JPS63304257A - リソグラフイ方法 - Google Patents

リソグラフイ方法

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JPS63304257A
JPS63304257A JP63095824A JP9582488A JPS63304257A JP S63304257 A JPS63304257 A JP S63304257A JP 63095824 A JP63095824 A JP 63095824A JP 9582488 A JP9582488 A JP 9582488A JP S63304257 A JPS63304257 A JP S63304257A
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    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、イメージ品質の向上したりソグラフィ・プロ
セスに関するものである。具体的に言うと、本発明は、
リソグラフィ・プロセス自体によって生じるイメージの
劣化の少なくとも一部を補償する領域をもたらすリソグ
ラフィ・マスクに関するものである。本発明にもとづく
リソグラフィ・マスクは、化学線露光域の透過率を制御
するための解像度以下のハーフトーンがマスク・パター
ン内部に組み込まれている。
Ｂ、従来技術 集積回路チップを含む集積回路の製造において、最も重
要で決定的なステップの１つは、所期の回路パターンを
設けるためのリソグラフィ処理である。
たとえば、リソグラフィ・プロセスは、結像レンズを用
いてフォトリソグラフィ・マスクからフォトレジスト被
覆にパターンを転写するために、紫外線などの化学線を
用いることを含んでいる。マスクは、所期のまたは所定
のパターンのレジスト被覆の開口の形状と一致するよう
な不透明領域と透明領域を含んでいる。
ポジティブ・レジスト被覆の場合、マスクの透明な部分
が、レジスト被覆に設けるべき所期のパターンまたはイ
メージに対応する。フォトレジスト被覆がネガティブ・
レジストの場合は、マスクの不透明な部分または領域が
フォトレジスト被覆に設けるべき後の開口領域に対応す
る。
Ｃ０発明が解決しようとする課題 しかし、所期のパターンの微細形状の寸法が、使用する
フォトリソグラフィ装置の解像度に近づくにつれて、現
像される領域の輪郭が所期の理想的パターンの輪郭から
大幅にずれていく。このパターンからの偏差または誤差
は、パターンに依存することが多（、シたがって現像手
順の全体的変更によって矯正することが難しい。こうし
た問題は、たとえばリン（Ｌｆｎ）の米国特許第４４５
８３７１号で考察されている。
０１課題を解決するための手段 本発明は、改良されたフォトリソグラフィおよび改良さ
れたイメージ品質を提供する。具体的に言うと、本発明
は、フォトリソグラフィ・プロセスによって生じるイメ
ージの劣化をほぼ補償する。
本発明は、フォトリソグラフィφプロセス中のパターン
に依存する誤差の矯正に関するものである。
具体的゛には、本発明によれば、ハーフトーンを含むマ
スクの使用によって改良されたフォトリソグラフィ・プ
ロセスが得られる。フォトリソグラフィ・マスクのハー
フトーン領域により、フォトリソグラフィ・プロセス自
体によって生じるイメージの劣化が補償できる。ハーフ
トーン領域は、不透明なまたは透明な解像度以下の要素
の配列から形成される。
具体的には、本発明は、イメージ品質が向上したリソグ
ラフィ・プロセスに関するものである。
このプロセスは、化学線を受ける区域を画定するための
フォトリソグラフィ・マスクのイメージを受は取る部材
を位置決めすることを含んでいる。
この部材は、マスクに隣接させても、またマスクと部材
の間にレンズを置いてマスクから約５００飄履あるいは
それ以上の所定の距離だけ離してもよい。フォトリソグ
ラフィ・マスクは、それぞれ結像に使用するフォトリソ
グラフィの解像度よりも小さな、複数の不透明要素また
は透明要素または半透明要素を含んでいる。こうした不
透明要素または透明要素は、化学線露光域の透過率を制
御する。どのタイプのハーフトーンを用いるか（たとえ
ば透明が不透明か）は、マスクの書込み時間（すなわち
ハーフトーンの数）と最小寸法の製造の難しさくすなわ
ち極性−レシストがネガティブかポジティブか）の間の
実際的なトレードオツによって決まる。
Ｅ、実施例 本発明は、ハーフトーンを含むマスクの使用によって改
良されたフォトリソグラフィを得ることに関するもので
ある。
本発明にもとづいて使用するフォトリソグラフィ・マス
ク中に存在するハーフトーン領域は、フォトリソグラフ
ィ・プロセス自体によって生じるイメージの劣化をほぼ
補償する。
ハーフトーン領域は、幾何形状に依存する劣化を含む露
光およびパターンを矯正する手段となる。
具体的には、使用するフォトリソグラフィの解像度より
も小さな不透明要素または透明要素がフォトリソグラフ
ィ・マスク中に存在するので、対応するマスク開口また
−はその一部分の透過率を調節することにより、化学線
に対する露光を捕正することができる。具体的には、使
用するフォトリソグラフィの解像度より小さな不透明要
素を使用するとき、これらの不透明要素は個別には再生
されず、単に形状の露光量を減少させるだけとなる。
これに対応して、使用するフォトリソグラフィの解像度
よりも小さな不透明要素をマスク被覆から選択的に削除
することにより、通常なら不透明なマスク・パターンに
有限の透過率を導入することができる。
第２図には、２つの対象物を含む従来のフォトリソグラ
フィ用マスクを示す。黒色域（１）はマスクの不透明区
域を表わし、白色域（２）はマスクの透明部分を表わす
。この　マスクは、倍率が約１０倍である。点を打った
円（３）は、ここに示した特定の例の凡そのリソグラフ
ィ解像度を示す。
第１図は、本発明にもとづくハーフトーン・マスクを表
わしたもので、その黒色部分（１）はマスクの不透明部
分を表わし、白色部分（２）はマスクの透明部分、黒色
部分（４）は使用するフォトリソグラフィの解像度より
も小さな不透明部分を表わす。点を打った円（３）は、
この例の凡そのりソグラフィ解像度を示す。
第３Ａ図ないし第３Ｄ図に示した通り、全体的な微細形
状の露光の調節により、フォトリソグラフィ・イメージ
の品質が大幅に改善される。
具体的に言うと、図に示した特定のフォトリソグラフィ
では、マスクとウェハの間にウェハをレンズの像側にし
て、回折制限（ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ１ｉｏ＋１ｔｅ
ｄ）　　レンズを使った、３／４ミクロンの光学フォト
リソグラフィが使われている。レンズの開口数（ＮＡ　
（ウェハ））は約０．２８．波長は約４３　Ｅ３ｎｍ、
縮小率は約１／１０、ひとみ充填比（ｐｕｐｉｌ　ｆｉ
ｌｌｉｎｇ　ｒａｔｉｏ）　　σは約０．７である。
この系の大体の解像度はｒ（マスク）＝１０Ｘｒ（ウェ
ハ）＝１０Ｘ　（０，６λ／ＮＡ（ウェハ））エフ。８
ミクロンである。第２図に示したような所期のパターン
は、７．５ミクロン平方の開口（フンタクト・ホール）
と７．５Ｘ２５ミクロンの長方形開口（線）の２つの対
象物からなる。対応するウェハ平面寸法は、約１／ｌＯ
に縮小される。
この例では、レンズの解像度Ｖ（マスク）（第１図およ
び第２図に点線の円（３）で示す）は、７．５ミクロン
という微細形状の最小寸法と同程度である。解像度が限
られているため、両方の微細形状に対する露光寛容度の
鮮明さが失われる。
また、実際にマスクの下にあるウェハまで透過する露光
強度が低下する。さらに、コンタクト・ホールの形状が
両方の寸法で解像度限界に近づくことに留意されたい。
そのため、コンタクト・ホールの露出が、従来のマスク
を使ったときの線の露出よりも低くなる。
第３Ａ図および第８Ｂ図は、従来のマスクを用いて第２
図からプリントしたイメージを示したものである。ロー
ゼンブルート（Ｒｏｓｅｎｂｌｕｔｈ）等が”シミュレ
ート投映イメージを使ったサブミクロン級光学リソグラ
フィの臨界検査（＾ＣｒｉｔｉｃａｌＥｘａｍｉｎａｔ
ｉｏｎ　　ｏｆ　　Ｓｕｂ−ｍｉｃｒｏｎ　　Ｏｐｔｉ
ｃａｌＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｕｓｉｎｇ　Ｓｉｍｕ
ｌａｔｅｄ　ＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＩｍａｇｅｓ　″　
）　　ｓ　　Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｖａｃｕｕｍ
　　ＳｃｉｅｎｃｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）　Ｂ　１　
（４）、１９８３年、１１９０ページで論じているよう
な、部分コヒーレント・レンズ系で投映したイメージの
コンピュータ・シミュレーションを用いて、各プリント
回路の輪郭を計算する。コンタクト・ホールの直径が所
期の０．７５ミクロンになるのに充分なだけレジストを
現像すると、臨界の０．７５ミクロンの寸法で線が約３
５％現像され過ぎる。一方、従来のマスクを用いて、線
を正しい幅に現像すると、第３Ｂ図に示すように、露出
が低いためコンタクト・ホールの露出不足またはプリン
ト不足となる。
第３Ｃ図および第３Ｄ図は、第１図に示したような本発
明のハーフトーン・マスクを用いて得られるイメージの
シミュレータ１ンを示したものである。１／１０倍マス
クの開口が、ｏ、ｓｘｏ。
８ミクロンの解像度未溝の画素に分割されている。
線の画素は８個のうち５個が不透明であり、コンタクト
・ホールの場合は４個が不透明である。第３Ｃ図および
第３Ｄ図は、どちらか一方の微細形状を正しい幅に現像
したとき、もう一方の微細形状にほとんど誤差が生じな
いことを示している。
たとえば、線用開口のオーブン・ハーフトーンの割合を
小さくすると、線イメージの露出がコンタクト・ホール
の露出と一致するように低下する。
この露出補正は、請出時間の増加によって得られる。
不透明ハーフトーンは、標準の製造工程を用いてマスク
上に生成でき、使用するフォトリソグラフィの解像度は
、後のフォトリソグラフィでマスクを使って所期のパー
タンを現像するときに使う解像度より大きい。しかし、
通常、現況技術のリソグラフィを用いるとき、マスクを
作成するのに必要な解像度は、必ずしもウェハにプリン
トするときに用いる解像度よりも細かくはない。マスク
がたとえば約１７５ないし１７１０倍に縮小されるため
である。たとえば、透明なガラス基板に約５００人のた
とえばクロムの層を載せ、次にフォトレジスト材料の層
を載せてハーフトーン・マスクを作成することができる
。次にフォトレジストを現像して所期のハーフトーン・
パターンを得、フォトレジストの下のクロムをエツチン
グで除去する。次いで残ったフォトレジストを除去する
。
さらに、マスク中にハーフトーン画素を作成することが
でき、後でそれらの画素を縮小ステッパなどのリソグラ
フィ手段で縮小する。２次元マスク・パターンをフーリ
エ変換する場合、こうした縮小光学系はｒ（マスク）＝
０．５Ｍλ／ＮＡ（ウェハ）より細かい周期をもつ空間
周波数を再生しない。ただし、Ｍは拡大率である。しか
しハーフトーン要素が充分に小さくはない場合、解像可
能な空間周波数で大きなフーリエ成分を生成し、したが
ってイメージ中に容認できないノイズが入る。たとえば
、希望するなら１．ハーフトーンを格子状のパターンに
配列することができる。格子中の空間周波数は、使用す
るフォトリソグラフィ装置のイメージング帯域幅の外側
にくるように選定しなければならない。理想としては、
線形または双線形（ｂｉｌｉｎｅａｒ）縮小光学系で投
射したイメージは、グレイ・レベルのＤＣ成分のみから
なる。
しかし、補正されたマスクは、未補正パターンと高周波
数の格子との積から構成される。具体的に言うと、第４
Ａ図に示すように、非線形の積によって生じる低周波数
のハーモニツクスからノイズが生じる。このノイズは、
微細形状の近傍に局在し、実際にイメージの位置の小さ
なずれによって生じる強度変化と同等である。イメージ
のずれによる残留ノイズまたは強度変化は、未補正の光
学的近接効果に比べて小さくすることができ、微細形状
の最小寸法がフォトリソグラフィ・ツールで使用される
レンズの解像度に近づく場合にはとくにそうである。そ
うした場合、ハーフトーン画素はレンズの解像度に比べ
て小さくなる。
第４Ａ図は、ハーフトーンの格子状配列に含まれる空間
周波数のスペクトルを示したものである。
帯域が制限された光学系は、中央のＤＣハーモニツクス
のみを捕捉し、次いで所期の均一なイメージの露光を生
じる。第４Ｂ図は、２進リングラフイ・パターンの帯域
が制限できない、未補正のマスク・パターンのスペクト
ルを示したものである。一方、第４Ｃ図は、第４Ａ図と
第４Ｂ図のたたみ込みからなる補正マスクのスペクトル
を示している。第４Ｃ図を第４Ｂ図と比較すると、解像
可能な周波数でパターン中に誤差成分が含まれているこ
とがわかる。
本発明およびハーフトーンを用いて、相異なるパターン
の露出を等しくすることもできるだけでなく、本発明に
もとづくマスク構造を設けて、パターン自体の内部で均
一な補正を行なうことができる。たとえば、有効グレイ
・レベルを個々のマスク開口内部で変化させて、個々の
マスクの隅部および縁部で有効透過率を高めることがで
きる。
こうすると、イメージの品質をさらに全体的に向上させ
ることが可能になる。一 本発明の技術は、上記に詳しく説明したハーフトーン・
マスクの作成に使われる２進マスク作成工程で使用でき
るだけでなく、より一般的なマスクのクラス（たとえば
、負または虚数の透過率をもつマスク）を作成するため
のレーベンソン位相層法などのより精巧なマスク作成工
程と一緒に使用することもできる。この位相層性は、レ
ーベンソン（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ　）等の論文”位相シフ
ト・マスクを用いた改良された解像度とフォトリソグラ
フィ（Ｉ鳳ｐｒｏｖｅｄ　　Ｒｅ５ｏｌａｔｉｏｎ　　
ａｎｄ　　Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｗｉｔｈ
　ａ　Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ　Ｍａｓｋ）　”
　、ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　ｏｎ　Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ　ＤｅｖｉｃｅｓｌＥ　Ｄ　−２９Ｎ１９８２
年、１８２８ページに開示されている。
たとえば、その第５図を参照のこと。この技法は、４つ
の基本振幅を重ね合わせて、複素平面内で任意の振幅を
合成することができる。たとえば、マスク中の各解像度
要素に対して任意の正味複素透過率を定義するのに、４
種の異なるハーフトーン要素があれば充分である。たと
えば、この４つの要素は、光学的厚さが１７３波長の透
明な被覆をもつ画素（１１）　、厚さが２／３波長の被
覆をもつ画素（１２）、未被覆画素（１３）および未被
覆の基板上の不透明な画素（１４）を含むことができる
。第５図で、番号１３は未被覆の基板を表わす。その領
域が１画素を表わす。未被覆の領域は白で示しである。
得られるマスクの位相透過率と振幅透過率は、レンズの
解像度の範囲内で任意に空間的に変化させることができ
る。こうしたマスクは、２次元の光学的物体の最も一般
的なりラスを形成する。したがって、リソグラフィ工程
での品質低下を最も完全に補正するようなマスク・パタ
ーンを選ぶことができる。
第５図は、有効マスク透過率がｙ方向では変化するがＸ
方向では変化しないハーフトーンを含むマスクの概略図
である。Ｘ方向の各ストリップの正味振幅透過率Ｔ　（
ｙ）をグラフにＸで示す。図に示した負の透過率は、不
透明ハーフトーンだけでは得ることができない。位相ハ
ーフトーンを使うと、一般的複素透過率が可能になる。
さらに、本発明によれば、最大許容要素寸法とその判定
基準を決定する方法が提供される。
マスク開口内にハーフトーン要素を配置するための単純
な方式は、ハーフトーンの存在可能部位を確率ｐでラン
ダムに充填するものである（ｐは減衰率）。その場合、
有限の画素寸法ではイメージがランダムなシロット・ノ
イズを含むことになる。信号対雑音比は、大体レンズの
１解像度要素内のハーフトーン微細形状の数の平方根と
なる。
各チップに多数の解像度要素が含まれる場合、まれに起
こる異常な大きさのノイズの揺らぎを排除するように、
名目上ランダムな配置手順を修正すべきである。
もう一つのより好ましい手法は、ハーフトーン要素を２
次元格子中で系統的に配列するものである。
パターンの縁部付近での強度誤差は、下記の程度のピー
クをもつ。
ただし、ａ（マスク）　＝Ｍａ　（ウェハ）は１個のハ
ーフトーン要素の寸法、Ｍは拡大率、ｒ（マスク）＝Ｍ
ｒ（ウェハ）は解像度（この場合０．５λ／ＮＡと定義
）、Ｉｏは大きな物体のイメージ内部の強度として定義
される基本露光レベルである。
補正を加えない場合、臨界寸法がｄの微細形状相互間の
相互作用の程度は、下記の程度となる。
式２は、ある微細形状の幾何的境界の外ｄの距離での残
留レンズ応答と考えることができる。一方、式１は基本
的に幅がａの解像度未満の微細形状に対するピーク・レ
ンズ応答である。したがって、（ｄとｒ（ウェハ）が同
程度の場合）ａ（マスク）がｒ（マスク）に比べて小さ
いとき、式１は式２よりもかなり小さくなる。
式１で表わされる増分は、ランダムに分散されたハーフ
トーン微細形状の場合のような揺らぎを示さない。さら
に、式１はハーフトーン格子によって導入される誤差の
上限を表わしている。
真のグレイ・レベルを含むマスクの代わりにハーフトー
ン・マスクを使ったときに導入される誤差を推定するた
め、半年面を非コヒーレント照明で結像させる単純な１
次元の場合を考える。領域ＸくＯは不透明とみなされ、
領域ｘ＞Ｏは透過率が５０％の連続膜またはピッチが２
ａの等線間隔格子とみなされる。
こうした条件のもとでは、グツドマン （Ｇｏｏｄｍａｎ　）が”フーリエ光学入門（Ｉｎｔｒ
ｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｆｏｕｒｉｅｒ　０ｐｔｉｃ
ｓ）″１マグローヒル社、１９８８年、第８章で論じて
いるように、イメージ強度は次式で与えられる。
［３］　Ｉ　（ｘ＋）＝　Ｉｏ　ｆ″ｄｘｏ　ｈ　（Ｘ
＋　−Ｘｏ）　ｇ　（Ｘｏ）ただし、ｇ（Ｘ。）はマス
クの透過率であり、非コヒーレントな１次元結像である
と仮定して、強度応答関数は次式で与えられるものとす
る。
真のグレイ・レベルのイメージとハーフトーンを用いて
得られるイメージの強度の差は次のようになる。
これから上記の式１が得られる。弐〇では、各画素内で
２項のティラー展開でｈが近似できるほど、ハーフトー
ン画素が小さいものと仮定している。
上記の手法が、照明が部分的にコヒーレントでありうる
一般の２次元の計算の基礎となる。任意の形のマスク開
口を充填する一般の２次元ハーフトーン格子が解析でき
る。
単一の点光源からハーフトーン物体を通って投射される
イメージの振幅は、ホルン（Ｂｏｒｎ　）等が”光学の
原理（Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ　ｏｆ　０ｐｔｉｃｓ）　
’″、第５版、バーガモン社、オックスフォード、１９
８５年第１０章で論じているように、下記のようになる
。
［８コ 開口領域 ただし、Ｓ　（Ｘ、）はＸｓでの点光源の強さ、ｈ（ｘ
＋）は振幅パルス応答、Ｐ　（Ｘｏ；　Ｘｊは１個の点
光源による対象平面を照射する振幅、ｇ（ＸＯ）は上記
と同様に周期的ハーフトーン透過率関数である。ハーフ
トーン格子の第ｊ周期の透過率関数を下記のように置く
。
［９コ　ｇ　　（ｘｏ）”６ｇ　（△ｘｏ）＋ｇただし
、 ［１０コ△Ｘ０ＥｉＸＯＸＯＪ かつ ／ｄＡｏ　ｇ　（マ０） 周期 かつ、式１０のＸＯＪは次式で暗示的に定義される。
［１２］　　　　　ｆｄＡｏΔマ。＝０周期 （すなわち、ｘｏはｊ番目のハーフトーン周期の幾何学
的中心である。） ハーフトーン周期は、各周期内の像側および光源側で２
項のティラー展開が可能なほど小さいと仮定する。次に
式８の積分変数をＸＯからＸ。ｊに変えると、 ［ｈ　（Ｘ　＋−譬。Ｊ）ｐ（ｘ。ｊ；ｘ−）＋Δｘｏ
・（ｈ（ｘ＋−ｘｏｊ）ｐ（ｉ−にＭ−））］ これから、（式９と１２を使って、ハーフトーン項全体
について積分し、得られるｈ項とｐ項の和を積分で近似
すると）、次式が得られる。
［１４］ ｖ（ｘ＋　；；ｓ）＝ｇＳ（ｘ’ｓ）　［ｆ　ｄＡｏｈ
（ｘ＋−ｘｏ）ｐ（：；ｏ＋ｘｓ）・開口領域 ｆｄＡｏΔ％Ｏｇ（曹 ｄ、が開口の縁部に沿った方向の微分ベクトルであり、
２が対象平面に垂直な向きである場合、グラッドシュト
リン（Ｇｒａｄｓｈｔｌｙｎ　）他が”積分表（Ｔａｂ
ｌｅｓ　ｏｆ　　Ｉｎｔｅｇｒａｌｓ）　　ｓ　５ｅｒ
ｉｅｓ　　１　ａｎｄＰｒｏｄｕｃｔｓ　ａｎｄ　Ｊｅ
ｆｆｒｅｙ１アカデミツク・プレス１１９８０年、＃１
０．７２３．１０９１ページで論じているような、スト
ークスの定理の一変形を使うと、式１４は下記のように
なる。
開口縁 ただし、 ［１７コ　ｄｍ＝ｄｓＸｚ すなわち、ｄｍは開口縁部に垂直な向きの無限小ベクト
ルである。
最後に、積ｖｖ１を形成し、光源の点Ｘ、のすべてにわ
たって積分する。相互コヒーレンスの定義［１８］ 光源領域 を使い、透過率がｇｇ＊の真の連続トーン膜に対応する
イメージ強度を差し引くと、次式が得られる。
［１９コ ｈ”　（ｘ＋−；ｏ）μ（ｘｏ−ｘ６）μ（ムーれ）］ 式１９は、真の連続トーン膜イメージからの外れが、連
続トーン膜イメージ自体と微細形状の境界をたどるスリ
ット様開口によって漂過される振幅と等価な振幅という
２つの光源間の干渉と考えることができることを示して
いる。このスリットの幅は基本的に＜ｒ＞で、１ハーフ
トーンの幅程度である。上記の側のように、これは、残
留誤差が未補正の近接効果に比べて小さいことを示唆す
るものである。
同じことであるが、このハーフトーン開口を、位置が距
離＜ｒ＞だけずれた連続トーン膜開口とみなすこともで
きる。というのは、こうしたずれによって、式１６の場
合と同じ縁部様の寄与分だけ透過振幅が変化するからで
ある。開口が周期の整数倍でないときも同様の寄与が生
じる。
より一般的な非周期的ハーフトーン物体も同様に、小さ
な内部変形を受けた可変透過率の物体とみなすことがで
きる。非周期的な場合、変形は不均一である。
同様に、イメージを受ける部材が間にレンズを置かずに
マスクの近傍に置かれている場合に、解像度未満の要素
の分布を決定することができる。
この場合、ｈ　（ｘ＋　−ｘｏ）　゛を次式で置き換え
る。
ただし、λは化学線の波長、２はマスクと部材の間の距
離である。この関数ｈ　（ｘ＋−ｘｏ）の詳細およびそ
れより優れた関数の詳細については、Ｌ　ｉ　ｎ　）Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　ａｎｄ　５ｃ
ｉｅｎｃｅ１Ｖｏ１．１４．１９７５年、１３１７ペー
ジ、およびＪ、ｏｐｔ、Ｓｏｃ、Ａｍ、　、Ｖｏｌ、６
２．１９７１−１９７７ページに出ている。したがって
、近接プリントの場合の解像度未満の要素の寸法は１、
昌Ｚｌ／２より小さくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明にもとづくハーフトーン・マスクの概
略図である。 第２図は、２個の物体を含む従来のマスクの約１０倍の
概略図である。 第３Ａ図および第３Ｂ図は、第２図の従来のマスクで作
成されるイメージを示す。 第３Ｃ図および第３Ｄ図は、第１図に示した本発明によ
るハーフトーン・マスクで作成されるイメージを示す。 第４Ａ図は、ハーフトーンの格子状配列に含まれる空間
周波数のスペクトルを示す。 ｌｌ４Ｂ図は、未補正のマスク・パターンのスペクトル
を示す。 第４Ｃ図は、補正マスクのスペクトルを示す。 第５図は、本発明にもとづく位相ハーフトーンを含むマ
スクの概略図である。 −２５−２０−１５−４０−５０５１０＋５　２０　２
５Ｘ（Ｐｍ） 第４図 −２５−２０−１５−１０−５０５１０＋５２０２５Ｘ
（／”ｍ） 第２図 Ｘ（Ｐｍ　） −２，５−２，−１，５−１，−，５０，５＋、　　１
．５２．２．５−２．５−２．−１．５−１．−．５　
０．５　＋、　　１．５２．２．５Ｘ（Ｐｍ） ２．５　２．１．５　　＋、　、５　０．５　＋、　１
．５２．　２．５Ｘ（Ｐｍ） ＮＡ　　　　　　　　ＮＡ 第４Ｃ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）リソグラフィ・マスクを部材に対して位置付け、
    上記リソグラフィ・マスクに光を照射することにより、
    上記部材に露光領域を形成するリソグラフィ方法におい
    て、 上記露光領域を形成するための上記リソグラフィ・マス
    クのパターンが、リソグラフィの分解能よりも小さな複
    数の透明要素および不透明要素を含むことを特徴とする
    リソグラフィ方法。
JP63095824A 1987-06-01 1988-04-20 リソグラフイ方法 Granted JPS63304257A (ja)

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CA (1) CA1285664C (ja)
DE (1) DE3854211T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH045656A (ja) * 1990-04-24 1992-01-09 Mitsubishi Electric Corp フォトマスク
US6632574B1 (en) 1998-07-06 2003-10-14 Canon Kabushiki Kaisha Mask having pattern areas whose transmission factors are different from each other
US6737198B2 (en) 1999-01-13 2004-05-18 Renesas Technology Corp. Photomask, fabrication method of photomask, and fabrication method of semiconductor integrated circuit
JP2007010845A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Toppan Printing Co Ltd 画素形成方法及びカラーフィルタ

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2710967B2 (ja) * 1988-11-22 1998-02-10 株式会社日立製作所 集積回路装置の製造方法
NL8903108A (nl) * 1989-12-20 1991-07-16 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze.
SE465899B (sv) * 1990-01-29 1991-11-11 Misomex Ab Utbraenningsram foer kopiering av en genomlyslig originalfilm
JP2634289B2 (ja) * 1990-04-18 1997-07-23 三菱電機株式会社 位相シフトマスクの修正方法
JP2892765B2 (ja) * 1990-04-27 1999-05-17 株式会社日立製作所 パターン構造を有する素子の製造方法
US5328807A (en) * 1990-06-11 1994-07-12 Hitichi, Ltd. Method of forming a pattern
JP3245882B2 (ja) * 1990-10-24 2002-01-15 株式会社日立製作所 パターン形成方法、および投影露光装置
JPH04242734A (ja) * 1990-12-28 1992-08-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 製版カメラの露光制御方法及び露光制御装置
KR960010023B1 (ko) * 1991-02-19 1996-07-25 후지쓰 가부시끼가이샤 투영노광(投影露光) 방법 및 투영노광용 광학 마스크
US5673102A (en) * 1991-02-22 1997-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity
US5305054A (en) 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices
US5208124A (en) * 1991-03-19 1993-05-04 Hewlett-Packard Company Method of making a mask for proximity effect correction in projection lithography
US5194344A (en) * 1991-03-26 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shift reticles including chemically mechanically planarizing
US5217830A (en) * 1991-03-26 1993-06-08 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shifting reticles using ion implantation
US5194346A (en) * 1991-04-15 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shifting reticles with an accurate phase shift layer
US5194345A (en) * 1991-05-14 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shift reticles
US5240796A (en) * 1991-07-09 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a chromeless phase shift reticle
JPH0536586A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Canon Inc 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法
US5246800A (en) * 1991-09-12 1993-09-21 Etec Systems, Inc. Discrete phase shift mask writing
US5328785A (en) * 1992-02-10 1994-07-12 Litel Instruments High power phase masks for imaging systems
JP3210123B2 (ja) * 1992-03-27 2001-09-17 キヤノン株式会社 結像方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
JP3278896B2 (ja) * 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5547787A (en) * 1992-04-22 1996-08-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask, exposure mask substrate, method for fabricating the same, and method for forming pattern based on exposure mask
JP2667940B2 (ja) * 1992-04-27 1997-10-27 三菱電機株式会社 マスク検査方法およびマスク検出装置
US5310623A (en) * 1992-11-27 1994-05-10 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Method for fabricating microlenses
JPH06188270A (ja) * 1992-12-15 1994-07-08 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタの製造方法及びパターン転写マスク
US5418095A (en) * 1993-01-21 1995-05-23 Sematech, Inc. Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process
US5411824A (en) * 1993-01-21 1995-05-02 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging
WO1994017449A1 (en) * 1993-01-21 1994-08-04 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission
US5593801A (en) * 1993-02-12 1997-01-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Attenuating type phase shifting mask, method of manufacturing thereof and semiconductor device manufactured by using the mask
KR0135729B1 (en) * 1993-02-12 1998-04-24 Mitsubishi Electric Corp Attenuating type phase shifting mask and method of manufacturing thereof
US5362584A (en) * 1993-04-02 1994-11-08 International Business Machines Corporation Phase-shifting transparent lithographic mask for writing contiguous structures from noncontiguous mask areas
GB2277998A (en) * 1993-05-13 1994-11-16 Marconi Gec Ltd Mask and apparatus for producing microlenses
JP2718893B2 (ja) * 1993-06-04 1998-02-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 移相マスクの移相欠陥を修復する方法
KR970007822B1 (ko) * 1993-11-15 1997-05-17 현대전자산업 주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US6159641A (en) * 1993-12-16 2000-12-12 International Business Machines Corporation Method for the repair of defects in lithographic masks
US5523580A (en) * 1993-12-23 1996-06-04 International Business Machines Corporation Reticle having a number of subfields
KR0138297B1 (ko) * 1994-02-07 1998-06-01 김광호 포토 마스크 및 그 제조 방법
US5539175A (en) * 1994-03-21 1996-07-23 Litel Instruments Apparatus and process for optically ablated openings having designed profile
US5465859A (en) * 1994-04-28 1995-11-14 International Business Machines Corporation Dual phase and hybrid phase shifting mask fabrication using a surface etch monitoring technique
US5537648A (en) * 1994-08-15 1996-07-16 International Business Machines Corporation Geometric autogeneration of "hard" phase-shift designs for VLSI
JPH08297692A (ja) * 1994-09-16 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 光近接補正装置及び方法並びにパタン形成方法
US5477058A (en) * 1994-11-09 1995-12-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Attenuated phase-shifting mask with opaque reticle alignment marks
US5565286A (en) * 1994-11-17 1996-10-15 International Business Machines Corporation Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor
KR0158904B1 (ko) * 1994-12-02 1999-02-01 김주용 콘택마스크
US5679483A (en) * 1994-12-20 1997-10-21 Siemens Aktiengesellschaft Embedded phase shifting photomasks and method for manufacturing same
US5508803A (en) * 1994-12-20 1996-04-16 International Business Machines Corporation Method and apparatus for monitoring lithographic exposure
KR100190762B1 (ko) * 1995-03-24 1999-06-01 김영환 사입사용 노광마스크
JPH09167753A (ja) * 1995-08-14 1997-06-24 Toshiba Corp 半導体基板の表面の平坦化方法とその装置
US5866913A (en) * 1995-12-19 1999-02-02 International Business Machines Corporation Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography
US5869212A (en) * 1996-05-31 1999-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Integrated circuit photofabrication masks and methods for making same
US5747817A (en) * 1996-09-09 1998-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. One-step method for on-line lithographic pattern inspection
US5821013A (en) * 1996-12-13 1998-10-13 Symbios, Inc. Variable step height control of lithographic patterning through transmitted light intensity variation
US6440644B1 (en) 1997-10-15 2002-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Planarization method and system using variable exposure
US6534242B2 (en) 1997-11-06 2003-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure device formation
US6377337B1 (en) 1998-05-02 2002-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US6218089B1 (en) 1998-05-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Photolithographic method
JP3352405B2 (ja) 1998-09-10 2002-12-03 キヤノン株式会社 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法並びに半導体デバイス
US6373975B1 (en) 1999-01-25 2002-04-16 International Business Machines Corporation Error checking of simulated printed images with process window effects included
US6467076B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-15 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for submicron IC design
US6425112B1 (en) 1999-06-17 2002-07-23 International Business Machines Corporation Auto correction of error checked simulated printed images
US6258490B1 (en) 1999-07-09 2001-07-10 International Business Machines Corporation Transmission control mask utilized to reduce foreshortening effects
US6704695B1 (en) 1999-07-16 2004-03-09 International Business Machines Corporation Interactive optical proximity correction design method
US6569574B2 (en) 1999-10-18 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Methods of patterning radiation, methods of forming radiation-patterning tools, and radiation-patterning tools
US6090528A (en) * 1999-10-27 2000-07-18 Gordon; Michael S. Spot-to-spot stitching in electron beam lithography utilizing square aperture with serrated edge
US6584609B1 (en) * 2000-02-28 2003-06-24 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction
US6303253B1 (en) 2000-03-16 2001-10-16 International Business Machines Corporation Hierarchy and domain-balancing method and algorithm for serif mask design in microlithography
EP1150171A3 (en) * 2000-04-28 2003-08-27 Infineon Technologies North America Corp. Group connection of reticle sub-shapes to reduce line shortening and improve pattern fidelity
TW512424B (en) 2000-05-01 2002-12-01 Asml Masktools Bv Hybrid phase-shift mask
US6404970B1 (en) * 2000-05-22 2002-06-11 Jds Uniphase Inc. Variable optical attenuator
KR100494683B1 (ko) * 2000-05-31 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 4-마스크를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치의제조시에 사용하는 할프톤 노광 공정용 포토 마스크
US6541165B1 (en) 2000-07-05 2003-04-01 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask sub-resolution assist features
US6777141B2 (en) 2000-07-05 2004-08-17 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces
US6523162B1 (en) 2000-08-02 2003-02-18 Numerical Technologies, Inc. General purpose shape-based layout processing scheme for IC layout modifications
US6792590B1 (en) * 2000-09-29 2004-09-14 Numerical Technologies, Inc. Dissection of edges with projection points in a fabrication layout for correcting proximity effects
US6625801B1 (en) 2000-09-29 2003-09-23 Numerical Technologies, Inc. Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects
US6453457B1 (en) 2000-09-29 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout
US6665856B1 (en) * 2000-12-01 2003-12-16 Numerical Technologies, Inc. Displacing edge segments on a fabrication layout based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects
US6653026B2 (en) 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
EP1241525B1 (en) 2001-03-14 2004-12-15 ASML MaskTools B.V. An optical proximity correction method utilizing ruled ladder bars as sub-resolution assist features
US6551750B2 (en) 2001-03-16 2003-04-22 Numerical Technologies, Inc. Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks
US6516452B2 (en) * 2001-05-01 2003-02-04 Chipdata, Inc. Method and apparatus for verifying design data
US6789237B1 (en) * 2001-05-11 2004-09-07 Northwestern University Efficient model order reduction via multi-point moment matching
US6894774B2 (en) * 2001-08-10 2005-05-17 Hoya Corporation Method of defect inspection of graytone mask and apparatus doing the same
US6684382B2 (en) 2001-08-31 2004-01-27 Numerical Technologies, Inc. Microloading effect correction
JP2003173015A (ja) * 2001-09-28 2003-06-20 Hoya Corp グレートーンマスクの製造方法
US6670082B2 (en) * 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
US6649452B2 (en) 2002-02-28 2003-11-18 Motorola, Inc. Method for manufacturing a lithographic reticle for transferring an integrated circuit design to a semiconductor wafer
US7651821B2 (en) * 2002-03-04 2010-01-26 Massachusetts Institute Of Technology Method and system of lithography using masks having gray-tone features
AU2002324868A1 (en) * 2002-03-04 2003-09-29 Massachusetts Institute Of Technology A method and system of lithography using masks having gray-tone features
US6887629B2 (en) * 2002-08-21 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Radiation-patterning tool
US7172838B2 (en) * 2002-09-27 2007-02-06 Wilhelm Maurer Chromeless phase mask layout generation
US7480891B2 (en) * 2005-04-29 2009-01-20 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus of model-based photomask synthesis
US7506300B2 (en) * 2005-04-29 2009-03-17 Cadence Design Systems, Inc. Apparatus and method for breaking up and merging polygons
US7919231B2 (en) * 2007-09-04 2011-04-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Photolithographic method and mask devices utilized for multiple exposures in the field of a feature
US20090311615A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Deming Tang Method of photolithographic patterning
US8283111B2 (en) * 2008-09-17 2012-10-09 Tokyo Electron Limited Method for creating gray-scale features for dual tone development processes
US9341961B2 (en) * 2013-03-15 2016-05-17 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Cross technology reticle (CTR) or multi-layer reticle (MLR) CDU, registration, and overlay techniques
IL234655B (en) * 2014-09-15 2018-10-31 Zeiss Carl Sms Ltd Apparatus and method for imparting direction-selective light attenuation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58102939A (ja) * 1981-12-15 1983-06-18 Canon Inc マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ−
JPS61117544A (ja) * 1984-11-14 1986-06-04 Hitachi Ltd ホトマスク

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB557132A (en) * 1942-02-10 1943-11-05 Benjamin Liebowitz "drop-out" half-tone negatives and positives and processes of producing the same
DE1622341A1 (de) * 1968-01-18 1970-10-29 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Kontaktbelichtungsmasken fuer Halbleiterzwecke
DD126361A1 (ja) * 1976-04-30 1977-07-13
US4278755A (en) * 1978-04-10 1981-07-14 Lumin, Inc. Halftone screen and method of using same
US4308326A (en) * 1979-03-28 1981-12-29 Wirth John L Halftone contact screen and photographic method of making the screen
US4231811A (en) * 1979-09-13 1980-11-04 Intel Corporation Variable thickness self-aligned photoresist process
JPS5689742A (en) * 1979-12-22 1981-07-21 Fujitsu Ltd Mask for exposure
US4262070A (en) * 1980-04-18 1981-04-14 Liu Hua Kuang Method of making halftone contact screens
US4456371A (en) * 1982-06-30 1984-06-26 International Business Machines Corporation Optical projection printing threshold leveling arrangement
US4417948A (en) * 1982-07-09 1983-11-29 International Business Machines Corporation Self developing, photoetching of polyesters by far UV radiation
US4600666A (en) * 1983-01-12 1986-07-15 Zink Edmund S Integrated photoscreen for making a halftone reproduction printing plate from a photograph
JPS59202632A (ja) * 1983-04-30 1984-11-16 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd フオトマスク
GB8519910D0 (en) * 1985-08-08 1985-09-18 Secr Defence Photolithographic masks

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58102939A (ja) * 1981-12-15 1983-06-18 Canon Inc マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ−
JPS61117544A (ja) * 1984-11-14 1986-06-04 Hitachi Ltd ホトマスク

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH045656A (ja) * 1990-04-24 1992-01-09 Mitsubishi Electric Corp フォトマスク
US6632574B1 (en) 1998-07-06 2003-10-14 Canon Kabushiki Kaisha Mask having pattern areas whose transmission factors are different from each other
US6816233B2 (en) 1998-07-06 2004-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Mask having pattern areas whose transmission factors are different from each other
US6737198B2 (en) 1999-01-13 2004-05-18 Renesas Technology Corp. Photomask, fabrication method of photomask, and fabrication method of semiconductor integrated circuit
JP2007010845A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Toppan Printing Co Ltd 画素形成方法及びカラーフィルタ

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