DE2341822C3 - Digitales Schieberegister - Google Patents
Digitales SchieberegisterInfo
- Publication number
- DE2341822C3 DE2341822C3 DE2341822A DE2341822A DE2341822C3 DE 2341822 C3 DE2341822 C3 DE 2341822C3 DE 2341822 A DE2341822 A DE 2341822A DE 2341822 A DE2341822 A DE 2341822A DE 2341822 C3 DE2341822 C3 DE 2341822C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- shift register
- electrode
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
- H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
- G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
- G11C19/184—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein digitales Schieberegister mit einer Reihe in Serie geschalteter Emitterfolger,
welche jede einen ersten Transistor enthalten, welcher Transistor eine Eingangselektrode, eine Ausgangselektrode
und eine gemeinsame Elektrode aufweist, wobei die gemeinsame Elektrode mit einem
Anschluß einer zugehörigen Speicherkapazität, mit einem elektronischen Schalter, mit dessen Hilfe die
zugehörige Speicherkapazität auf den Bezugspegel gebracht wird, und mit der Eingangselektrode des
ersten Transistors des nachfolgenden Emitterfolgers verbunden ist, wobei die Ausgangselektrode jedes
ersten Transistors mit einer Taktleitung verbunden ist, wobei die Ausgangselektroden zweier nebeneinanderliegender
Transistoren mit gesonderten Taktleitungen verbunden sind.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf ein in einem Halbleiterkörper integriertes Schieberegister.
Das Bestreben geht dahin, die jetzigen Schieberegister immer weiter zu miniaturisieren. Diese Miniaturisierung
hat den Zweck, die Kosten herabzusetzen und eine Vergrößerung der Schiebegeschwindigkeit zu erzielen.
Durch die Miniaturisierung des Schieberegisters nimmt die Packungsdichte und somit auch die Energieableitung
pro Oberflächeneinheit des Halbleiterbauelements zu. Der Quotient der Ableitung und der Schiebegeschwindigkeit
ist z. B. ein Maß für die Güte des Schieberegisters. Im allgemeinen geht das Bestreben dahin, diesen
Quotienten möglichst niedrig zu machen. Ein Schieberegister dieser Art ist aus der niederländischen Patentanmeldung
68 13 329 (Fig. 5) bekannt In diesem Schieberegister werden die Emitterfolger durch Feldeffekttransistoren
gebildet, deren Source-Elektroden mit der Gate-Elektrode jeweils des auffolgenden Transistors
verbunden sind. Die Drain-Elektroden zweier aufeinanderfolgender Transistoren sind mit zwei gesonderten
Taktleitungen verbunden. Die Kapazitäten sind einerseits mit den Source-Elektroden der zugehörigen
Transistoren und andererseits mit einer von zwei Taktleitungen verbunden, wobei nebeneinanderliegende
Kapazitäten mit verschiedenen Taktleitungen verbunden sind. In dem bekannten Schieberegister
werden die elektronischen Schalter durch Dioden gebildet, deren Anoden mit den Gate-F.lektroden der
zugehörigen Transistoren und deren Kathoden mit einer fünften oder einer sechsten Taktleitung verbunden
sind, wobei nebeneinanderliegende Dioden mit verschiedenen Taktleitungen verbunden sind. Dadurch, daß
an die mit den Drain-Elektroden der Transistoren verbundenen Taktleitungen eine Betriebsspannung
angelegt wird, wird die Ladespannung von der
π vorangehenden Kapazität auf eine folgende Kapazität
übertragen. Um den Unterschied in der Gleichspannung (Schwellwertspannung) zwischen den Ein- und Ausgängen
jedes der Emitterfolger auszugleichen, werden an die mit den Kapazitäten verbundenen Taktleitungen
Impulse angelegt, deren Amplitude tbm obengenannten
Unterschied entspricht Dadurch wird erreicht, daß die Spannung des an der Kathodenseite liegenden Anschlußendes
einer Kapazität bei Übertragung der Spannung auf eine folgende Kapazität gleich groß wie
die Spannung an der Gate-Elektrode des zugehörigen Transistors beim Aufladen der Kapazität ist.
Für das oben beschriebene Schwellwertspannungskompensationsverfahren
werden zwei zusätzliche Taktleitungen benötigt Diese Taktleitungen beanspruchen Raum auf dem zu verwendenden Halbleiterkörper,
welcher Raum also nicht mehr zum Integrieren von Schaltungselementen, wie Transistoren und Kapazitäten,
benutzt werden kann. Dadurch wird die maximale Packungsdichte herabgesetzt. Für eine befriedigende
Wirkung des obengenannten Schieberegisters ist es erforderlich, daß die einzelnen Schwellwertspannungen
aller Feldeffekttransistoren genau ausgeglichen werden. Da die Schwellwertspannungen der Feldeffekttransistoren
auf dem Halbleiterkörper von Transistor zu Transistor verschieden sind, ist es unmöglich, mit Hilfe
einer einzigen gewählten Ausgleichsspannung die vorerwähnten Schwellwertspannungen auszugleichen.
Auch der sogenannte »Back-gate«-Effekt (Einfluß der Substratspannung auf die Schwellwertspannung) beeinträchtigt
die Wirkung des Schieberegisters. Wenn nämlich die Source-Substratspannung eines Feldeffekttransistors
zunimmt, nimmt die Schwellwertspannung beträchtlich zu. Dies bedeutet, daß, wenn eine logische
Null der Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors zugeführt wird, eine andere Ausgleichsspannung erforderlich
ist als wenn eine logische Eins zugeführt wird. Die Größe der Amplitude der Ausgleichsimpulse wird
auch durch den Quotienten der Kapazitätswerte der betreffenden Kapazität und der Eingangskapazität des
darauffolgenden Feldeffekttransistors bestimmt. Um zu verhindern, daß die Amplitude der Ausgleichsimpulse
groß gewählt werden muß, müssen die betreffenden Kapazitäten verhältnismäßig groß sein. Größere Kapa- m
zitäten beanspruchen mehr Raum auf dem Halbleiterkörper, wodurch also die maximale Packungsdichte
verringert und auch die maximale Schiebegeschwindigkeit herabgesetzt wird.
Die Erfindung bezweckt, die obenerwähnten Nachtei-Ie
zu beseitigen und ein Schieberegister zu schaffen, das eine große Packungsdichte aufweist und dessen
maximale Schiebegeschwindigkeit sehr groß ist.
Die E'rfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen den Eingangselektroden mindestens eines Teils der ersten Transistoren und den mit diesen
verbundenen Taktfeitungen veränderliche Kapazitäten angebracht sind, wobei die elektronischer. Schalter
durch weitere Transistoren gebildet werden, deren Hauptstrombahnen zwischen der gemeinsamen Elektrode
des zugehörigen ersten Transistors und dem anderen Anschluß der zugehörigen Speicherkapazität
angeordnet sind.
Es sei bemerkt, daß aus der DE-OS 21 53 879 bekannt
ist, zur Überwindung der Schwellspannungen eine jo
Kapazität zwischen die Gate-Elektrode des Transistors und eine Phase einer Spannungsversorgung zu schalten.
Aber diese Kapazität ist nicht veränderlich.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher
beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 eine Ausführungsform des digitalen Schieberegisters nach der Erfindung,
F i g. 2 ein Spannungsdiagramm der von der Schaltspannungsquelle gelieferten Spannungen,
F i g. 3 sc'iematisch eine Draufsicht auf eine Ausführungsform
des integrierten Schieberegisters nach der Erfindung,
F i g. 4 schematisch einen Querschnitt längs der Linie A in F i g. 3,
F i g. 5 eine Schieberegisterstufe zur Anwendung im Schieberegister nach F i g. 1 und
F i g. 6 eine andere Schieberegisterstufe zur Anwendung im Schieberegister nach F i g. 1.
In F i g. 1 werden die Emitterfolger durch Feldeffekttransistoren 1,2,3,4,5 gebildet Diese Transistoren sind
vom Typ mit isolierter Gate-Elektrode. Die Source-Elektrode jedes der Transistoren 1 bis 4 ist mit der
Gate-Elektrode des darauffolgenden Feldeffekttransistors verbunden. Die Drain-Elektroden der Transisto- -,-,
ren 1,3 und 5 sind mit der Taktleitung 41 verbunden, die
mit dem Ausgang a der Schaltspannungsquelle 5 verbunden ist. Die Drain-Elektroden der Transistoren 2
und 4 sind mit der Taktleitung 40 verbunden, die mit dem Ausgang cder Schaltspannungsquelle 5 verbunden ho
ist. Die elektronischen Schalter werden durch die Feldeffekttransistoren 10, 24, 34, 45 und 46 gebildet,
deren Source-Elektroden mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind. Die Drain-Elektroden der
Transistoren 10, 24, 34, 45 und 56 sind mit den Source-Elektroder der Transistoren 1, 2, 3, 4 bzw. 5
verbunden. Die Gate-Elektroden der Transistoren 10, 34 und 56 sind mit der T».',itleitung 43 verbunden, die mit
dem Ausgang c/der Schaltspannungsquelle S verbunden
ist. Die Gate-Elektroden der Transistoren 24 und 25 sind mit der Taktleitung 42 verbunden, die mit dem Ausgang
öder Schaltspannungsquelle 5verbunden ist. Zwischen
den Gate-Elektroden und den Drain-Elektroden der Transistoren 2, 3, 4 und 5 sind die veränderlichen
Kapazitäten 12, 13, 14 bzw. 15 angebracht. Die Kapazitäten 22, 33, 44 und 55 sind parasitär vorhanden
und werden durch passende Wahl des Layouts möglichst klein gehalten. Die Wirkungsweise des
Schieberegisters nach der Erfindung ist wie folgt.
In dem Zeitintervall t\ ist die Spannung an der
Taktleitung 41 gleich +EVoIt, während die Spannung an den anderen Taktleitungen gleich 0 Volt ist (siehe
F i g. 2). Es sei angenommen, daß in diesem Zeitintervall eine logische »1«, z. B. '/2EVoIt1 an der Gate-Elektrode
des Transistors 1 vorhanden ist, wobei '/2E > 2 V ist,
wobei Kdie Schwellwertspannung eines Feldeffekttransistors ist. Die am Knotenpunkt 80 vorhandene
Kapazität wird dann auf eine Spannung von ('/2E— V) Volt aufgeladen. Dabei sei bemerkt, daß die am
Knotenpunkt vorhandene Kapazität durch die Summe der Kapazitäten 12 und 22 gebildet wird. Da die
Spannung am Knotenpunkt 80 größer als die Schweliwertspannung ist, wird die Kapazität 12 groß sein. Die
Wirkung dieser und anderer veränderlicher Kapazitäten wird nachstehend noch näher beschrieben. Im
Zeitintervall h ist die Spannung an der Taktleitung 42 auch gleich + E Volt. Der Transistor 24 ist nun leitend
und entlädt die insgesamt am Knotenpunkt 81 vorhandene Kapazität, bis die Spannung über dieser
Kapazität gleich 0 V (dem Bezugspegel) geworden ist.
Im Zeitintervall /3 ist die Spannung an der Taktleitung
40 gleich + E Volt, während die Spannungen an den anderen Taktleitungen gleich 0 V sind. In diesem
Zeitintervall wird die Spannung an der Gate-Elektrode des Transistors 2 gleich (E/\ +<x) + (UiE- V) Volt
werden, wobei α = C22/Q2 und Cn = der Kapazitätswert der Kapazität 22 und Ci2 = der Kapazitätswert der
Kapazität 12 ist. Die Kapazität C22 ist im allgemeinen klein in bezug auf die Kapazität Cn, so daß der Faktor ä
vie! kleiner als 1 sein wird, wodurch die Zunahme der Spannung an der Gate-Elektrode des Transistors 2
nahezu gleich EVoIt im betrachteten Zeitintervall sein
wird. Infolge der genannten Spannungszunahme wird der Transistor 2 sehr stark leitend, wodurch die
Kapazität am Knotenpunkt 81 sehr schnell aufgeladen wird, bis die Spannung = EVoIt ist.
Im Zeitintervall U werden die Transistoren 10 und 34 leitend sein, wodurch die an den Knotenpunkten 80 und
82 vorhandenen Kapazitäten aufgeladen werden. Der Transistor 3 wird dann nicht mehr leitend sein, und der
Knotenpunkt 81 ist von der Taktleitung 40 entkoppelt. Aus obenstehendem geht hervor, daß nach zwei
Vaktphasen die Information von dem Eingang des Schieberegisters zu dem Knotenpunkte! veitergeschoben
und außerdem bis zu dem Höchstwert der Taktspannung verstärkt ist. Zwei identische Taktphasen
fs— h werden die Information von dem Knotenpunkt 81
auf entsprechende Weise unter Beibehaltung der Amplitude zu dem Knotenpunkt 83 weiterschieben.
Nach dem Zeitintervall t% kann dem Eingang des
Schieberegisters neue Information zugeführt werden. Eine Bit-Einheit aus dem Schieberegister besteht also
aus vier Stufen mit je zwei Transistoren.
Das Schieberegister nach der Erfindung kann z. B. auf
die an Hand der Draufsicht nach F i g. 3 und des Querschnitts nach F i g. 4 veranschaulichte Weise
integriert werden. Die Draufsicht nach F i g. 3 zeigt die
Transistoren 2, 3, 24 und 34 und die Kapazitäten 12, 13, 22 und 33. Die Zone 241 entspricht der Drain-Elektrode
des Transistors 2 und ist über die Kontaktöffnung 64 mit der Leiterbahn 40 verbunden. Die Zone 25 entspricht
der Source-Elektrode des Transistors 2 und auch der Drain-Elektrode des Transistors 24. Die Zone 25 ist über
die Kontaktöffnung 65 mit der Gate-Elektrode 3t des Transistors 3 verbunden. Die Gate-Elektrode 36 des
Transistors 2 ist mit einer leitenden Schicht 35 verbunden, die eine Kondcnsalorplatte der veränderlichen
Kapazität 12 bildet. Die Gate-Elektrode 341 des Transistors 24 ist über die Kontaktöffnung 63 mit der
Leiterbahn 42 verbunden. Die Zone 20, 21 entspricht der Drain-Elektrode des Transistors 3 und ist über die
Kontaktöffnung 61 mit der Leiterbahn 41 verbunden. Die Zone 22 entspricht der Sourcc-Elektrode des
Transistors 3 und auch der Drain-Elektrode des Transistors 34. Die Gate-Eiektrooc 3i des Transistors 3
ist mit der leitenden Schicht 30 verbunden, die eine
Kondensatorplatte der Kapazität 13 bildet. Die Gate-Elektrode 32 des Transistors 34 ist über die
Kontaktöffnungen 62 und 66 mit der Taktleitiing 43 verbunden. Die Zone 23 entspricht den Source-Elektroden
der Transistoren 24 und 34. Die Zonen 20,21,22,23, 241 und 25 sind durch Diffusion im Halbleiterkörper 10
gebildet. Die Leiterbahnen 40, 41, 42 und 43 bestehen z. B. aus Aluminium, während die leitenden Schichten
30, 31,32,341,35 und 36 vorteilhaft aus polykristallinen!
Silicium mit geeignet gewählten Verunreinigungen bestehen.
Wie beschrieben wurde, bildet die leitende Schicht 30 (Fig. 4) eine Platte der veränderlichen Kapazität 13.
welche leitende Schicht mit der leitenden Schicht 31 verbunden ist, die die Gate-Elektrode des Transistors 3
bildet. Wenn die Spannung an der leitenden Schicht 31 unterhalb der Schwellwertspannung des Transistors 3
bleibt, wird zwischen der Zone 22 und der leitenden Schicht 31 eine sehr kleine Überlappungskapazität
vorhanden sein. Zwischen der leitenden Schicht 30 und dem Substrat 10 ist eine Kapazität vorgesehen. Wenn
die Schwellwertspannung des Transistors 3 ist, bildet sich eine Inversionsschicht unter den leitenden Schichten
30 und 31. Durch das Vorhandensein der Inversionsschicht unter der leitenden Schicht 30 wird
nun die Kapazität, die zuerst zwischen dieser leitenden Schicht und dem Substrat vorhanden war. zu der bereits
vorhandenen C'berlappungskapazität zwischen der Zone 22 und der leitenden Schicht 31 parallel geschaltet.
Mit anderen Worten: Beim Vorhandensein einer logischen »0« an der Gate-Elektrode des Transistors 3
ist eine sehr kleine Kapazität zwischen dieser Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode vorhanden
während beim Vorhandensein einer logischen »I« die Kapazität zwischen der Gate-Elektrode und der
Drain-Elektrode groll ist. Wenn eine Kapazität der
·"< oben beschriebenen Art zwischen der Gate-Elektrode
und der Drain-Elektrode eines Feldeffekttransistor: angebracht wird (z. B. die Kapazität 12 in Fig. 1), wird
die Wirkung dieser Kapazität durch die Wirkung der Eingangskapazitäi dieses Transistors verstärkt. Die
in Eingangskapazität dieses Transistors ist teilweise
zwischen der GaIr und der Drain-Elcktrodc (also
parallel zu der Kapazität 12) und teilweise /wischen der Gate- und der Source-Elektrode vorhanden. Diese
Kapazitäten sind nur dann groß, wenn die Spannung an
ii der Gate-Elektrode des Transistors größer als die
Sch wc Il wert spannung dieses Transistors ist.
Gemäß der gegebenen Beschreibung besteht ei™ Bit-Einheit des Schieberegisters nach F i g. I aus vie
Stufen mit je zwei Transistoren. Es ist auch möglich
jo statt mit zwei Taktphasen und vier Siufen pro Bit mi
drei Phasen und drei Stufen pro Bit zu arbeiten. Stat zweier Taktlcitungen 40 und 41 werden drei Taktspan
nungen verwendet, während statt der zwei Taktleitun gen 42 und 43 drei Taktleitungen verwendet werden
:. Die Informationsgeschwindigkeit und die Bitdicht
wt: den dadurch um einen Faktor 4/i vergrößert. Durcl
die Anordnung einer Diode D zwischen der veränderli chen kapazität 12 und der Drain-Elektrode de
Transistors 2, wie in F i g. 5 für eine Schieberegisterstufi
<" dargestellt ist, kann diese Anzahl noch weiter auf zwe
herabgesetzt werden. Durch die Anbringung der Diod D wird erreicht, daß der Transistor 2 nun nur in eine
Richtung Strom durchläßt, so daß nun jeweils nach zwe Schieberegisterstufen neue Information eingeschriebe
ii werden kann. Dadurch werden die Informationsschiebe
geschwindigkeit sowie die Bitdichte um einen Faktor vergrößert. Die Diode D kann auch, wie in Fig. 6 fü
eine Stufe dargestellt ist, zwischen der Source-Elektro
de des Transistors 2 und der Drain-Elektrode de
4ii Transistors 24 angebracht werden.
Es leuchtet ein. daß sich die Erfindung nicht auf di
daß im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viel Abwandlungen möglich sind. So können statt der ii
4i F i g. 1 verwendeten Emitterfolger andere Emitterfolge
Anwendung finden. Neben der beschriebenen Anwen dung als Serienschieberegister kann das Schieberegiste
auch als Serie-Parallel-Wandler verwendet werder
Weiter kann das Schieberegister vorteilhaft al
M Schaltung zur Erzielung einer Zeitmarkierung mit eine
sehr hohen Taktfrequenz, z.B. 4OMHz, verwende
werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Digitales Schieberegister mit einer Reihe in Serie geschalteter Emitterfolger, welche jede einen
ersten Transistor enthalten, welcher Transistor eine Eingangselektrode, eine Ausgangselektrode und
eine gemeinsame Elektrode aufweist, wobei die gemeinsame Elektrode mit einem Anschluß einer
zugehörigen Speicherkapazität, mit einem elektronischen Schalter, mit dessen Hilfe die zugehörige
Speicherkapazität auf den Bezugspegel gebracht wird, und mit der Eingangselektrode des ersten
Transistors des nachfolgenden Emitterfolgers verbunden ist, wobei die Ausgangselektrode jedes
ersten Transistors mit einer Taktleitung verbunden ist, wobei die Ausgangselektroden zweier nebeneinanderliegender
Transistoren mit gesonderten Taktleitungen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen den Eingangselektroden mindestens emes Teils der ersten Transistoren (1,2,
3, 4,5) und den mit diesen verbundenen Taktleitungen (40, 41) veränderliche Kapazitäten (12, 13, 14,
15) angebracht sind, wobei die elektronischen Schalter durch weitere Transistoren (10, 24, 34, 45,
56) gebildet werden, deren Hauptstrombahnen zwischen der gemeinsamen Elektrode des zugehörigen
ersten Transistors (1,2,3,4,5) und dem anderen
Anschluß der zugehörigen Speicherkapazität (22,33, 44,55) angeordnet sind.
2. Digitales Schieberegister nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Transistoren
(1, 2, 3, 4, 5) und die weiteren Transistoren (10, 24,34, 45, 56) Feldeffekttransistoren sind, wobei die
Source-Elektroden der weiteres Transistoren mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind.
3. Digitales Schieberegister nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den veränderlichen
Kapazitäten (12. 13> 14>
15) u"d den
Drain-Elektroden der zugehörigen ersten Feldeffekttransistoren (1,2,3,4,5) Dioden (D) angeordnet
sind (F i g. 5).
4. Digitales Schieberegister nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Source-Elektroden
der ersten Transistoren (1, 2,3,4,5) und
den mit diesen verbundenen Speicherkapazitäten (22,33,44,55) Dioden angebracht sind (F i g. 6).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7212151A NL7212151A (de) | 1972-09-07 | 1972-09-07 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2341822A1 DE2341822A1 (de) | 1974-03-14 |
DE2341822B2 DE2341822B2 (de) | 1979-05-10 |
DE2341822C3 true DE2341822C3 (de) | 1980-01-10 |
Family
ID=19816889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2341822A Expired DE2341822C3 (de) | 1972-09-07 | 1973-08-18 | Digitales Schieberegister |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3862435A (de) |
JP (1) | JPS5112981B2 (de) |
CA (1) | CA978605A (de) |
DE (1) | DE2341822C3 (de) |
FR (1) | FR2199165B1 (de) |
GB (1) | GB1435347A (de) |
IT (1) | IT993156B (de) |
NL (1) | NL7212151A (de) |
SE (1) | SE394917B (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT376845B (de) * | 1974-09-20 | 1985-01-10 | Siemens Ag | Speicher-feldeffekttransistor |
JPS5295961A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-12 | Hitachi Ltd | Solid scanning circuit |
JPS52141548A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Scanning pulse generator |
JPS54161288A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
US4663545A (en) * | 1984-11-15 | 1987-05-05 | Motorola, Inc. | High speed state machine |
US5222082A (en) * | 1991-02-28 | 1993-06-22 | Thomson Consumer Electronics, S.A. | Shift register useful as a select line scanner for liquid crystal display |
KR101154338B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2012-06-13 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터와, 이를 갖는 스캔 구동 회로 및 표시장치 |
US8718224B2 (en) * | 2011-08-05 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
CN102708824B (zh) * | 2012-05-31 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阈值电压偏移补偿电路及goa电路、显示器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE523622A (de) * | 1953-10-19 | 1956-02-03 | ||
US3402355A (en) * | 1965-01-05 | 1968-09-17 | Army Usa | Electronically variable delay line |
US3322974A (en) * | 1966-03-14 | 1967-05-30 | Rca Corp | Flip-flop adaptable for counter comprising inverters and inhibitable gates and in cooperation with overlapping clocks for temporarily maintaining complementary outputs at same digital level |
US3573509A (en) * | 1968-09-09 | 1971-04-06 | Texas Instruments Inc | Device for reducing bipolar effects in mos integrated circuits |
US3576447A (en) * | 1969-01-14 | 1971-04-27 | Philco Ford Corp | Dynamic shift register |
US3588526A (en) * | 1969-04-04 | 1971-06-28 | Westinghouse Electric Corp | Shift register using metal oxide silicon transistors |
US3588528A (en) * | 1969-06-30 | 1971-06-28 | Ibm | A four phase diode-fet shift register |
US3716724A (en) * | 1971-06-30 | 1973-02-13 | Ibm | Shift register incorporating complementary field effect transistors |
JPS4878842A (de) * | 1972-01-21 | 1973-10-23 |
-
1972
- 1972-09-07 NL NL7212151A patent/NL7212151A/xx not_active Application Discontinuation
-
1973
- 1973-08-07 US US386335A patent/US3862435A/en not_active Expired - Lifetime
- 1973-08-18 DE DE2341822A patent/DE2341822C3/de not_active Expired
- 1973-09-04 GB GB4147773A patent/GB1435347A/en not_active Expired
- 1973-09-04 IT IT28565/73A patent/IT993156B/it active
- 1973-09-04 FR FR7331849A patent/FR2199165B1/fr not_active Expired
- 1973-09-04 SE SE7312018A patent/SE394917B/xx unknown
- 1973-09-04 CA CA180,172A patent/CA978605A/en not_active Expired
- 1973-09-07 JP JP48100383A patent/JPS5112981B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU5991873A (en) | 1975-03-06 |
SE394917B (sv) | 1977-07-18 |
JPS4968632A (de) | 1974-07-03 |
FR2199165B1 (de) | 1976-11-19 |
DE2341822A1 (de) | 1974-03-14 |
JPS5112981B2 (de) | 1976-04-23 |
CA978605A (en) | 1975-11-25 |
FR2199165A1 (de) | 1974-04-05 |
IT993156B (it) | 1975-09-30 |
US3862435A (en) | 1975-01-21 |
NL7212151A (de) | 1974-03-11 |
DE2341822B2 (de) | 1979-05-10 |
GB1435347A (en) | 1976-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2812908C2 (de) | ||
DE3931596C2 (de) | ||
DE2525057C3 (de) | Spannungsverdopplerschaltung | |
DE2616641B2 (de) | Schaltanordnung zur Spannungserhöhung | |
DE2625007C3 (de) | Adressenpufferschaltung für Halbleiterspeicher | |
DE2633512A1 (de) | Spannungsvervielfacher fuer elektronische zeitmessgeraete | |
DE2621335A1 (de) | Monolithisch integrierter kapazitaets-kettenleiter fuer analog/digital- oder digital/analog-umsetzer | |
DE2556828C3 (de) | Dynamisches Schieberegister aus Isolierschicht-Feldeffekttransistoren | |
DE2343128C3 (de) | R-S-Flip-Flop-Schaltung mit komplementären Isolierschicht-Feldeffekt-Transistoren | |
DE2341822C3 (de) | Digitales Schieberegister | |
DE2837855C2 (de) | Impulswandler zur Taktversorgung von digitalen Halbleiterschaltungen | |
DE3338397C2 (de) | Taktimpuls-Erzeugungsschaltung | |
DE69713687T2 (de) | Verbessertes schieberegister mit mis-transistoren der gleichen priorität | |
DE2410205A1 (de) | Hystereseschaltung | |
DE3048661A1 (de) | Elektrischer frequenzteiler | |
DE2712742A1 (de) | Feldeffekt-transistorschaltkreis | |
DE2640653C2 (de) | Durch logische Verknüpfungsglieder gebildete bistabile Kippstufe | |
DE2435454A1 (de) | Dynamischer binaerzaehler | |
DE2255210A1 (de) | Datenspeicherschaltung | |
DE2521949A1 (de) | Monolithisch integrierbare mis- treiberstufe | |
DE3026361C2 (de) | ||
DE2139328C3 (de) | Einrichtung zum Betreiben einer kapazitiven Last | |
DE2063639C3 (de) | Verknüpfungsglied | |
DE2639507C3 (de) | Bistabiler Multivibrator | |
DE2646830A1 (de) | Schaltungsanordnung zum reproduzieren der in einem eingangskondensator gespeicherten ladung in n ausgangskondensatoren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |