DE2938994C3 - Filterschaltung - Google Patents
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Description
Das Merkmal im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1
der erteilten Fassung, wonach "die Grenzfrequenz mittels
der ersten und/oder der zweiten Eingangsspannung (V1, V2)
steuerbar ist" (DE 29 38 994 C2, Seite 9 Zeile 15)
enthält eine unzulässige Änderung im Sinne PatG §38.
Es ist im vorliegenden Patentanspruch 1 ersetzt durch
"die Grenzfrequenz mittels des in der Konstantstromquelle
(A1) fließenden Stroms (2I) steuerbar ist."
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Filterschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein spannungsgesteuerter Tiefpaßfilter gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist aus dem Zeitschriftenarti
kel "Spannungsgesteuerter Tiefpaßfilter für den Musikbereich", Funkschau 1976, Heft 26, S. 87-88, bekannt. Die
Realisierung dieses nur als Tiefpaß, nicht jedoch als Hochpaß einsetzbaren Filters, bedingt jedoch einen großen
schaltungstechnischen Aufwand. Eine in seiner Grenzfrequenz umschaltbarer Tiefpaß- oder Bandpaßfilter ist in
der DE-PS 25 52 571 offenbart.
Wenn eine Schaltung mit einem Filter als integrierte Schaltung ausgeführt wird, stellt es ein bedeutendes
Problem dar, wie das betreffende Filter in die integrierte Schaltung einbezogen wird und wie die Anzahl von
extern zu verbindenden bzw. anzuschließenden Teilen vermindert wird. Als Filter, welches relativ leicht als
integrierte Schaltung ausgeführt werden kann, ist ein aktives Filter bekannt. Wenn das aktive Filter in Form
einer integrierten Schaltung ausgeführt wird, sind jedoch einige Probleme vorhanden. Dabei handelt es sich um
die folgenden Probleme. 1. Da die Genauigkeit der Widerstandswerte der Widerstände nicht so hoch gewählt
werden kann, streut die Grenzfrequenz derartiger Filter. 2. Da der Temperaturgang der Widerstände schlecht
ist, wird der Temperaturgang der Grenzfrequenz schlecht. 3. Da der Widerstandswert und die Kapazität nicht so
groß gewählt werden können, ist es schwierig, ein Filter mit einer niedrigen Grenzfrequenz zu schaffen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine zum Einsatz in einer integrierten Schaltung geeignete
Filterschaltung zu schaffen, deren Grenzfrequenz durch ein Steuersignal steuerbar und temperaturstabil ist.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausge
staltungen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 4 angegeben.
Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend beispielsweise näher erläutert.
Fig. 1 bis 17 zeigen verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung.
In Fig. 1 ist ein erstes grundlegendes Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht, gemäß dem die
Masseseite des Kondensators C an einem Eingangsanschluß T8 angeschlossen ist, dem ein zweites Eingangssi
gnal zugeführt wird.
Wenn bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel die Signalspannungen an den Eingangsanschlüssen
T1 und T8 mit V1 bzw. V2 bezeichnet werden, dann kann für den Signalzweig, umfassend den Anschluß T8, den
Kondensator C, die Emitterwiderstände 2re der Transistoren Q1, Q2 und den Anschluß T1 folgende Beziehung
angegeben werden:
wobei
ist.
Demgemäß zeigt das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel einen Tiefpaßcharakter für die Eingangsspan
nung V1 und einen Hochpaßcharakter für die Eingangsspannung V2. Die Grenzfrequenzen ωC beider Frequenz
charakteristika sind einander gleich; sie können durch den Strom I gesteuert werden.
Wenn man beispielsweise annimmt, daß V1 = V2 ist, dann genügt die Übertragungsfunktion H(ω) dieser
Ausführungsform folgender Beziehung:
Damit wird die in Fig. 1 als Ausführungsbeispiel dargestellte Schaltungsanordnung zu einem Phasenschieber
unter der obigen Annahme, wobei der Betrag der Phasenverschiebung durch den Strom I gesteuert werden
kann.
Wenn bei dem oben erläuterten Ausführungsbeispiel der Kondensator C durch eine induktive Reaktanz
gebildet bzw. ersetzt wird, zeigen die betreffenden Schaltungsanordnungen Hochpaßcharakter.
An Hand der Fig. 2-8 soll eine erste Gruppe konkreter Ausführungsbeispiele erläutert werden.
In Fig. 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel der einstellbaren Filterschaltung gemäß der Erfindung veran
schaulicht. Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind Transistoren Q1 und Q2 vorgesehen, deren
Emitter miteinander verbunden an einer einstellbaren Konstantstromquelle A1 angeschlossen sind. Der Transi
stor Q1 ist mit seiner Basis an einem Eingangsanschluß T1 und mit seinem Kollektor an einem Speisespannungs
anschluß T3 angeschlossen, der eine Spannung von + Vcc führt. Der Kollektor des Transistors Q2 ist an einer
Konstantstromquelle A2 angeschlossen. Ein Kondensator C, der als Wechselstromlast dient, liegt zwischen dem
Kollektor des Transistors Q2 und Masse bzw. Erde. Der Kollektor des Transistors Q2 ist ferner mit der Basis
eines Transistors Q3 verbunden, dessen Kollektor mit der Anschlußklemme T3 verbunden ist und dessen Emitter
mit einer Konstantstromquelle A3 verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q3 ist ferner mit der Basis des
Transistors Q2 und mit einem Ausgangsanschluß T2 verbunden.
Unter Zugrundelegung des vorstehend beschriebenen Schaltungsaufbaus sei angenommen, daß die dem
Eingangsanschluß T1 zugeführte Eingangsspannung einen Wert Vin aufweist, daß die Ausgangsspannung am
Anschluß T2 mit Vout bezeichnet sei, daß außerdem der die Transistoren Q1, Q2 und den Kondensator C auf das
Auftreten eines Eingangssignales hin durchfließende Signalstrom mit is bezeichnet sei und daß der Emitterwider
stand des Transistors Q1 und des Transistors Q2 mit re bezeichnet sei. Dann gilt folgende Gleichung (1):
Aufgrund der Tatsache, daß der Signalstrom is durch den Kondensator C fließt, wird eine Signalspannung
erzeugt, die über den Transistor Q3 der Emitterfolger-Schaltungsanordnung an den Anschluß T2 als Ausgangs
spannung Vout abgegeben wird. Demgemäß beträgt die an dem Kondensator C liegende Signalspannung Vout.
Wenn die Winkelfrequenz des Signals mit ω bezeichnet wird, dann gilt demgemäß die folgende Gleichung (2):
Die Übertragungsfunktion H(ω) der in Fig. 2 dargestellten Schaltungsanordnung kann aus den Gleichungen (1) und (2) wie folgt angegeben werden:
Diese Gleichung (3) bedeutet, daß es sich bei der in Fig. 2 dargestellten Schaltungsanordnung um ein Tiefpaß
filter handelt, dessen Grenzfrequenz ωC wie folgt angegeben wird:
ωC= 1/2Cre (4)
Wenn der in die Konstantstromquelle A2 fließende Strom in diesem Fall mit 2I angenommen wird, dann wird
der Emitterstrom jedes der Transistoren Q1 und Q2 zu I. Zwischen dem Emitterstrom I und dem Emitterwider
stand re existiert somit folgende Beziehung (5):
wobei k die Boltzmann-Konstante, T die absolute Temperatur und Q die Ladung eines Elektrons bedeuten.
Wenn die obige Gleichung (5) in die Gleichungen (3) bzw. (4) eingesetzt wird, erhält man die nachstehenden
Gleichungen (6) und (7):
Demgemäß dient die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 2 als Tiefpaßfilter, dessen Grenzfrequenz ωC dadurch
geändert werden kann, daß die Höhe des Stromes 2I der Konstantstromquelle A1 geändert wird.
In diesem Falle kann der Strom I in der Gleichung (7) in einer nachstehend noch beschriebenen Art und Weise
derart genau eingestellt werden, daß verhindert ist, daß die Grenzfrequenz ωC streut, und daß außerdem
verhindert ist, daß der Temperaturgang des Filters sich verschlechtert. Obwohl die Kapazität C klein ist, kann
ferner die Grenzfrequenz ωC durch Vermindern des Stromes I auf einen niedrigen Wert eingestellt werden.
Demgemäß kann der der niedrigen Grenzfrequenz ωC entsprechende Kondensator C in eine integrierte Schal
tung einbezogen werden, was bedeutet, daß die gute Wirkung der integrierten Schaltung realisiert wird.
Da die Grenzfrequenz ωC bei diesem Ausführungsbeispiel durch den Strom I bestimmt wird, kann überdies die
Grenzfrequenz ωC schnell über einen weiten Bereich durch Ändern des Stromes I verändert werden. Überdies
ist das Gleichspannungspotential am Eingangsanschluß T1 gleich dem Potential am Ausgangsanschluß T2, und
außerdem ist die Ausgangsimpedanz aufgrund der Verwendung des Transistors Q3 niedrig, so daß diese in Fig. 2
dargestellte Filterschaltung ohne weiteres mit anderen Schaltungen in einer vielstufigen Anordnung verbunden
werden kann.
Obwohl der Emitterwiderstand re der Transistoren Q1 und Q2 durch den Signalstrom is etwas geändert wird,
werden die Emitterwiderstände re der Transistoren Q1 und Q2 in entgegengesetzten Richtungen zueinander
verändert, so daß die Widerstandsänderungen in diesem Fall gegeneinander aufgehoben werden können. Damit
verschwindet die scheinbare Änderung des Widerstands re, die durch den Strom is hervorgerufen wird, so daß ein
guter Verzerrungs- bzw. Klirrfaktor und ein weiter Dynamikbereich erzielt werden.
In Fig. 3 ist ein drittes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei dieselben Bezugs
zeichen wie in Fig. 2 dazu herangezogen sind, dieselben Elemente zu bezeichnen. Bei dem vorliegenden Ausfüh
rungsbeispiel ist ein Transistor Q4 vorgesehen, dessen Emitter an Masse bzw. Erde liegt und der als Konstant
stromquelle A1 dient. Die Emitter der Transistoren Q1 und Q2, die miteinander verbunden sind, sind mit dem
Kollektor des Transistors Q4 verbunden, dessen Basis über Widerstände R1, R2 und einen Anschluß T4 eine
Steuerspannung von einer Spannungsquelle E her zugeführt wird. Ferner ist ein Transistor Q5 vorgesehen, der
am Kollektor des Transistors Q1 angeschlossen ist. Überdies ist ein Transistor Q6 vorgesehen, der als Konstant
stromquelle A2 dient und der mit dem Transistor Q2 verbunden ist. Diese Transistoren Q5 und Q6 bilden eine
Stromspiegelschaltung.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Filterschaltung wird der den Kondensator c durchfließende Signalstrom is
durch die Stromspiegelschaltung mit zwei multipliziert, so daß die Grenzfrequenz ωC dieser Filterschaltung
folgender Beziehung genügt:
Wenn die Spannung der Spannungsquelle E verändert wird, wird in diesem Fall der Kollektorstrom des
Transistors Q4 verändert. Demgemäß kann die Grenzfrequenz ωC durch Ändern der Spannung der Spannungs
quelle E verändert oder eingestellt werden.
Unter Heranziehung der Gleichungen (6) und (7) sei ferner bemerkt daß dann, wenn die Temperatur T
beispielsweise ansteigt, die Grenzfrequenz ωC abnehmen muß. Aufgrund des Temperaturanstiegs steigt zu
diesem Zeitpunkt der Kollektorstrom des Transistors Q4 an, und außerdem steigt der Strom I an. Deshalb wird
das Absinken der Grenzfrequenz ωC infolge des Temperaturanstiegs durch den Anstieg des Stromes I aufgeho
ben. Demgemäß kann der Temperaturgang der Grenzfrequenz ωC verbessert werden.
In Fig. 4 ist ein viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht. Bei diesem Ausführungsbeispiel
sind eine Reihenschaltung von n Dioden D11, D12 . . . D1n und eine Reihenschaltung von n Dioden D21, D22. . .
D2n (wobei n eine ganze Zahl ist) zwischen dem Emitter des Transistors Q1 und der Konstantstromquelle A1
bzw. zwischen dem Emitter des Transistors Q2 und der Konstantstromquelle A1 vorgesehen. Da 2(n+1),
Widerstände re in dem Stromweg des Signalstromes is vorhanden sind, genügt demgemäß bei der Filterschaltung
gemäß Fig. 4 die Grenzfrequenz ωC folgender Beziehung:
Demgemäß kann die Grenzfrequenz ωC der in Fig 4 dargestellten Filterschaltung niedrig gemacht werden im Vergleich zu der Grenzfrequenz der in Fig. 3 dargestellten Filterschaltung. Die Absenkung der betreffenden
Grenzfrequenz beträgt hier das 1/(n+1)fache. Mit anderen Worten ausgedrückt heißt dies, daß dann, wenn die
Grenzfrequenz ωC bei beiden Ausführungsbeispielen gemäß Fig. 3 und 4 gleich gewählt worden ist, der Strom I
gemäß Fig. 4 groß wird im Vergleich zu dem Strom bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 3, und zwar um das
(n+1)fache. Demgemäß wird die Größe des Stromes I in bezug auf den Signalstrom is groß, und damit wird der
Dynamikbereich weit.
In Fig. 5 ist ein fünftes Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht, gemäß dem Widerstände R3 und
an die Stelle der Dioden D11 bis D1n bzw. D21 bis D2n verwendet werden, wie sie bei der Ausführungsform
gemäß Fig. 4 verwendet sind. Der übrige Schaltungsaufbau der in Fig. 5 dargestellten Schaltungsanordnung
stimmt weitgehend mit dem Schaltungsaufbau der in Fig. 4 dargestellten Schaltungsanordnung überein. Das in
Fig. 5 dargestellte Ausführungsbeispiel bringt somit dieselbe Wirkung mit sich wie die in Fig. 4 dargestellte
Schaltungsanordnung.
In Fig. 6 ist ein sechstes Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist eine Reihenschaltung aus Widerständen R5 und R6 als Konstantstromquelle A3 verwendet. Der Verbin
dungspunkt zwischen den beiden Widerständen ist mit der Basis des Transistors Q2 verbunden.
Bei den in Fig. 2 bis 5 dargestellten Ausführungsbeispielen wird die am Emitter des Transistors Q3 auftretende
Ausgangsspannung Vout negativ auf die Basis des Transistors Q2 zurückgekoppelt, und zwar 100%ig. Demge
genüber wird bei dem in Fig. 6 dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung die Ausgangsspannung lediglich
mit dem nachstehend angegebenen Rückkopplungsfaktor K negativ zurückgekoppelt:
Demgemäß lassen sich die Übertragungsfunktion H(ω) und die Grenzfrequenz ωC der in Fig. 6 dargestellten
Filterschaltung durch folgende Beziehungen angeben:
Demgemäß wird mit der in Fig. 6 dargestellten Filterschaltung im Durchlaßband eine 1/K-fache Verstärkung
(K ≦ 1) erzielt. Darüber hinaus kann die Grenzfrequenz ωC der betreffenden Filterschaltung niedrig gewählt
werden. Wenn die Grenzfrequenz ωC gleich der Grenzfrequenz der vorstehend betrachteten Schaltungsanord
nung gewählt wird, dann kann der Dynamikbereich weit gemacht werden.
In Fig. 7 ist ein siebtes Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht, gemäß dem ein Tiefpaßfilter aus
zwei Systemen gebildet ist. Dies bedeutet, daß bei diesem Ausführungsbeispiel Transistoren Q11 bis Q16 und
eine Konstantstromquelle A13 in entsprechender Weise mit den Transistoren Q1 bis Q6 und der Konstantstrom
quelle A3 verbunden sind, daß die Basis des Transistors Q11 mit dem Eingangsanschluß T verbunden ist, daß der
Emitter des Transistors Q13 mit der Basis des Transistors Q1 verbunden ist bzw. daß der Emitter des Transistors
Q3 über einen Kondensator C2 mit der Basis des Transistors Q13 verbunden ist. Die Transistoren Q4 und Q14
bilden zusammen mit dem Transistor Q7 eine Stromspiegelschaltung; sie werden mit einer Vorspannung
versorgt. Demgemäß stellt die in Fig. 7 dargestellte Schaltungsanordnung ein aus zwei Systemen bestehendes
Tiefpaßfilter dar.
Unter Zugrundelegung der in Fig. 7 dargestellten Schaltungsanordnung sei angenommen, daß die Kollektor
ströme der Transistoren Q14 und Q4 mit 2I1 bzw. 2I2 bezeichnet seien. Die Grenzfrequenz ωC und Q genügen
bei diesem Ausführungsbeispiel folgenden Beziehungen:
In Fig. 8 ist eine achte Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht, gemäß der ein Tiefpaßfilter aus zwei
Systemen gebildet ist und bei der das Rückkopplungsverhältnis K eingestellt bzw. festgelegt ist.
An Hand der Fig. 9-16 wird eine zweite Gruppe konkreter Ausführungsbeispiele erläutert.
Zunächst sei die in Fig. 9 dargestellte Ausführungsform der einstellbaren Filterschaltung gemäß der Erfindung
näher betrachtet. Gemäß dieser Ausführungsform ist ein Eingangsanschluß T über einen Kondensator C mit der
Basis des Transistors Q3 verbunden, dessen Kollektor mit der eine Spannung von + Vcc führenden Speisespan
nungsklemme T3 verbunden ist und dessen Emitter mit einer Konstantstromquelle A3 verbunden ist und
außerdem mit einem Ausgangsanschluß T2. Die vorgesehenen Transistoren Q1 und Q2 sind mit ihren Emittern
verbunden an einer veränderbaren bzw. einstellbaren Konstantstromquelle A1 angeschlossen. Die Basis des
Transistors Q2 ist mit dem Emitter des Transistors Q3 verbunden, und der Kollektor des Transistors Q2 ist mit
der Basis des Transistors Q3 verbunden. Außerdem ist der Kollektor des Transistors Q2 mit einer Konstant
stromquelle A2 verbunden. Die Basis des Transistors Q1 ist an einer Vorspannungsquelle VBB angeschlossen.
Der Kollektor des betreffenden Transistors Q1 ist mit dem Anschluß T3 verbunden.
Die Bezeichnung der Transistoren und Konstantstromquellen entspricht jener in Fig. 2.
Unter Zugrundelegung der vorstehend erläuterten Schaltungsanordnung sei angenommen, daß die dem
Anschluß T1 zugeführte Eingangsspannung Vin sei und daß die am Anschluß T2 auftretende Ausgangsspannung
Vout sei. Da die Signalspannung an der Basis des Transistors Q2 als Ausgangsspannung Vout abgenommen wird,
beträgt die Signalspannung an der Basis des Transistors Q3 somit Vout. Nimmt man die Winkelfrequenz des
Signals an mit ω, so kann ein den Kondensator C durchfließender Signalstrom is demgemäß wie folgt angegeben
werden:
Da die am Emitter des Transistors Q3 auftretende Spannung Vout des Basis des Transistors Q2 zugeführt
wird, um den Signalstrom is durch die Transistoren Q2 und Q1 fließen zu lassen, gelangt man ferner zu der
nachstehenden Gleichung (9) - wenn die Emitterwiderstände der Transistoren Q2 und Q1 mit re bezeichnet
sind:
Die Übertragungsfunktion H(ω) der in Fig. 11 dargestellten Schaltungsanordnung kann aus den Gleichungen
(8) und (9) wie folgt angegeben werden:
Diese Gleichung (10) bedeutet, daß die in Fig. 9 dargestellte Schaltungsanordnung ein Hochpaßfilter darstellt, dessen Grenzfrequenz ωC folgender Beziehung genügt:
ωC=1/2Cre (11)
Wenn in diesem Fall der in die Konstantstromquelle A1 fließende Strom mit 2I angenommen wird, dann wird
der Emitterstrom jedes der Transistoren Q2 und Q1 zu I. Zwischen dem Emitterstrom I und dem Emitterwider
stand re existiert somit folgende Beziehung:
wobei k die Boltzmannkonstante, T die absolute Temperatur und Q die Ladung eines Elektrons bedeuten.
Wenn die obige Gleichung (12) in die Gleichungen (10) und (11) eingesetzt wird, gelangt man zu den
nachstehenden Gleichungen (13) und (14):
Demgemäß dient die in Fig. 9 dargestellte Schaltungsanordnung als Hochpaßfilter, deren Grenzfrequenz -C
dadurch geändert werden kann, daß die Höhe des Stromes 2I der Konstantstromquelle A1 geändert wird.
In diesem Fall kann der Strom I in der Gleichung (14) in der nachstehend noch näher beschriebenen Art und
Weise derart genau eingestellt werden, daß verhindert ist, daß die Grenzfrequenz ωC streut. Außerdem ist
dadurch verhindert, daß der Temperaturgang des Filters sich verschlechtert. Obwohl die Kapazität C klein ist,
kann die Grenzfrequenz ωC durch Vermindern des Stromes I auf einen niedrigen Wert eingestellt werden.
Demgemäß kann der der niedrigen Grenzfrequenz ωC entsprechende Kondensator C in eine integrierte Schal
tung einbezogen werden. Dies bedeutet, daß die gute Wirkung der integrierten Schaltung realisiert wird.
Da die Grenzfrequenz ωC bei diesem Ausführungsbeispiel durch den Strom I bestimmt wird, kann überdies die
Grenzfrequenz ωC schnell über einen weiten Bereich durch Ändern des Stromes I verändert werden. Darüber
hinaus ist die Ausgangsimpedanz aufgrund der Verwendung des Transistors Q3 niedrig, so daß die in Fig. 9
dargestellte Filterschaltung ohne weiteres mit anderen Schaltungen in einer vielstufigen Anordnung verbunden
werden kann.
Obwohl der Emitterwiderstand re der Transistoren Q2 und Q1 durch den Signalstrom is etwas verändert wird,
werden die Emitterwiderstände re der Transistoren Q2 und Q1 in zueinander entgegengesetzten Richtungen
geändert, so daß die Widerstandsänderungen in diesem Fall gegeneinander aufgehoben werden können. Des
halb verschwindet die durch den Strom is hervorgerufene scheinbare Änderung des Widerstands re, so daß ein
guter Verzerrungs- bzw. Klirrfaktor und ein weiter Dynamikbereich erzielt werden.
In Fig. 10 ist eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, in der entsprechende
Schaltungselemente wie in Fig. 9 durch entsprechende Bezugszeichen bezeichnet sind. Bei dieser Ausführungs
form ist ein Transistor Q4 vorgesehen, dessen Emitter an Erde bzw. Masse liegt und der als Konstantstromquelle
A1 dient. Die Emitter der Transistoren Q2 und Q1, die miteinander verbunden sind, sind mit dem Kollektor des
Transistors Q4 verbunden, dessen Basis über die Widerstände R1 und R2 und einen Anschluß T4 eine Steuer
spannung von einer Spannungsquelle E her zugeführt wird. Überdies ist ein Transistor Q5 vorgesehen, der am
Kollektor des Transistors Q1 angeschlossen ist. Ferner ist ein Transistor Q6 vorgesehen, der als Konstantstrom
quelle A2 dient und der mit dem Transistor Q2 verbunden ist. Die Transistoren Q5 und Q6 bilden eine
Stromspiegelschaltung.
Bei der in Fig. 10 dargestellten Filterschaltung wird der den Kondensator C durchfließende Signalstrom is
durch die Stromspiegelschaltung mit 2 multipliziert, so daß die Grenzfrequenz ωC dieser in Fig. 10 dargestellten
Filterschaltung folgender Beziehung genügt:
Wenn in diesem Fall die Spannung der Spannungsquelle E verändert wird, ändert sich der Kollektorstrom des
Transistors Q4. Damit kann die Grenzfrequenz ωC durch Ändern der Spannung der Spannungsquelle E verän
dert oder eingestellt werden.
Wenn unter Zugrundelegung der obigen Gleichungen (13) und (14) die Temperatur T beispielsweise ansteigt,
muß überdies die Grenzfrequenz ωC niedriger werden. Aufgrund des Temperaturanstiegs steigt zu diesem
Zeitpunkt der Kollektorstrom des Transistors Q4 an, und der Strom I nimmt zu. Demgemäß hebt sich das
Absinken der Grenzfrequenz ωC infolge des Temperaturanstiegs durch das Ansteigen des Stromes I auf. Damit
kann der Temperaturgang der Grenzfrequenz ωC verbessert werden.
In Fig. 11 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht. Bei dieser Ausführungsform sind
eine Reihenschaltung von n Dioden D11, D12. . . D1n und eine Reihenschaltung von n Dioden D21, D22 . . . D2n
(wobei n eine ganze Zahl ist) zwischen dem Emitter des Transistors Q2 und einer Konstantstromquelle A1 bzw.
zwischen dem Emitter des Transistors Q1 und der Konstantstromquelle A2 angeschlossen. Da bei der in Fig. 11
dargestellten Filterschaltung 2(n+ 1) Widerstände re im Stromweg des Signalstroms is vorhanden sind, wird
demgemäß bei der Filterschaltung gemäß Fig. 11 die Grenzfrequenz ωC zu:
Demgemäß kann die Grenzfrequenz ωC der in Fig. 11 dargestellten Filterschaltung niedrig gemacht werden
im Vergleich zu der in Fig. 10 dargestellten Filterschaltung, und zwar um das 1/(n+1)fache. Mit anderen Worten
ausgedrückt heißt dies, daß dann, wenn die Grenzfrequenz ωC bei beiden in Fig. 10 und 11 dargestellten
Ausführungsbeispielen gleich gewählt ist, der Strom I bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 11 groß wird im
Vergleich zu dem bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 10 fließenden Strom, und zwar um das (n+1)fache.
Demgemäß wird die Höhe des Stromes I in Bezug auf den Signalstrom is groß, und damit wird der Dynamikbe
reich weit.
In Fig. 12 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht, gemäß dem die Widerstände R3
und R4 an Stelle der Dioden-Reihenschaltungen D11 bis D1n bzw. D21 bis D2n vorgesehen sind, die bei dem
Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 11 verwendet sind. Im übrigen stimmt der Aufbau der in Fig. 12 dargestellten
Schaltungsanordnung weitgehend mit dem Aufbau der in Fig. 11 dargestellten Schaltungsanordnung überein.
Die in Fig. 12 dargestellte Ausführungsform bringt somit dieselbe Wirkung mit sich wie die in Fig. 11 dargestell
te Schaltungsanordnung.
In Fig. 13 ist ein noch weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht. Bei diesem Ausführungs
beispiel ist eine Reihenschaltung aus Widerständen R5 und R6 als Konstantstromquelle A3 verwendet, und der
Verbindungspunkt zwischen den beiden Widerständen ist mit der Basis des Transistors Q2 verbunden.
Bei den in Fig. 9 bis 12 dargestellten Ausführungsbeispielen der Erfindung wird die am Emitter des Transistors
Q3 auftretende Ausgangsspannung Vout negativ auf die Basis des Transistors Q3 zurückgekoppelt, und zwar
100%ig. Demgegenüber wird bei dem in Fig. 13 dargestellten Ausführungsbeispiel die Ausgangsspannung
lediglich mit dem nachstehend angegebenen Rückkopplungsverhältnis K negativ zurückgekoppelt:
Demgemäß genügen die Übertragungsfunktion H(ω) und die Grenzfrequenz ωC der in Fig. 12 dargestellten Filterschaltung folgenden Bedingungen:
Demgemäß kann bei der in Fig. 13 dargestellten Filterschaltung die Grenzfrequenz ωC um das 1/K-fache (mit
K ≧ 1) niedriger gewählt werden. Wenn die Grenzfrequenz ωC gleich der oben betrachteten Schaltungsanord
nung gewählt wird, dann kann der Dynamikbereich breit gemacht werden.
In Fig. 14 ist ein noch weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht, welches als Phasenschie
ber wirkt. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein Widerstand R6 als Konstantstromquelle A3 verwendet, und
ein Widerstand R7 (= R6) liegt zwischen dem Eingangsanschluß T1 und dem Widerstand R6. Der Kollektor des
Transistors Q3 ist mit dem Ausgangsanschluß T2 verbunden, von dem ein Ausgangsstrom Iout abgegeben wird.
Bei diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung werden demgemäß der durch die Filterschaltung gewonnene
Strom und der durch den Widerstand R7 gewonnene Strom zum Ausgangsstrom Iout zusammengesetzt, so daß
die Phase dieses Stroms durch den Strom 2I geändert wird.
In Fig. 15 ist eine noch weitere Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht, die als spannungsgesteuerter
Oszillator (VCO) oder als einstellbarer Quarzoszillator (Vxo) dient, indem der oben beschriebene Phasenschie
ber mit einer Schwingschaltung verbunden wird. Dies bedeutet, daß ein Widerstand R8 (= R6) mit dem Kollek
tor des Transistors Q3 verbunden wird, wodurch eine in der Phase verschobene Ausgangsspannung als Span
nung abgeleitet wird. Diese phasenverschobene Ausgangsspannung wird der Basis eines Transistors Q8 zuge
führt. Das am Emitter des Transistors Q3 auftretende Ausgangssignal wird der Basis des Transistors Q7
zugeführt. Die Transistoren Q7 und Q8 bilden zusammen mit einer Konstantstromquelle A4 einen Differenzver
stärker. In diesem Fall wird das am Kollektor des Transistors Q8 auftretende Ausgangssignal über einen
Transistor Q9 an den Ausgangsanschluß T2 abgegeben und über einen Quarzoszillator X an den Kondensator C
und den Widerstand R zurückgekoppelt.
Da der Betrag der Phasenverschiebung des Phasenschiebers durch die Spannung an einem Anschluß T4
geändert wird, kann bei der in Fig. 15 dargestellten Ausführungsform der Erfindung am Ausgangsanschluß T2
eine Ausgangsspannung mit einer variablen bzw. einstellbaren Frequenz erhalten werden.
In Fig. 16 ist eine noch weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei der es sich um eine Farbwert
regelschaltung für einen Farbfernsehempfänger unter Verwendung von zwei Phasenschiebern der oben genann
ten Art handelt. Dies bedeutet, daß die Kollektor-Emitter-Spannung eines Transistors Q10 durch Widerstände
R9 und R10 aufgeteilt wird, nämlich dadurch, daß die Widerstände R9 und R10 mit dem Kollektor bzw. dem
Emitter des Transistors Q10 verbunden sind. Dies führt dazu, daß die an die Basis des Transistors Q10 abgegebe
ne Spannung phasenverschoben ist und am Kollektor bzw. Emitter des betreffenden Transistors auftritt. Am
Kollektor des Transistors Q10 ist ein Kondensator C1 angeschlossen. Der Emitter des Transistors Q10 ist mit der
Basis des Transistors Q3 verbunden. Die Transistoten Q1 bis Q9 sowie der Quarzoszillator X sind darüber hinaus
in entsprechender Weise geschaltet wie bei der oben erläuterten Schaltungsanordnung. Das von dem Quarzos
zillator X abgegebene Signal wird der Basis des Transistors Q10 zurückgekoppelt. Damit ist die Vxo-Schaltung
gebildet. Eine Schaltung A10 zur automatischen Phasenregelung liefert eine automatische Phasenregelspannung
an die Basis des Transistors Q4.
In der in Fig. 16 dargestellten Ausführungsform sind die Transistoren Q11 bis Q16 und der Kondensator C2 in
entsprechender Weise mit den Transistoren Q1 bis Q6 und dem Kondensator C1 zur Bildung des Phasenschie
bers verbunden. Das am Emitter des Transistors Q11 auftretende Ausgangssignal wird einer Farbdemodula
tionsschaltung A11 als Bezugssignal (Farbträger) zugeführt, und eine Steuerspannung wird der Basis des
Transistors Q14 von einem einstellbaren Widerstand R11 der Farbwert-Regelschaltung zugeführt
Demgemäß wird bei der in Fig. 16 dargestellten Ausführungsform die Phase des Schwingungssignals von der
Vxo-Schaltung auf das Burstsignal synchronisiert, und zwar durch die automatische Phasenregelspannung. Das
Signal wird durch die Transistoren Q11 bis Q16 verändert und dann der Farbdemodulationsschaltung A11
zugeführt.
Wenn bei den vorstehend unter Bezugnahme auf Fig. 9 bis 16 erläuterten Schaltungsanordnungen der Kon
densator C durch eine induktive Reaktanz ersetzt wird, dann zeigen die betreffenden Schaltungsanordnungen
eine Tiefpaßeigenschaft.
In Fig. 17 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht, gemäß der ein Hochpaßfilter
und ein Bandpaßfilter durch Verwendung der oben erläuterten Filterschaltungen gemäß der Erfindung geschaf
fen sind. Demgemäß sind in Fig. 9 mit H1 und H2 die obigen Tiefpaßfilter bezeichnet, während mit H3 ein
Verstärker und mit H4 eine Subtrahierschaltung bezeichnet sind. Bei diesem Ausführungsbeispiel handelt es sich
bei dem an einem Ausgangsanschluß T7 abgegebenen Ausgangssignal um ein Signal, welches als Eingangssignal
durch die Tiefpaßfilter H1 und H2 geleitet worden ist, so daß dieses Ausgangssignal von einem Tiefpaßcharakter
ist. Da dieses Tiefpaß-Ausgangssignal und das Eingangssignal in der Subtrahiereinrichtung H4 voneinander
subtrahiert werden, besitzt das an einen Ausgangsanschluß T5 abgegebene Ausgangssignal einen Hochpaßcha
rakter. Dieses Ausgangssignal mit Hochpaßcharakter wird sodann durch das Tiefpaßfilter H1 an einen Aus
gangsanschluß T6 abgegeben, so daß das am Anschluß T6 auftretende Ausgangssignal einen Bandpaßcharakter
aufweist.
Claims (4)
1. Filterschaltung, deren Grenzfrequenz steuerbar ist, mit einem einen ersten
Transistor (Q1) und einen zweiten Transistor (Q2) umfassenden Differenzverstärker, mit
einer den Emitterstrom für die beiden Transistoren (Q1, Q2) liefernden
Konstantstromquelle (A1) und mit einer mit dem Differenzverstärker verbundenen
Reaktanzeinrichtung (C),
dadurch gekennzeichnet,
daß die Basis des ersten Transistors (Q1) an einen ersten Eingangsanschluß (T1) angeschlossen ist, dem eine erste Eingangsspannung (V1) zuführbar ist,
daß die Reaktanzeinrichtung (C) zum einen am Kollektor des zweiten Transistors (Q2) und zum anderen an einen zweiten Eingangsanschluß (T8) angeschlossen ist, dem eine zweite Eingangsspannung (V2) zuführbar ist,
daß die Grenzfrequenz mittels des in der Konstantstromquelle (A1) fließenden Stromes (2I) steuerbar ist und daß ein dritter Transistor (Q3) vorgesehen ist, dessen Basis mit dem Kollektor und dessen Emitter mit der Basis des zweiten Transistors (Q2) verbunden sind und daß der Emitter des dritten Transistors (Q3) mit dem Ausgangsanschluß (T2) verbunden ist.
dadurch gekennzeichnet,
daß die Basis des ersten Transistors (Q1) an einen ersten Eingangsanschluß (T1) angeschlossen ist, dem eine erste Eingangsspannung (V1) zuführbar ist,
daß die Reaktanzeinrichtung (C) zum einen am Kollektor des zweiten Transistors (Q2) und zum anderen an einen zweiten Eingangsanschluß (T8) angeschlossen ist, dem eine zweite Eingangsspannung (V2) zuführbar ist,
daß die Grenzfrequenz mittels des in der Konstantstromquelle (A1) fließenden Stromes (2I) steuerbar ist und daß ein dritter Transistor (Q3) vorgesehen ist, dessen Basis mit dem Kollektor und dessen Emitter mit der Basis des zweiten Transistors (Q2) verbunden sind und daß der Emitter des dritten Transistors (Q3) mit dem Ausgangsanschluß (T2) verbunden ist.
2. Filterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Reaktanzeinrichtung um
einen Kondensator (C) handelt.
3. Filterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der zweite Eingangsanschluß (T8) mit dem Masse-Potential der Schaltung verbunden ist, und
daß der erste Eingangsanschluß (T1) mit dem Eingangssignal (Vin) in Verbindung steht.
4. Filterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß am ersten Eingangsanschluß (T1)
eine konstante Spannung (VBB) anliegt und der zweite Eingangsanschluß (T8) mit dem Eingangssignal (Vin)
in Verbindung steht.
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