DE2905636A1 - Verfahren und einrichtung zum kopieren von masken auf ein werkstueck - Google Patents
Verfahren und einrichtung zum kopieren von masken auf ein werkstueckInfo
- Publication number
- DE2905636A1 DE2905636A1 DE19792905636 DE2905636A DE2905636A1 DE 2905636 A1 DE2905636 A1 DE 2905636A1 DE 19792905636 DE19792905636 DE 19792905636 DE 2905636 A DE2905636 A DE 2905636A DE 2905636 A1 DE2905636 A1 DE 2905636A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- workpiece
- mask
- alignment
- alignment error
- predetermined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
I ♦■ Feb. 1979
CENSOR Patent- und Versuchs-Anstalt VADUZ (Fürstentum Liechtenstein)
Verfahren und Einrichtung zum Kopieren von_Masken_auf_ein_Werkstück
030034/0284
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum Kopieren von Masken auf ein
Werkstück, insbesondere zum Projektionskopieren auf ein Halbleitersubstrat zur Herstellung
integrierter Schaltungen, wobei durch Verschieben des Werkstückes in der Bildebene ein Maskenmuster
in aufeinanderfolgenden Schritten auf jeweils anderen, vorbestimmten Bereichen des Werkstückes
abgebildet wird.
Für die Herstellung integrierter Schaltungen ist es notwendig, eine Anzahl von Masken mit
verschiedenen Schaltungsmustern an jeweils derselben Stelle des Halbleitersubstrats abzubilden.
Dabei wird auf dem Substrat eine fotoempfindliche Schicht belichtet, welche nach ihrer Entwicklung
zur Abdeckung des Substrates an gewünschten Stellen in zwischen den Abbildungen verschiedener Masken
durchgeführten chemischen und physikalischen Behandlungsschritten, beispielsweise Ätz - und Diffusionsvorgängen,
dient. An die Genauigkeit, mit der integrierte Schaltungen hergestellt werden, sind sehr hohe Anforderungen gestellt.
Die zulässigen Abweichungen der aufeinanderfolgenden Abbildungen der Maskenmuster liegen beispielsweise
unter einem yu m . Um eine solche Genauigkeit
erreichen zu können, werden die auf der Maske angebrachten Schaltungsmuster meist über ein Projektionsobjektiv
beispielsweise um den Faktor 1o verkleinert auf dem Substrat abgebildet. Insbesondere für hochintegrierte
Schaltungen hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn jedes
»30034/0284
Chip, d.h. jeder identische Schaltkreis einzeln belichtet wird.
Nach einem bekannten Verfahren wird hiezu das Halbleitersubstrat in bezug auf einen fest mit dem
Projektionsbelichtungsgerät verbunden gedachtes Koordinatensystem hinjustiert. Mit Hilfe von präzisen
Verschiebeeinrichtungen (z.B. mit Hilfe eines laserinterferometrisch
kontrollierten X-Y-Tisches) werden die den einzelnen Schaltkreisen entsprechenden Bereiche
des Substrats unter das Projektionsobjektiv geschoben, ohne daß eine Nachjustierung erfolgt. Der Nachteil dieser
indirekten Justierung ist offensichtlich, da sich bei der ersten Belichtung bereits die Fehljustierung des entsprechenden
Bereiches des Substrats relativ zu dem Koordinatensystem sowie die Fehljustierung der Maske relativ zu dem
Koordinatensystem addieren. Abweichungen, die beispielswiese von TemperaturSchwankungen herrühren, werden nicht berücksichtigt.
Weiters ist es bekannt geworden, das Substrat vor der Belichtung der einzelnen, den jeweiligen Chips entsprechenden
Bereiche in bezug auf die Maske direkt durch das Projektionsobjektiv hindurch zu justieren. Die Bewegung des Substrats
zur Belichtung bzw. Abbildung des Maskenrausters auf den
vorbestimmten Bereichen erfolgt dann wie vorangehend beschrieben. Als Nachteil bleibt jedoch bestehen, daß
durch Störungen bedingte Abweichungen während des Durchfahrens der vorbestimmten Bereiche nicht berücksichtigt
werden.
