JPS58102939A - マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ− - Google Patents
マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ−Info
- Publication number
- JPS58102939A JPS58102939A JP56203339A JP20333981A JPS58102939A JP S58102939 A JPS58102939 A JP S58102939A JP 56203339 A JP56203339 A JP 56203339A JP 20333981 A JP20333981 A JP 20333981A JP S58102939 A JPS58102939 A JP S58102939A
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- JP
- Japan
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- mask
- pattern
- wafer
- alignment
- line width
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明社マスクアライナー用マスク特に、回路等（実素
子パターン）の他、マスクとウェハとの整合（アライメ
ント）のための７ライメントパターンを有するマスクア
ライナ−用マスク及びこれを用いたマスクアライナ−に
関する。
子パターン）の他、マスクとウェハとの整合（アライメ
ント）のための７ライメントパターンを有するマスクア
ライナ−用マスク及びこれを用いたマスクアライナ−に
関する。
エバを所定の位置関係にアライメントし、而る後にマス
クのパターンをウェハ表向に塗布されたレジスト上に転
写するものである。ところで、マスクとウェハを７ライ
メントするにアライメントパターンをマスク、ウェハ各
々に相対向して設けるのが一般的な方法であり、とりわ
け自動化されたアライメント（オートアライメント）に
おいては必然ですらある。マスク向上、ウニ／１向上の
アライメントパターン社回路等の実素子パターンに対し
位置精度が保証されて設けられ、アライメントパターン
で整合すれば、実素子パターンで整合したことになる。
クのパターンをウェハ表向に塗布されたレジスト上に転
写するものである。ところで、マスクとウェハを７ライ
メントするにアライメントパターンをマスク、ウェハ各
々に相対向して設けるのが一般的な方法であり、とりわ
け自動化されたアライメント（オートアライメント）に
おいては必然ですらある。マスク向上、ウニ／１向上の
アライメントパターン社回路等の実素子パターンに対し
位置精度が保証されて設けられ、アライメントパターン
で整合すれば、実素子パターンで整合したことになる。
一般にアライメントはマスクとウニへの７ライメントパ
ターンを７ライメント観察光学系により同時観察して行
なう為、マスクとウニへの７ライメントパターン祉その
形状を異にするＯ 従来１アライメントが完了し、而る後に露光をかけた場
合、マスクの実素子パターンがウニ／％に転写されるが
、これと同時にマスクのアライメントパターンが対向す
るウニへのアライメントパターン上に転写され、このウ
ェハの７ライメントパタ−７は以後のアライメントパタ
ーンとして用いることができなかった。
ターンを７ライメント観察光学系により同時観察して行
なう為、マスクとウニへの７ライメントパターン祉その
形状を異にするＯ 従来１アライメントが完了し、而る後に露光をかけた場
合、マスクの実素子パターンがウニ／％に転写されるが
、これと同時にマスクのアライメントパターンが対向す
るウニへのアライメントパターン上に転写され、このウ
ェハの７ライメントパタ−７は以後のアライメントパタ
ーンとして用いることができなかった。
このため九従来、必要数だけをウェハにアライメントパ
ターンを設は順次アライメント行程毎に、ウェハの使用
済みの７ライメントパターンをＩしていく方法が取られ
ていた。
ターンを設は順次アライメント行程毎に、ウェハの使用
済みの７ライメントパターンをＩしていく方法が取られ
ていた。
しかしこの方法は次に述べる欠点をもっている。
まず多数の７ライメントパターンのために本来の回路パ
ターン（実素子パターン）が専有すべき面積が減ってし
ま５ことである。
ターン（実素子パターン）が専有すべき面積が減ってし
ま５ことである。
また他の欠点社複数個のアライメントパターンの相互位
置誤差がアライメント精度を低下させることである。
置誤差がアライメント精度を低下させることである。
すなわち１工程目において以後のすべての７ライメント
パターンをウェハ上に作り込む場合に祉そのアライメン
トパターン相互間誤差が２工目以後の各工程相互の７ラ
イメンＦ精度劣化の原因になるし、ある工程で次の工程
の７ライメントパターンをウェハ上に作り込む場合には
その工程で使用するマスクの実素子パターンと次工程の
ためマスクに用意されたウェハに転写すべきアライメン
トパターンの相互位置誤差が問題となる。
パターンをウェハ上に作り込む場合に祉そのアライメン
トパターン相互間誤差が２工目以後の各工程相互の７ラ
イメンＦ精度劣化の原因になるし、ある工程で次の工程
の７ライメントパターンをウェハ上に作り込む場合には
その工程で使用するマスクの実素子パターンと次工程の
ためマスクに用意されたウェハに転写すべきアライメン
トパターンの相互位置誤差が問題となる。
如上の欠点を補う目的でウェハのアライメントパターン
を保護する手段が提案されている。
を保護する手段が提案されている。
その１つは特開昭５０−１９３６５号公報に知られるよ
うにクエへ若しく社マスクのアライメントパターン部を
部分的にマスキングして露光をかける方法である。この
場合ウェハの７ライメントパターン部蝶全く露光されな
いこととなる。
うにクエへ若しく社マスクのアライメントパターン部を
部分的にマスキングして露光をかける方法である。この
場合ウェハの７ライメントパターン部蝶全く露光されな
いこととなる。
他の１つは特開昭５０−５０８７３号公報に知られるよ
うに露光に先立ってアライメントパターンＰＩｂのみに
過剰な露光をする方法である。
うに露光に先立ってアライメントパターンＰＩｂのみに
過剰な露光をする方法である。
この２つの方法において社感光材料（レジスト）力０
がポジ型かネ智型かで形部を異にするが、いずれにして
も現像した結果として、ウエノ・のアライメントパター
ン周辺にマスクのアライメントパターンは焼きつけられ
ず、以後のアライメント行程において、再びそのウニへ
のアライメントパターンを使用することができる。
も現像した結果として、ウエノ・のアライメントパター
ン周辺にマスクのアライメントパターンは焼きつけられ
ず、以後のアライメント行程において、再びそのウニへ
のアライメントパターンを使用することができる。
しかしこれら２方法について前者のマスキング法におい
てはマスキング機構が必要になること、マスキング部材
を出入りさせるために時間をロスするという欠点、また
後者の予備露光法においても過剰な露光をかけるための
機構が必要であり、そのための露光時間分の時間ロスが
生ずるという欠点がある。
てはマスキング機構が必要になること、マスキング部材
を出入りさせるために時間をロスするという欠点、また
後者の予備露光法においても過剰な露光をかけるための
機構が必要であり、そのための露光時間分の時間ロスが
生ずるという欠点がある。
本発明は如上の欠点を解消し、アライメントパターンの
数を最小限の１個に留め、マスキングあるい社予備露光
といった付加的機構と時間の０べ生産性の低下）を供５
手法を用いずに、ウニＩ・のアライメントパターンの保
護を図ったマスクアライナ−用マスク及びこれを用いた
１スクアライナーを提供することを目的とする。
数を最小限の１個に留め、マスキングあるい社予備露光
といった付加的機構と時間の０べ生産性の低下）を供５
手法を用いずに、ウニＩ・のアライメントパターンの保
護を図ったマスクアライナ−用マスク及びこれを用いた
１スクアライナーを提供することを目的とする。
この目的社マスクアライナ−に用いられるレジスト性能
、投影光学系の性能等より定まる顕画限界線幅Ｗ・すな
わちウニＩ・に転写される最小線幅より細い線幅でマ′
スクの７ライメントパターンを構成するととによって達
成される。
、投影光学系の性能等より定まる顕画限界線幅Ｗ・すな
わちウニＩ・に転写される最小線幅より細い線幅でマ′
スクの７ライメントパターンを構成するととによって達
成される。
すなわち等倍系のマスクアライナ−では顕画限界線幅Ｗ
・より細い線幅の７ライメントパターンを、また縮小比
賜りマスクアライナ−ではＷ・／畷より細い線幅の７ラ
イメントマークをマスク上に設けることによって達成さ
れる。
・より細い線幅の７ライメントパターンを、また縮小比
賜りマスクアライナ−ではＷ・／畷より細い線幅の７ラ
イメントマークをマスク上に設けることによって達成さ
れる。
以下、添付する図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図社グロキシミテイタイプのアライナ−あるいはグ
ロジエクシ目ンタイプのアライナ−におけるマスク１上
のアライメントパターンをウニ／％ ２上に焼きつける
状況の説明−である。マスク１には顕画限界線幅Ｗ・よ
り太い線幅りを有する実素子パターン３と、顕画限界線
幅Ｗ・より細い線幅ｌを有するアライメントパターン４
とがあり、これに露光光５が照射される。第２図はクエ
／Ｓ面上の照度ｌの分布を示す。
ロジエクシ目ンタイプのアライナ−におけるマスク１上
のアライメントパターンをウニ／％ ２上に焼きつける
状況の説明−である。マスク１には顕画限界線幅Ｗ・よ
り太い線幅りを有する実素子パターン３と、顕画限界線
幅Ｗ・より細い線幅ｌを有するアライメントパターン４
とがあり、これに露光光５が照射される。第２図はクエ
／Ｓ面上の照度ｌの分布を示す。
６．６′に示すような完全にコントラストカ一つ慟照匿
分布が形成されることが幾例光学的に考えられるが、グ
ロキシミテイ法、あるいはグロジエクシロン法による焼
付方式において＃−ｉ微細パターンからの回折光の影響
で、７．７’に示すような照度分布が形成される。すな
わち線幅が小さくなるにつれ回折による暗部への光のま
わシ込みが生じて波動光学的な照度分布となる。
分布が形成されることが幾例光学的に考えられるが、グ
ロキシミテイ法、あるいはグロジエクシロン法による焼
付方式において＃−ｉ微細パターンからの回折光の影響
で、７．７’に示すような照度分布が形成される。すな
わち線幅が小さくなるにつれ回折による暗部への光のま
わシ込みが生じて波動光学的な照度分布となる。
ところでウェハ２ｔＣマスク１の実素子パターン６を形
成する場合、パターン線幅と同一の線幅を有するレジス
ト像を再現するのが一般的であり、このため露光量を露
光時間電によって制御する。第３図社露光時間電を変え
たときの露光量ＩＸｔの分布を示す。
成する場合、パターン線幅と同一の線幅を有するレジス
ト像を再現するのが一般的であり、このため露光量を露
光時間電によって制御する。第３図社露光時間電を変え
たときの露光量ＩＸｔの分布を示す。
なおｓｔｉレジスト感度を示す。
！３図は露光量分布８で線露光アンダーでありこ光オー
バーとなり、レジスト線幅はマスク上の実素子パターン
３の線幅りより細くなる。
バーとなり、レジスト線幅はマスク上の実素子パターン
３の線幅りより細くなる。
シスト儂が再現される。
一方、マスク１のアライメントパターン４は顕画限界線
幅Ｗ・より細い線幅！より成り、これに相当するレジス
ト像はレジスト感度Ｓを超える霧光が与えられるため、
形成されないこととなる。
幅Ｗ・より細い線幅！より成り、これに相当するレジス
ト像はレジスト感度Ｓを超える霧光が与えられるため、
形成されないこととなる。
以上、実素子パターンに対する適正Ｘ光量では顕画化さ
れない線幅をもって７ライメントパターンを構成するこ
と具体的Ｋｔ！実素子パターンの臆幅ＬＫ対し１アライ
メｙ ） Ａターンの一幅をｌとすることを等倍系すな
わちグロキシミティ法あるいｔｉｌｔｊｌのプロジェク
タ１ン法として説明したが縮小比寓のプロジェクシッン
法においても実素子パターン線幅″！に対し、アライメ
ントパターン罵 ！ の線幅を；とすることにより同様に適用できる。
れない線幅をもって７ライメントパターンを構成するこ
と具体的Ｋｔ！実素子パターンの臆幅ＬＫ対し１アライ
メｙ ） Ａターンの一幅をｌとすることを等倍系すな
わちグロキシミティ法あるいｔｉｌｔｊｌのプロジェク
タ１ン法として説明したが縮小比寓のプロジェクシッン
法においても実素子パターン線幅″！に対し、アライメ
ントパターン罵 ！ の線幅を；とすることにより同様に適用できる。
ところで実際の使用にあたって、ｉスフパターン線幅Ｗ
・の１／２程度であれば十分である。
・の１／２程度であれば十分である。
なおマスクとウェハとの７ライメントのための観察光学
系若しくは検知光学系を有するマスクアライナ−におい
て、マスクのアライメントパターン線幅社ウェハに転写
されない線幅であって、些察若しく蝶検知光学系によっ
て解像可能であることが必要となる。
系若しくは検知光学系を有するマスクアライナ−におい
て、マスクのアライメントパターン線幅社ウェハに転写
されない線幅であって、些察若しく蝶検知光学系によっ
て解像可能であることが必要となる。
また、本発明を用いたアライナ−において露光光として
紫外光、遠紫外光を用いる他、Ｘ＠等を用いることもで
きる。
紫外光、遠紫外光を用いる他、Ｘ＠等を用いることもで
きる。
なお本発明社、マスクの７ライメントパターンをウェハ
に転写させないとして説明してきたが、マスクの実素子
パターンの所足箇所をウェハに転写させないような特殊
な用途にも該箇所に和尚するパターン線幅を顕画限界線
幅Ｗｅよシ細くするととＫよって適用できる。
に転写させないとして説明してきたが、マスクの実素子
パターンの所足箇所をウェハに転写させないような特殊
な用途にも該箇所に和尚するパターン線幅を顕画限界線
幅Ｗｅよシ細くするととＫよって適用できる。
以上、本発明を用いれば、付加的機能を追加することな
く時間的なロスも無しに単一のウェハアライメントパタ
ーンを用いてすべてのフォト行程でのアライメントが可
能となり非常に有用である。
く時間的なロスも無しに単一のウェハアライメントパタ
ーンを用いてすべてのフォト行程でのアライメントが可
能となり非常に有用である。
第１図はマスクパターンをウェハに焼き付ける概念図、
第２図はウェハ面上の照度分布の図、
Ｗ、３図は露光時間を変えたときの露光量分布の図、
回申
１はマスク
２＃′ｉウエハ
６は実素子國パターンの線部
４はアライメントパターンの線部
５は露光光
６．６′は幾何光学的な照度分布
７．７′は回折の影譬を受けた照度分布８．９．１０は
各々露光アンダー、露光適正９ｗＬ光オーバーの露光量
分布 Ｓはレジスト感度である。 出願人 キャノン株式会社
各々露光アンダー、露光適正９ｗＬ光オーバーの露光量
分布 Ｓはレジスト感度である。 出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌウェハに転写されない１１幅のパターンを有すること
を特徴とするマスクアライナ−用マスク。 ２ウエハに転写されない線幅のパターンを有するマスク
と、 該パターンを解像できるアライメント観察若しく拉検知
光学系とを有することを特徴とするマスクアライナ−０
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203339A JPS58102939A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ− |
| DE19823246305 DE3246305A1 (de) | 1981-12-15 | 1982-12-14 | Maskenausrichtvorrichtung |
| GB08235711A GB2123980B (en) | 1981-12-15 | 1982-12-15 | Aligning photomask with wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203339A JPS58102939A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102939A true JPS58102939A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16472377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203339A Pending JPS58102939A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ− |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102939A (ja) |
| DE (1) | DE3246305A1 (ja) |
| GB (1) | GB2123980B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63304257A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-12 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | リソグラフイ方法 |
| US5371053A (en) * | 1993-05-18 | 1994-12-06 | Exxon Chemical Patents Inc. | Process for deactivating Ziegler-Natta and metallocene catalysts |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920004910B1 (ko) * | 1988-09-16 | 1992-06-22 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 최소 접속창 형성방법 |
| JP3371852B2 (ja) | 1999-07-09 | 2003-01-27 | 日本電気株式会社 | レチクル |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1193297A (en) * | 1966-07-01 | 1970-05-28 | Telefunken Patent | Device for the Fine Adjustment of Photomasks with respect to Semiconductor Elements |
| GB1275672A (en) * | 1969-02-28 | 1972-05-24 | Rank Organisation Ltd | Improvements in or relating to copying apparatus and methods of copying |
| GB1391270A (en) * | 1971-12-08 | 1975-04-16 | Rank Organisation Ltd | Photolithography |
| DE2539206A1 (de) * | 1975-09-03 | 1977-03-17 | Siemens Ag | Verfahren zur automatischen justierung von halbleiterscheiben |
| DE2708674C3 (de) * | 1977-02-28 | 1980-07-24 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Justieren einer Belichtungsmaske relativ zu einer Substratscheibe bei der Fotolithografie |
| US4200395A (en) * | 1977-05-03 | 1980-04-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Alignment of diffraction gratings |
| DE2845603C2 (de) * | 1978-10-19 | 1982-12-09 | Censor Patent- und Versuchs-Anstalt, 9490 Vaduz | Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP56203339A patent/JPS58102939A/ja active Pending
-
1982
- 1982-12-14 DE DE19823246305 patent/DE3246305A1/de not_active Ceased
- 1982-12-15 GB GB08235711A patent/GB2123980B/en not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63304257A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-12 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | リソグラフイ方法 |
| JPH0151825B2 (ja) * | 1987-06-01 | 1989-11-06 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| US5371053A (en) * | 1993-05-18 | 1994-12-06 | Exxon Chemical Patents Inc. | Process for deactivating Ziegler-Natta and metallocene catalysts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2123980A (en) | 1984-02-08 |
| GB2123980B (en) | 1986-09-17 |
| DE3246305A1 (de) | 1983-06-23 |
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