NL7907710A - Inrichting voor het door projectie afdrukken van de maskers van een maskersamenstelsel op een halfgeleider- substraat. - Google Patents

Description

\ -1- VO 8552

Inrichting voor het door projectie afdrukken van de maskers van een maskersamenstelsel op een halfgeleidersubstraat.

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor het door projectie afdrukken van de maskers van een maskersamenstelsel op een werkstuk, in het bijzonder op een halfgeleidersubstraat en welke inrichting is te gebruiken voor de fabrica— 5 ge van geïntegreerde ketens.

Bij de fabricage van geïntegreerde ketens is het nodig om meerdere maskers met verschillende ketenpatronen op exact hetzelfde gebied van het substraat achtereenvolgens af te beelden. Na ont-‘ wikkeling is de op het substraat geëxposeerde fotogevoelige laag 10 werkzaam om het substraat op gewenste plaatsen te bedekken gedurende chemische en physische procescycli, bv. ets- en diffundeerprocessen., die tussen de opeenvolgende beeldvormingen worden uitgevoerd.

Bij de fabricage van geïntegreerde ketens worden strenge eisen gesteld aan de nauwkeurigheid. Toelaatbare afwijkingen van de opeen-15 volgende beeldvormingen van de ketenpatronen zijn bv. kleiner dan l^um. Teneinde een dergelijke hoge graad van nauwkeurigheid te verkrijgen worden de zich op het masker bevindende ketenpatronen in de regel door middel van een projectielens, bv. met een factor 10 gereduceerd, afgeheeld. Alvorens een substraat resp. substraatgedeelte 20 waarop zich reeds ketenelementen bevinden, te belichten is het noodzakelijk om richtpatronen van het masker met een reproduceerbare nauwkeurigheid en met betrekking tot richtmerktékens die op het substraat zijn aangebracht uit te lijnen, hetzij door het positioneren van de maskers hetzij indien zulks vereist is door het positioneren 25 van het substraat, teneinde aldus de gewenste dekking van de opeenvolgende ketenpatronen te verkrijgen.

Bij een eerste procescyclus van een bekende werkwijze worden voor elke fiche op het maagdelijk substraat richtmerktekens aangebracht door gebruikmaking van een masker en een daaropvolgende 7907710 ♦ s' * l -2~ etswerking, of door toepassing van een laser, waarbij de voor de volgende afbeeldingen van de afzonderlijke ketenpatronen vereiste maskers met betrekking tot deze richtmerktekens worden uitgelijnd.

Bij een der gelijke stapsgewijze en bij herhaling uit gevoerde methode 5 wordt elke fiche afzonderlijk belicht.

j

Ook is het bekend om de ketenpatronen voor het over- grote gedeelte van resp. voor al de fiches die moeten worden gefabriceerd tezamen a£ te beelden op het substraat. Bij de uitlijnprocedure worden de desbetreffende zich op het substraat bevindende 10 richtmerktekengedeelten en de gebieden op het masker die de richt— -patronen bepalen, in elkaar af geheeld door middel van de projectielens, waarbij de relatieve afwijkingen visueel of metrologisch worden bepaald. Positioneercommando*s voor het uitlijnmechanisme, bv.

- voor de coördinaattrap, worden afgeleid van de afwijkingsinformatie. ‘ 15 In de uitgelijnde positie zijn de richtmerktekens en de richtpatro- ' nen met betrekking tot elkaar geconjugeerd.

Bij de- beide bovenbeschreven werkwijzen is het een probleem dat de richtpatronen van het masker gedurende de belichting worden geprojecteerd op het substraat en op het substraat de foto- 20 gevoelige laag belichten in het gebied van de richtmerktekens.

0

Wanneer de belichte resp. niet-belichte gedeelten van de fotogevoe-lige laag zijn ontwikkeld en weggenomen is een met het richtpatroon corresponderend gedeelte van het substraat onbedekt en het richt-merkteken wordt in de regel onbruikbaar of wordt gedurende een vol-25 gend etsproces volledig weggeëtst. Het richtmerkteken kan derhalve niet voor het uitlijnen van het volgende masker worden gebruikt.

Wanneer gebruik wordt gemaakt van een negatieve op het substraat aanwezige fotogevoelige laag is het bekend om het optisch afdrukken van het lichtpatroon te verhinderen door het gebied van 30 het richtmerkteken op het substraat vooraf te belichten.

Wanneer echter gebruik wordt gemaakt van een positieve fotogevoelige laag wordt de belichte laag na bewerking weggenomen en het richtpatroon wordt gedurende de etsprocedure uitgewist.

Wanneer een masker moet worden afgebeeld moet voor het volgende mas- 7907710 r k -3- ker een nieuw richtmerkteken op het substraat worden af gedrukt.

Daardoor kunnen extra fouten bij het uitlijnen van de afzonderlijke maskers worden geïntroduceerd hetgeen een bezwaar betekent.

Met de onderhavige uitvinding is derhalve beoogd te 5 vermijden dat het richtpatroon van het masker invloed heeft op het richtmerkteken resp. richtmerktekengedeelte van het substraat.

Zulks wordt door de uitvinding bereikt door genoemde richtpatronen van maskers en genoemde richtmerktekens van het desbetreffende werkstuk te positioneren in niet-geconjugeerde gebieden 10 met betrekking tot de projectielens, met andere woorden in gebieden die: door middel van deze projectielens niet in elkaar kunnen worden af-gebeeld, waarbij voor het uitlijnproces optische hulpmiddelen zijn aangebracht en genoemde richtmerktekens van het werkstuk en genoemde richtpatronen van het masker door middel van deze optische hulp-15 middelen in elkaar worden afgebeeld.

Ben belangrijk voordeel van de onderhavige uitvinding is daarin te zien dat de processor van de geïntegreerde keten een breed procesgebied heeft. De processor kan de gebieden van het masker die geconjugeerd zijn met de richtpatronen van het substraat 20 door middel van de projectielens zodanig produceren dat de richtmerktekens onbeïnvloed blijven. Het is mogelijk de richtmerktekens op een bepaalde wijze te veranderen, bv. om kleinere doelen te merken, zonder afhankelijk te zijn van de vorm van het zich op het masker bevindende richtpatroon. Een richtmerkteken kan met opzet achterwege 25 worden gelaten door toepassing van geschikt daartoe gekozen maskers waarbij bij een volgende procescyclus inplaats van het gewiste doel een nieuw doel kan worden geproduceerd.

Indien de richtmerktekens onbeïnvloed moeten blijven biedt het voordeel een en ander zodanig in te richten dat de gebieden 30 van het masker resp. van de belichtingsbaan die geconjugeerd zijn met de richtmerktekens van het werkstuk met betrekking tot de projectielens, in het geval van een positieve fotogevoelige laag op het werkstuk lichtblokkerend en in het geval van een negatieve fotogevoelige laag lichtdoorlatend te doen zijn.

7907710 • ·> i -4" i t %

Tevens is het mogelijk om de richtpatronen op de mas- ‘ kers aan te brengen buiten het projectiegebied van de projectielens.

Het biedt voordeel om de optische hulpmiddelen op te stellen tussen de projectielens en het masker.

5 De optische hulpmiddelen kunnen zijn uitgevoerd met ten minste twee reflecterende spiegels en indien vereist één correc— tielens voor elk paar van richtmerktekens en richtpatronen. ! i e

Het biedt voordeel de optische hulpmiddelen te realiseren door het masker aan de naar de projectielens toegekeerde zijde-10 te voorzien van een beschermende glaslaag/ waarbij eerst de spiegels, zijn aangebracht op het oppervlak van deze beschermende glaslaag en in gebieden die zijn geconjugeerd met betrekking tot de richtmerk- e tekens van het substraat.

Het biedt voordeel genoemde eerste spiegels zodanig 15 uit te voeren dat deze straling met de golflengte van de belichtings— straling- doorlaten en straling met de golflengte van de voor het uitlijnen gebruikte straling reflecteren.

Verder biedt het voordeel om de tweede spiegels op afstand aan te brengen van de beschermende glaslaag, waarbij deze 20 tweede spiegels de richtmerktekens van het substraat zoals door de eerste, spiegels van de beschermende glaslaag zijn gereflecteerd afbeelden in de desbetreffende richtpatronen van het masker.

In een andere uitvoeringsvorm van de uitvinding zijn de optische hulpmiddelen of delen daarvan ingericht om tot in en 25 buiten het projectiegebied van de projectielens te worden verplaatst.

Ter nadere toelichting van de uitvinding zullen in het onderstaande enige uitvoeringsvormen daarvan worden behandeld met verwijzing naar de tekening. In de tekening is: fig. 1 een in scheve projectie weergegeven schema ter 30 illustratie van een inrichting voor het door projectie afdrukken van maskers op een halfgeleidersubstraat; fig. 2 een schema ter illustratie van een andere uitvoeringsvorm; fig. 3 een schema ter illustratie van optische hulp- 7907710 “5" c » middelen voor twee verschillende golflengten van de voor de uitlij-ning gebruikte lichtstraling; en fig-3a een schema ter illustratie van de wijze waarop een richtpatroon en een richtmerk teken in elkaar worden af geheeld.

5 In fig. 1 zijn de hoofdonderdelen weergegeven van een inrichting voor het gedeeltelijk belichten van een halfgeleidersub-straat. Het substraat 9 rust op een substraatdrager 8 die stapsgewijs in de richting van de XY-eedrdixratêrr . . . . kan worden verplaatst door middel van een niet-weergegeven inrichting. Boven het substraat: 10 8 bevindt zich een maskerdrager 3 waarop zich het masker 2 bevindt en welke drager eveneens" continu beweegbaar is, en indien vereist kan draaien in de door de X- en Y-coördinaten bepaalde richtingen.

Tussen de substraatdrager 8 en de maskerdrager 3 is een projectielens 10 aangebracht via welke lens het zich op het masker 2 bevin-15 dende ketenpatroon 4 op het substraat 9 kan worden afgebeeld volgens een schaalverhouding van 10 : 1. Boven de maskerdrage 3 is een be-lichtingsinrichting 1 aangebracht. Na elke tweede belichting van hetzelfde gebied van het substraat en door middel van een masker, dient het masker met betrekking tot de ketenelementen resp. de ketenpatro-20 nen die reeds aanwezig zijn op het substraat, exact te worden uitgelijnd en daartoe zijn op het masker 2 richtpatronen 5 en op het substraat 9 richtmerktekens 6 aangebracht. De richtmerktekens 6 kunnen tijdens de eerste belichting op het substraat worden aangebracht of volgens een alternatieve methode bv. door middel van een laser 25 worden gevormd. Volgens de uitvinding zijn de richtpatronen van het masker 2 en de richtmerktekens van het substraat 9 met betrekking tot de projectielens 10 op niet-geconjugeerde gebieden gepositioneerd.

Teneinde in staat te zijn om bij het uitlijnproces de gebieden van de richtmerktekens en de richtpatronen in elkaar af te 30 beelden, zijn tussen het masker en het substraat optische hulpmiddelen 11 met eerste en tweede reflecterende spiegels 13 en een correc-tielens 14 aangebracht. Bij de behandelde uitvoeringsvorm zijn deze optische hulpmiddelen werkzaam om de door de richtmerktekens gereflecteerde lichtbundels parallel te Verpiaa.t5ai.Sn lichtbron 17 is * 7907710 -6- - , ί aangebracht om gedurende het uitlijnproces het richtpatroon 5 en de richtmerktekens 6 te belichten, waarbij de lichtstraling zoals af gegeven door deze lichtbron geen verandering tot gevolg heeft in de fotogevoelige laag die zich op het substraat 9 bevindt.

5 De door de lichtbron 17 veroorzaakte lichtstraling pro- jecteert-op het substraat 9 een beeld' van het richtpatroon 5 en wel = via de correctielens 14, de reflecterende spiegels 13 en 16 en de i projectielens 10, waarbij dit beeld samen met het beeld van de richt- j merktekens 6 wordt overgedragen naar een fotoelektrische afbeeldings-10 inrichting 18 (plotter) en wel doordat via de spiegels 13 en 16 en de correctielens 14 wordt teruggeprojecteerd; genoemde afbeeldings— • inrichting is werkzaam om uit de relatieve verplaatsing van de merk- « tekens signalen af te leiden die kunnen worden gebruikt voor het besturen van de. positioneereenheden (niet-weergegeven) door middel 1,5 waarvan het masker en/of het substraat worden uitgelijnd. De reflecterende spiegel 16 is half-doorlatend uitgevoerd. Eenvoudigheidshal-ve zi jn in de figuur de verlichtingsinrichting en de afbeeldings-inrichting, alsook de optische hulpmiddelen slechts voor één paar van de richtmerktekens 5 en 6 weergegeven. Na het uitlijnproces wor-20 den optische hulpmiddelen 11 weggenomen en het substraat 9 wordt belicht. Daardoor wordt het ketenpatroon 4 overgedragen naar een van de fiches 7. Na belichting wordt de substraatdrager 8 verplaatst naar de volgende fiche. De vereiste uitlijnprocedure wordt opnieuw uitgevoerd met behulp van de optische hulpmiddelen 11, waarna daar-25 opvolgend wordt belicht.

Met behulp van een in het voorafgaande beschreven inrichting is het mogelijk de richtpatronen 5 op elke gewenste plaats van het masker aan te brengen. Het richtpatroon kan elke gewenste configuratie hebben aangezien deze richtpatronen gedurende de belich-30 ting niet meer worden overgedragen naar het gebied van de richtmerktekens 6. De gebieden 19 van het masker 2 die met betrekking tot de projectielens 10 zijn geconjugeerd met de richtmerktekens 6 kunnen worden ingericht om elke verandering in de richtmerktekens tijdens verdere procescycli van het substraat te elimineren. In het geval 7907710 r * -7- dat gebruik wordt gemaakt van een positieve fotoresistieve laklaag op het substraat 3, kunnen de gebieden 19 van het masker lichtstra-lingblokkerend zijn, terwijl in het geval van een negatieve fotoresistieve laag, de gebieden 19 lichtstralingdoorlatend kunnen zijn.

5 Gedurende de op de antwikkelprocessen volgende belichting blijft de fotoresistieve laag derhalve op de richtmerktekens 6 aanwezig en beschermt deze.

Bij. de inrichting volgens fig. 2 is het masker 2 afdichtend opgesloten onder een beschermende glaslaag 20. Aan het vrij-10 liggende oppervlak van deze beschermende glaslaag 20 is een bundel-splitsende laag 21 aangebracht, welke laag 21 in hoofdzaak transparant is bij de golflengte van de belichtingsstraling (bv. λ = 436 nm) , terwijl deze laag echter reflecterend is bij de golflengte van de straling die bij de uitlijning wordt gebruikt (bv. λ = 547 nm).

15 De lichtstraling die afkomstig is van de voor de uit lij ning gebruikte lichtbron 17 dringt gedeeltelijk door een half-transparante spiegel 16 heen en wordt vanaf de bundelsplitsende laag 21 die zich op de beschermende glaslaag 20 bevindt, via de projectielens 10 geleid naar de zich op het substraat 9 bevindende richtmerk-20 tekens 6. Deze richtmerktekens 6 worden door deze lichtstraling door middel van de projectielens 10, de bundelsplitsende laag 21 en de half-transparante spiegel 16 afgebeeld in het gebied van het richt-patroon 5. Essentieel is dat de verlenging van de lichtbaan ten opzichte van de ongebogen bundelbaan van de belichtingsstraling een 25 voorafbepaalde waarde heeft.

De beelden van de richtmerktekens van het substraat en masker worden vervolgens gelijktijdig afgebeeld op de fotoelektri-sche traceerinrichting 18 en wel door middel van een verdere reflecterende spiegel 13 en optische hulpmiddelen 14.

30 Een essentiële eigenschap van deze uitvoering is dat de verlenging van de bundelbaan zodanig is gekozen dat in de voor de uitlijning gebruikte straling een beeld van voldoende kwaliteit wordt geproduceerd. Door deze verlenging worden de aberraties veroorzaakt door de overgang van de golflengte geldend bij de belich- 7907710 ♦ r» -8- : | tingsstraling naar de golflengte geldend bij de uitlijnstraling, in : hoofdzaak gecompenseerd.

Van belang is dat de richtmerktekens bestaan uit lijnen respectievelijk groepen van lijnen die zich radiaalsgewijs uit-5 strekken naar de optische as.

De van het masker 2 deel uitmakende gebieden 19 die i met betrekking tot de projectielens 10 zijn geconjugeerd met de « richtmerktekens 6, kunnen zoals in het voorafgaande reeds werd gemeld ofwel lichtstralingblokkerend ofwel lichtstralingdoorlatend ! 10, zijn. Ook is het mogelijk om gedurende bepaalde belichtingen de ; , richtmerktekens 6 onbedekt te laten zodat deze door het volgende ets-proces zullen worden gewist. Tevens is het. mogelijk verdere richt- · merktekens in het oorspronkelijke doeL 6 aan te brengen. j

Bij de in fig. 3 weergegeven uitvoeringsvorm is gebruik i 15 gemaakt van optische hulpmiddelen 11 waarbij het mogelijk is om het masker en het substraat 9 uit te .lijnen met behulp van twee verschillende golflengten van de voor uitlijning gebruikte lichtstraling. Zulks is te wijten aan de omstandigheid dat als gevolg van interfe-rentie-effecten het beeld van het richtpatroon 5 en het door het 20 substraat 9 gereflecteerde richtmerkteken 6 in hoge mate wordt geabsorbeerd, wanneer de fotoresistieve laag op het substraat 9 een zekere dikte heeft resp. wanneer bepaalde laagcombinaties worden toegepast. Als gevolg hiervan ontstaat een betrekkelijk zwak uitlijnsignaal. Door over te gaan naar een andere golflengte van de voor 25 uitlijning gebruikte lichtstraling (bv. vanaf 547 nm naar 579 nm) , kan aan dit bezwaar tegemoet worden gekomen. Bij deze uitvoeringsvorm wordt een bundel van stralen 22 met een bepaalde golflengte door middel van een uitlijnlichtstralingsbron 17 via een venstervormig richtpatroon 15 geworpen op het masker 2. Deze bundel van 30 straling 22 belicht het zich op het substraat 9 bevindende richtmerkteken 6 via de spiegels 16' en 13, en de projectielens 10. De beelden van het richtpatroon 5 en het richtmerkteken 6 worden vanaf een reflecterende spiegel 13" geprojecteerd op de fotoelektrische traceerinrichting 18 en wel door terugprojectie. De verlenging van 7907710 -9- r ·ί de stralenbaan van de bundel 22 ten opzichte van de baan van de be-lichtingsstralen zoals veroorzaakt door de spiegels van de optische hulpmiddelen 11, is zodanig gekozen dat de focuseeraberratie zoals veroorzaakt door de aan de belichtingsgolflengte aangepaste projec-5 tielens 10, wordt gecorrigeerd. Indien de golflengte van de stralings-bundel 22 als gevolg van de in het voorafgaande beschreven effecten in sterke mate wordt gereduceerd, kan gebruik worden gemaakt van een stralingsbundel 22* van de uitlijnlichtbron 17' met een andere golflengte. Deze stralingsbundel 22' wordt eveneens op het substraat 9 10 geworpen door middel van de spiegels 16', 13', 16, 13 en de projectielens 10, en het teruggeprojecteerde beeld wordt via de reflecterende spiegels 13"' gericht naar een fotoelektrische traceerinrichting 18'.

De totale verlenging van de stralenbaan. heeft zoals reeds werd: vermeld een bepaalde grootte, zodat chromatische aberraties van de pro-15 jectielens 10 worden gecompenseerd.

Fig. 3a toont een venstervormig richtpatroon zoals aanwezig op het masker 2, alsook de gebieden waarop de bundel van de stralen 22 en 22' invallen. Het is van geen belang welke stralingsbundel wordt gekozen voor het vaststellen van uitlijnaberraties in 20 een richting loodrecht op de longitudinale randen van het richtpa-troon 5 resp. de lijnvormige richtmerkteken 6.

Met behulp van de in het voorafgaande beschreven inrichting is het mogelijk dat de processor de richtpatronen op het masker 2 vrijwel zonder enige beperking kan vormen en oriënteren.

25 Voor het uitlijnen van het masker kunnen dezelfde richtmerktekens van het substraat, of na een aantal belichtingen nieuwe richtmerktekens op het substraat worden gebruikt.

7907710

Claims (13)

1. Inrichting voor het door projectie afdrukken van de maskers van een maskersamenstelsel op een werkstuk, in het bij zondereen halfgeleidersubstraat, en te gebruiken voor de vervaardiging van geïntegreerde ketenswelke inrichting omvat een projectielens 5 via welke de patronen van genoemde maskers bij opeenvolgende proces— cycli op fotogevoelige lagen van het werkstuk kunnen worden afgebeeld, waarbij op genoemde maskers- richtpatronen en op het genoemde werk- t stuk richtmerktekens zijn aangebracht, en genoemde richtpatronen van de maskers en genoemde richtmerktekens van het werkstuk worden 10 uitgelijnd voordat het desbetreffende maskerpatroon wordt afgebeeld op het werkstuk resp- een gedeelte van dat werkstuk, met het kenmerk dat. genoemde richtpatronen van ten minste één van genoemde maskers en genoemde richtmerktekens van het. werkstuk met betrekking tot de projectielens zijn gepositioneerd in niet-geconjugeerde gebieden, 15 dat wil zeggen in gebieden die doormiddel van genoemde projectielens niet in elkaar kunnen worden afgebeeld, waarbij voor het uitlijnproces optische hulpmiddelen zijn aangebracht, die zijn ingericht om genoemde richtmerktekens van het werkstuk en genoemde richtpatronen van het masker in elkaar af te beelden.

2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk dat het werkstuk is bedekt met een positieve fotogevoelige laag, waarbij gebieden van ten minste één van genoemde maskers resp. de corresponderende stralingsbelichtingbaan, die met betrekking tot de projectielens zijn geconjugeerd met genoemde richtmerktekens van het werkstuk, 25 blokkerend zijn voor belichtingsstraling.

3. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk dat het werkstuk is bedekt met een negatieve fotogevoelige laag, waarbij gebieden van ten minste één van genoemde maskers resp. corresponderende belichtingsstralingsbaan, die met betrekking tot genoemde projec- 30 tielens zijn 'geconjugeerd met genoemde richtmerktekens, transparant zijn voor de belichtingsstraling.

4. Inrichting volgens een van de voorafgaande conclusies 7907710 -11- 1 t/m 3/ met het kenmerk dat genoemde richtpatronen op ten minste één van genoemde maskers zijn aangebracht buiten het projectiegebied’ van genoemde projectielens.

5. Inrichting volgens een van de voorafgaande conclusies 5. t/m 4, met het kenmerk dat genoemde optische hulpmiddelen zijn aangebracht tussen genoemde projectielens en het genoemde masker.

6. Inrichting volgens een van de voorafgaande conclusies 1 t/m 5, met het kenmerk dat genoemde optische hulpmiddelen ten minste twee reflecterende spiegels omvatten.

7. Inrichting volgens conclusie 6, gekenmerkt door een correctielens.

8. Inrichting volgens een van de voorafgaande conclusies 1 t/m 7, met het kenmerk dat op die zijde van het masker die naar genoemde projectielens is toegekeerd een beschermende glaslaag is 15 aangebracht, waarbij op het oppervlak van genoemde beschermende glaslaag en in gebieden die zijn geconjugeerd met genoemde richtmerkte-kens op het genoemde substraat eerste spiegels zijn aangebracht.

9. Inrichting volgens conclusie 8, met het kenmerk dat genoemde eerste spiegels zijn ingericht om straling met de golfleng— 20 te van de voor uitlijnen gebruikte, straling te reflecteren, alsook om straling met de golflengte van de voor de belichting gebruikte straling door te laten.

10. Inrichting volgens een van de vooraf gaande conclusies 8 of 9, met het kenmerk dat op afstand van genoemde beschermende 25 glaslaag tweede spiegels zijn aangebracht welke tweede spiegels een beeld vormen van de beelden van genoemde richtmerktekens in de desbetreffende richtpatronen van het genoemde masker, welke beelden worden gereflecteerd door genoemde eerste spiegels van genoemde beschermende glaslaag.

11. Inrichting volgens een van de voorafgaande conclusies 1 t/m 10, met het kenmerk dat genoemde optische hulpmiddelen of delen daarvan in het projectiegebied van genoemde projectielens kunnen worden verplaatst.

12. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk dat 7907710 * ' l~·' ' " ' ....... ' '— -...I-.'... ·ι ................Ill» Ml I - "Ί I I -II I. " —I I ·Ι ~ T ~ 1 ; t - -12- i genoemde optische hulpmiddelen omvatten een eerste paar spiegels voor het in elkaar afbeelden van het genoemde richtpatroon van het genoemde masker en genoemde richtmerktekens van het genoemde substraat, waarbij de verlenging van de stralenbaan van de uitlijnlicht-5 straling, ten opzichte van de stralenbaan van de belichtingsstraling, en zoals veroorzaakt door het genoemde eerste paar van spiegels, zodanig is gekozen dat voor een eerste golflengte van genoemde uit- lijnlichtstraling de focuseeraberratie van genoemde projectielens i wordt gecompenseerd. . | ,10 13.- Inrichting volgens conclusie 2, met het kenmerk dat genoemde optische hulpmiddelen omvatten een tweede paar van spiegels; dat de stralenbaan van de uitlijnlichtstraling verder verlengt, , waarbij da totale verlenging zoals veroorzaakt door genoemde eerste . en tweede paren van spiegels zodanig is gekozen dat voor een tweede 15 golflengte van genoemde.'uitlijnlichtstraling de focuseeraberratie van genoemde projectielens wordt gecompenseerd.

14. Inrichting volgens de conclusies 12 of 13, met het ken merk. dat het richtpatroon van het genoemde masker een transparant venster is en het genoemde richtmerkteken van het genoemde substraat 20 lijnvormig is, waarbij een uitlijnaberratie ten aanzien van het genoemde masker en het genoemde substraat wordt bepaald door het meten van de afstand tussen het. genoemde lijnvormige richtmerkteken en de twee parallelle randen van het genoemde venstervormige richtpatroon. &&&&& 7907710