Schließlich hat man auch schon vorgeschlagen, daß dem Substrat für jeden Abbildungsbereich, d.h. für jedes
Chip, eigene Justiermarken zugeordnet sind.
§30034/0284
Nach jeder Abbildung des Schaltungsmusters und dem darauf folgenden Verschieben des Substrates
zu dem nächsten vorbestimmten Bereich, werden das Substrat und die Maske durch das Projektionsobjektiv
hindurch justiert. Dieses Verfahren vermeidet nun zwar die dem vorstehend genannten anhaftenden
Nachteile, doch erhöht sich die gesamte Bearbeitungszeit für ein Substrat um die Summe der einzelnen Justierzeiten.
Dies bewirkt eine unwirtschaftliche Reduzierung des Durchsatzes.
Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Einrichtung der eingangs genannten
Gattung vorzuschlagen, welches eine höchstmögliche Genauigkeit der Abbildungen der Masken auf den
vorbestimmten Bereich des Substrates ermöglicht, ohne die Bearbeitungszeit beträchtlich zu erhöhen. Erfindungsgemäß
wird hiezu vorgeschlagen, daß zumindest während einer Anzahl von Abbildungen des Maskenmusters
auf dem Werkstück eine Bestimmung des Ausrichtfehlers zwischen dem Abbild des Maskenmusters und
dem entsprechend vorbftimmten Bereich auf dem Werkstück begonnen wird, und daß der vorbestimmte Wert der
Verschiebung des Werkstückes zum Bereich für eine folgende Abbildung und/oder die Position der Maske für eine
folgende Abbildung um den Ausrichtfehler korrigiert wird.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird also während der Belichtung bzw. der Abbildung des
Maskenmusters auf dem Substrat der vorhandene, jedoch
Θ30034/0284
zulässige Ausrichtfehler festgestellt. Man erhält eine Ausregelung größerer Abweichungen von der
Sollposition, ohne daß wesentliche Zeitverluste eintreten. Wenn die zur Feststellung des Ausrichtfehlers
erforderliche Zeit kleiner oder gleich der Belichtungszeit ist, so entsteht kein Zeitverlust.
Wird die Meßzeit zur Bestimmung des Ausrichtfehlers hingegen größer als die Belichtungszeit,
so besteht ein Zeitverlust lediglich aus der Differenz zwischen der Belichtungzeit und der Meßzeit. Hiebei
kann es vorteilhaft sein, wenn der Ausrichtfehler nach einer vorbestimmten Anzahl, beispielsweise nach jeder
zweiten oder dritten der Abbildungen bzw. Verschiebungen des Werkstückes bestimmt wird. Es ist weiterhin in
vorteilhafter Weise möglich, innerhalb einer Folge von
Abbildungen des Maskenmusters die Bestimmung der Ausrichtfehler in jeweils anderen Koordinaten, beispielsweise in
den Koordinaten der Bildebene und normal zu dieser, durchzuführen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels und unter Bezugnahme auf die Zeichnungsfiguren
näher erläutert.
Die Fig. 1 zeigt eine schematische Schrägansicht einer Einrichtung zum Projektionskopieren von Masken auf ein
Halbleitersubstrat, Fig. 2 das Prinzip der Bestimmung des Ausrichtfehlers und Fig. 3 ein Schema der Einrichtung
nach Fig. 1 in Funktionsblöcken.
30034/0284
In Fig. 1 sind die wesentlichen Teile einer Einrichtung zum Projektionskopieren von Masken dargestellt. Das
nach dem bekannten step- and repeat-Verfahren zu belichtende Halbleitersubstrat 16 ist mittels Unterdruck
auf einem Substrattisch 15 festgehalten. Dieser Substrattisch 15 ist in den Koordinaten X und Y der Bildebene
und längs der optischen Achse der Projektionseinrichtung mit Hilfe von Schrittmotoren 2o, 19 und 24 bewegbar.
Oberhalb des Substrates 16 ist ein Projektionsobjektiv angeordnet, über dem sich wiederum die auf der Maskenbühne
3 gehaltene Maske 4 befindet. Die Maskenbühne 3 weist ebenfalls Schrittmotoren 1o, 11 und 12 auf,
welche zur Einstellung der Maske 4 in den Koordinaten der Objektebene X ,Y und Jf dienen. Zum Kopieren des
Schaltungsmusters 5 wird die Maske 4 mit einer Belichtungseinrichtung 2 belichtet, sodaß das Schaltungsmuster 5 über das Projektionsobjektiv 14 auf dem
dem jeweiligen Chip zugeordneten Bereich 17 des Substrats 16 abgebildet wird. Um eine exakte Deckung
des Schaltungsmusters 5 mit bereits auf den Bereichen 17 des Substrats 16 vorhandenen Schaltungselementen zu erreichen,
sind jedem der Bereiche 17 Justiermarken 18 zugeordnet. Ebenso weist die Maske 4 Ausrichtmuster 6 auf. Mit der
vorliegenden Einrichtung kann eine Justierung, bzw. eine Feststellung des Ausrichtfehlers zwischen dem Abbild des
Maskenmusters 5 und dem jeweils vorbestimmten Bereich 17 auf dem Substrat im Belichtungslicht vorgenommen werden.
Die Ausrichtmuster 6 der Maske 4 sind beispielsweise für das Belichtungslicht durchlässige Fenster, sodaß die
entsprechenden Strahlen der Belichtungseinrichtung 2 durch diese Fenster 6 auf halbdurchlässige Spiegel 22 fallen,
und von diesen zurück zur Maske reflektiert werden. An den entsprechenden Stellen der Maske sind Spiegel 7 angebracht,
welche diese Strahlen über das Projektionsobjektiv 14 auf die Justiermarken 18 des jeweiligen Bereichs 17 auf dem
Substrat werfen. Das Abbild der Ausrichtmuster 6 auf dem
030034/0284
Substrat 16 und die Justiermarken 18 werden nun über das Projektionsobjektiv 14, die Spiegel 7 sowie die
halbdurchlässigenSpiegel 22 auf Auswerteeinrichtungen 21 rückprojiziert. Diese Auswerteeinrichtungen können den
Ausrichtfehler zwischen den Justiermarken 18 und dem Abbild der Ausrichtmuster 6 der Maske 4 feststellen,
wodurch auch der Ausrichtfehler des Abbildes des Maskenmusters 5 relativ zu dem vorbestimmten Bereich 17 bzw.
darauf bereits vorhandenen Schaltungselementen bestimmt ist. Die Ausrichtmuster , Justiermarken, die
Mittel zum Abbilden derselben ineinander sowie die Auswerteeinrichtungen können in beliebiger, bekannter Weise
ausgebildet sein.
Die Fig. 2 zeigt in schematischer Weise eine Realisierungsmöglichkeit. Eine Justiermarke 18 auf dem Substrat ist dabei
als reflektierendes oder nicht reflektierendes Kreuz ausgebildet,
dem ein aus einem Fenster 6 bestehendes Ausrichtmuster der Maske 4 zugeordnet ist. Die Maske 4 besteht aus
zwei Glasplatten 8 , zwischen denen sich die Maskenschicht befindet. Auf der dem Substrat zugewandten Seite der unteren
Glasplatte 8 ist in einem in bezug auf das Projektionsobjektiv zur Justiermarke 18 konjugierten Bereich ein Spiegel 7
ausgebildet . Dieser Spiegel 7 reflektiert das Abbild des Fensters 6 auf dem Substrat 16 und die Justiermarke 18
durch den halbdurchlässigen Spiegel 22 auf eine Detektionsebene 28 der Auswerteeinrichtung 21. Durch Abtasten der
Intensitätswerte auf dieser Detektionsebene 28 können beispielsweise Zeitsignale ti und t2 gewonnen werden, die dem
jeweiligen Ausrichtfehler proportional sind.
