DE2909382C2 - Quecksilberkontakt und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Quecksilberkontakt und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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- H01H1/06—Contacts characterised by the shape or structure of the contact-making surface, e.g. grooved
- H01H1/08—Contacts characterised by the shape or structure of the contact-making surface, e.g. grooved wetted with mercury
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- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Quecksilberkontakt und auf ein Verfahren zu dessen
Herstellung.
Ein Quecksilberkontakt dient hauptsächlich zur Verwendung in Schaltern.
Weitgehend bekannt sind Quecksilberkontakte für Umschaltungsgeräte, die einen aus Platin, Palladium,
Eisen, Nicke! oder Metallen der Chrom-Gruppe wie Wolfram, Molybdän hergestellten Metallträger enthalten, und Verfahren zur Herstellung dieser Kontakte, die
in der Benetzung der gereinigten Oberfläche des Mitallträgers (aus Eisen und Nickel) mit dem Quecksilber durch dessen abwechselndes Eintauchen in ein
flüssiges, das Quecksilber enthaltendes Medium besteht (DE-OS 19 59 945).
Die als Metallträger der bekannten Quecksilberkontakte dienenden Edelmetalle neigen zur Bildung der
Zwischenphasen und chemischen Verbindungen mit dem Quecksilber, die bei ihrer Ansammlung am
Kontaktübergang eine Verschlechterung der elektrischen und dynamischen Eigenschaften des Quecksilberkontaktes und demzufolge auch eine Herabsetzung der
Zuverlässigkeit und Betriebsdauer des letztgenannten verursachen.
Der bekannte Quecksilberkontakt, dessen Metallträger das Eisen darstellt, wird durch das abwechselnde
Eintauchen des im voraus gereinigten Eisenträgers in so Natriumamalgam über eine schwache Lösung einer
Mineralsäure oder Wasser hergestellt (s. beispielsweise P.P. Pugatschewitsch »Arbeit mit dem Quecksilber
unter Labor- und Betriebsverhältnissen«, Verlag »Nauka«,Moskau1972,S.183). S5
Das Eisen sowie Nickel und Metalle der Chrom-Gruppe gehen praktisch keine Reaktion mit dem
Quecksilber ein. Jedoch weisen diese Metalle eine thermodynamische Instabilität wegen ihrer elektrochemischen Aktivität auf, die beim lnkontakttreten mit dem
ein erhöhtes positives Potential enthaltenden Quecksilber im v/esentliehen zunimmt,
In diesem Zusammenhang können am Kontaktübergang elektrochemische Vorgänge verlaufen, die zu
einem teilweisen oder vollkommenen Verlust an Aneinanderheften des Metalls mit dem Quecksilber
führen. Die Wahrscheinlichkeit und Intensität dieser Vorgänge hängt mit der Qualität der Ausgangsbefiet-
zung des festen Metalls mit dem Quecksilber zusammen.
Das bekannte Verfahren sichert keine erforderliche Benetzungsqualität' der Oberfläche der genannten
Metalle mit dem Quecksilber, da an der Kontaktübergangsstelle im allgemeinen unter der Quecksilberschicht
Mikrohöhlen zurückbleiben, die ein im elektrochemischen Sinne aktives Medium wie Säure-, Wasserrückstände und Rückstände anderer am Verfahrensvorgang
teilnehmender Elektrolyte enthalten.
Diese Mikrohöhlen sind Ausgangsstellen der elektrochemischen Zerfallsvorgänge, durch weiche die Stabilität und Betriebsdauer des Kontaktüberganges festes
Metall-Quecksilber herabgesetzt werden.
Gemeinsam ist den beiden zu vergleichenden Verfahren nur, daß der metallische Träger des
Kontaktes in ein flüssiges Medium eingetaucht wird, das Quecksilber enthält
Bei einem weiteren bekannten Verfahren wird der metallische Träger des Kontaktes aus iAfitallen, dje
amalgamieren, in das Quecksilber durch ein Säurebad, z. B. Salzsäure, eingetaucht und bedarfsweise gleichzeitig gebürstet (DE-OS23 54 989).
Dem Stand der Technik ist an keiner Stelle zu entnehmen, daß bei der Vorbearbeitung eines Berylliumträgers eine spezielle Mischung aus Fluorwasserstoff
und Chromsäureanhydridlösung eingesetzt werden muß.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Quecksilberkontakt, dessen metallischer Träger eine hohe physikalisch-mechanische
Trägheit in bezug auf das Quecksilber aufweist, sowie ein Verfahren zur Herstellung des Quecksilberkontaktes zu entwickeln, durch welches eine erforderliche
Qualität der Benetzung der Oberfläche des metallischen Trägers mit dem Quecksilber erreicht wird, wodurch
auch eine erhöhte Stabilität und verlängerte Betriebsdauer des Kontaktüberganges festes Metall-Quecksilber gesichert wird.
Die gestellte Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der
Metallträger, der mit dem Quecksilber benetzt ist, erfindungsgemäß aus Beryllium hergestellt ist
Die gestellte Aufgabe wird auch dadurch gelöst, daß
im Verfahren zur Herstellung des Quecksilberkontaktes, das in einem Eintauchen des gereinigten Metallträgers in ein flüssiges Medium besteht, das das
Quecksilber enthält, sowie Säure, erfindungsgemäß das flüssige Medium aus chemisch reinem Quecksilber
sowie einem Gemisch aus einer gesättigten Chromsäureanhydridlösung in Wasser und 40%igen wässerigen
Lösung von Fluorwasserstoffsäure durchgeführt wird, das im Volumenverhältnis 1 :1 genoronen wird.
Der erfindungsgemäße Quecksilberkontakt und das Verfahren zu dessen Herstellung sichern die erforderliche Qualität der Benetzung der Oberfläche des
Metallträgers mit dem Quecksilber (es fehlen Mikrohöhlen) und setzen dadurch die elektrochemische Aktivität
des Metallträgers bei dessen Inkontakttreten mit dem Quecksilber wesentlich herab, wodurch die Stabilität
und Betriebsdauer des Quecksilberkontaktes erhöht und verlängert wird.
Als Metallträger wird Beryllium genommen, das mit dem Quecksilber nicht reagiert. In einem erweiterten
Temperaturbereich bis auf mehrere Hunderte Grad besitzt dieses Metall eine im Vergleich mit Eisen, Nickel,
Wolfram und Molybdän im Durchschnitt über eine Größenordnung kleinere Löslichkeit im Quecksilber.
Die Betriebsdauer und Stabilität des Kontaktüberganges Beryllium —Quecksilber hängt unter Verhältnis-
sen einer völligen Abspbließung des Kontaktes in einer
vorgeschriebenen Atmosphäre nur von der Qualität der Ausgangsbenetzung der Berylliumoberfläche mit dem
Quecksilber ab, d, h, von der Größe des Benetzungsnmdwinkels
Θ, die sich aus der Beziehung ergibt >
cos θ=((5, -δ2)/δι,
in der O1 Oberflächenenergie auf der Trennungsgrenze
Festkörper-Gas, S2 Oberflächenenergie auf der Trennungsgrenze
Festkörper—Flüssigkeit und O3 Oberflä- m
chenenergie auf der Trennungsgrenze Flüssigkeit-Gas bedeuten.
Der Wert cos θ nimmt mit der Vergrößerung des örWerts und der Verkleinerung der
<5rGröße zu, während die Qualität des Kontaktes der Quecksilberschicht
mit der Oberfläche des Metallträgers mit der Aktivierungsstärke der Berylliumoberfläche unmittelbar
vor deren Berührung mit dem Quecksilber zusammenhängt.
Das von der Oxidhaut gereinigte Beryllium besitzt eine erhöhte Oberflächengrenze dt auf der Trennungsgrenze Feststoff-Gas, wodurch an dessen Oberfläche
die Quecksilberschicht mit einem kleineren Benetzungsrandwinkel θ zu liegen kommt und demzufolge durch
Adhäsionskräfte mit dem Hartmetallträger festgekoppelt wird.
Das Gemisch des Chromsäureanhydrides und der
Fluorwasserstoffsäure reinigt unter dessen Komplexeinwirkung
am Beryllium und Quecksilber deren Oberflächen gut und aktiviert sie. Die infolge der stattfindenden jo
Reaktion gebildeten Fluoride und Chromate des Berylliums und Quecksilbers verkleinern unter dem
Eingriff ihrer oberiUchensaktiven Eigenschaften die Oberflächenenergie δζ auf der Trep ',ungsgrenze des
Quecksilbers und Gases, indem sie dadurch dessen Benetzungsvermögen verbessern.
Zur Bereitung des Gemisches werden eine gesättigte Lösung des Chromsäureanhydrids in Wasser und
40%ige wässerige Lösung der Fluorwasserstoffsäure genommen, wobei diese Mischung im volumetrischen
Verhältnis 1 :1 bereitgestellt wird.
Eine katalytische Einwirkung auf den Benetzungsvargang
übt auch der dabei entwickelte atomare Wasserstoffaus,
Die Stabilität des in dem genannten Verfahren hergestellten Quecksilberkontaktes bleibt eine längere
Zeit unter Abdichtung des hergestellten Kontaktes in einem nicht tiefen Vakuum (etwa 10-' mm Quecksilbersäule) oder in einer Atmosphäre des inerten Betriebsgases
beibehalten.
Die Zuverlässigkeit und Betriebsdauer des e~findungsgemäßen
Quecksüberkontaktes werden bei seiner Verwendung in den Quecksilberumschaltgeräten dadurch
aufrechterhalten, daß an der Kontaktübergangsstelle keine unerwünschten physikalisch-chemischen
Veränderungen auftreten, die zur Zerstörung des Kontaktes führen. Zwecks besseren Verständnisses der
Erfindung werden die Ausführungsbeispiele des Herstellungsverfahrens des Quecksilberkontaktes nachstehend
wiedergegeben.
Ein Bauteil aus Beryllium der erforderlichen Form mit der im voraus in Aceton entfetteten Oberfläche wird ins
chemisch reine Quecksilber mehrmals eingetaucht, das sich in einem Gefäß unter der Gemischschicht aus
gesättigter Chromsäureanhydridlösung in Wasser und 40%iger wässeriger Lösung der fluorwasserstoffsäure
befindet, die im volumefrischen Verhältnis ί : 1 genommen wird.
Das Eintauchen dauert bis zur vollkommenen Benetzung der Oberfläche des Berylliums mit dem
Quecksilber, wonach de»· benetzte Bauteil in Wasser und Alkohol gewaschen und im Vakuumthermostat getrocknet
wird.
Ein im voraus durch ein organisches Lösungsmittel gereinigter Bauteil aus Beryllium wird in ein Gefäß mit
Quecksilber und dem Säuregemisch eingebracht, wonach man das geschlossene Gefäß umdreht und leicht
schüttelt
Claims (1)
- Patentansprüche:1, Quecksilberkontakt, der einen mit Quecksilber benetzten Metallträger enthält, dadurch ge-5 kennzeichnet, daß der Metallträger aus Beryllium bestehtZ Verfahren zur Herstellung eines Quecksilberkontaktes nach Anspruch 1, das in einem Eintauchen eines gereinigten Metallträgers in ein flüssiges Medium besteht, das das Quecksilber sowie Säure enthält, wobei der Metallträger nach der Säure vom Quecksilber benetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das flüssige Medium aus chemisch reinem Quecksilber sowie einem Gemisch aus einer gesättigten Chromsäureanhydridlösung in Wasser und 40%iger wässeriger Lösung von Fluorwasserstoffsäure, das im Volumenverhältnis 1 :1 genommen ist, besteht20
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792909382 DE2909382C2 (de) | 1979-03-09 | 1979-03-09 | Quecksilberkontakt und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792909382 DE2909382C2 (de) | 1979-03-09 | 1979-03-09 | Quecksilberkontakt und Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2909382A1 DE2909382A1 (de) | 1980-10-02 |
DE2909382C2 true DE2909382C2 (de) | 1983-07-07 |
Family
ID=6064996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792909382 Expired DE2909382C2 (de) | 1979-03-09 | 1979-03-09 | Quecksilberkontakt und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2909382C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19652361A1 (de) * | 1995-12-19 | 1997-06-26 | Joachim Welzel | Rückstoßbetriebene Spritzvorrichtung zum Reinigen von Kanälen |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2354989A1 (de) * | 1973-11-02 | 1975-05-22 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von kontaktelementen mit amalgamoberflaeche |
-
1979
- 1979-03-09 DE DE19792909382 patent/DE2909382C2/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19652361A1 (de) * | 1995-12-19 | 1997-06-26 | Joachim Welzel | Rückstoßbetriebene Spritzvorrichtung zum Reinigen von Kanälen |
DE19652361C2 (de) * | 1995-12-19 | 2000-06-08 | Joachim Welzel | Rückstoßbetriebene Spritzvorrichtung zum Reinigen von Kanälen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2909382A1 (de) | 1980-10-02 |
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