DE2849511A1 - Photodetektor-anordnung - Google Patents
Photodetektor-anordnungInfo
- Publication number
- DE2849511A1 DE2849511A1 DE19782849511 DE2849511A DE2849511A1 DE 2849511 A1 DE2849511 A1 DE 2849511A1 DE 19782849511 DE19782849511 DE 19782849511 DE 2849511 A DE2849511 A DE 2849511A DE 2849511 A1 DE2849511 A1 DE 2849511A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photosensor
- substrate
- layer
- conductivity type
- arrangement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 235000020004 porter Nutrition 0.000 description 1
- 102000012498 secondary active transmembrane transporter activity proteins Human genes 0.000 description 1
- 108040003878 secondary active transmembrane transporter activity proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Int. Az.: Case J237 18. September 1978
Hewlett-Packard Company
PHOTODETEKTOR-ANORDNUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Photodetektor-Anordnung gemäß
dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Photosensoren werden seit einiger Zeit für optische Abbildungszwecke
benutzt. Dabei werden sowohl ladungsgekoppelte Vorrichtungen als auch Photodioden verwendet, um die in einem Halbleitermaterial durch Lichteinwirkung
erzeugten Ladungsträger einzusammeln. In beiden Bauelementtypen
ist jedoch die erreichbare räumliche Auflösung dadurch begrenzt, daS die durch Lichteinwirkung erzeugten Ladungsträger innerhalb des
Halbleitermaterials diffundieren, auch wenn die anderen Komponenten des optischen Systems optimiert sind und das Streulicht reduziert ist.
Dies kommt daher, daß ein durch Lichteinwirkung erzeugter Ladungsträger unter einem Sensor um einen beträchtlichen Weg im darunterliegenden
Halbleitersubstrat diffundieren kann, so daß er im Raumladungsbereich eines beabstandeten Sensors eingesammelt werden kann, so
daß ein Fehl signal entsteht. Diese Art von Interaktion kann mit "Nebensprechen"
bezeichnet werden, analog zu den ungewollten Interaktionen in Kommunikationssystemen. Ein solches optisches "Nebensprechen" zwischen
Photosensor-Elementen begrenzt die räumliche Auflösung des Sensorfeldes.
Eine Möglichkeit zur Reduzierung dieses "Nebensprechens" ist in der
US-PS 4 025 943 beschrieben. In dieser Anordnung ist eine dünne Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps extern in Bezug auf ein Substrat des
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps vorgespannt, so daß verhindert wird, daß Ladungsträger zu beabstandeten Photosensoren wandern. Die
Benutzung dieser Vorrichtung ist jedoch dadurch kompliziert, daß eine externe Versorgung für die Vorspannung vorgesehen werden muß. Außerdem
macht die Anwesenheit von Schichten verschiedener Leitfähigkeitstypen über die gesamten Oberfläche diese Struktur weniger kompatibel für die
Integration anderer Schaltelemente in dasselbe Halbleiterplättchen.
909822/0 593
Hewlett-Packard Company
Int.Az.: Case 1237
Int.Az.: Case 1237
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Photosensor-Anordnung
zu schaffen, bei der ein gutes räumliches Auflösungsvermögen erreicht
wird, ohne daß eine zusätzliche äußere Spannungsversorgung erforderlich
ist. Die Lösung dieser Aufgabe ist im Anspruch 1 gekennzeichnet.
Erfindungsgemäß sind unter der Oberfläche des Halbleiterkörpers elektrische
Felder vorhanden, die die durch Lichteinwirkung erzeugten Ladungsträger derart zur Oberfläche oder von ihr weg beschleunigen, daß
die Ladungsträger-Diffusion zu beabstandeten Photosensor-Elementen minimiert
wird. Die Felder unter der Oberfläche werden dadurch erzeugt, daß in der Gesamtstruktur geeignete Dotierungs-Konzentrationsgradienten
gebildet werden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird das Feld unter der Oberfläche
dadurch gebildet, daß eine stark dotierte "vergrabene" Schicht und ein schwach dotierter Epitaxialfilm über einem schwach dotiertem
Substrat angeordnet sind, wobei alle vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind. Diese Struktur läßt sich leicht kompatibel machen für den Einbau
anderer Halbleiterbauelemente auf demselben monolitischen Substrat, indem die räumliche Ausdehnung der "vergrabenen" Schicht begrenzt wird.
Die Erfindung läßt sich sowohl bei einem Photodiodenfeld auf einem integrierten Silizium-Schaltkreis anwenden, als auch bei anderen Typen von
Photosensor-Anordnungen^z.B. ladungsgekoppelten Anordnungen (CCD).
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen
gekennzeichnet.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen in
Verbindung mit der zugehörigen Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigen
Figur 1 einen Querschnitt eines üblichen Photodioden-Feldes mit einem
gleichförmig dotierten Substrat;
Figur 2 einen Querschnitt einer Photosensor-Anordnung welche elektrische
Felder unter der Oberfläche enthält, die eine Drift-Komponente der Zufallsbewegung der durch Lichteinwirkung erzeugten Ladungs-
9 0 9 8 2 2/0599
Hewlett-Packard Company
Int. Az.: Case 1237
Int. Az.: Case 1237
träger überlagern;
Figur 3 schematisch Profile von Dotierungskonzentrationen im Substrat
einer Photosensor-Anordnung; und
Figur 4 einen Querschnitt einer Photosensor-Anordnung mit einer "ge-
·· formten" Unterschicht.
In Figur 1 ist schematisch ein Querschnitt eines konventionellen Photodioden-Feldes
dargestellt, welches durch Diffusion von dotierenden Verunreinigungen durch eine isolierende Maskenschicht 10 (typischerweise
aus SiO2) in ein gleichförmig dotiertes Substrat 19 gebildet wird, dessen
Leitfähigkeitstyp dem der diffundierten Bereiche entgegengesetzt
ist. Dementsprechend können P+-Typ-Photosensoren IT, 13, 15 und 17 in
einem N-Typ-Substrat 19 gebildet werden. Wenn Licht auf den Bereich
oberhalb eines Photosensors (z.B. 15 in Figur 1) auftritt, werden dadurch Elektron/Loch-Paare in dem neutralen, gleichförmig dotierten HaIbleitersubstrat
13 erzeugt. Die so erzeugten Minoritätsträger bewegen sich durch zufällige thermische Diffusion durch das gesamte Substrat.
Diejenigen, die an einem Photosensor ankommen, rekombinieren dort und tragen zu einem Signalstrom bei, der anzeigt, daß in der Nachbarschaft
dieses Sensors Licht auf die Vorrichtung aufgetroffen ist. Obwohl einige Träger am Rand des Verarmungsbereichs des nächsten Sensors (15 in Figur
t) ankommen, können andere zu beabstandeten Sensoren diffundieren, bevor sie rekombinieren, und so z.B. durch den Sensor It eingefangen werden.
Diese Diffusion verschlechtert die räumliche Auflösung des Feldes,
da das elektrische Signal von einem durch den Sensor It eingefangenen
Träger von Licht herzurühren scheint, welches in der Nähe des Sensors 11 statt in der Nähe des Sensors 15 eingefallen ist. Dieses "Nebensprechen"
wird größer bei durchdringendem, langwelligem Licht, da die tief innerhalb des Substrats erzeugten Ladungsträger eine größere Möglichkeit
haben, zu beabstandeten Sensoren zu diffundieren als Träger, die dicht unter der Oberfläche erzeugt werden.
909822/0599
Hewlett-Packard Company
Int. Az.: Case 1237
Int. Az.: Case 1237
In Figur 2 ist ein Photosensor-Feld dargestellt, bei welchem das Nebensprechen
dadurch erheblich reduziert ist, daß elektrische Felder in die Struktur "eingebaut" sind, so daß über die thermische Zufallsdiffusion
der Ladungsträger eine gerichtete Drift-Bewegung überlagert ist. Beim Aufbau gemäß Figur 2 werden elektrische Felder unter der Oberfläche
dadurch erzeugt, daß geeignete Konzentrationsgradienten der Dotierung im Substrat 19 gebildet werden. Speziell ist hier eine hochdotierte
"vergrabene" Zwischenschicht 21 desselben Leitfähigkeitstyps wie das Substrat 19 vorgesehen, die selektiv in das Substrat eingebracht wurde,
z.B. durch Diffusion oder Ionen-Implantation. Beispielsweise kann das Substrat 19 ein N-Typ-Bereich sein und die hochdotierte Zwischenschicht
21 ein N -Typ-Bereich. Das Substrat 19 kann aus Silizium bestehen,
15 -3 welches mit Phosphor auf ungefähr 10 cm dotiert ist, während eine
ic _2 ionen-implantierte Phosphordotierung von ungefähr 3x10 cm die
N -Zwischenschicht 21 bildet. Die Zwischenschicht 21 kann seitlich in ihrer Ausdehnung entsprechend der Ausdehnung des Photosensor-Feldes begrenzt
sein, wodurch die Einbeziehung des Feldes zusammen mit anderen Halbleiterbauelementen auf demselben N-Typ-Substrat ermöglicht wird.
Ein epitaxialer Silanfilm 23 von ungefähr 10μπι Dicke und mit einer
ähnlichen Dotierung wie das Substrat 19 ist über der Zwischenschicht 21 aufgebracht. Die Vorrichtung wird dann vorzugsweise einer langen Diffusion
unterworfen (z.B. 10 Stunden bei 11000C), so daß sich die "vergrabene"
Phosphorschicht über einen wesentlichen Teil des Epitaxialfilms verteilt. Dann wird die Struktur auf üblicher Weise dadurch fertiggestellt,
daß Photosensor-Elemente und zugeordnete integrierte Schaltelemente hergestellt werden. Vorzugsweise sind die Photosensor-Elemente
11, 13, 15 und 17 diffundierte P -N-Photodioden von ungefähr 32 μπι
Breite und 200 μπι Länge und einem Mittenabstand von ungefähr 75 μπι.
Figur 3 zeigt schematisch Profile der Dotierungskonzentration über der
Tiefe im Substrat 19. Die Kurve 24 stellt die N-Typ-Dotierungen dar, während Kurve 26 die P+-Typ-Dotierung der Photosensoren 11, 13, usw.
darstellt. Die nicht gleichförmige Dotierungskonzentration im Substrat erzeugt indiesem elektrische Felder, wie durch mit "ε" bezeichnete
Pfeile in Figuren 2 und 3 dargestellt ist. In auf die oben beschriebene
909822/0599
Hewlett-Packard Company
Int. Az.: Case 1237
Int. Az.: Case 1237
Weise hergestellten Vorrichtungen beträgt die elektrische Feldstärke
im Substrat ungefähr 460 V/cm in der Nähe der Oberfläche und fällt auf 60 V/cm 1 Mm oberhalb der maximalen Dotierungskonzentration
ab. Die Ladungsträger haben daher eine Tendenz zur Beschleunigung in Richtung entweder des nächsten Photosensors
oder von der Oberfläche weg. Träger unterhalb der maximalen Dotierungskonzentration
werden ins Substrat hinein beschleunigt wo sie rekombinieren , ohne zum Sammelstrom irgendeines Sensors
beizutragen, während oberhalb der maximalen Dotierungskonzentration erzeugte Träger in Richtung der Oberfläche beschleunigt
werden, wo sie den Sammelstrom des benachbarten Photosensors erhöhen.
In beiden Fällen ist die Möglichkeit für ein Ladungsträger verringert, einen beabstandeten Photosensor zu erreichen. Das
Feld führt auch zu einem rascheren Einsammeln der durch Lichteinwirkung erzeugten Träger, wodurch das Frequenzverhalten der Vorrichtung
verbessert wird.
Bei der in Figur 4 dargestellten alternativen Ausführungsform ist die Anordnung so hergestellt, daß sich eine seitliche Komponente
des elektrischen Feldes unter der Oberfläche zusätzlich zur vertikalen Komponente ergibt. Durch Lichteinwirkung erzeugte
Träger werden dadurch noch direkter in Richtung des nächsten einsammelnden Bereichs beschleunigt. Dies wird dadurch erreicht, daß
eine geformte "vergrabene" N -Schicht 25 benutzt wird, die sich zwischen den Sensoren 11, 13 usw. dichter unterhalb der Oberfläche
erstreckt als in den Bereichen direkt unterhalb der Sensoren. Dadurch und durch die zwischen den einzelnen Höhenbereichen liegenden
Abschrägungen der Schicht 25 beschleunigt das elektrische Feld, die durch Lichteinwirkung erzeugten Träger direkt auf den nächsten
Photosensor zu, wie durch Pfeile 29 dargestellt ist.
Die Schicht 25 kann z.B. dadurch geformt werden, daß aufeinanderfolgend
zwei Chargen implantiert werden, die mit verschiedenen Geschwindigkeiten diffundieren. Die am schnellsten diffundierende
Verunreinigung (Phosphor) wird nur zwischen die Photosensorelemente
909822/0599
Hewlett-Packard Company
Int. Az.: Case 1237
Int. Az.: Case 1237
eingebracht, während die langsam diffundierende Schicht (z.B.
Arsen) unterhalb des gesamten Photosensor-Feldes durchgehend eingebracht wird. Nach einer geeigneten Verteilungsdiffusion
ergeben sich elektrische Felder, die die durch Lichteinwirkung erzeugten Minoritätsträger sowohl in Richtung der Oberfläche
als auch seitlich auf den nächsten Sensor zu beschleunigen.
909822/0599
Claims (4)
1.) Photosensor-Anordnung mit einem Halbleitersubstrat eines ersten
Leitfähigkeitstyps und Photosensor-Elemente an der Oberfläche der Anordnung, die durch Lichteinwirkung erzeugte Ladungsträger erfassen,
gekennzei chnet durch
a) eine Halbleiter-Zwischenschicht (21) auf dem Substrat (19), wobei
aa) die Leitfähigkeit der Zwischenschicht größer als die des Substrats ist, und
b) eine Halbleiter-Deckschicht (23) des ersten Leitungstyps auf der
Zwischenschicht,
ba) wobei die Leitfähigkeit der Deckschicht geringer als die der Zwischenschicht ist und
bb) wobei die Photosensor-Elemente (11, 13, 15, 17) sich in der
Deckschicht befinden.
2. Photosensor-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzei chnet,
daß die Photosensor-Elemente (11, 13, 15, 17) im Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps sind, der dem ersten entgegengesetzt
ist.
3. Photosensor-Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Leitungstyp N ist und der zweite Leitungstyp P ist.
4. Photosensor-Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzei chnet,
daß die Zwischenschicht (25) in verschiedenen Dicken derart geformt ist, daß unter der Oberfläche der Anordnung elektrische Felder
entstehen, die bezogen auf die Oberfläche senkrechte und parallele Komponenten haben, derart, daß die Ladungsträger in Richtung auf die
Photosensor-Elemente (11,13,15,17) beschleunigt werden.
909822/0599
ORIGINAL INSPECTED
ORIGINAL INSPECTED
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/854,938 US4160985A (en) | 1977-11-25 | 1977-11-25 | Photosensing arrays with improved spatial resolution |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2849511A1 true DE2849511A1 (de) | 1979-05-31 |
Family
ID=25319930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19782849511 Withdrawn DE2849511A1 (de) | 1977-11-25 | 1978-11-15 | Photodetektor-anordnung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4160985A (de) |
| JP (1) | JPS5812746B2 (de) |
| DE (1) | DE2849511A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3302725A1 (de) * | 1982-02-12 | 1983-08-25 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Ladungsuebertragungs-abbildungsvorrichtung |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4276099A (en) * | 1978-10-11 | 1981-06-30 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Fabrication of infra-red charge coupled devices |
| JPS5648180A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Tokyo Niyuukutoronikusu:Kk | Semiconductor detector |
| US4587542A (en) * | 1979-10-11 | 1986-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Guard ring for reducing pattern sensitivity in MOS/LSI dynamic RAM |
| JPS5665577A (en) * | 1979-11-01 | 1981-06-03 | Nec Corp | Solidstate image sensor |
| JPS5820275Y2 (ja) * | 1980-02-04 | 1983-04-26 | 株式会社 ほくさん | 湿潤器 |
| JPS58125976A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| US4481522A (en) * | 1982-03-24 | 1984-11-06 | Rca Corporation | CCD Imagers with substrates having drift field |
| US4835587A (en) * | 1984-09-19 | 1989-05-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device for detecting radiation |
| US5309013A (en) * | 1985-04-30 | 1994-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
| JPS6317342U (de) * | 1986-07-19 | 1988-02-04 | ||
| JP2757985B2 (ja) * | 1986-10-01 | 1998-05-25 | ソニー株式会社 | 受光装置とその製造方法 |
| JPS63119588A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Nikon Corp | 半導体光検出装置 |
| JPH01135935A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-29 | Nhk Spring Co Ltd | 減衰力発生装置 |
| JPH0330374A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体光センサ |
| US5187380A (en) * | 1992-04-09 | 1993-02-16 | General Electric Company | Low capacitance X-ray radiation detector |
| JPH07240534A (ja) * | 1993-03-16 | 1995-09-12 | Seiko Instr Inc | 光電変換半導体装置及びその製造方法 |
| JPH1126741A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| EP0986110A1 (de) * | 1998-09-10 | 2000-03-15 | Electrowatt Technology Innovation AG | Lichtempfindliches Halbleiterelement und Verwendung zur Regelung von Flammen |
| US7133074B1 (en) | 1999-09-28 | 2006-11-07 | Zoran Corporation | Image sensor circuits including sampling circuits used therein for performing correlated double sampling |
| US20060049464A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Rao G R Mohan | Semiconductor devices with graded dopant regions |
| EP2112254A3 (de) * | 2008-03-05 | 2011-06-01 | Sumco Corporation | Siliziumsubstrat und zugehöriges Herstellungsverfahren |
| DE102011003454A1 (de) * | 2011-02-01 | 2012-08-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Strahlungsdirektkonverter, Strahlungsdetektor, medizintechnisches Gerät und Verfahren zum Erzeugen eines Strahlungsdirektkonverters |
| DE102013018789A1 (de) * | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Infineon Technologies Ag | Steuern lichterzeugter Ladungsträger |
| NL2019614B1 (en) * | 2017-09-22 | 2019-04-17 | Tno | Dopant enhanced solar cell and method of manufacturing thereof |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2108781B1 (de) * | 1970-10-05 | 1974-10-31 | Radiotechnique Compelec | |
| US4021844A (en) * | 1972-12-01 | 1977-05-03 | Thomson-Csf | Photosensitive diode array storage target |
| US3855611A (en) * | 1973-04-11 | 1974-12-17 | Rca Corp | Thyristor devices |
| JPS5718348B2 (de) * | 1974-06-07 | 1982-04-16 | ||
| FR2311408A1 (fr) * | 1975-05-16 | 1976-12-10 | Thomson Csf | Photodiode a avalanche |
| US4001864A (en) * | 1976-01-30 | 1977-01-04 | Gibbons James F | Semiconductor p-n junction solar cell and method of manufacture |
-
1977
- 1977-11-25 US US05/854,938 patent/US4160985A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-11-15 DE DE19782849511 patent/DE2849511A1/de not_active Withdrawn
- 1978-11-24 JP JP53145194A patent/JPS5812746B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3302725A1 (de) * | 1982-02-12 | 1983-08-25 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Ladungsuebertragungs-abbildungsvorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4160985A (en) | 1979-07-10 |
| JPS5812746B2 (ja) | 1983-03-10 |
| JPS5481094A (en) | 1979-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2849511A1 (de) | Photodetektor-anordnung | |
| DE102009020218B3 (de) | Detektor und Verfahren zum Detektieren elektromagnetischer Strahlung und Computerprogramm zur Durchführung des Verfahrens | |
| EP1241710B1 (de) | Lichtsensitives Halbleiterbauelement | |
| DE3813079C2 (de) | ||
| DE2631744C2 (de) | ||
| DE3829003C2 (de) | Abbildungseinrichtung mit Lawinen-Photodiode | |
| DE102012216095B4 (de) | Photodetektor mit steuerbarer Spektralantwort | |
| DE19732624A1 (de) | Fotodetektor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE102017202754B4 (de) | Optische Sensoreinrichtung und Verfahren zur Ansteuerung der optischen Sensoreinrichtung | |
| DE1764565C3 (de) | Strahlungsempfindliches Halbleiterbauelement | |
| DE3637817C2 (de) | ||
| EP2549536B1 (de) | Halbleiterstruktur zur Photonendetektion | |
| WO2013087608A1 (de) | Halbleiterbauelement mit trench gate | |
| DE1764059A1 (de) | Strahlungsempfindliches Halbleiterbauelement und solche Elemente enthaltende Halbleiteranordnung | |
| DE2922250C2 (de) | ||
| DE4310915A1 (de) | Ladungsübertragungseinrichtung und ein sie enthaltender Festkörper-Bildsensor | |
| AT392704B (de) | Strahlungsempfindliche halbleiteranordnung | |
| DE1808406C3 (de) | Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1957335C3 (de) | Strahlungsempfindliches Halbleiterbauelement und seine Verwendung in einer Bildaufnahmeröhre | |
| DE2334116A1 (de) | Ueberstroemkanal fuer ladungsuebertragende abbildungs-baueinheiten | |
| DE2930584C2 (de) | Halbleiterbauelement, das den Effekt der gespeicherten Photoleitung ausnutzt | |
| DE2811961B2 (de) | Farbbildabtasteinrichtung in Festkörpertechnik | |
| WO2006087080A1 (de) | Lichtempfindliches bauelement | |
| DE2646343A1 (de) | Ladungstraegergekoppeltes photoelektronisches bildabtastungsgeraet | |
| DE3644410A1 (de) | Photoempfaenger |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OD | Request for examination | ||
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: SCHULTE, K., DIPL.-ING., PAT.-ASS., 7030 BOEBLINGE |
|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |