DE2934599C3 - Schaltungsanordnung zur Bildung von Prüfbits in einer Fehlerkorrektureinrichtung - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Bildung von Prüfbits in einer FehlerkorrektureinrichtungInfo
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- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
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Description
F i g. 2 den Zeitablauf von Steuersignalen.
Die in Fig. 1 vereinfacht dargestellte Schaltungsanordnung
geht davon aus, daß in jeder Spalte der in bekannter Weise in Zeilen und Spalten angeordneten
Speicherzellen zu der Bitleitung Di(J=O ...j)für den
wahren Wert eines Datenbits auch noch eine Bitleitung Di für das invertierte Datenbit vorhanden ist. 1st diese
Voraussetzung nicht erfüllt, dann müssen zu jeder Spalte der Speichermatrix Inverter zur Bildung der
invertierten Datenbits vorgesehen werden.
Für jedes Datenbit, das bei der Quersummenbildung für ein bestimmtes Prüfbit Cberücksichtigt wird, ist eine
Schalteinrichtung 5/ vorgesehen, die abhängig von dem vorliegenden logischen Wert des Datenbits zwei
Prüfleitungen L1 und L 2 glatt durchschaltet oder
kreuzt. Jede Schalteinrichtung S/enthält ein erstes Paar von MOS-Transistoren 771 und 772, deren zwischen
Sperrung und Durchlaß gesteuerte Schaltstrecken im Verlauf der Prüfleitungen Li und L2 liegen. Die
Steuerelektroden der Transistoren 771 unu T/2 sind mit
der Bitleitung Dl für die invertierten Datenbits verbunden. Die glatte Durchschaltung der durch eine
Schalteinrichtung Si unterbrochenen Abschnitte der Prüfleitungeni Ll bzw. L 2 erfolgt also, wenn an der
Bitleitung Di das höhere der beiden Datenpotentiale anliegt. Die gesteuerten Strecken eines weiteren Paares
von Transistoren 773 und 774 verbinden einen Abschnitt der Prüfleitung L1 mit dem folgenden
Abschnitt der Prüfleitung L 2 und umgekehrt. Die Steuerelektrode der Transistoren T/3 und T/4 des
zweiten Paares sind an die Bitleitung Di für das nichtinvertierte Datenbit angeschlossen. Mit dem
höheren Signalpotential auf der Bitleitung Di werden die Prüfleitungen L1 und L 2 somit überkreuzt
durchgeschaltet.
Während der eigentlichen Bewertungsphase werden die Anfänge der beiden Prüfleitungen L 1 und L 2 an
verschiedene Potentiale gelegt. Die Potentialdifferenz setzt sich auf die Enden der Prüfleitungen L 1 und L 2
durch, wobei aas den logischen Wert des Prüfbits bestimmende Vorzeichen der Potentialdifferenz von
den jeweiligen logischen Werten der in die Quersummenbildung einbezogenen Datenbits abhängt. Die
Potentialdifferenz an den Prüfleitungsenden setzt ein aus der Technik der MOS-Speicher bekanntes Flipflop
aus überkreuzgekoppelten Transistoren TJ und T2 in einer Bewerterschaltung ß(vergl. Electronics, 13.9.1972,
S. 116 bis 121). Das Flipflop wird durch einseitiges Anschalten an das Bezugspotentiai VSS mit Hilfe des
Transistors T3 aktiviert und verstärkt die durch die herrschende Potentialdifferenz vorgegebene Information
auf den Endpegel. Vorher jedoch wird das Flipflop durch die Transistoren 7"4 und T5 von den Prüfleitungen
L 1 und L 2 abgetrennt, da deren große parasitäre Kapazitäten die Pegeiregenerierung stören wurden.
Das erzeugte Prüfbit steht am Ausgang C zur Verfügung. Der Ausgang Cführt das invertierte PrüfbiL
Der zeitliche Ablauf der einzelnen Vorgänge, die für
■> die Bildung von Prüfbits von Bedeutung sind, ist am
besten anhand der Zeitdiagramme nach Fig.2 zu erkennen. Zwischen zwei Speicherzugriffen werden die
Prüfleitungen L 1 und L 2 gemeinsam über die bisher nicht erwähnten Transistoren 7~6 und T7 einer ersten
ίο Vorladeeinrichtung an den Prüfleitungsanfängen
(Fig. 1) und durch die Transistoren T8 und Γ9 einer
zweiten Vorladeeinrichtung an den Prüfleitungsenden an ein Vorladepotential VDD angeschlossen. Dazu
werden die Transistoren Γ6 bis 7"9 durch ein
; -, Vorladesignal PRE leitend gesteuert. Es kann vorausgesetzt
werden, daß zu diesem Zeitpunkt alle Bitleitungen Di und Di ebenfalls vorgeladen sind, wie dies bei
Speichern der hier betrachteten Art allgemein üblich ist (vergl. Electronics, 13.9.1972, S. 116 bis 121). Es sind
;t) dann in allen Durchschalteeinrichtungen S/ sowohl die
Transistoren 771 und 772 als auch die Transistoren 773
und 774 leitend. Damit nehmen auch sämtliche Zwischenabschnitte der Prüfleitungen L 1 und L 2 das
Vorladepotential an. Es ist nun ersichtlich, daß die Vorladeeinrichtung mit den Transistoren 7"8 und Γ9 an
den Leitungsenden grundsätzlich auch wegfallen kann.
Die Vorladung der Prüfleitungen L 1 und L 2 wird
durch Abschalten des Vorladesignals PRE etwa, in dem
Zeitpunkt beendet, ir dem aufgrund eines Schreib- oder Lesezugriffs zum Speicher die Informationen auf den
Bitleitungen Di und Di ihre gültigen Werte annehmen, was insbesondere bei einem Lesezugriff mit einer
gewissen zeitlichen Streuung eintritt. Nach einer Zeitspanne, die so bemessen ist, daß unter den
s·) ungünstigsten Vorbedingungen die richtige Einstellung
aller Durchschakeinrichtungen 5/angenonimen werden kann, wird der Anfang der Prüfleitung L 2 über einen
durch den Entladeimpuls Φ1 leitend gesteuerten Transistor 710 mit dem Bezugspotential VSS verbdnden,
d. h. entladen. Abhängig von der Zahl der im Einzelfall bestehenden Kreuzungen der Prüfleitungen
L 1, L 2 nimmt das Ende einer Prüfleitung wenigstens annährend das Bezugspotential VSSan.
Nach einer weiteren Zeitspanne, in der die Umladung des durchgeschalteten Leitungszuges beendet und das
Flipflop in der Bewerterschaltung B voreingestellt ist, werden die Transistoren Γ 4 und T5 durch Wegnahme
des Schaltsignals Φ 2 gesperrt. Damit wird die Bewerterschaltung ßvon den Prüfleitungen L 1 und L 2
abgetrennt. Unmittelbar danach erfolgt die Aktivierung des Flipflops in der Bewerterschaltung B, in dem der
Transistor T3 durch einen Taktimpuls Φ 3 vorübergehend leitend gesteuert wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Schaltungsanordnung zur Bildung von Prüfbits gemäß dem einem ausgewählten Korrekturcode
zugrundeliegenden Algorithmus in einer Einrichtung zur Korrektur von Fehlern in aus einem Speichermedium
bitparallel gelesenen Datenworten, dadurch gekennzeichnet, daß für jedes zu
erzeugende Prüfbit (C) ein Paar von Prüfleitungen (L 1, L 2), die eingangsseitig auf verschiedenen
Potentialen liegen, sowie ein Satz von Durchschalteinrichtungen (Si) zur gekreuzten oder nichtgekreuzten
Durchschaltung dieser Prüfleitungen (L 1, L 2) vorgesehen sind, wobei die Durchschalteinrichtungen
(Si) jeweils nach Maßgabe des dem benützten Korrekturcode zugrundeliegenden Algorithmus
den Bitstellen (i) zugeordnet und so ausgebildet sind, daß ein Datenbit mit dem logischen
Wert »0« eine glatte Durchschaltung der Prüfleitungen (L i, LT) und ein Datenbit mit dem logischen
Wert »1« eine Leitungskreuzung bewirkt, und daß am Ende eines jeden Paares von Prüfleitungen (L 1,
L 2) eine Bewerterschaltung (B) zur Abgabe eirres Prüfbits (C) vorgesehen ist, die entsprechend dem
Vorzeichen der zwischen den Prüfleitungen (L 1, L 2) herrschenden Potentialdifferenz den logischen
Wert des Prüfbits fCJ bestimmt.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruchl, gekennzeichnet durch die Integration in einem Speicherbaustein
und durch die Verbindung der Durchschalteeinrichtungen (Si) mit den bausteininternen Bitleitungen
(Di, Di).
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 in einem Speicherbaustein mit matrixförmig angeordneten
Speicherelementen aus MOS-Transistoren mit Wortleitungen und paarweise zugeordneten (gefalteten)
Bitleitungen für die nichtinvertierten und invertierten Datenbits, dadurch gekennzeichnet, daß
jede Durchschalteinrichtung (Si) enthält ein erstes Paar von MOS-Transistoren (Til, Ti2), deren
gesteuerte Strecken im Zuge der Prüfleitungen (L 1, L2) liegen und deren Steuerelektroden mit der
betreffenden Bitleitung (Di) für das invertierte Datenbit verbunden ist, sowie ein zweites Paar von
MOS-Transistoren (Ti 3, Ti4), deren gesteuerte
Strecken eine sich überkreuzende Verbindung zwischen der einen und der anderen Prüfleitung
eines Prüfleitungspaares (L 1, L 2) herstellen und deren Steuerelektroden mit der betreffenden Bitleitung
(Di) für das nichtinvertierte Datenbit verbunden ist, daß mindestens am Anfang eines jedes
Prüfleitungspaares eine Vorladeeinrichtung (T6, Tl
bzw. TS, Γ9) zur zeitweiligen, durch ein Vorladesignal PRE) gesteuerten Verbindung der Prüfleitungen
(L 1, L 2) mit einem Vorladepotential (VDD) vorgesehen ist, daß die eine Prüfleitung (z. B. L 2)
über einen durch einen Entladeimpuls (Φ 1) gesteuerten MOS-Transistor (TiO) zeitweilig mit
einem zweiten, von dem Vorladepotential (VDD) verschiedenen Potential (VSS) verbindbar ist und
daß an den Enden der Prüfleitungen weitere, durch ein Schaltsignal (Φ 2) steuerbare MOS-Transistoren
(T4, T5) zur zeitweiligen Abschaltung der Bewerterschaltung
(B) von den Prüfleitungen (L 1, L2) vorgesehen sind.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Datenspeicher wie beispielsweise Arbeitsspeicher von Datenverarbeitungsanlagen sind derzeit überwie-
-; gend mit Einrichtungen zur Fehlerkorrektur ausgestattet.
Am meisten verbreitet sind hierbei wohl Einrichtungen zur Korrektur von Einfachfehlern und zur
Erkennung von Doppelfehlern (vergl. beispielsweise DE-PS 23 44 019). Bekannt sind aber auch Einrichtungen
zur Korrektur von verstreuten oder gebündelten Mehrfachfehlern. Die Leistungsfähigkeit des sogenannten
Korrekturcodes, d. h. die Zahl der korrigierbaren und darüber hinaus erkennbaren Fehler in einem
Datenwort hängt von seiner Redundanz im Verhältnis zur Breite des Datenworts ab. Sowohl beim Einschreiben
in den Speicher als auch beim Lesen aus dem Speicher werden aus dem Datenwort durch Quersummenbildung
modulo 2 Prüfbits abgeleitet, wobei für jedes Prüfbit entsprechend dem dem Korrekturcode
zugrundeliegenden Algorithmus andere Datenbits berücksichtigt werden. Durch bitweisen Vergleich der
beim Einschreiben und beim Lesen gewonnenen Prüfbits wird das Fehlersyndrom gewonnen, das eine
Information über den jeweils vorliegenden Fehlerzu-
2-5 stand bildet. Insbesondere sind alle Bits des Syndroms
gleich Null, wenn kein Fehler aufgetreten ist. Es ist bekannt, zur Ableitung der Prüfbits aus EXOR-Gliedern
bestehende Baumstrukturen zu verwenden. (IBM Journal of Research and Development, VoI 14, Juli 1970,
S. 295 — 400.) Dabei werden jeweils zwei der für die Quersummenbildung infragekommenden Datenbits auf
die Eingänge einer ersten Gruppe von EXOR-Gliedern geschaltet. Die Ausgänge der EXOR-GIieder der ersten
Gruppe sind mit den Eingängen von EXOR-Gliedern einer zweiten Gruppe verbunden. Dies wird solange
fortgesetzt, bis schließlich nur noch ein Ausgang vorhanden ist, an dem das betreffende Prüfbit
abgenommen werden kann. In entsprechender Weise wird bei der Herleitung der weiteren Prüfbits verfahren.
Kleine Vereinfachungen können sich daraus ergeben, daß einzelne Teilsummen für die Ableitung von
verschiedenen Prüfbits verwendbar sind. Die bekannte Art der Ableitung der Prüfbits ist nicht nur sehr
aufwendig, sondern weist auch den Nachteil einer vergleichsweise hohen Signallaufzeit auf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zur Prüfung von Prf'fbits anzugeben,
die einen geringen Schaltungsaufwand erfordert und wesentlich schneller arbeitet. Eine derartige
Schaltungsanordnung weist gemäß der Erfindung die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 aufgeführten
Merkmale auf.
Obgleich die Erfindung auch in einer Fehlerkorrektureinrichtung eingesetzt werden kann, die einem
ganzen Speicher oder Speichermodul in unipolarer oder bipolarer Technik zugeordnet ist, ist ihre Anwendung in
Verbindung mit einer innerhalb eines Speicherbausteines integrierten Fehlerkorrektureinrichtung besonders
vorteilhaft. Die Integration einer Fehlerkorrektureinrichtung in einem Speicherbaustein zur Erhöhung der
Zuverlässigkeit und zur Verbesserung der Ausbeute bei der Herstellung ist bereits durch die DE-PS 25 49 392
bekannt. Die Erfindung wird im folgenden anhand der in einem integrierten MOS-Speicherbaustein vorliegenden
Gegebenheiten unter Zuhilfenahme der Zeichnung näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 das Schema der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zur Bildung eines Prüfbits,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792934599 DE2934599C3 (de) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | Schaltungsanordnung zur Bildung von Prüfbits in einer Fehlerkorrektureinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792934599 DE2934599C3 (de) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | Schaltungsanordnung zur Bildung von Prüfbits in einer Fehlerkorrektureinrichtung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2934599A1 DE2934599A1 (de) | 1981-03-26 |
DE2934599B2 DE2934599B2 (de) | 1981-08-13 |
DE2934599C3 true DE2934599C3 (de) | 1982-04-08 |
Family
ID=6079403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792934599 Expired DE2934599C3 (de) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | Schaltungsanordnung zur Bildung von Prüfbits in einer Fehlerkorrektureinrichtung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2934599C3 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4451922A (en) * | 1981-12-21 | 1984-05-29 | Ibm Corporation | Transmission logic parity circuit |
US4646306A (en) * | 1984-12-26 | 1987-02-24 | Thomson Components - Mostek Corporation | High-speed parity check circuit |
US5023480A (en) * | 1990-01-04 | 1991-06-11 | Digital Equipment Corporation | Push-pull cascode logic |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2549392C3 (de) * | 1975-11-04 | 1978-07-27 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Erhöhung der Zuverlässigkeit von integrierten Speicherbausteinen und zur Verbesserung der Ausbeute von nach außen hin fehlerfrei erscheinenden Speicherbausteinen bei ihrer Herstellung |
-
1979
- 1979-08-27 DE DE19792934599 patent/DE2934599C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2934599A1 (de) | 1981-03-26 |
DE2934599B2 (de) | 1981-08-13 |
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