrat 23 gedruckt und dabei die Beschichtung der inneren Wandungen der Bohrungen 24 ggf.
vervollständigt. Auf diese Weise wird eine elektrische
Verbindung zwischen den elektrischen Schaltkreisen auf den
beiden Oberflächen des Substrats 23 erhalten.
C.CLeemput 1
FaLLs der Unterdruck in der Vakuumkammer 10 den gewünschten
Wert nicht erreicht, beispieLsweise weiL das Substrat
23 gewöLbt ist, gibt die Unterdrucksteuereinheit 19 ein
SignaL an die aLLgemeine Steuereinrichtung 25 aus, die
darauf den Druckvorgang unterbricht. In diesem Zusammenhang sei bemerkt, daß für ein Substrat großer Abmessungen
die Durchbiegung desseLben dadurch verhindert werden kann, daß das Substrat 23 durch ein oder mehrere TeiLe, die
in der Aussparung 4 an soLchen SteLLen angeordnet sind, wo das Substrat 23 keine Bohrungen 24 besitzt, unterstützt
wird. Diese UnterstützungsteiLehen können beispieLsweise
aus magnetischem MateriaL bestehen, wenn der Boden der Aussparung 4 aus MetaLL (aus magnetischem MateriaL)
besteht.
Die oben beschriebene Siebdruckeinrichtung hat mit den
oben angegebenen Daten beste ResuLtate gezeigt. "ÄhnLiche
ResuLtate werden auch erhaLten, wenn foLgende Bedingungen erfüLLt sind:
- das oben beschriebene VoLumenverhäLtnis ist wenigstens
100 : 1;
- das VerhäLtnis der Dicke der Substrate 23 und der Durchmesser der Bohrungen 24 Liegt zwischen 1,5 und 5 : 1;
- die Geschwindigkeit der RakeLbewegung Liegt zwischen
2,5 cm/sec. und 20 cm/sec;
- das VerhäLtnis der Unterdrucke in der Vakuumkammer 10
während des Bedrückens der zweiten und der ersten OberfLäche des Substrats 23 Liegt zwischen 1 und 2,5 : 1;
- 12 -
C.CLeemput 1
- der Unterdruck in der Vakuumkammer 10 bleibt innerhalb
einer Grenze von + 10 % seines vorgegebenen Wertes
2 mit einer maximalen Abweichung von 300 Pa (3 g/cm );
- während des Druckvorganges sollte die Viskosität der
elektrisch leitfähigen Paste nicht mehr als 30 % über ihren ursprünglichen Wert ansteigen.
Es wurde festgestellt, daß die vorliegende Siebdruckeinrichtung
auch dann noch zufriedenstellend arbeitet, selbst
wenn die Bohrungen 24 nur noch 0,08 cm von der Kante des Substrats 23 entfernt sind, so daß der Konstrukteur der
elektrischen Schaltkreise einen hohen Freiheitsgrad für die Anordnung dieser Bohrungen 24 auf dem Substrat 23
hat.
Das Prinzip der Erfindung wurde anhand des speziellen Ausführungsbeispieles
beschrieben; es ist jedoch selbstverständlich, daß diese Beschreibung nur ein Beispiel sein
kann und nicht den Schutzumfang der Erfindung begrenzt.
- Leerseite -
Claims (16)
- INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC
CORPORATION, NEW YORKC.Cleemput 1PatentansprücheSiebdruckverfahren zur Herstellung von elektrischen 'Schaltkreisen mit wenigstens einer durchkontaktierten Bohrung, wobei eine elektrisch leitfähige Paste mittels einer Rakel oder Quetschwalze durch ein Sieb hindurch auf die eine Oberfläche eines Substrats aufgebracht wird und dabei auf der der Druckseite gegenüberliegenden Seite ein Unterdruck erzeugt wird, so daß zumindest ein Teil der Innenwandung der Bohrungen mit der Paste überzogen wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterdruck während des Druckvorgangs im wesentlichen auf einen vorgegebenen Wert zwischen 1.000 und 20.000 Pa konstant gehalten wird. - 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterdruck von einem Vakuumvorratsgefäß (15) entnommen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (23) in unmittelbarer Nähe einer Vakuumkammer (10) vorgesehen wird und die Vakuumkammer (10) mit dem Vakuumvorratsbehälter (15) verbunden wird, wobei dieser ein wesentlich größeres Volumen besitzt als die Vakuumkammer (10).ZT/P21-Hs/ki - 2 -29.5.1984C.CLeemput 1
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterdruck zwischen + 10 % eines vorgegebenen Wertes gehalten wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Abweichung vom vorgegebenen Wert auf höchstens 300 Pa gehalten wird.
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Rakel (3) oder die Quetschwalze mit einer Geschwindigkeit zwischen 2,5 und 20 cm/sec. über das Drucksieb (2) bewegt wird.
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (23) beidseitig bedruckt wird und dabei auf der einen Seite ein gegenüber der anderen Seite unterschiedlicher Unterdruck angewendet wi rd.
- 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Druckunterschied zwischen den beiden Seiten größer als 1 und 2,5 liegt.
- 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat (23) verwendet wird, dessen Dicke und deren Durchmesser der Öffnungen (24) sich verhalten wie 1,5 bis 5 : 1.
- 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat (23) mit einer Dicke von 0,076 cm und Öffnungen (24) mit einem Durchmesser von 0,035 cm verwendet wird.C.CLeemput 1
- 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Druckprozeß unterbrochen wird, wenn der Unterdruck nicht innerhalb der Toleranzgrenzen liegt.
- 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Viskositätsänderung der druckpaste auf 30 % des Anfangswertes begrenzt wird.
- 13. Siebdruckeinrichtung zur Ausübung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Arbeitsplatte (1), ein Drucksieb C2) und eine über dieses bewegbare Rakel (3) oder Quetschwalze aufweist, daß in der Arbeitsplatte (1) eine mit einer Vakuumkammer (10) in Verbindung stehende Aussparung (14) vorgesehen ist, die über eine erste Leitung (12), ein Ventil (13) und eine zweite Leitung (14) miteinem Vakuumvorrat sbehä Lt er (15) verbunden ist und letzterer wiederum an einem Vakuumerzeuger (16) angeschlossen ist.
- 14. Einrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungen (12, 14) einen Durchmesser von wenigstens 5 cm aufweisen.
- 15. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Summe der Volumina von Vakuumvorratsbehältern (15) und der zweiten Leitung (14) zur Summe der Volumina von Vakuumkammer (10) und der ersten Leitung (12) > 100 : 1 ist.C.Cleemput 1
- 16. Einrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 15/ dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der VakuumvorratsbehäLter (15) als auch der Vakuumkammer (10) je eine Steuereinrichtung (18 bzw. 19) zugeordnet ist, die, ggf. über eine zusätzliche Steuereinheit (25) und/oder eine Regeleinrichtung (22), mit dem Vakuumerzeuger (16) einen Rege Ik rei s b iIden .
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