DE2845603A1 - Verfahren und einrichtung zum projektionskopieren - Google Patents
Verfahren und einrichtung zum projektionskopierenInfo
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Description
HENKEL-KERN-FEILER-HÄNZEL ._
CENSOR Patent und Versuchsanstalt Vaduz/Fürstentum Liechtenstein
Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren .
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2845803
Die lErfJuiadung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung·
zum Projektionskopieren "von Masken eines
Maskensatzes auf ein Werkstück, insbesondere auf
ein Halbleiter substrat zur Herstellung toii integrierten
Schaltungen,, wobei die Master der Masken über e±n Projektionsobjektiv ein oder mehrmals auf
einer photiDempfiimdlichen Schicht des Werkstückes
abgebäJLdet werden,, und zumindest tot der Belichtung
eines bereits einmal markierten Werkstuckes bzw,
Werkstüclteabsclknittes Äusriehfasuster
der Maske relativ zu gegebenenfalls jeweils denselben,
auf dee Werkstück angebrachten »Justiermarken wieder—
liolgeiiau ausgerichtet werden.
Für die Herstellung integrierter Schaltungen ist es
notwendig, aaaclieiiiander eine Anzahl von Masken mit
verschiedenen Schaltungsmustem an jeweils derselben Stelle des Substrats abzubilden- Die dabei auf dem
Substrat belichtete, photoempfi-ndliche Schicht dient nach ihrer Entwicklung zur Abdeckung des Substrates
in
an gewünschten Stellen/zwischen den aufeinanderfolgenden Abbildungen durchgeführten chemischen und physikalischen Behandlungsschritten, beispielsweise Ätz- und Diffusionsvorgängen. An die Genauigkeit, mit der integrierte Schaltungen hergestellt werden, sind sehr hohe Anforderungen gestellt. Die zulässigen Abweichungen der aufeinanderfolgenden Abbildungen der Schaltungsmuster liegen beispielsweise unter 1 ixm. Um eine solche Genauigkeit erreichen zu können, werden die auf der Maske angebrachten Schaltungsmuster, meist über ein Projektionsobjektiv beispielsweise um den Faktor verkleinert, auf dem Substrat abgebildet. Vor der Belichtung eines bereits mit Schaltungselementen versehenen Substrates bzw. Substratabschnittes ist es notwendig, Ausrichtmuster der Maske relativ zu auf dem Werkstück angebrachten Justiermarken durch Justierung
an gewünschten Stellen/zwischen den aufeinanderfolgenden Abbildungen durchgeführten chemischen und physikalischen Behandlungsschritten, beispielsweise Ätz- und Diffusionsvorgängen. An die Genauigkeit, mit der integrierte Schaltungen hergestellt werden, sind sehr hohe Anforderungen gestellt. Die zulässigen Abweichungen der aufeinanderfolgenden Abbildungen der Schaltungsmuster liegen beispielsweise unter 1 ixm. Um eine solche Genauigkeit erreichen zu können, werden die auf der Maske angebrachten Schaltungsmuster, meist über ein Projektionsobjektiv beispielsweise um den Faktor verkleinert, auf dem Substrat abgebildet. Vor der Belichtung eines bereits mit Schaltungselementen versehenen Substrates bzw. Substratabschnittes ist es notwendig, Ausrichtmuster der Maske relativ zu auf dem Werkstück angebrachten Justiermarken durch Justierung
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der Marke, oder gegebenenfalls des Substrates, wiederholgenau
auszurichten7 um die gewünschte Deckung der Schaltungsmuster
zu erreichen.
Nach einem bekannten Verfahren werden in einem ersten Schritt mit Hilfe einer Maske und nachfolgender Ätzung
oder eines Lasers auf dem jungfräulichen Substrat für jedes Chip eigene Justiermarken erzeugt, auf welche die
für die nachfolgenden Abbildungen der einzelnen Schaltungsmuster notwendigen Masken ausgerichtet werden. Bei diesem
Verfahren wird jedes Chip einzeln belichtet.
Ebenso ist es bekannt, die Schaltungsmuster für eine Mehrzahl bzw. alle der auf dem Substrat herzustellenden
Chips gemeinsam abzubilden.
Für den Ausrichtvorgang werden die entsprechenden Justiermarkenbereiche
auf dem Substrat und die Bereiche der Ausrichtmuster auf der Maske über das Projektionsobjektiv
ineinander abgebildet, wobei die relative Abweichung visuell oder meßtechnisch festgestellt wird. Aus der
Abweichung werden Stellbefehle für die Justiermechanik, beispielsweise für einen Koordinatentisch, abgeleitet.
In ausgerichteter Stellung liegen die Justiermarken und Ausrichtmuster konjugiert zueinander.
Ein beiden Verfahren gemeinsames Problem besteht nun darin, daß die Ausrichtmuster der Maske während der Belichtung
auf das Substrat projiziert werden und dort die photoempfindliche Schicht im Bereich der Justiermarken belichten.
Nach der Entwicklung und dem Entfernen der belichteten bzw. nicht belichteten, photoempfindlichen Schichtbereiche
liegt somit auch ein dem Ausrichtmuster entsprechender Bereich auf dem Substrat frei und die Justiermarke wird bei
einem Ätzvorgang für die Justierung der nächsten Maske meist unbrauchbar oder völlig weggeätzt.
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Wird eine negative photoempfindliche Schicht auf dem Substrat
verwendet, so ist es bekanntgeworden, das optische Drucken des Ausrichtmusters durch eine Vorbelichtung des Bereiches
der Justiermarke auf dem Substrat zu verhindern.
Wird hingegen eine positive photoempfindliche Schicht verwendet, so wird die belichtete Schichte nach der Entwicklung
entfernt und das Ausrichtmuster beim Ätzen zerstört. Es muß daher bei jeder Abbildung einer Maske für die nächste
Maske eine eigene Justiermarke auf das Substrat gedruckt werden. Dadurch kommt es jedoch zu einer nachteiligen
Addition der Ausrichtfehler der einzelnen Masken.
Die Erfindung hat sich daher die Aufgabe gestellt, die zwangsweise Beeinflussung der Justiermarke bzw. des
Justiermarkenbereiches des Substrates durch das Ausrichtmuster der Maske zu vermeiden.
Erfindungsgemäß wird hiezu vorgesehen, daß Ausrichtmuster von Masken und Justiermarken des Werkstückes in bezug auf
das Projektionsobjektiv in zueinander nicht konjugierten,
d.h. mit dem Projektionsobjektiv nicht ineinander abbildbaren Bereichen liegen, und eine Hilfsoptik vorgesehen ist, die
die Justiermarken des Werkstückes und die Ausrichtmuster der Maske für den Ausrichtvorgang ineinander abbildet.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung liegt darin, daß der Entwickler der integrierten Schaltung einen Verfahrensspielraum erhält. Er kann die über das Projektionsobjektiv
zu den Justiermarken des Substrates konjugierten Bereiche der Maske so ausbilden, daß die Justiermarken unbeeinflußt
bleiben. Es ist möglich, die Justiermarken in bestimmter Weise zu verändern, z.B. kleinere Marken einzuschreiben,
ohne von der Form der auf der Maske befindlichen Ausrichtmuster
abhängig zu sein. Es kann aber auch mit beliebig wählbaren Masken eine Justiermarke bewußt ausgelöscht und
in einem nächsten Verfahrensschritt dort eine neue erzeugt
werden.
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Sollen die Justiermarken unbeeinflußt bleiben, so ist es vorteilhaft, wenn die in bezug auf das Projektionsobjektiv
zu den Justiermarken des Werkstücks konjugierten Bereiche der Maske bzw. des Belichtungsweges im Falle
einer positiven, photoempfindlichen Schicht auf dem Werkstück lichtundurchlässig und im Falle einer negativen,
photoempfindlichen Schicht lichtdurchlässig sind.
Auch ist es möglich, daß Ausrichtmuster an Masken außerhalb des Projektionsbereiches des Projektionsobjektivs angeordnet sind.
Vorteilhaft ist, daß die Hilfsoptik zwischen dem Projektionsobjektiv und der Maske angeordnet ist.
Die Hilfsoptik kann zumindest zwei Umlenkspiegel und
gegebenenfalls eine Korrekturlinse aufweisen.
Die Hilfsoptik läßt sich auch vorteilhaft dadurch realisieren, daß die Maske an ihrer dem Projektionsobjektiv
zugewandten Seite mit einem Schutzglas versehen ist, an dessen Oberfläche in zu Justiermarken
des Substrats konjugierten Bereichen Spiegel angeordnet sind.
Es ist günstig, wenn Spiegel für die Wellenlänge des Belichtungslichtes durchlässig und für die Wellenlänge
des Justier- bzw. Ausrichtlichtes reflektierend ausgebildet sind.
Bevorzugt ist weiterhin, wenn im Abstand vom Schutzglas weitere Spiegel angeordnet sind, welche die von den Spiegeln
des Schutzglases reflektierten Bilder der Justiermarken des Substrats in den zugehörigen Ausrichtmustern der
Maske abbilden.
Nach einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die Hilfsoptik
oder Teile derselben in den Projektionsbereich des Projektionsobjektivs einschieb- oder schwenkbar.
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MadtEolgead wird die Erfindung anhand von Ausführungsjbeispielen
imü lauter Bezugnahme auf die Zeichirangsflgiiaren
naher erläutert, olme daß dem einschränkende
Bedeutung foeikoimen soll.
=.Die Fig. 1 zeigt eine sdaeaaatiscke Schrägansicnt einer
Einrichtung zoi Projektionskopieren von Masken auf ein
Halbleitersubstrat,
Fig. 2 die Ansicht eines zweiten Ausführungsbeispieles.
Fig. 2 die Ansicht eines zweiten Ausführungsbeispieles.
In Fig. 1 sind die wesentlichen Teile einer Einrichtung zum partiellen Belichten eines Halbleitersubstrates
dargestellt. Das Substrat 9 liegt hiezu auf einem Substrattisch 8 auf, welcher in Richtung der XY-Koordinaten
-durch nicht dargestellte Mittel schrittweise bewegbar ist. Oberhalb des Substrattisches 8 befindet sich ein Maskentisch
3, welcherdie Maske 2 aufnimmt und ebenfalls in Richtung der X- und Y-Koordinaten kontinuierlich bewegbar
sowie gegebenenfalls verdrehbar ist. Zwischen dem Substrattisch 8 und dem Maskentisch 3 ist ein Projektionsobjektiv
10 angeordnet, welches das Schaltungsmuster
4 der Maske 2 im Maßstab 10:1 auf dem Substrat 9 abbildet.
Oberhalb des Maskentisches 3 ist eine Belichtungseinrichtung 1 vorgesehen. Da zumindest ab jeder zweiten Belichtung
derselben Stelle des Substrates mit einer Maske eine genaue Ausrichtung derselben relativ zu bereits auf dem
Substrat vorhandenen Schaltungselementen bzw.-mustern vorgenommen werden muß, sind auf der Maske 2 Ausrichtmuster
5 und auf dem Substrat 9 Justiermarken 6 angeordnet. Die Justiermarken 6 können zugleich mit der ersten Belichtung
aber beispielsweise mit Hilfe eines Lasers auf dem Substrat ausgebildet werden. Gemäß der Erfindung sind nun
die Ausrichtmuster der Maske 2 und die Justiermarken des Substrates 9 in bezug auf das Projektionsobjektiv 10
in zueinander nicht konjugierten Bereichen angeordnet.
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Um für den Justiervorgang die Bereiche der Justiermarken
und der Ausrichtrauster ineinander abbilden zu können, ist eine Hilfsoptik 11 vorgesehen, welche aus
zwei Utalenkspiegelii 13 und einer Korrekturlinse 14
besteht. Diese Hilfsoptik bewirkt bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel eine Parallelverschiebung der von
der Justiermarke reflektierten Lichtstrahlen. Zur Beleuchtung der Ausrichtmuster 5 und Justiermarken 6
während des Ausrichtvorganges ist eine Lichtquelle 17
vorgesehen, deren Licht keine Veränderung der auf dem Substrat 9 befindlichen, photoempfindlichen Schicht
bewirkt.
Das von der Lichtquelle 17 erzeugte Licht entwirft über die Korrekturlinse 14, die Umlenkspiegel 13 und 16 und das
Projektionsobjektiv 10 auf dem Substrat 9 ein Bild des Ausrichtmusters 5, welches zusammen mit der Justiermarke
6 in Rückprojektion über die Spiegel 13 und 16
einer photoelektrischen Auswerteeinrichtung 18 zugeführt wird, welche aus der relativen Verschiebung der
Marken Signale ableitet, die zur Steuerung der nicht dargestellten Stellglieder für die Ausrichtung der
Maske und/oder des Substrates herangezogen werden können. Der Umlenkspiegel 16 ist hiebei halbdurchlässig ausgebildet.
Der Einfachheit halber ist die Beleuchtungs- und Auswerteeinrichtung sowie die Hilfsoptik nur für ein
einziges Markenpaar 5 und 6 dargestellt.
Nach dem Ausrichtvorgang wird die Hilfsoptik 11 entfernt
und das Substrat 9 belichtet. Dabei wird das Schaltungsmuster 4 auf eines der Chips 7 übertragen. Nach der
Belichtung wird der Substrattisch 8 zu dem nächsten Chip verfahren, neuerlich der notwendige Justiervorgang unter
Zuhilfenahme der Hilfsoptik 11 vorgenommen und anschließend
wiederum belichtet.
Mit Hilfe der kurz zitierten Einrichtung können also die Ausrichtmuster 5 an jeder beliebigen Stelle der Maske
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angeordnet werden. Auch ist eine beliebige Konfiguration
der Ausrichtmuster möglich, da diese während der Belichtung nicht mehr auf den Bereich der Justiermarken
6 des Substrates übertragen werden. Die in bezug auf das Projektionsobjektiv 1O zu den Justiermarken
6 konjugierten Bereiche 19 der Maske 2 können so ausgebildet werden, daß die Justiermarke während
der weiteren Behandlungsschritte des Substrates nicht verändert wird. Hiezu ist es möglich, daß im Falle einer
positiven, photoempfindlichen Schicht auf dem Substrat, die Bereiche 19 der Maske lichtundurchlässig, und im
Falle einer negativen, photoempfindlichen Schicht die Bereiche 19 lichtdurchlässig sind. Dadurch bleibt bei
einem dem Belichtungsvorgang folgenden Entwicklungsvorgang die auf den Justiermarken 6 befindliche photoempfindliche
Schicht bestehen und schützt diese.
Bei der in Fig. 2 dargestellten^Einrichtung ist die Maske 2 mit einem Schutzglas 20 versiegelt. Auf der
freien Oberfläche dieses Schutzglases 20 befindet sich eine Lichtteilerschicht 21, welche im wesentlichen durchlässig
ist für die Belichtungswellenlänge (z.B.λ = 436 nm),
die Justierwellenlänge (z.B.% =547 nm) hingegen reflektiert.
Das von der Justierlichtquelle 17 erzeugte Licht durchdringt
zum Teil einen halbdurchlässigen Spiegel 16 und wird von der Lichtteilerschicht 21 auf dem Schutzglas
durch das Projektionsobjektiv 10 auf die Justiermarke 6 des Substrates 9 geworfen. Mit Hilfe dieses Lichtes wird
nun die Justiermarke 6 über das Projektionsobjektiv 10, den Lichtteilerspiegel 21 und den halbdurchlässigen
Spiegel 16 im Bereich des Ausrichtmusters 5 der Maske 2
abgebildet. Hiefür ist wesentlich, daß die Verlängerung des Lichtweges gegenüber dem nicht umgelenkten Strahlengang
des Belichtungslichtes ein bestimmtes Maß beträgt.
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Die Bilder der Marken von Substrat und Maske werden nun gleichzeitig über einen weiteren umlenkspiegel
13 und eine Optik 14 auf die photoelektrische Auswerteeinrichtung
18 abgebildet.
Eine wesentliche Besonderheit bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Tatsache, daß die Verlängerung des
Strahlengangs so bemessen ist, daß im Justierlicht eine Abbildung von hinreichend guter Qualität zustandekommt.
Die Verlängerung kompensiert also im wesentlichen die Abbildungsfehler, die durch den Übergang von der
Belichtungswellenlänge zur Justierwellenlänge Zustandekommen.
Wichtig ist hierbei auch, daß die Justiermarken aus radial auf die optische Achse zulaufenden Strichen
bzw. Strichgruppen bestehen.
Die in bezug auf das Projektionsobjektiv 10 zu den Justiermarken 6 konjugierten Bereiche 19 der Maske
können, wie oben beschrieben, entsprechend lichtdurchlässig oder lichtundurchlässig ausgebildet sein. Es ist
aber auch möglich., beim folgenden Belichtungsvorgang die Justiermarke 6 freizulegen, sodaß sie in bekannter
Weise mit dem folgenden Ätzen entfernt wird. Auch ist das Einschreiben einer weiteren Justiermarke in die
ursprüngliche Marke 6 denkbar.
Der Entwickler hat also mit Hilfe der vorstehend beschriebenen Einrichtung bzw. des entsprechenden
Verfahrens nahezu völlige Freiheit in der Formung und Anordnung des Ausrichtmusters auf der Maske 2
und kann für die Ausrichtung der Maske stets dieselben oder aber nach einer frei wählbaren Anzahl von Belichtungen
neue Justiermarken des Substrats verwenden.
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Leerseite
Claims (9)
- Patentansprüche :(I- ^erfaüarem ütnö. SimricIhtacHiig zehe iProJektionskopieren "%—' von Maskeia eines Maskensatzes auf ein Werkstück, insbesondere auf ein HallsXeitersaabstrat zur Herstellung -von integrierten Sctoaltmigeia, wobei die Master der Masken Silber ein ProjjektiGinsolöektiv ein oder mehrmals auf einer pübotoenpf indlicfeen Scnicht des Werkstückes abgebildet werden, mad zumindest vor der Belichtung eines bereits einmal markierten Werkstückes bzw. Werkstiickabschnittes Ausrichtsnister der Maske relativ zu gegebenenfalls jeweils denselben, auf dem Werkstück angebrachten «Tustiermarken ausgerichtet werden, dadurch gekennzeichnet, daß Ausrichtlauster (5) von Masken (2) und Justiermarken (6) des Werkstückes (9) in bezug auf das Projektionsobjektiv (-1O) in zueinander nicht konjugierten, d.h. mit dem Projektionsobjektiv (10) nicht ineinander abbildbaren Bereichen liegen, und eine Hilfsoptik (11) vorgesehen ist, die die Justiermarken (6) des Werkstückes (9) und die Ausrichtmuster (5) der Maske (2) für den Ausrichtvorgang ineinander abbildet.
- 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in bezug auf das Projektionsobjektiv (10) zu den Justiermarken (6) des Werkstückes (9) konjugierten Bereiche (19) der Maske (2) bzw. des Belichtungsweges im Falle einer positiven, photoempfindlichen Schicht auf dem Werkstück (9) lichtundurchlässig und im Falle einer negativen, photoempfindlichen Schicht lichtdurchlässig sind.
- 3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Ausrichtmuster (5) an Masken (2)030017/0472außerhalb des Projektionsbereich.es {12) des Projektionsobjektivs (10) angeordnet sind.
- 4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsoptik (11) zwischen dem Projektionsobjektiv (10) und der Maske (2) angeordnet ist.
- 5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsoptik (11) zumindest zwei Umlenkspiegel {13) und gegebenenfalls eine Korrekturlinse (14) aufweist.
- 6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (2) an ihrer dem Projektionsobjektiv (10) zugewandten Seite mit einem Schutzglas (20) versehen ist, an dessen Oberfläche in zu Justiermarken (6) des Substrats (9) konjugierten Bereichen Spiegel (21) angeordnet sind.
- 7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Spiegel (21) für die Wellenlänge des Belichtungslichtes durchlässig und für die Wellenlänge des Justier- bzw. Ausrichtlichtes reflektierend ausgebildet sind.
- 8. Einrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß im Abstand vom Schutzglas (20) weitere Spiegel (16) angeordnet sind, welche die von den Spiegeln (21) des Schutzglases (20) reflektierten Bilder der Justiermarken (6) des Substrats (9) in den zugehörigen Ausrichtmustern (5) der Maske (2) abbilden.
- 9. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsoptik (11)030017/0472- tf -oder Teile derselben in den Projektionsbereich (12) des Projektionsobjektivs (10) einschieb- oder schwenkbar ist.030017/0472
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2845603A DE2845603C2 (de) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren |
US06/083,532 US4269505A (en) | 1978-10-19 | 1979-10-10 | Device for the projection printing of the masks of a mask set onto a semiconductor substrate |
NL7907710A NL7907710A (nl) | 1978-10-19 | 1979-10-18 | Inrichting voor het door projectie afdrukken van de maskers van een maskersamenstelsel op een halfgeleider- substraat. |
GB7936216A GB2034059B (en) | 1978-10-19 | 1979-10-18 | Manufacture of integrated circuits |
JP54135838A JPS5830736B2 (ja) | 1978-10-19 | 1979-10-19 | 半導体基板上のマスクのパタ−ンを投影印刷する装置 |
FR7926019A FR2447050A1 (fr) | 1978-10-19 | 1979-10-19 | Dispositif pour projeter l'image d'un masque sur un substrat |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2845603A DE2845603C2 (de) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2845603A1 true DE2845603A1 (de) | 1980-04-24 |
DE2845603C2 DE2845603C2 (de) | 1982-12-09 |
Family
ID=6052609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2845603A Expired DE2845603C2 (de) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4269505A (de) |
JP (1) | JPS5830736B2 (de) |
DE (1) | DE2845603C2 (de) |
FR (1) | FR2447050A1 (de) |
GB (1) | GB2034059B (de) |
NL (1) | NL7907710A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3342719A1 (de) * | 1982-11-26 | 1984-05-30 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsgeraet und belichtungsverfahren |
DE3510479A1 (de) * | 1984-07-07 | 1986-01-16 | Ushio Denki K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur belichtung einer halbleiterwafer mittels einer quecksilberdampflampe |
DE3510480A1 (de) * | 1984-07-07 | 1986-01-16 | Ushio Denki K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur belichtung einer halbleiterwafer mittels einer quecksilberdampflampe |
DE3624163A1 (de) * | 1985-07-24 | 1987-01-29 | Ateq Corp | Geraet zur erzeugung eines musters auf einem eine strahlungsempfindliche schicht aufweisenden werkstueck |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2905635A1 (de) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Censor Patent Versuch | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten der bild- und/oder objektflaechen bei optischen kopiereinrichtungen |
US4318003A (en) * | 1979-02-14 | 1982-03-02 | Dainippon Screen Seizo Kabushiki Kaisha | Method and machine for positioning films on base sheets |
IL59629A (en) * | 1979-05-11 | 1983-03-31 | Electromask Inc | Apparatus and process for photoexposing semiconductor wafers |
JPS56110234A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-01 | Canon Inc | Projection printing device |
JPS5732625A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-22 | Zeiss Jena Veb Carl | Chromatic aberration compensating mechanism for projection lens |
JPS57112019A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Detection of pattern position |
JPS57142612A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Alignment optical system of projection type exposure device |
JPS58102939A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-18 | Canon Inc | マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ− |
JPS5950518A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-23 | パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシュタルト | 投影プリント方法 |
US4545683A (en) * | 1983-02-28 | 1985-10-08 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer alignment device |
DE3485022D1 (de) * | 1983-12-26 | 1991-10-10 | Hitachi Ltd | Belichtungsvorrichtung und verfahren fuer die ausrichtung einer maske mit einem arbeitsstueck. |
JPS60223122A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Canon Inc | 投影露光装置 |
US4682037A (en) * | 1984-07-10 | 1987-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus having an alignment light of a wavelength other than that of the exposure light |
US5114223A (en) * | 1985-07-15 | 1992-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
JPS61166027A (ja) * | 1985-11-22 | 1986-07-26 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
JPH0685387B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-10-26 | 株式会社東芝 | 位置合わせ方法 |
JP2797250B2 (ja) * | 1987-05-14 | 1998-09-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP2658051B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1997-09-30 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置,該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法 |
US5260771A (en) * | 1988-03-07 | 1993-11-09 | Hitachi, Ltd. | Method of making semiconductor integrated circuit, pattern detecting method, and system for semiconductor alignment and reduced stepping exposure for use in same |
USRE36799E (en) * | 1990-06-13 | 2000-08-01 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus using plural wavelengths of light |
JP3033135B2 (ja) * | 1990-06-13 | 2000-04-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5243195A (en) * | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
NL9300631A (nl) * | 1993-04-14 | 1994-11-01 | Hans Gerard Van Den Brink | Optisch systeem voor het onderling positioneren van een sporendrager en component met aansluitpootjes. |
KR100381629B1 (ko) * | 1994-08-16 | 2003-08-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 |
US5477058A (en) * | 1994-11-09 | 1995-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Attenuated phase-shifting mask with opaque reticle alignment marks |
JPH08264427A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Nikon Corp | アライメント方法及びその装置 |
JP2988393B2 (ja) * | 1996-08-29 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | 露光方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1622225A1 (de) * | 1968-02-07 | 1970-10-29 | Leitz Ernst Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten von Originalen und den Traegern der von diesen Originalen herzustellenden Kopien und zum Belichten der Kopien |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1516152A (fr) * | 1967-01-25 | 1968-03-08 | Thomson Houston Comp Francaise | Perfectionnements aux bancs photographiques répétiteurs |
US3695758A (en) * | 1969-06-30 | 1972-10-03 | Nippon Kogaku Kk | Illumination device for projector type ic printer |
US3796497A (en) * | 1971-12-01 | 1974-03-12 | Ibm | Optical alignment method and apparatus |
US3844655A (en) * | 1973-07-27 | 1974-10-29 | Kasper Instruments | Method and means for forming an aligned mask that does not include alignment marks employed in aligning the mask |
US3865483A (en) * | 1974-03-21 | 1975-02-11 | Ibm | Alignment illumination system |
IT1037606B (it) * | 1974-06-06 | 1979-11-20 | Ibm | Apparecchiatura ottica perfezionata utile per la fabbricazione di circuiti integrati |
JPS6022495B2 (ja) * | 1975-01-07 | 1985-06-03 | キヤノン株式会社 | アライメント用キ−・パタ−ン保護方法 |
NL7606548A (nl) * | 1976-06-17 | 1977-12-20 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat. |
-
1978
- 1978-10-19 DE DE2845603A patent/DE2845603C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-10-10 US US06/083,532 patent/US4269505A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-10-18 GB GB7936216A patent/GB2034059B/en not_active Expired
- 1979-10-18 NL NL7907710A patent/NL7907710A/nl not_active Application Discontinuation
- 1979-10-19 FR FR7926019A patent/FR2447050A1/fr active Granted
- 1979-10-19 JP JP54135838A patent/JPS5830736B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1622225A1 (de) * | 1968-02-07 | 1970-10-29 | Leitz Ernst Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten von Originalen und den Traegern der von diesen Originalen herzustellenden Kopien und zum Belichten der Kopien |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3342719A1 (de) * | 1982-11-26 | 1984-05-30 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsgeraet und belichtungsverfahren |
DE3510479A1 (de) * | 1984-07-07 | 1986-01-16 | Ushio Denki K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur belichtung einer halbleiterwafer mittels einer quecksilberdampflampe |
DE3510480A1 (de) * | 1984-07-07 | 1986-01-16 | Ushio Denki K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur belichtung einer halbleiterwafer mittels einer quecksilberdampflampe |
DE3624163A1 (de) * | 1985-07-24 | 1987-01-29 | Ateq Corp | Geraet zur erzeugung eines musters auf einem eine strahlungsempfindliche schicht aufweisenden werkstueck |
DE3624163C2 (de) * | 1985-07-24 | 2001-05-17 | Ateq Corp | Gerät zur Erzeugung eines Musters auf einem eine strahlungsempfindliche Schicht aufweisenden Werkstück |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5830736B2 (ja) | 1983-07-01 |
FR2447050B1 (de) | 1983-03-11 |
JPS5570025A (en) | 1980-05-27 |
GB2034059B (en) | 1982-09-15 |
GB2034059A (en) | 1980-05-29 |
US4269505A (en) | 1981-05-26 |
NL7907710A (nl) | 1980-04-22 |
DE2845603C2 (de) | 1982-12-09 |
FR2447050A1 (fr) | 1980-08-14 |
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