DE2901079A1 - Phasenschieber - Google Patents

Description

" Phasenschieber "

Die Erfindung betrifft einen Phasenschieber der im Oberbegriff des Patentanspruches 1 genannten Art. Ein solcher Phasenschieber besteht aus integrierbaren Halbleiterelementen. Die Erfindung bezieht sich auch auf ein CCD-Filter (Ladungsübertragungsfliter), für das der genannte Phasenschieber eine Eingangsstufe darstellt.

Es wird daran erinnert, daß ein transversales CCD-Filter aus einem Halbleitersubstrat besteht, das mit einer Isolierschicht überzogen ist, auf der die Elektroden angeordnet sind. Durch periodisches Anlegen von bestimmten Potentialen bewirken diese Elektroden den Weitertransport der Ladungspakete, die das zu verarbeitende Signal darstellen. Es wurden insbesondere Filter dieser Art mit zwei getrennten Kanälen hergestellt, in denen die die gegenphasigen Signale darstellenden Ladungspakete von einer Elektrode zur nächsten übertragen werden. Eine solche Schaltung, mit der die Filterausgangsstufe vereinfacht werden kann, ist insbesondere in der deutschen Patentanmeldung P 28 30 437 vorgeschlagen.

Ein solches Filter erfordert einen Phasenschieber, der am Eingang des Filters das Eingangssignal an die beiden Kanäle mit einer relativen Phasenverschiebung, von l80° liefert. Dieser Phasenschieber muß folglich die folgenden Eigenschaften aufweisen:

er muß aus Halbleiterelementen bestehen, die gegebenenfalls auf dem gleichen Substrat wie das Filter integrierbar sind, er muß Signale einer bestimmten Dauer liefern, die an die Eingangselek-.troden der Filterkanäle angelegt werden können, er muß Signale liefern, die eine gemeinsame, steuerbare Gleichkomponente enthalten,

er muß die Möglichkeit zur Einstellung des Amplitudenverhältnisses der beiden Signale bieten,

er muß Signale mit großer Amplitude (größenordnungsmäßig 2 Volt) mit geringer Störung liefern.

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Der Erfindung liegt die Aufgabe zuprunde,. einen Phasenschieber der eingangs genannten Art zu schaffen, der diese Forderungen erfüllt.

Die Lösung dieser Aufgabe sowie vorteilhafte Ausführungsformen sind in den Patentansprüchen angegeben.

Der Phasenschieber gemäß der Erfindung enthält eine Abtastschaltung, die das Eingangssignal aufnimmt. Diese besteht aus zwei MOS-Transistoren, die gegenphasig geschaltet werden,und sie liefert ein Abtastsignal, das während einer der Schaltphasen das Eingangssignal und während der anderen der Schaltphasen ein Gleichpotential ist, das dem Mittelwert des Eingangssignales entspricht. Der Phasenschieber enthält des weiteren ein Phasenschiebeelement, das aus einem MOS-Transistor besteht, an dessen Gitter das Abtastsignal gelangt und dessen Drain-Anschluß und dessen Source-Anschluß mit Widerständen verbunden sind, die wiederum mit äußeren Vorspannungsquellen in Verbindung stehen. Der Source- und der Drain-Anschluß liefern die gegenphasigen Signale. Der Phasenschieber nach der Erfindung enthält des weiteren Mittel zur kapazitiven Kopplung, durch die die Gleichkomponenten der Signale S. und S₂ gesperrt werden. Schließlich sind erfindungsgemäß Mittel zur Erzeugung einer Vorspannung vorgesehen, die aus MOS-Transistoren bestehen, wodurch die gegenphasigen Signale S. und S~ eine für beide Signale gleiche Gleichkomponente erhalten.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der in den Figuren schematisch dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt:

Figur 1 ein Schaltbild eines Phasenschiebers gemäß der Erfindung,

Figur 2 Diagramme von Signalen, die an die Schaltung nach Fig. 1 angelegt werden,

Figur 3 ein CCD-Filter mit einem Phasenschieber

gemäß der Erfindung. _™_

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Die Schaltung der Figur 1 enthält eingangsseitig zwei MOS-Transistoren T und T¹ . Diese Transistoren werden als Unterbrecher beo ο

trieben. Sie werden durch die Signale 0. und 0p, die beispielshalber in Figur 2 dargestellt sind, gegenphasig durchgeschaltet.

Das Signal 0- (Figur 2a) ist ein im wesentlichen rechteckförmiges Signal mit der Periodendauer T, dessen Amplitude sich zwischen O und V₁O ändert. Das Signal 0₂ (Figur 2b) ist vorzugsweise dem Signal 0.. gleich, es weist Jedoch gegenüber diesem eine Phasenverschiebung um T/2 auf.

Der Transistor T ist zwischen den Eingang der Schaltung und einen Punkt E geschaltet und erhält an seinem Gitter das Signal 0^.Der

Transistor T ' ist zwischen diesen selben Punkt E und eine äußere ο

Vorspannungsquelle V_REp geschaltet, und erhält an seinem Gitter das Signal 0p· Das Potential V_REp wird im wesentlichen gleich dem Mittelwert des Eingangssignales S der Schaltung gewählt. Dieser Mittelwert kann als Referenzpotential (Masse) der Schaltung gewählt werden.

Während einer Halbperiode von 0., der sogenannten Aktivhalbperiode, ist der Transistor T durchgeschaltet (beispielsweise gilt: 0. = V»e ) und das Signal S gelangt an den Punkt E. Während der darauffolgenden Halbperiode (Aktivphase von 0₂) wird dagegen das Potential dieses Punktes auf den Wert V_REp festgelegt. Die Transistoren T und T ' stellen folglich eine Abtastschaltung dar. Das Signal, das diese Abtastschaltung (bei Punkt E) liefert, wird im folgenden S_ECH genannt.

Das Abtastsignal S_EC„ gelangt an das Gitter eines MOS-Transistors T.. Der Source-Anschluß dieses Transistors (Punkt B) ist über einen Widerstand R mit einer äußeren Vorspannungsquelle verbunden, die beispielsweise negativ ist (-V₃₃).Sein Drain-Anschluß (Punkt A) ist über einen Widerstand R vom selben Wert mit einer äußeren positiven Vorspannungsquelle (V_DD) verbunden. In Serie zu diesem letztgenannten Widerstand ist ein variabler Widerstand r geschaltet, dessen Zweck weiter unten beschrieben wird.

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Wenn das Abtastsignal S_EC„ an das Gitter des Transistors T₁ gelangt, erhält man bei Punkt B ein Signal S₀, das dem Signal S„„_tT entspricht, dem eine bestimmte Gleichkomponente zugefügt wurde. Im Punkt A erhält man ein Signal S₁, das gegenüber dem Signal S₂ um 180° phasenverschoben und mit einer Gleichkomponente versehen ist, die sich von derjenigen des Signales S₁ unterscheidet.

Um die Signale von diesen unterschiedlichen Gleichkomponenten zu befreien und ihnen statt dessen definierte (einstellbare) Gleichkomponenten hinzuzufügen, ist zwischen dem Phasenschiebertransistor T₁ und einer aus MOS-Transistoren bestehenden Schaltung zur Erzeugung einer Vorspannung eine kapazitive Kopplung (Kondensatoren C) vorgesehen.

Der Punkt A ist". ' mit einer Kapazität C verbunden, deren zweiter Anschluß mit A₁ bezeichnet ist. Der Punkt A₁ ist einerseits mit dem Source-Anschluß eines MOS-Transistors T₂ und andererseits mit dem Gitter eines MOS-Transistors T^ verbunden. Der Drain-Anschluß des Transistors T₂wird auf einem Gleichpotential V_p und derjenige des Transistors T^ auf einem erhöhten Vorspannungspotential,beispielsweise auf ⁺V_DD, gehalten. Das Gitter des Transistors T₂ wird durch das Signal 0₂ gesteuert. Der Source-Anschluß des Transistors T,, (Punkt A ) ist sowohl mit dem Drain-Anschluß und

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dem Gitter eines MOS-Transistors T₁- verbunden und stellt einen der beiden Ausgänge der Schaltung dar. Der Source-Anschluß des Transistors T₅ liegt beispielsweise auf einem negativen Vorspannungspotential (-Voo).

Die Schaltung, die von dem Punkt B ausgeht, ist symmetrisch zur vorstehend beschriebenen: B ist mit einem zweiten Kondensator verbunden, der die gleiche Kapazität wie der mit dem Punkt A verbundene Kondensator aufweist und dessen zweiter Anschluß mit B bezeichnet ist. Der Source-Anschluß eines MOS-Transistors T., liegt am Punkt B₁. Sein Drain-Anschluß steht mit dem Drain-Anschluß des Transistors T₂ in Verbindung. Sein Gitter ist mit dem Gitter von T₂ verbunden. Der Punkt B₁ steht des weiteren mit dem Gitter eines MOS-Transistors T~ in Verbindung, dessen

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Drain-Anschluß auf einem Vorspannungspotential, beispielsweise auf ⁺V_DD, gehalten wird. Der Source-Anschluß von T₇ (Punkt B ) stellt den zweiten Ausgang der Schaltung dar. Dieser Punkt ist sowohl mit dem Drain-Anschluß und dem Gitter eines MOS-Transistors Tg verbunden, dessen Source-Anschluß mit demjenigen von T₁- in Verbindung steht.

Beim Betrieb der Schaltung sind zwei Phasen zu unterscheiden:

- in der Aktivphase des Signales 0₂ (0₂ = V^ ) gilt S_ECR= V_REp am Gitter des Transistors T., wobei die Transistoren Tp und T-, die beiden Kondensatoren C auf das Potential V_p vorladen,

- in der Aktivphase des Signales Φ_Λ (0„ = Vm) gilt S_uritJ= S am

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Gitter des Transistors T. und in den Punkten A und B erhält man die Signale S₁ und S₂, die für das Signal S_e repräsentativ sind und unterschiedliche Gleichkomponenten aufweisen. Diese . Signale werden in den Punkten A^und B₁ wegen der genannten Vorladung mit der gleichen Gleichkomponente V_p erhalten.

Die Schaltung arbeitet mit sehr kleinen Werten für die Kapazitäten C (10 pP beispielsweise), so daß folglich die Kondensatoren auf einer kleinen Fläche des Substrates integriert werden können, wobei der Rest der Schaltung in bekannter MOS-Technologie ausgeführt ist.

Die Transistoren Th, T^ einerseits und Tg, T₇ andererseits stellen Impedanzwandler dar, die an die Ausgänge A₀ und B₁, die Spannungen in den Punkten A₁ und B₁ übertragen, und zwar mit einer Verschiebung, die gleich ihrer Schwellspannung ist, die für beide Transistoren identisch angenommen wird.

Man erhält folglich in A_e und B_e Signale S_ und S. , die um l8O° ebenso wie die Signale S₁ und Sg phasenverschoben sind, die jedoch dieselbe Gleichkomponente aufweisen, die insbesondere von V_p abhängt. Durch Änderung des Wertes von V_p kann diese Gleichkomponente leicht eingestellt werden.

Durch das Hinzufügen von variablen niederohmigen Hilfswiderständen

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In Serie zu den Widerständen R (oder nur zu einem dieser Widerstände, die in Figur 1 gezeigt) kann der Amplitudenpegel der Signale für beide Kanäle auf verschiedene Werte eingestellt werden. Durch Einstellen des Widerstandes r in Figur 1 kann folglich der relative Verstärkungsfaktor festgelegt werden.

Figur 3 zeigt ein CCD-Filter (CCD von Charge Coupled Device) mit zwei Kanälen und einem Phasenschieber nach der Erfindung in der Draufsicht.

Ein solches Filter ist beispielsweise in der deutschen Patentanmeldung P 28 30 ^37 vorgeschlagen.

Es besteht, wie üblich, aus einem Halbleitersubstrat, das mit einer Isolierschicht bedeckt ist, auf der Elektroden quer zur Ausbreitungsrichtung OZ der Ladungen in dem Halbleiter angeordnet sind. Das Filter weist zwei elektrisch getrennte und im wesentlichen parallele Kanäle 1 und 2 auf.

Jeder der Kanäle 1 und 2 nimmt die gegenphasigen Signale S_ß und S. auf, die ausgehend von dem Eingangssignal S_g durch den anhand von Figur 1 beschriebenen Phasenschieber erhalten werden. Der Phasenschieber ist in der Figur 3 durch den Block 3 angedeutet. Dieser Phasenschieber 3 ist vorzugsweise in integrierter MOS-Technologie auf demselben Halbleitersubstrat wie das eigentliche Filter angeordnet.

Jeder der Kanäle 1 und 2 enthält folgendes:

- eine Injektionsstufe (10 bzw. 20) zur Injektion der Ladungen in den Halbleiter; durch sie wird das Eingangssignal S_ß bzw. S. in ein Ladungspaket verwandelt, das das Eingangssignal repräsentiert; die Injektionsstufe kann beispielsweise für jeden Kanal -aus einer Injektionsdiode bestehen, die das Eingangssignal S. bzw. Sg aufnimmt, sowie aus drei weiteren zur Richtung OZ senkrechten Elektroden, von denen die erste und die dritte auf konstantem Potential V_DD wie oben definiert gehalten werden und der mittleren Elektrode ein periodisches Impuls-

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signal zugeführt wird, durch das das zuvor abgetastete Eingangssignal während der Aktivphase des Signals 0^ injiziert wird;

eine Einheit von Transportelektroden (11 für den Kanal 1 und 21 für den Kanal 2), an die ein im wesentlichen rechteckför- miges Potential mit der Periode T, das beispielsweise gleich 0. sein kann, gelegt wird;

eine Einheit von Bewertungselektroden (12 für den Kanal 1 ... und 22 für den Kanal 2), die jeweils in zwei Teilelektroden unterteilt sind; die Bewertungselektroden sind alternierend mit den Transportelektroden (11 bzw. 21) angeordnet und er halten ein zweites Potential (beispielsweise 0₂), das die gleiche Form wie 0^ aufweist, jedoch um l8O° gegenüber diesen phasenverschoben ist.

Die Teile jeweils unterhalb und oberhalb der Elektroden 12 und 22

dar

der Kanäle 1 und 2 stellen die Nutzteile des Filters/und entsprechen den jeweils positiven oder negativen Bewertungskoeffizienten. Diese Nutzteile liegen über einem gemeinsamen Anschluß 5 an einer Schaltung ¹I, durch die einerseits das Signal 0₂ an diese Nutzteile angelegt und andererseits die unter den Elektroden befindlichen Ladungsmengen ausgelesen werden, wodurch das Ausgangssignal S erhalten wird.

Schließlich kann jeder der Kanäle 1 und 2 an seinem der Injektionsstufe gegenüberliegenden Ende eine Diode aufweisen (nicht darge stellt), die in dem Halbleitersubstrat realisiert ist und deren Zweck darin besteht, die Ladungen, die das Filter durchlaufen haben, zu sammeln und abzuleiten.

Die beiden Kanäle 1 und 2 nehmen die um 180° phasenverschobenen Signale S_ß und S. auf. Nach einem bei diesen Filtern bekannten Mechanismus wird ein Ladungspaket, das einen Abtastwert des EIngangssignales (S_ß oder S_A) darstellt, von einer Elektrode zur nächsten tu jeder Halbperiode der Signale 0., und 0₂ übertragen und zwar in Phase in beiden Kanälen. Wenn die beiden Kanäle die gleichen Eigenschaften aufweisen, wird auf diese Weise eine direkte Bewertung des Signales S_ft durchgeführt, das durch das Signal

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S repräsentiert wird. Die Bewertung erfolgt durch die positiven Koeffizienten (Kanal 1) oder negativen Koeffizienten (Kanal 2), die proportional zu den Breiten der Nutzteile der Bewertungselektroden (12 und 22) sind. Unter Breite ist die Abmessung senkrecht zur Richtung OZ zu verstehen.

Wenn die Kanäle nicht die gleichen Eigenschaften aufweisen, was in der Praxis im allgemeinen der Fall ist, kann ein Abgleich des Phasenschiebers durch Einstellung des HilfsWiderstandes r vorgenommen werden, der in Serie mit einem der Widerstände R der Figur

1 geschaltet ist.

Bei dieser Schaltung ist möglich, die Spannung V_p einzustellen, um einen optimalen Wert für die Gleichkomponente der Signale S. und Sg in Abhängigkeit der Eigenschaften der Injektionsstufen 10 und 20 zu erhalten.

Ein Filter gemäß der Erfindung kann beispielsweise mit folgenden größenordnungsmäßig wiedergegebenen Spannungen betrieben werden; für V_nn ungefähr 12 Volt, für -V_QC Null oder -5 Volt, für V_D

2 oder 3 Volt und die Amplitude der in die Kanäle 2 und 1 injizierten Signale beträgt größenordnungsmäßig 1 oder 2 Volt.

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Claims (5)

1. 29Q1079 PATENTANWÄLTE

   DIETRICH LEWINSKY

   HLiNZ-JOACHIM HUBER

   REINER PRIETSCH 12.Januar 1979

   MÖNCHEN 21 lO.78i|-V/Ni

   GOTTHARDSTR.81

   Thomson-CSF, Bl. Haussmann 173, F - 75008 Paris (Frankreich)

   Patentansprüche

   Phasenschieber aus Halbleitermaterial mit einem Phasenschiebeelement bestehend aus einem Transistor, gekennzeichnet durch eine das Eingangssignal (S ) aufnehmende Abtastschaltung mit zwei in Gegenphase arbeitenden MOS-Transistoren (T und T^f ), welche Abtastschaltung ein Abtastsignal (^s _ECu) liefert, das während einer Phase identisch mit dem Eingangssignal (S ) und während einer zweiten Phase identisch einem konstanten Referenzpotential (V_REp) ist, einen ersten MOS-Transistor (T ), der das Phasenschiebeelement darstellt und an seinem Gitter das Abtastsignal (S_EC„) aufnimmt und an seinem Drain-Anschluß (A) und an seinem Source-Anschluß (B) zwei gegenphasige Signale (S. und Sp) liefert, die beide das Abtastsignal (S_ECH) darstellen,

   eine kapazitive Kopplung (C), die von den beiden gegenphasigen Signalen (S₁ und S„) nur die Wechselkomponente überträgt ,

   - Mittel zur Erzeugung einer Vorspannung mit MOS-Transistoren (Tp bis T₇), die zu den beiden gegenphasigen Signalen (S. und Sp) eine steuerbare Gleichspannungskomponente hinzufügen.
2. 2. Phasenschieber nach Anspruch I₃ dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Transistoren (T und T' ) der Abtastschaltung einen

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   gemeinsamen Punkt (E) aufweisen, an dem das Abtastsignal (S_ECH) zur Verfügung steht, daß der erste Transistor (T ) das Eingangssignal (S ) während einer der Phasen, der sogenannten Aktivphase, eines ersten periodischen Signales (0..),das an sein Gitter gelangt, überträgt und daß der zweite Transistor (T¹ ) das Referenzpotential (V_REp) während der anderen Phase des ersten periodischen Signales (0..) überträgt.
3. 3. Phasenschieber nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Referenzpotential (V_REp) im wesentlichen gleich dem Mittelwert des Eingangssignales (S ) ist.
4. 4. Phasenschieber nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die kapazitive Kopplung aus zwei im wesentlichen gleichen Kondensatoren (C) besteht, die jeweils in einem ihrer Anschlüsse mit dem Drain-Anschluß (A) und dem Source-Anschluß (B) des ersten Transistors (T.) und mit ihrem jeweiligen anderen Anschluß (A₁ und B.) mit den Mitteln zur Erzeugung der Vorspannung verbunden sind.
5. 5. Phasenschieber nach Anspruch 2 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Erzeugung der Vorspannung zwei symmetrische Kanäle aufweisen, die mit den Kondensatoren (C) verbunden sind, daß der Eingangspunkt (A>) des ersten Kanals mit dem Source-Anschluß eines zweiten MOS-Transistors (T₂) und dem Gitter eines dritten MOS-Transistors (T^) verbunden ist, daß der Source-Anschluß des dritten MOS-Transistors (T₁.) einen der beiden Ausgänge des Phasenschiebers bildet, daß der Eingangspunkt (Β.) des zweiten Kanals mit dem Source-Anschluß eines vierten MOS-Transistors (T,) und dem Gitter eines fünften MOS-Transistors (Th) verbunden ist, daß der Source-Anschluß des fünften MOS-Transistors (T₇) den zweiten Ausgang des Phasenschiebers darstellt, daß den Gittern des zweiten und vierten Transistors (T₂, T,) ein zweites periodisches Signal (2L) zugeführt wird, das zu dem ersten periodischen Signal (0.) gegenphasig ist, daß der Drain-Anschluß des zweiten und der des vierten Transistors (T₂ und T,) mit einem ersten

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   Vorspannungspotential (V ) verbunden sind, das während der ersten Phase eine Vorladung der Kondensatoren (C) bewirkt, und daß die Einstellung des ersten Vorspannungspotentials (V ) die Einstellung der Gleichkomponente der an den Ausgängen (A , B) des Phasenschiebers zur Verfügung stehenden Signalen (S_A, Sg) bewirkt.

   Phasenschieber nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich zwei gleiche Widerstände (R) aufweist, von denen der erste zwischen den Drain-Anschluß des ersten Transistors (T₁) und ein zweites Vorspannungspotential (V_DD) und der zweite zwischen den Source-Anschluß des ersten Transistors (T₁) und ein drittes Vorspannungspotential (-Vgg) geschaltet ist.

   Phasenschieber nach Anspruch 3_S dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Erzeugen der Vorspannung einen sechsten und einen siebten MOS-Transistor (T₁-, Tg) umfassen, bei denen jeweils der Gitter- mit dem Drain-Anschluß zusammengefaßt und jeweils mit dem Source-Anschluß des dritten bzw. fünften Transistors (Tu, T₇) verbunden ist, daß die Drain-Anschlüsse der beiden letztgenannten Transistoren mit einem zweiten Vorspannungspotential (Vpr)) verbunden sind und daß die Source-Anschlüsse des sechsten und siebten Transistors (Tp-, Tg) auf einem dritten Vorspannungspotential ("^vss^ gehalten werden.

   Phasenschieber nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich mindestens einen gegenüber den beiden gleichen Widerständen (R) niederohmigen, variablen Widerstand (r)aufweist, der mit einem der beiden Widerstände (R) in Serie geschaltet ist und durch den der relative Verstärkungsfaktor der Signale (S₁ und S„) eingestellt wird.

   CCD-Pilter mit einem Halbleitersubstrat, einer auf dem Substrat angeordneten Isolierschicht und auf der Isolierschicht angeordneten Elektroden, die durch Anlegen von Potentialen den Transport von Ladungen in dem Substrat bewirken, das zwei elektrisch getrennte Kanäle aufweist, die jeweils zwei _^_

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   gegenphasige das Filtereinpangssignal (S₁₇) darstellende Signale (Sa» Sg) aufnehmen, wobei jeder Kanal folgendes aufweist: - Mittel (10; 20) zur Injektion, durch die die Ladungspakete, die das Kanaleingangssignal (S_ß; S.) darstellen, erzeugt werden,

   eine Einheit von Bewertungselektroden (12; 22), die einen Bewertungskoeffizienten für das sich in dem jeweiligen Kanal fortbewegende Ladungspaketsignal darstellen, wobei die Elektroden - sofern der Bewertungskoeffizient ungleich Null ist - in zwei Teile geteilt sind, von denen einer Nutzteil genannt wird, und die beiden Teile mit einem ersten periodischen Potential verbunden sind, so daß die Unterteilung in zwei Elektrodenteile einen positiven Bewertungskoeffizienten für den ersten Kanal und einen negativen Bewertungskoeffizienten für den zweiten Kanal darstellt, eine Einheit von nicht unterteilten Transportelektroden (11,21), die alternierend zu den Bewertungselektroden (12; 22) angeordnet und mit einem zweiten periodischen Potential (0₁), das die gleiche Periode wie das erste Potential aufweist, jedoch zu diesem gegenphasig ist, verbunden sind, wobei durch die Auswertungs- und Transportelektroden in beiden Kanälen die Ladungspakete gleichphasig transportiert werden und die Nutzelektroden beider Kanäle an Ladungsmengen-Leseschaltungen zum Auslesen der unter den Elektroden befindlichen Ladungen angeschlossen sind und die Leseschaltungen das Filterausgangssignal liefern, dadurch gekennzeichnet, daß das Filter einen Phasenschieber nach einem der vorhergehenden Ansprüche enthält, der ausgehend von dem Eingangssignal (S ) die beiden Signale (S_A und S_ß) liefert.

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