DE2910419A1 - Verfahren zur sammelherstellung von vorabgestimmten millimeterwellen-quellen - Google Patents

Verfahren zur sammelherstellung von vorabgestimmten millimeterwellen-quellen

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DE2910419A1 DE19792910419 DE2910419A DE2910419A1 DE 2910419 A1 DE2910419 A1 DE 2910419A1 DE 19792910419 DE19792910419 DE 19792910419 DE 2910419 A DE2910419 A DE 2910419A DE 2910419 A1 DE2910419 A1 DE 2910419A1
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Description

Patentanwälte Dipl.-Intj.
Dipl -ing Dipt -Chem G. Leiser
E. Prinz Dr. G. Hauser
ErMshortjnf strass** 19
8 München 60
281041
16, März 1979
THOMSON - CSP
173, Bd. Haussmann
75008 PARIS / Frankreich
Unser Zeichen: T 3227
Verfahren zur Sammelhers teilung von vorabgestinntiten Millimeterwellen-Quellen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Sammelherstellung von Millimeterwellen-Quellen. Insbesondere befaßt sich die Erfindung mit der Herstellung von Millimeterwellen-Quellen vom Typ eines "vorabgestimmten Moduls", also mit einer Halbleiterdiode, die auf einer sehr hohen Frequenz schwingen kann und in ein dielektrisches Milieu vorbestimmter Abmessungen eingebettet ist, wobei die gesamte Einheit auf einem elektrisch und Wärme leitenden Träger montiert ist.
Aufgabe der Erfindung ist es unter anderem, ein Verfahren zu schaffen s das es ermöglicht, von der Einzelherstellung
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rrm —ι
zu einer Sammelherst ellung derartiger Millimeterweileni)uellen überzugehen.
Diese Aufgabe wird auf zwei aufeinanderfolgenden Integrationsstufen gelöst.
Die Erfindung gestattet ferner eine Verbesserung der Eigenschaften des vorabgestimmten Moduls:
a) indem die jeweiligen Abmessungen der Diode und des sie umgebenden dielektrischen Milieus in einem stärkeren Ausmaß variiert werden als bei den bekannten Anordnungen;
b) indem der aktive Teil der Diode vor jeglichem unbeabsichtigten Schliff während der Herstellung des Moduls geschützt wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist gekennzeichnet durch wenigstens folgende Verfahrensschritte:
A. Verwirklichung eines Halbleiterplättchens mit einem Substrat und aktiven Schichten, die mit dem Substrat eine Halbleiterstruktur bilden, die auf sehr hoher Frequenz schwingen kann;
B. auf der Seite der aktiven Schichten wird ein Träger mit. niedrigem thermischen Widerstand angeordnet, der aus einem ersten Metall gebildet ist, das bestimmten chemischen Wirkstoffen widersteht;
C. Schleifen des Substrats und anschließendes Aufbringen einer dünnen Schicht aus dem ersten Metall und**einer dicken Schicht aus einem zweiten Metall, das durch einen chemischen Wirkstoff in Anwesenheit des ersten Metalls selektiv geätzt werden kann;
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D. gemeinsame Verwirklichung zahlreicher Kontaktstücke aus dem ersten Metall durch Photolithographie, die in das zweite Metall bis zu der dünnen Schicht aus dem ersten Metall eindringen;
E. selektives Ätzen des zweiten Metalls, wobei die Kontaktklötzchen freigelegt werden, woraufhin die dünne Schicht an den von den Kontaktstücken nicht geschützten Stellen abgetragen wird;
F. selektives Ätzen des Halbleitermaterials, wobei unter jedem Kontaktstück eine Insel aus diesem Material belassen wird und wobei das Volumen eines Kontaktstückes wesentlich größer ist als das Volumen der Insel; und
G. Endbearbeitung der Quelle bzw. der Quellen einschließlich des Abschneidens einzelner Trägerelemente.
In einer ersten Integrationsstufe besteht ein weiterer Verfahrensschritt zwischen den Schritten F und G darin, daß eine Schicht aus polymerisierbarem Harz aufgetragen wird, die nach der Polymerisation einen vorbestimmten dielektrischen Koeffizienten aufweist; der Verfahrensschritt G enthält anschließend folgende untergeordnete Schritte:
Abschneiden von einzelnen Quellen, die ein einzelnes Trägerelement, eine Diode und ein Kontaktstück enthalten;
Anordnung der einzelnen Quelle auf einem Träger mit niedrigem thermischen Widerstand;
Anordnung eines Impedanzadapters aus einer dielektrischen Substanz mit einem dielektrischen Koeffizienten, der demjenigen des bei dem weiteren Verfahrensschritt aufgetragenen Harzes gleicht;
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Metallisierung des oberen Teils des Adapters entlang einer Scheibe.
In einer zweiten Xntegrationsstufe erfolgt die gemeinsame Verwirklichung der Kontaktstücke im Verfahrensschritt D derart, daß der Abstand zwischen den Kontaktstücken in der Größenordnung der halben Wellenlänge der von der Quelle ausgesandten Schwingung in dem dielektrischen Milieu ist. Der Verfahrensschritt G ist dann in folgende abgestuften Unterschritte unterteilt:
Herstellung einer dielektrischen Platte, die von zylindrischen Löchern durchbohrt ist, deren Durchmesser und Anordnung derart sind, daß die Platte auf den allen Quellen gemeinsamen Träger aufgelegt werden kann, indem jede Quelle in der Mitte eines Loches der dielektrischen Platte aufgenommen wird;
Ausfüllen der Zwischenräume zwischen den Dioden und dem Dielektrikum durch das Harz mit bestimmtem dielektrischen Koeffizienten;
Metallisierung analog derjenigen im Verfahrensschritt Gr jedoch mit kollektiver Verwirklichung;
Zerschneiden des Trägers entlang einem quadratischen Liniennetz, das zwischen den Dioden verläuft.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine bekannte Anordnung;
Fig. 2-14 Darstellungen zur Erläuterung von Verfahrensschritten der ersten Integrationsstufe einer
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erfindungsgemäß hergestellten Quelle; und
Fig. 15-18 Darstellungen zur Erläuterung bestimmter charakteristischer Verfahrensschritte der zweiten Integrationsstufe einer erfindungsgemäß hergestellten Quelle.
Fig. 1 zeigt eine Millimeterwellen-Quelle vom Typ eines "vorabgestimmten Moduls". Sie enthält eine Halbleiterdiode mit sehr geringen Abmessungen (kleiner als 1OO Mikron), die in Schwingung versetzt werden kann und dabei elektromagnetische Millimeterwellen erzeugt. Diese Diode ist an der höchsten Stelle eines zentralen Vorsprungs 3 einer Plattform 300 angeordnet, die den oberen Teil eines Trägers 3O aus vergoldetem Kupfer bildet.
über der Diode 1 ist eine Kugel oder ein Kontaktstück 2 aus Gold angeordnet, dessen Abmessungen größer sind als diejenigen der eigentlichen Diode. Die Oberseite der Kugel ist abgeflacht. Der Vorsprung 3 ist von einem Ring 4 aus "Quarzglas" (erschmolzene Kieselsäure) umgeben, der im Querschnitt quadratisch oder rechteckig ist und auf der Plattform 3OO ruht. Der zwischen dem mittleren Teil der Quelle und dem Glasring freigelassene Zwischenraum ist mit einem Harz ausgefüllt, das einen dielektrischen Koeffizienten aufweist, der demjenigen des den Ring bildenden Glases gleicht; das Harz kann ferner hohen Temperaturen in der Größenordnung von 3OO bis 5OO° C widerstehen. Dies trifft z. B. für PoIyiiuidharz zu. Eine kreisförmige Metallisierung 6 bedeckt den oberen Teil, insbesondere das Kontaktstück 2. Diese Metallisierung bildet die Polarisationselektrode der Quelle, während der Träger 30 die Masse darstellt.
Bei einer derartigen Quelle hängt die Schwingungsfrequenz von den Abmessungen (Durchmesser und Höhe) des Glasrings
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bhü üfttGtNAL
und vom Durchmesser der kreisförmigen Metallisierung ab. Die Quelle kann also vorabgestimmt werden, indem nicht nur der Durchmesser, sondern auch die Höhe gewählt wird, wobei derselbe Träger 30 und dieselbe Diode beibehalten werden, unter der Bedingung, daß die Dicke des Kontaktstücks geändert wird.
Anschließend werden nun die Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben, und zwar anhand des Beispiels der Herstellung von Moduln nach der ersten Integrationsstufe. In diesem Falle wird das Plättchen in einzelne Dioden zerschnitten, bevor der Impedanzadapter jeder Diode, d. h. bei dem in Fig. 1 gezeigten Modul ein Glasring, montiert wird.
Fig. 2 zeigt im Teilschnitt das Ergebnis des Verfahrensschrittes A (Verwirklichung eines Halbleiterplättchens), ausgehend von einem Substrat 21, bei dem es sich z. B. um eine runde Scheibe aus Galliumarsenid oder monokristallinem Silicium, das N -dotiert ist, handelt. Auf der runden Scheibe 21 sind epitaktisch zwei aktive Schichten gebildet, die z. B. folgendermaßen dotiert sind:
N- und N -Schichten im Fall einer Gunn-Diode;
N- und P -Schichten im Fall einer Ävalanche-Diode.
Zur Vereinfachung der Zeichnung sind Einzelheiten der aktiven Schichten nicht dargestellt. Diese Einzelheiten können im übrigen komplizierter sein. Die Gesamtheit dieser aktiven Schichten ist in Fig. 2 und den folgenden Figuren mit CA bezeichnet.
Auf den aktiven Schichten ist ferner eine Metallisierung M aufgebracht, die durch Schichten aus verschiedenen Metallen gebildet sein kann, wobei die letzte Schicht bei diesem Ausführungsbeispiel jedoch aus Gold ist.
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Fig. 3 zeigt das im Verfahrensschritt A behandelte Plättchen 21 am Ende des Schrittes B, nach der Anordnung eines Trägers mit niedrigem thermischen Widerstand, bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel eine dicke Schicht (ungefähr 100 Mikron) 31, die elektrolytisch auf der Vergoldung der Schicht M aufgebracht ist.
Die Figuren 4, 5 und 6 zeigen drei unterschritte des Verfahrensschrittes C:
C1) das Substrat 21 (Fig. 4) wird geschliffen, bis seine Dicke auf etwa 20 Mikron reduziert ist;
c„) die geschliffene Seite des Substrats 1 wird metallisiert, was eine Schicht 22 ergibt, die analog der Metallisierung M ist und in Fig. 5 dargestellt ist;
C^) eine Kupferschicht 23 wird mit einer Dicke aufgebracht, die in Abhängigkeit von den oberhalb der fertigen Diode zu bildenden Kontaktstücken bestimmt wird, je nach Fall also eine Dicke von 10 - 1OO Mikron.
Figuren 7, 8, 9 und 10 zeigen vier Unterschritte des Verfahrensschritts D:
d..) Es werden kreisförmige Zonen für das Ätzen der Schicht begrenzt; Fig. 7 zeigt nach photographischer Entwicklung eine Schicht 24 aus photoempfindlichem·Harz, das zuvor mit Bestrahlung durch eine geeignete Maske hindurch behandelt wurde (nicht dargestellt); diese Zonen sind durch öffnungen 71 in der Schicht 24 gebildet, wobei der Durchmesser dieser Zonen wesentlich geringer als derjenige der zu verwirklichenden Kontaktstücke ist;
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tL·) die Schicht 23 wird durch die Öffnungen 71 hindurch z. B. mit Eisenperchlorid graviert, wodurch Schalen 81 (Fig. 8} gebildet werden; das Ätzen wird abgebrochen, wenn der Durchmesser der Schalen eine vorbestimmte Größe erreicht;
cL) das Harz 24 wird aufgelöst und eine Goldschicht 25 wird elektrolytisch (Fig. 9} aufgebracht, wobei die Dicke dieser Schicht größer als die Tiefe der Schalen 81 ist;
d.) die Schicht 25 wird geschliffen, bis nur noch die Oberseite der Kontaktstücke 101 verbleibt, die in den Rest der Schicht 23 eingebettet cirid (Fig. 10) .
Figuren 11 und 12 zeigen zwei Unterschritte des Verfahrensschritts E:
Beim ersten Unterschritt erfolgt ein Ätzen mit demselben Wirkstoff wie im Unterschritt d2), bis zum vollständigen Verschwinden des Kupfers der Schicht 23; bei dem zweiten Unterschritt erfolgt ein Ätzen mittels eines chemischen Wirkstoffs, der auf die Metallisierung 22 einwirken kann, z.B. Königswasser, wenn Gold verwendet wird. Dieses Ätzen wird abgebrochen, sobald die Metallisierung 22, die höchstens etwa ein halbes Mikron dick ist, entfernt ist, wodurch der größte Teil der Kontaktstücke 1O1 verschont bleibt.
Fig. 13 zeigt das im Verfahrensschritt F erzielte Ergebnis nach selektivem Ätzen des Halbleitermaterials, z.B. unter Verwendung eines Gemischs aus Schwefelsäure und Wasserstoffsuperoxid für den Fall von Galliumarsenid. Das Ätzen wird abgebrochen, wenn das Halbleitermaterial zu einem Block 131 reduziert ist, der wesentlich kleiner als das Kontaktstück ist.
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Fig, 14 zeigt das während eines weiteren Schrittes, der zwischen die Verfahrensschritte F und G eingefügt ist, erhaltene Ergebnis für den Fall der ersten Integrationsstufe. Während dieses Schrittes werden die Zwischenräume zwischen diesen Kontaktstücken 101 und den zugeordneten Dioden mit polymerisierfähigem Harz ausgefüllt, das nach der Polymerisation ein Material mit einem vorbestimmten dielektrischen Koeffizienten bildet. Bei Verwendung von Polyimidharz kann so ein vorabgestimmter Modul mit einem Glasring vom "Quarz typ" geschaffen werden.
Im ersten Integrationsstadium wird das Plättchen in Ebenen längs Linie ΛΑ (Fig. 14) zerschnitten, wobei diese Ebenen im gleichen Abstand von zwei Kontaktstücken 101 liegen. Auf diese Weise werden Blöcke 140 erhalten, die bei dem in Fig. I gezeigten Modul die Gesamtheit aus der Diode 1, ihrem Kontaktstück 2 und dem mittleren Vorsprung 3 des Trägers 30, der von diesem Träger als unabhängig betrachtet wird, ersetzen. Die Herstellung dos Moduls nach der Erfindung erfolgt dann in den letzton Verfahrensschritten analog zu derjenigen, die zu dem in Piq. 1 gezeigten Modul führt, jedoch mit dem Unterschied, daß der Träger 30 glatt ist, also keinen mittleren Vorsprung aufweist.
Die zweite Integrationsstufe kann ausgehend von dem in Fig. gezoiqton [IalbLe Lterplätfcchen verwirklicht werden, und zwar mit. einer Technik, die gleich derjenigen bei den zuvor beschriebenen ernten Vorfahrensschritten A, B und C ist, In Fig, 15 (analog Fig. 7) ist das Ergebnis der Behandlung im Unterschritt cL· ) des Verfahronsschritts D. gezeigt. Der Darstellung ist zu entnehmen, daß die durch Photolithographic; aus der Schicht 24 ausgeschnittenen öffnungen 71 wesentlich weiter voneinander entfernt sind als bei der zuvor beschriebenen AusfuhruncjKform. Der Abstand zwischen den Achsen ist wenigstens gleich der halben Wellenlänge der elektromagnetischen Welle bei der Sendefrequenz der Quelle in dem gege-
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benen dielektrischen Milieu, also in dem Dielektrikum, das für den vorabgestimmten Modul charakteristisch ist.
Fig. 16 zeigt das Ergebnis der Anwendung einer Technik, die den Schritten d„) bis d.) des Verfahrensschritts D und den Verfahrensschritten E und F entspricht. Dieses Ergebnis ist analog dem in Fig. 13 gezeigten. Zur Vereinfachung ist die Metallisierung M jedoch ohne größere Dicke gezeigt.
Fig. 17 und 18 zeigen zwei der fünf Unterschritte des Verfahrensschritts G in der zweiten Integrationsstufe. Diese Unterschritte sind folgende:
g..) eine Glasplatte 17 vom "Quarztyp", die von Löchern 171 durchbohrt ist (z. B. durch Sandstrahlen erhalten), wird wie in Fig. 17 gezeigt angeordnet, wobei Fig. 17a eine Draufsicht und Fig. 17b eine Schnittansicht zeigt, und zwar derart angeordnet, daß sie den freien Raum zwischen den Dioden einnimmt und einen freien Raum 171 beläßt, der dazu bestimmt ist, mit Harz ausgefüllt zu werden, das ein dielektrisches Milieu bildet, das dem Glas möglichst stark gleicht;
g,) die Zwischenräume 171 werden mit polymerisierfähigem Harz ausgefüllt, z. B. mit Polyimidharz;
g3) die Oberseite des Plättchens wird metallisiert {in Form von kreisförmigen Ablagerungen 6);
g.) der Träger 31 wird entlang Ebenen zerschnitten, die durch die Linien XX, YY verlaufen und ein die Ablagerungen 6 umrahmendes Quadratnetz bilden.
Bei einer abgewandelten Ausführungsform des Verfahrensschritts G wird die Glasplatte ersetzt durch eine Äblage-
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rung aus Epoxydharz, das polymerisierfähig und zuvor mit Siliciumdioxid oder Bornitrid versetzt wurde; derartige Harze sind im Handel erhältlich, z. B. unter der Warenbezeichnung EPOTEK H 70 S, versetzt mit Siliciumdioxid. Bei dieser abgewandelten Ausführungsform brauchen keine Zwischenräume 171 vorgesehen zu werden; es wird also ein Arbeitsgang eingespart, nämlich der Unterschritt g„).
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung, die bei beiden Integrationsstufen anwendbar ist, werden die Kontaktstücke 101 durch Ionenbearbeitung verwirklicht, indem das Kupfer der Schicht 23 durch Gold ersetzt wird, das anstelle des Kupfers direkt durch elektrolytische Ablagerung erhalten wird. Eine solche Bearbeitung ist möglich, indem die zu verwirklichenden Kontaktstücke durch eine Reihe von Scheiben aus Titan oder Chrom geschützt werden, deren Abriebgeschwindigkeit wesentlich geringer ist als diejenige des Goldes; eine Dicke von 7 Mikron für die aus Titan oder Chrom gebildete Maske ermöglicht die Entfernung einer Goldschicht von 50 Mikron.
Als Vorteile der Erfindung sind noch zu nennen:
Die Diode ist vor jeglicher mechanischer Schleifeinwirkung geschützt, wodurch das Kristallnetz vor Beschädigungen geschützt wird und die Wahrscheinlichkeit einer guten Funktion nach beendeter Herstellung gesteigert wird;
der thermische Widerstand ist sehr gering, und zwar sowohl auf der Seite des Halbleitersubstrats als auch auf derjenigen der aktiven Schichten;
die angewandte Technik ist relativ einfach und kostengünstig,
De/sch
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Claims (8)

  1. THOMSON - CSP
    173, Bd. Haussmann
    75OOB PARIS / Frankreich
    Unser Zeichen: T 3227
    PATENTANSPRÜCHE
    ti·) Verfahren zur Sammelherstellung bzw. kollektiven Herstellung von Millimeterwellen-Quellen, gekennzeichnet durch wenigstens folgende Verfahrensschritte:
    A. Verwirklichung eines Halbleiterplättchens mit einem Substrat und aktiven Schichten, die mit dem Substrat eine Halbleiterstruktur bilden, die auf sehr hoher Frequenz schwingen kann;
    B. Anordnung eines Trägers mit niedrigem thermischen Widerstand auf der Seite der aktiven Schichten, wobei der Träger aus einem ersten Metall gebildet ist, das bestimmten chemischen Wirkstoffen widersteht;
    909838/0903
    ■*■ Λ β
    C. Schleifen des Substrats und anschließendes Ablagern einer dünnen Schicht aus dem ersten Metall und einer dicken Schicht aus einem zweiten Metall, das selektiv durch einen chemischen Wirkstoff in Anwesenheit des ersten Metalls geätzt werden kann;
    D. gemeinsame Verwirklichung zahlreicher Kontaktstücke durch Photolithographie aus dem ersten Metall, die in das zweite Metall bis zu der dünnen Schicht des ersten Metalls eindringen;
    E. selektives Ätzen des zweiten Metalls, wobei die Kontaktstücke freigelegt werden, woraufhin die dünne Schicht an den von den Kontaktstücken nicht geschützten Stellen entfernt wird;
    F. selektives Ätzen des Halbleitermaterials, wobei eine Insel aus diesem Material unter jedem Kontaktstück belassen wird und wobei das Volumen eines Kontaktstückes wesentlich größer als das Volumen der Insel ist; und
    G. Endbearbeitung der Quelle bzw. der Quellen, einschließlich des Zerschneidens in einzelne Elemente.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzlicher Schritt zwischen die Verfahrensschritte F und G. eingefügt ist, der darin besteht, daß um die Diode und das Kontaktstück herum eine Schicht aus polymerisierbarem Harz abgelagert wird, das nach der Polymerisation einen vorbestimmten dielektrischen Koeffizienten aufweist, und daß der Verfahrensschritt G folgende Unterschritte enthält:
    Abschneiden einzelner Quellen mit einem Trägerelement, einer Diode und einem Kontaktstück^
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    Anordnung der einzelnen Quelle auf einem Träger mit niedrigem thermischen Widerstand;
    Anordnung eines Impedanzadapters aus einer dielektrischen Substanz und mit einem dielektrischen Koeffizienten, der demjenigen des bei dem weiteren Schritt abgelagerten Harzes gleicht; und
    Metallisierung des oberen Teils des Adapters längs einer Scheibe.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das um die Diode und das Kontaktstück abgelagerte Harz nach der Polymerisation von der Art eines Polyimidharzes ist und daß der Impedanzadapter ein Glasring ist.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß während des Verfahrenssehritts D Kontaktstücke gebildet werden, die wenigstens eine halbe Wellenlänge der von der Quelle in einem vorbestimmten dielektrischen Milieu ausgesandten Welle beabstandet sind und daß der Verfahrensschritt G. folgende unterschritte enthält:
    Herstellung einer dielektrischen Platte, die von zylindrischen Löchern durchbohrt ist, deren Durchmesser und Anordnung derart sind, daß die Platte auf den der Gesamtheit von Quellen gemeinsamen Träger so aufgelegt werden kann, daß jede Quelle in der Mitte eines Loches der dielektrischen Platte aufgenommen wird;
    Ausfüllen der Zwischenräume zwischen Diode und Dielektrikum durch ein Harz mit vorbestimmtem dielektrischen Koeffizient;
    Metallisierung der Oberseite der Gesamtheit in Form von kreisförmigen Ablagerungen; und
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    291OA19
    Zerschneiden des Trägers längs Linien eines Quadratnetzes, das zwischen den kreisförmigen Ablagerungen verläuft.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt C folgende Unterscluritte enthält:
    C1) das Substrat wird geschliffen, bis seine Dicke in dieselbe Größenordnung wie diejenige der aktiven Schichten gebracht ist;
    c?) die geschliffene Seite des Substrats wird metallisiert;
    c-j) eine Kupferschicht wird abgelagert, deren Dicke in Abhängigkeit von den durch den Verfahrensschritt D zu gewinnenden Kontaktstücken bestimmt ist.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt D folgende Unterschritte enthält:
    d1) durch Ablagerung eines photoempfindlichen Harzes, Maskierung, Bestrahlung und photographische Entwicklung werden kreisförmige Zonen für das Ätzen des Kupfers begrenzt;
    d?) das nicht geschützte Kupfer wird durch Ätzen graviert, so daß Schalen erhalten werden;
    d^) das Harz wird aufgelöst, und die Schalen werden gefüllt, indem eine ausreichende Goldschicht auf dem Plättchen abgelagert wird;
    d.) die bei dem vorhergehenden Schritt abgelagerte Goldschicht wird geschliffen.
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    BAD ORIGINAL
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet^ daß der Verfahrensschritt E folgende unterschritte enthältj
    Vollständige Beseitigung des Kupfers durch ein erstes Ätzen;
    Beseitigung der Metallisierung um die Kontaktstücke herum durch ein zweites Ätzen.
  8. 8. Millimeterwellen-Quelle, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch ein Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche gewonnen ist und die auf den Kontaktstücken abgelagerte Metallisierung eine Polarisationselektrode und der Träger mit niedrigem thermischen Widerstand die Masse bildet.
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DE19792910419 1978-03-17 1979-03-16 Verfahren zur sammelherstellung von vorabgestimmten millimeterwellen-quellen Withdrawn DE2910419A1 (de)

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