er
Mit Hilfe zwei derartiger Auswerteeinrichtungen 21 und den zugeordneten Ausrichtmustern 6 der Maske und Justiermarken des Substrats können also die Ausrichtfehler in den Koordinaten X,Y und 'f bestimmt werden. Die Bestimmung des Ausrichtfehlers
Mit Hilfe zwei derartiger Auswerteeinrichtungen 21 und den zugeordneten Ausrichtmustern 6 der Maske und Justiermarken des Substrats können also die Ausrichtfehler in den Koordinaten X,Y und 'f bestimmt werden. Die Bestimmung des Ausrichtfehlers
030034/0284
AA
in Z-Richtung , d.h. der Schärfeneinsteilung des Abbildes auf dem Substrat erfolgt in bekannter, nicht
dargestellter Weise. Ein solches bekanntes Verfahren ist beispielsweise in der DE-OS 26 33 297 erläutert.
Es sei jedoch nochmals darauf hingewiesen, daß die Art und Weise der Bestimmung des Ausrichtfehlers
in den gewünschten Koordinaten nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist und daher auf beliebige Art
erfolgen kann.
Die Fig. 3 zeigt ein Schema der erfindungsgemäßen Einrichtung in Funktionsblöcken. Die Schrittmotoren
1o,11 und 12 zur Positionierung der Maske, die Auswerteeinrichtungen
21 zur Bestimmung des Ausrichtfehlers und die Schrittmotoren 19, 2o und 24 zur Bewegung des
Substrats sind über eine Schnittstelle 25, welche die notwendigen Anpassungsschaltungen enthält ,mit einem Rechner
verbunden, welcher wiederum mit einem Speicher 27 korrespondiert. Das erfindungsgemäße Verfahren kann
mit Hilfe dieser Einrichtung realisiert werden. Soll das Maskenmuster 5 einer Maske 4 in aufeinanderfolgenden
Schritten auf den Bereichen 17, welche den zu erzeugenden Chips entsprechen, abgebildet werden, so werden das Substrat
16 und die Maske 4 in den Koordinaten X,Y,Z und 0
über das Projektionsobjektiv 14 aufeinander eingerichtet. Sodann verfährt der Substrattisch 15 den ersten zu
belichtenden Bereich 17 unter den Projektionsbereich des Projektionsobjektivs, worauf die Abbildung des Maskenmusters
durchgeführt wird. Gemäß der Erfindung wird nun während dieser Abbildung, d.h. während der Belichtung, der Ausrichtfehler
zwischen dem Abbild des Maskenmusters auf dem Substrat und dem entsprechend vorbestimmten Bereich 17 auf dem
Substrat durch Vergleich der Lage der Ausrichtmuster relativ zu den Justiermarken bestimmt. Diese Bestimmung
030034/0284
des Ausrichtfehlers wird vorteilhaft im selben Licht der Belichtungseinrichtung, welches auf für die Abbildung
des Maskenmusters verwendet wird, durchgeführt. Es ist jedoch festzuhalten, daß ebenso eine eigene Lichtquelle
für die Abbildung der Ausrichtmuster 6 und Justiermarken ineinander verwendet v/erden kann. Nach dem Ende der
Belichtung wird der Substrattisch 15 mit Hilfe der Schrittmotoren 19 bzw. 2o soweit verschoben, daß
der nächste Bereich 17 in den Projektionsbereich des
Projektionsobjektivs gelangt. Diese Verschiebung erfolgt gemäß den vorprogrammierten Werten. Um eine
Addition von FehlJustierungen zu vermeiden, die beispielsweise
von Temperaturschwankungen und Verschiebetoleranzen der Schrittmotoren herrühren können, wird
nun die Position der Maske 4 um den vorangehend gemessenen Ausrichtfehler korrigiert. Daran anschließend kann die
Belichtung des neuen Bereichs 17 durchgeführt werden, wobei wiederum der aktuelle Ausrichtfehler bestimmt wird.
Es ist leicht ersichtlich, daß man mit diesem erfindungsgemäßen
Verfahren eine Addition von Justierfehlern vermeiden kann, ohne den Verfahrensablauf im Vergleich zu einer
Belichtung ohne Justierung zu verlangsamen. Lediglich für den Fall , daß die Bestimmung des Ausrichtfehlers langer
als die vorgesehene Belichtungszeit für die Abbildung des Maskenmusters dauert, muß die Verschiebung zum
jeweils nächsten Bereich solange verzögert werden, bis die Bestimmung des Ausrichtfehlers abgeschlossen ist. In diesem
Fall kann man aber auch, falls abhängig von der Auswerteeinrichtung dadurch Zeit gewonnen werden könnte, den
Ausrichtfehler innerhalb einer Folge von Abbildungen in jeweils anderen Koordinaten bestimmen und die Korrekturen
jeweils dementsprechend durchführen. Es ist aber auch
03G034/0284
denkbar, daß der Ausrichtfehler nur nach einer vorbestimmten Anzahl, beispielsweise nach jeder
zweiten der Abbildungen bzw. Verschiebungen des Substrates bestimmt wird.
Voraussetzung für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist lediglich eine gewisse Grundgenauigkeit
der Verschiebeeinrichtungen, d.h. die Verschiebung des Substrates 16 um einen Bereich
muß innerhalb der zulässigen Toleranzgrenze für den Ausrichtfehler möglich sein. Um ein ständiges
Korrigieren der Maske innerhalb des Meßfehlers zu vermeiden, kann es vorteilhaft sein,
wenn der Ausrichtfehler mit diesem Grenzwert verglichen wird und lediglich bei Überschreiten des-selben eine
Korrektur erfolgt. Es ist vorgesehen, daß bei einem
die zu großen Korrekturwert für Position der Maske diese nicht verschoben wird und statt dessen der
vorbestimmte Wert für die Verschiebung des Substrates korrigiert wird.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren bestehen weiterhin die Möglichkeiten, die Position der Maske stets
unverändert zu lassen und die Korrektur des Ausrichtfehlers durch Veränderung des Verschiebeweges für das Substrat
durchzuführen oder Maske und Substrat in jeweils gewünschten Koordinaten zu korrigieren.
030034/0284
-JU-
Leerseite
Claims (1)
- Patentansprüche :Verfahren und Einrichtung zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück, insbesondere zum Projektionskopieren auf ein Halbleitersubstrat zur Herstellung integrierter Schaltungen, wobei durch Verschieben des Werkstückes in der Bildebene ein Maskenmuster in aufeinanderfolgenden Schritten auf jeweils anderen, vorbestimmten Bereichen des Werkstückes abgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest während einer Anzahl von Abbildungen des Maskenmusters auf dem Werkstück eine Bestimmung des Ausrichtfehlers zwischen dem Abbild des Maskenmusters und dem entsprechend vorbestimmten Bereich auf dem Werkstück begonnen wird, und daß der vorbestimmte Wert der Verschiebung des Werkstückes zum Bereich für eine folgende Abbildung und/oder die Position der Maske für eine folgende Abbildung um den Ausrichtfehler korrigiert wird.Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Aussichtfehler mit einem Grenzwert verglichen wird, und bei Überschreiten des Grenzwertes der vorbestimmte Wert der Verschiebung des Werkstückes zum Bereich für die folgende Abbildung und/oder die Position der Maske für die folgende Abbildung um den Ausrichtfehler korrigiert v/ird.3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausrichtfehler nach einer vorbestimmten Anzahl,22644 030034/0284beispielsweise nach jeder zweiten der Abbildungen bzw. Verschiebungen des Werkstückes bestimmt wird.4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausrichtfehler durch Vergleich der Lage von Ausrichtmustern der Maske relativ zu den jeweiligen vorbestimmten Bereichen auf dem Werkstück zugeordneten Justiermarken in an sich bekannter Weise im Belichtungslicht für die Abbildung des Maskenmusters bestimmt wird.5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausrichtfehler durch Vergleich der Lage von Ausrichtmustern der Maske relativ zu den jeweiligen vorbestimmten Bereichen auf dem Werkstück zugeordneten Justiermarken bestimmt wird, wobei für die Abbildung der Ausrichtmuster und Justiermarken ineinander eine Lichtquelle vorgesehen ist, deren Wellenlänge von dem Belichtungslicht für die Abbildung des Maskenmusters unterschiedlich ist.6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Abbildung eines Maskenmusters, während der die Bestimmung des Ausrichtfehlers begonnen wurde, die Verschiebung des Werkstückes für die folgende Abbildung so lange verzögert wird, bis die Bestimmung des Ausrichtfehlers abgeschlossen ist.7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch030034/0284gekennzeichnet, daß während einer Folge von Abbildungen des Maskenmusters die Bestimmung der Ausrichtfehler in jeweils anderen Koordinaten, beispielsweise in den Koordinaten der Bildebene und normal zu dieser, begonnen wird.8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Position der Maske in der Objektebene zwischen aufeinanderfolgenden Abbildungen um den jeweiligen Ausrichtfehler korrigiert wird.9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei Überschreiten des Korrekturwertes für die Position der Maske über einen vorbestimmten Grenzwert der vorbestimmte Wert für die Verschiebung des Werkstückes zum Bereich für die folgende Abbildung korrigiert wird.03GG34/0284
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2905636A DE2905636C2 (de) | 1979-02-14 | 1979-02-14 | Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück |
JP55500522A JPS6028137B2 (ja) | 1979-02-14 | 1980-02-07 | 工作物上にマスクをコピ−する方法 |
US06/197,992 US4362385A (en) | 1979-02-14 | 1980-02-07 | Process and arrangement for copying masks on a workpiece with arrangement for correction of alignment errors |
PCT/EP1980/000007 WO1980001722A1 (en) | 1979-02-14 | 1980-02-07 | Process and equipment for copying masks on a piece |
EP80900410A EP0025038A1 (de) | 1979-02-14 | 1980-08-25 | Verfahren und einrichtung zum kopieren von masken auf ein werkstück |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2905636A DE2905636C2 (de) | 1979-02-14 | 1979-02-14 | Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2905636A1 true DE2905636A1 (de) | 1980-08-21 |
DE2905636C2 DE2905636C2 (de) | 1985-06-20 |
Family
ID=6062918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2905636A Expired DE2905636C2 (de) | 1979-02-14 | 1979-02-14 | Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4362385A (de) |
EP (1) | EP0025038A1 (de) |
JP (1) | JPS6028137B2 (de) |
DE (1) | DE2905636C2 (de) |
WO (1) | WO1980001722A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3341747A1 (de) * | 1982-11-19 | 1984-05-24 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren und vorrichtung zum herabsetzen der ruhezeit einer schrittweise arbeitenden belichtungsvorrichtung |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57142612A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Alignment optical system of projection type exposure device |
JPS57154263A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Fuji Xerox Co Ltd | Original plate device |
JPS583227A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Fujitsu Ltd | チップアライメント方法 |
JPS5874039A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | Canon Inc | アライメントマ−クの検出方法 |
JPS58108745A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Canon Inc | 転写装置 |
US4466073A (en) * | 1982-04-26 | 1984-08-14 | The Perkin Elmer Corporation | Wafer prealigner using pulsed vacuum spinners |
JPS5972728A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Canon Inc | 自動整合装置 |
FR2536872A1 (fr) * | 1982-11-29 | 1984-06-01 | Cii Honeywell Bull | Generateur de motifs pour circuits integres et procede de generation de motifs utilisant ce generateur |
JPS6012550A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-22 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光転写装置用マスク供給装置 |
GB2146427B (en) * | 1983-08-01 | 1987-10-21 | Canon Kk | Semiconductor manufacture |
JPS6085523A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Fujitsu Ltd | マスク形成方法 |
DE3485022D1 (de) * | 1983-12-26 | 1991-10-10 | Hitachi Ltd | Belichtungsvorrichtung und verfahren fuer die ausrichtung einer maske mit einem arbeitsstueck. |
US4669867A (en) * | 1984-02-20 | 1987-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus |
JPH0616476B2 (ja) * | 1984-05-11 | 1994-03-02 | 株式会社ニコン | パターン露光方法 |
DE3583924D1 (de) * | 1984-06-21 | 1991-10-02 | American Telephone & Telegraph | Lithographie im fernen uv-gebiet. |
JPS618922A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
JPS6120442A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Toshiba Corp | 有料放送方式 |
US4780617A (en) * | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
US4592648A (en) * | 1985-01-23 | 1986-06-03 | Perkin-Elmer Censor Anstalt | Device for projection copying of masks onto a workpiece |
US4878086A (en) * | 1985-04-01 | 1989-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Flat panel display device and manufacturing of the same |
US4814830A (en) * | 1985-04-01 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Flat panel display device and manufacturing of the same |
US4676630A (en) * | 1985-04-25 | 1987-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
US4662754A (en) * | 1985-12-20 | 1987-05-05 | The Perkin-Elmer Corporation | Method for facilitating the alignment of a photomask with individual fields on the surfaces of a number of wafers |
US4669868A (en) * | 1986-04-18 | 1987-06-02 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Step and repeat exposure apparatus and method |
US4790642A (en) * | 1986-12-01 | 1988-12-13 | Gca Corporation/Tropel Division | Integrated metrology for microlithographic objective reducing lens |
JPS63229816A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Nikon Corp | アライメント装置 |
US4918320A (en) * | 1987-03-20 | 1990-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment method usable in a step-and-repeat type exposure apparatus for either global or dye-by-dye alignment |
US5204711A (en) * | 1990-06-08 | 1993-04-20 | Nippon Seiko Kabushiki Kaisha | Projection exposure device |
US5978071A (en) * | 1993-01-07 | 1999-11-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method in which mask stage is moved to provide alignment with a moving wafer stage |
JPH06302496A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
NL9300631A (nl) * | 1993-04-14 | 1994-11-01 | Hans Gerard Van Den Brink | Optisch systeem voor het onderling positioneren van een sporendrager en component met aansluitpootjes. |
US5547765A (en) * | 1993-09-07 | 1996-08-20 | Alliedsignal Inc. | Retortable polymeric films |
WO1995034425A1 (en) * | 1994-06-13 | 1995-12-21 | Alliedsignal Inc. | Retortable, high oxygen barrier polymeric films |
US5707750A (en) * | 1994-10-24 | 1998-01-13 | Alliedsignal Inc. | Retortable, high oxygen barrier polymeric films |
JP4481109B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2010-06-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィック装置、デバイス製造方法及びコンピュータ・プログラム |
US8963046B2 (en) | 2007-03-08 | 2015-02-24 | Illinois Tool Works Inc. | Self-adjusting liner assembly for welding torch |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1235725B (de) * | 1963-12-05 | 1967-03-02 | Philips Nv | Vorrichtung zum wiederholten, reproduzierbaren Einstellen eines in einer Ebene beweglichen Gliedes auf eine Anzahl von Lagen mit vorherbestimmten Koordinatenpaaren |
US4153371A (en) * | 1976-02-25 | 1979-05-08 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for reduction-projection type mask alignment |
DE2651430C3 (de) * | 1976-06-17 | 1980-11-20 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Maskenmusters in bezug auf ein Substrat |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3955072A (en) * | 1971-03-22 | 1976-05-04 | Kasper Instruments, Inc. | Apparatus for the automatic alignment of two superimposed objects for example a semiconductor wafer and a transparent mask |
US3814845A (en) * | 1973-03-01 | 1974-06-04 | Bell Telephone Labor Inc | Object positioning |
US4052603A (en) * | 1974-12-23 | 1977-10-04 | International Business Machines Corporation | Object positioning process and apparatus |
DE2630209C3 (de) * | 1976-07-05 | 1981-02-12 | Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch | Elektro-optische Tastvorrichtung |
DE2633297A1 (de) * | 1976-07-23 | 1978-01-26 | Siemens Ag | Verfahren zur automatischen justierung |
FR2388300A1 (fr) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Dispositif optique de projection de motifs comportant un asservissement de focalisation a grandissement constant |
FR2388249A1 (fr) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Dispositif de positionnement d'un objet dans un systeme optique de projection et systeme optique de projection comportant un tel dispositif |
FR2388371A1 (fr) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Procede d'alignement, dans un photorepeteur, d'une plaquette semi-conductrice et des motifs a y projeter et photorepeteur mettant en oeuvre un tel procede |
-
1979
- 1979-02-14 DE DE2905636A patent/DE2905636C2/de not_active Expired
-
1980
- 1980-02-07 US US06/197,992 patent/US4362385A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-02-07 WO PCT/EP1980/000007 patent/WO1980001722A1/de unknown
- 1980-02-07 JP JP55500522A patent/JPS6028137B2/ja not_active Expired
- 1980-08-25 EP EP80900410A patent/EP0025038A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1235725B (de) * | 1963-12-05 | 1967-03-02 | Philips Nv | Vorrichtung zum wiederholten, reproduzierbaren Einstellen eines in einer Ebene beweglichen Gliedes auf eine Anzahl von Lagen mit vorherbestimmten Koordinatenpaaren |
US4153371A (en) * | 1976-02-25 | 1979-05-08 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for reduction-projection type mask alignment |
DE2651430C3 (de) * | 1976-06-17 | 1980-11-20 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Maskenmusters in bezug auf ein Substrat |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3341747A1 (de) * | 1982-11-19 | 1984-05-24 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren und vorrichtung zum herabsetzen der ruhezeit einer schrittweise arbeitenden belichtungsvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56500197A (de) | 1981-02-19 |
EP0025038A1 (de) | 1981-03-18 |
WO1980001722A1 (en) | 1980-08-21 |
DE2905636C2 (de) | 1985-06-20 |
US4362385A (en) | 1982-12-07 |
JPS6028137B2 (ja) | 1985-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2905636A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum kopieren von masken auf ein werkstueck | |
DE2845603C2 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren | |
DE69631260T2 (de) | Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung | |
DE3318980C2 (de) | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken | |
DE69922132T2 (de) | Spiegelprojektionssystem für einen lithographischen abtast-projektionsapparat sowie lithographischer apparat mit einen solchen system | |
DE3114682A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von einander beabstandeter masken- und waferelementen | |
DE2260229C3 (de) | ||
DE2557675A1 (de) | Verfahren zur ausrichtung zweier planarer werkstuecke, z.b. einer maske zu einem wafer oder umgekehrt | |
DE2900921C2 (de) | Verfahren zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstück | |
DE19736959C2 (de) | Zwischenmaske, dadurch übertragenes Muster und Korrekturverfahren | |
EP0002668B1 (de) | Einrichtung zur optischen Abstandsmessung | |
DE2817400A1 (de) | Verfahren zum ausrichten eines halbleiterplaettchens und nach diesem verfahren arbeitender photowiederholer | |
DE3224462C2 (de) | ||
DE3342719C2 (de) | Positionierungseinrichung in einem Projektionsbelichter | |
DE2431960B2 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten Schicht auf einem Substrat mit Hilfe von Photoätzprozessen sowie Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE2739502B2 (de) | Verfahren zur Belichtung durch Korpuskularstrahlen-Schattenwurf und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
EP0025036B1 (de) | Verfahren zur scharfeinstellung eines maskenbildes auf ein werkstück | |
DE2830871B2 (de) | Vorrichtung zum Ermitteln von Fehlern in flächenhaften Mustern | |
DE1945247A1 (de) | Materialpruefverfahren mittels Roentgenbildaufnahme und -vergleich | |
DE2428926C2 (de) | Vorrichtung zum beidseitigem Kopieren von Schaltungsmustern auf ein Halbleiterplättchen | |
DE19510449A1 (de) | Retikel | |
AT413305B (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten eines justier-mikroskops mittels verspiegelter justiermaske | |
DE3248382A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten | |
DE19754867B4 (de) | Spaltabtast-Projektionsbelichtungsgerät und Halbleitereinrichtung | |
DE2421509C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Ausrichtung einer Folge von Masken in Bezug auf ein Substrat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: HENKEL, G., DR.PHIL. FEILER, L., DR.RER.NAT. HAENZ |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: PERKIN-ELMER CENSOR ANSTALT, VADUZ, LI |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: DERZEIT KEIN VERTRETER BESTELLT |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |