DE2853414C2 - - Google Patents
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- Publication number
- DE2853414C2 DE2853414C2 DE19782853414 DE2853414A DE2853414C2 DE 2853414 C2 DE2853414 C2 DE 2853414C2 DE 19782853414 DE19782853414 DE 19782853414 DE 2853414 A DE2853414 A DE 2853414A DE 2853414 C2 DE2853414 C2 DE 2853414C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rod
- support
- swivel
- rotary shaft
- support fork
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/285—Crystal holders, e.g. chucks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum tiegelfreien Zonen
schmelzen eines an seinem unteren Ende mit einem angeschmolze
nen und in einer mit der unteren Drehwelle verbundenen Halte
rung befestigten Keimkristall versehenen und senkrecht gehalter
ten Halbleiterkristallstabes, mit mindestens zwei zur Abstüt
zung des unteren Stabteiles vorgesehenen Schwenkarmen, die auf
der unteren Drehwelle im gleichen Winkelabstand befestigt und
in Richtung zum Stab klappbar gelagert sind, sowie mit einem
die nach oben geklappten Schwenkarme umfassenden Haltering, der
in axialer Richtung beweglich ist.
Eine solche Vorrichtung ist z. B. in der DE-OS 25 29 366
beschrieben worden. Bei dieser Vorrichtung werden ungleichmäßig
aufgewachsene Stäbe dadurch gehaltert, daß am oberen Schwenkarm
ende befindliche Justierschrauben dem ungleichmäßigen Stabkonus
entsprechend nachgedreht werden. Ein solches Nachdrehen ist je
doch ohne Unterbrechung des Zonenschmelzens nicht durchführbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die erwähnte Vorrich
tung derart zu verbessern, daß der Halbleiterkristallstab auch
ohne Unterbrechung des Zonenschmelzens sicher und stabil abge
stützt werden kann. Dies soll insbesondere auch dann möglich
sein, wenn der Stabkonus ungleichmäßig geformt ist.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der obere Teil des
Schwenkarmes als in einem Drehgelenk gelagerte Abstützgabel
ausgebildet ist und daß der Haltering horizontal beweglich ist.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteran
sprüche.
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbin
dung mit der Figur näher erläutert.
Diese Figur zeigt ein
Schnittbild der Vorrichtung während der Abstützphase.
Die Abstützvorrichtung gemäß der Figur befindet sich in einer
in der Zeichnung nicht dargestellten
Zonenschmelzapparatur. In an sich bekannter Weise ist
ein Siliciumstab 3 mit konusförmigem Übergang zur
flaschenhalsförmigen Verengung 2 an einen Silizium
keimkristall 1 bzw. Siliziumimpfling angeschmolzen.
Der Keimkristall 1 ist in einer Halterung 5 befestigt,
die mit der unteren Drehwelle 6 der Zonenschmelzappa
ratur verbunden ist. Während des Zonenschmelzens ro
tieren sowohl der Siliciumstab 3 als auch der Keim
kristall 1 wie mit dem Drehpfeil 16 angedeutet um ihre
Achse 23. Wenn die Schmelzzone sich von der Anschmelz
stelle zwischen Keimkristall 1 und Stab 3 entfernt und
das auf der Verengung 2 sitzende Stabgewicht wächst,
besteht die Gefahr, daß das an die flaschenhalsförmige
Verengung 2 angewachsene Ende des Stabes 3 zu schwin
gen beginnt und eine mechanische Instabilität zeigt.
Dies wird durch die in der Fig. 1 abgebildete Vor
richtung verhindert. Sie besteht aus symmetrisch am
oberen Ende der Drehwelle 6 angebrachten, aus Lager
böcken 7 und spielfreien Achsen 8 zusammengesetzten
Drehgelenken, an welchen als Stützarme ausgebildete
Schwenkarme 9 befestigt sind. Die Schwenkarme 9 tragen
am oberen Ende Abstützgabeln 11, die in spielfreien
Achsen 10 drehbar gelagert sind. Die eigentliche Ab
stützung des Stabes 3 erfolgt durch die Zinken 12 der
Abstützgabeln 11. Der unterhalb der Drehachse 10 be
findliche Teil 19 der Abstützgabeln 11 ist schwerer
als der sich oberhalb der Drehachse 10 befindliche
Teil ausgeführt, so daß während des Hochklappens der
Schwenkarme 9 die Zinken 12 in etwa eine parallele
Stellung zum Stab 3 einnehmen. Auf diese Weise ist ge
währleistet, daß beim weiteren Hochklappen der Schwenk
arme 9 die Zinken 12 zuerst den Stab 3 berühren.
Am oberen Ende der Drehwelle 6 befindet sich ein
Schraubmechanismus, z. B. eine Mutter 15, auf der eine
verschiebbare Hülse 14, die die Drehwelle 6 konzentrisch
umgibt, aufsitzt. Auf der Hülse 14 liegt der Haltering
13 derart auf, daß er horizontal bewegbar ist.
Die Vorrichtung nach Fig. 1 arbeitet nun wie folgt: Zu
Beginn des Zonenziehvorgangs ist die Mutter 15 nach
unten geschraubt, so daß die Schwenkarme 9 waagerecht
nach außen geklappt auf dem Haltering 13 aufliegen. Wenn
aufgrund des wachsenden Stabgewichtes eine Abstützung
nötig wird, wird die verschiebbare Hülse 14 mittels der
Mutter 15 nach oben geschoben. Dadurch werden die
Stützarme 9 über den sie horizontal umfassenden Halte
ring 13 nach oben geklappt. Die Abstützgabeln 11 stellen
sich, da ihr unterer Teil schwerer als der obere ist,
dabei so ein, daß ihre beiden Zinken 12 dem Stab 3 zuge
wandt und zu ihm in etwa parallel sind. Die Zinken
kontaktieren schließlich den Stab 3 sowohl im als auch
über dem Konusbereich des Stabes, wodurch sowohl eine
radiale als auch eine axiale Abstützung eintritt.
Beim Auftreten von Wachstumbeulen 4 bzw. unrunden Stä
ben 3 sitzt der Haltering 13, da er auf der Hülse 14
horizontal bewegbar aufliegt, leicht exzentrisch und
sorgt so für einen gleichmäßigen Andruck der Zinken 12
an den Stab 3. Die Höhe des Anpreßdruckes der Zinken 12
an den Stab 3 läßt sich über die Mutter 15 beliebig
einstellen.
Die Höhenverstellung der verschiebbaren Hülse 14 läßt
sich in der Weise ausführen, daß die Mutter 15 durch in
der Figur nicht dargestellte Mittel arretiert wird, sich
dadurch nicht mehr mit der Drehwelle 5 mitdreht und
sich so auf der Drehwelle 6 nach oben schraubt. Damit
die verschiebbare Hülse nicht zusammen mit der Mutter
15 arretiert wird, kann es vorteilhaft sein, zur Ver
minderung der Reibung an ihrem unteren Ende Wälz- oder
Kugellager einzurichten.
Claims (4)
1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an
seinem unteren Ende mit einem angeschmolzenen und in
einer mit der unteren Drehwelle verbundenen Halterung be
festigten Keimkristall versehenen und senkrecht gehalter
ten Halbleiterkristallstabes, mit mindestens zwei zur Ab
stützung des unteren Stabteiles vorgesehenen Schwenkar
men, die auf der unteren Drehwelle im gleichen Winkelab
stand befestigt und in Richtung zum Stab klappbar gela
gert sind, sowie mit einem die nach oben geklappten
Schwenkarme umfassenden Haltering, der in axialer Rich
tung beweglich ist, dadurch gekenn
zeichnet, daß der obere Teil des Schwenkarmes
(9) als in einem Drehgelenk (10) gelagerte Abstützgabel
(11) ausgebildet ist und daß der Haltering horizontal beweglich ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Abstützgabel (11)
zweizinkig ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das Drehgelenk (10)
oberhalb des Schwerpunktes der Abstützgabel (11) liegt.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß drei
Schwenkarme (9) vorgesehen sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782853414 DE2853414A1 (de) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782853414 DE2853414A1 (de) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2853414A1 DE2853414A1 (de) | 1980-06-19 |
DE2853414C2 true DE2853414C2 (de) | 1988-03-24 |
Family
ID=6056838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782853414 Granted DE2853414A1 (de) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2853414A1 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3322629A1 (de) * | 1983-06-23 | 1985-01-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
JPS63270383A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体結晶棒の支持装置 |
JP2617258B2 (ja) * | 1991-11-28 | 1997-06-04 | 信越半導体株式会社 | シリコン多結晶棒自重締付保持具 |
DE4318361C2 (de) * | 1993-05-28 | 2003-02-13 | Forschungsverbund Berlin Ev | Stützvorrichtung |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2529366A1 (de) * | 1975-07-01 | 1977-01-20 | Wacker Chemitronic | Vorrichtung zum stuetzen eines kristallinen stabes |
-
1978
- 1978-12-11 DE DE19782853414 patent/DE2853414A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2853414A1 (de) | 1980-06-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8120 | Willingness to grant licenses paragraph 23 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |