DE2844758C2 - Voreinstellbares Abstimmgerät zum Auswählen eines voreingestellten Senders oder Kanals - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein voreinstellbares Abstimmgerät zum Auswählen eines voreingestellten Senders oder Kanals mit einem nichtflüchtigen bzw. leistungslocan QnAir>hoi* in Fnrm oinoc oma ii nnoer/ioto K-7 tt*

freischwebende Gate-Elektrode aufweisenden Feldeffekt-Halbleiterspeichers, wobei der Halbleiterspeicher eine Änderung der Steuergatespannung-Drainstrom-Kennlinie als eine Funktion der Art und der Menge der an der Gate-Elektrode angelegten elektrischen Ladung anzeigt.

Beim Empfang von Rundfunkübertragungswellen ist es erforderlich, eine gewünschte Übertragungsfrequenz oder einen gewünschten Kanal oder Sender aus einer Mehrzahl von Rundfunkübertragungsfrequenzen oder Sendern bzw. Kanälen auszuwählen, die den verschiedenen Rundfunkstationen zugeteilt sind. Ein typisches bekanntes voreinstellbares Abstimmgerät zum Auswählen eines gewünschten voreingestellten Senders aus einer Vielzahl von voreingestellten Sendern ist ein Druckknopfschalter mit Mehrschaltkreis. Bei einem Druckknopfschalter wird jedoch üblicherweise über eine mechanische Berührung zwischen einem Kontaktpaar ein Schaltkreis gebildet, was von Hand durchgeführt wird. Aus diesem Grund leidet ein Druckknopfschalter an einem schlechten elektrischen Kontakt zwischen den Kontaktpaaren, was durch eine Verschlechterung der Kontaktflächen bewirkt wird.

Es wurde auch bereits ein Abstimmgerät zum Auswählen von Rundfunksendern oder -frequenzen mit einem spannungsgesteuerten veränderlichen Kondensator vorgeschlagen und in die Praxis umgesetzt. Ein derartiger spannungsgesteiiener veränderlicher Kondensator verwendet eine Kapazität, die an der Sperrschicht einer Diode gebildet wird, die als Funktion einer daran angelegten Umkehrspannung veränderlich und auch als veränderliche Kapazitätsdiode bekannt ist. Bei einem derartigen Abstimmgerät ist es erforderlich, eine Spannungszufühning vorzusehen, die eine Vielzahl von verschiedenen Abstimmspannungen in Abhängigkeit von einer Handbetätigung liefern kann, die jeweils einem Spannungswert entsprechen, der einen Kapazitätswert bewirkt, mit dem das Abstimmgerät einen entsprechenden gewünschten Sender oder eine Frequenz auswählt.

Eine derartige Spannungszufühning zjm Zuführen einer Vielzahl von verschiedenen Spannungen weist eine Bezugsspannungsquelle und mehrere Potentialteiler zum Teilen der Bezugsspannung der Spannungsquelle sowie einen Schaltkreis auf. der in Abhängigkeit von der Handbetätigung wahlweise eine entsprechende Teiiipannung abnimmt. Eine derartige Spärinungszuführung weist jedoch eine Reihenschaltung aus einer Vielzahl von Spannungsteüerwiderständen und einen mit jedem Verbindungspunkt der Widerstände verbundenen Schaltkreis auf. Da der Widerstandswert eines jeden Spannungsteilerwiderstands die Ausgangsspannung bestimmt, ist es erforderlich, daß der Widerstands-, wert eines jeden Spannungsteilerwiderstands genau ausgewählt wird. Damit wird die oben beschriebene Spannungszufühning kompliziert im Aufbau und schwierig bei der Implementation. Zusätzlich dazu ist es trotz dem derzeitigen Trend zur Miniaturisierung von

id verschiedenen elektronischen Geraten schwierig, die oben beschriebene Spannungszuführung kompakt herzustellen.

Ein Abstimmgerät, das im Zusammenhang mit der Erfindung von Interesse ist, ist in den US-PS 39 65 288,

ι -, 39 67 057. 39 86 154 und 40 08 437 beschrieben. Don ist die Verwendung eines verbesserten nichtflüchtigen Analogspeichers als Spannungsquelle zur Zuführung einer Abstimmspannung beschrieben, die einem spanm,nncnactAii*rlAn
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Abstimmgerät zugeführt wird. Insbesondere wird darin die Verwendung eines elektrochemischen Potentialspeichers durch die Verwendung eines Festkörperelektrolyten als nichtflüchtiger Analogspeicher beschrieben. Dieser elektrochemische Potentialspeicher weist eine Ag-Elektrode als Kathode, eine Ag-Te-Legierungs-Elektrode als Anode und einen Festkörperelektrolyten mit hoher lonenleitfähigkeit, wie etwa RbAg₄I₅, auf, der in San l'vichform zwischen den beiden Elektroden angeordnet ist. Wenn eine Gleichspannung an diese Verrichtung angelegt wird, so daß die Ag-Elektrode negativ ist, so wandert ein Teil d«*s in der Ag-Te-Legierungs-Elektrode enthaltenen Ag zu der Ag-Elektrode hinüber, was zu einer verminderten Aktivität des Ag in der Ag-Te-Legierung führt und damit zu einer erhöhten Potentialdifferenz zwischen den beiden Elektroden. Damit ermöglicht diese Vorrichtung einen Einschreibbetrieb und einen nicht-zerstörenden Auslesebetrieb, und sie kann zusätzlich dazu den Speicherinhalt während einer relativ langen Zeitdauer speichern. Nichtsdestoweniger ist es im Hinblick auf die hohen Kosten der oben beschriebenen Speichervorrichtung sehr schwierig, diesen Speicher in einem voreinstellbaren Abstimmgerät zu verwenden.

Weiterhin ist ein nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit ungeerdeter Gate-Elektrode an sich bekannt. Beispielsweise ist ein typischer nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit ungeerdeter Gate-Elektrode in der US-PS 40 04 159 beschrieben. Bisher wurde ein derartiger nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit uneeerdeter Gate-Elektrode als ein Speicher zur Speicherung von digitalen oder logischen Informt ."t>nen verwendet. Es wäre äußerst vorteilhaft, wenn ein derartiger Halbleiterspeicher auch als nichtflüchtiger Analogspeicher verwendet werden können, um eine Abstimmspannung als Analoginformation speichern zu können, die einem in einem voreinstellbaren Abstimmgerät verwendeten spannungsgesteuerten veränderlichen Kondensator zugeführt wird.

Demzufolge besteht die Aufgabe der Erfindung darin, die Verwendung eines Feldeffekt-Halbleiterspeichers mit ungeerdeter Gate-Elektrode als nichtfiüchtigen Analogspeicher zu ermöglichen, in dem eine Abstimmspannung als Information gespeichert wird, die einem in einem voreinstellbaren Abstimmgerät verwendeten : spannungsgesteuerten veränderlichen Kondensator zugeführt wird, und damit eine kompakte und billige Herstellung eines voreinstellbaren Abstimmgeräts zu erreichen.

Um die Verwendung eines Feldeffekt-Halbleiterspei chers mit ungeerdeter Gate-Elektrode als nichtflüchti gen Analogspeicher in einem voreinstellbaren Ab stimmgerät zu ermöglichen, weist das erfindungsgemä-Be voreinstellbare Abstimmgerät auf: eine erste Spannungszufühningseinrichtung zum wahlweisen Zuführen einer Löschspannung zum Halbleiterspeicher in einer Löschbetriebsart, um mit einer an der Gate-Elektrode angelegten elektrischen Ladungsmenge einen ersten Wechsel auf einen ersten vorbestimmten Wert in der einen Richtung und einen entsprechenden Wechsel in der Steuergatespannung-Drainstrom-Kennlinie des Halbleiterspeichers zu bewirken, eine zweite Spanniingszuführungseinrichtung zum wahlweisen Zuführen einer Schreibspannung zum Halbleiterspeicher in einer Schreibbetriebsart, um mit einer an der Gate-Elektrode angelegten elektrischen Ladungsmenge einen zweiten Wechsel auf einen voreinzustellenden Wert in entgegengesetzter Richtung und einen entsprechenden zweiten Wechsel in der Steiiergatespannung-Drainstrom-Kennlinie zu bewirken, wobei der zweite Wechsel mit dem durch die elektrische Ladungsmenge voreingestellten Wert verbunden ist und richtungsmäßig entgegengesetzt zum ersten Wechsel erfolgt, eine dritte Spannungszuführungseinrichtung zum wahlweisen Zuführen einer Lesespannung zu dem Halbleiterspeicher in einer Lesebetriebsart. um ein elektrisches Analogsignal abzunehmen, das für einen Drainstrom typisch ist, der als eine Funktion des Wertes bestimmbar ist, der bei der elektrischen Ladungsmenge an der Gate-Elektrode voreingestellt wird, und zwar in bezug auf die Steuergatespannung-Driiinstrom-Kennlinie, eine mit der dritten Spannungszuführungseinrichturg verbundene erste Abstimmspannungs-Versorgungseinrichtung, um eine mit dem für einen Drainstrom typischen elektrischen Analogsignal verbundene Abstimmspannung zu liefern, und eine Abstinimcinrichtung mit einer spannungsgesteuerten veränderlichen Reaktanz, die von der ersten Abstimmspannungs-Versorgungseinrichtung die erste Abstimmungsspannung empfängt, wobei der vcreinzustellende Wert so vorgewählt wird, daß durch die Abstimmeinrichtung eine Auswahl des voreingestellten Senders ermög icht wird.

Eine bevorzugte Ausführung'Torm des erfindungsgemäßen voreinstellbaren Abstimmgeräts weist eine zweite Abstimmspannungs- Versorgungseinrichtung zum wahlweisen Zuführen einer zweiten Abstimmspannung zu der spannungsgesteuerten veränderlichen Reaktanz und eine damit verbundene Einrichtung zum Ändern der wahlweise der spannungsgesteuerten veränderlicnen Reaktanz zugefuhrten zweiten Abstimmspannung auf. um durch die Abstimmeinrichtung eine Auswahl des vorangestellten Senders oder Kanals zu ermöglichen.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das voreinstellbare Abstimmgerät eine Einrichtung auf. die auf die erste Abstimmspannung von der ersten Abstimmspannungs-Versorgungseinrichtung und auf die zweite Abstimmspannung von der zweiten Abstimmspannungs-Versorgungseinrichtung anspricht, um die zweite Spar.nungszuführungseinriciitung zu steuern, um wahlweise dem Halbleiterspeicher eine Schreibspannung zuzuführen und den zweiten Wechsel bei einer an die Gate-Elektrode angelegten elektrischen Ladungsmenge auf einen Wert zu bewirken, der der ersten Abstimmspannung entspricht. Vorzugsweise weist diese Steuereinrichtung für die zweite Spannungsz-jführuneseinrichtune zum wahlweisen Zuführen einer Schreibspannung eine Wechsel- und Wiederholsteuereinrichtung zum Steuern der zweiten Schreibspannungszuführungseinrichtung und der dritten Lesespannungszuführungseinrichtung, um abwechselnd und

j wiederholt die Schreibbetriebsart und die Lesebetriebsart während einer kurzen Zeitdauer für die jeweilige Betriebsart zu bewirken, wobei die zweite Schreibspannungszuführungseinrichtung so beschaffen ist, daß ein vorbestimmter kleiner Wert des zweiten Wechsels bei

id einer elektrischen Ladungsmenge bei jeder Schreibdau er bewirkt wird. Zusätzlich dazu ist eine auf die erste und zweite Abstimmspannung ansprechende Feststelleinrichtung vorgesehen, die die Übereinstimmung von erster und zweiter Abstimmspannung feststellt und

ii dann die oben beschriebene Wechsel- und Wiederholsteuereinrichtung abschaltet.

Vorzugsweise kann mit dem erfindungsgemäßen voreinstellbaren Abstimmgerät ein gewünschter voreingestellter Sender bzw. Kanal aus einer Vielzahl von

>o voreingesteiiten Sendern ausgewählt werden. Dazu weist der nichtflüchtige Analogspeicher des erfindungsgemäßen voreingesteiiten Abstimmgerätes eine Vielzahl von Feldeffekt-Halbleiterspeichern mit ungeerdeter Gate-Elektrode auf, die einer Vielzahl von Sendern

.'i zugeteilt sind, sowie außerdem eine Senderauswahleinrichtung und eine damit verbundene Einrichtung zum Adressieren eines entsprechenden Speichers aus der Vielzahl der Halbleiterspeicher. Die Vielzahl der Halbleiterspeicher kann in zwei oder mehr Gruppen

i'i eingeteilt sein, die jeweils einem Frequenzband zugeteilt sind. Das erfindungsgemäße voreinstellbare Abstimmgenit kann weiterhin eine auf die Bandwahl ansprechende Einrichtung zum Adressieren einer entsprechenden Gruppe aus einer Vielzahl von Gruppen von Halbleiter-

i'i speichern aufweisen. Die oben beschriebene Adressiereinrichtung kann Schalteinrichtungen aufweisen, wie sie üblicherweise bei Feldeffekt-Bauteilen verwendet werden. Damit kann eine Vielzahl von nichtflüchtigen Haibleilerspeichern zum Speichern einer Analoginfor-

4(1 mation und eine Vielzahl von Feldeffekt-Bauteilcn für Adresüierzwecke in einem integrierten Schaltkreis implementiert werden.

Vorzugsweise wird ein erster Datenwert, der in Rohform einen angenäherten Wert der zweiten Abstimmspannung darstellt, und ein zweiter Datenwert vorgesehen sein, der in Feinform die Differenz zwischen dem tatsächlichen Wert und dem angenäherten Wert der zweiten Abstimmspannung darstellt, und der erste Datenwert ist in einem weiteren Speicher gespeichert.

>'■> während der zweite Datenwert in einem nichtflüchtigen Analogspeicher gespeichert isi. Dazu ist mi; dem weiteren Speicher eine weitere Spannungszuführungseinrichtung verbunden, die eine weitere Spannung liifert, die dem ersten Datenwert entspricht. Die weitere Spannung wird mit Hilfe einer Addiervorrichtung der ersten Abstimmspannung zugefügt. Bei einer derartigen Ausführungsforrn werden damit die die Abstimmspannung betreffenden Daten in einem Rohdatenspeicher und in einem Feindatenspeicher abgespei-

->■ chert. Damit kann der nichtflüchtige Analogspeicher zum Speichern der Feindaten in einfacher Form implementiert werden.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine Spannungsspeicherungseinrichtung

'-'. zum wahlweisen Speichern der ersten oder zweiten Abstimmspannung vorgesehen, wobei die in der Spannungsspeicherungsvorrichtung gespeicherte Spannung der spannungsgesteuerten veränderlichen Reak-

tanz des Abstimmgerätes zugeführt wird. Damit kann bei Verwendung der Spannungsspeicherungseinrichtung ein Wiedereinschreib- oder Auffrisch-Betrieb erreicht werden. Die Spannungsspeicherungseinrichtung kann auch vorteilhaft für die Zwecke der automatischen Frequenznachstimmung bzw. Scharfabstimmung verwendet werden.

Demnach 'veist das erfindungsgemäße, für die Auswahl einss voreingestellten Senders aus einer Vielzahl von Sendern geeignete Abstimmgerät auf: einen Tuner mit einem Abstimmschaltkreis und einer spannungsgesteuerten veränderlichen Kapazitätsdiode, einen manuell einstellbaren Abstimmspannungsgenerator zum Zuführen einer Abstimmspannung zur spannungsgesteuerten veränderlichen Kapazitätsdiode, einen nichtflüchtigen Analogspeicher mit einer Vielzahl von Feldeffekt-Halblciterspeichern mit ungeerdeter Gate-Elektrode, einen Bandauswahlschalter, einen Voreinstellungsauswahlschalter, einen Voreinstellungsspeicherschaller, mit den Bandauswahl- und Voreinstellungsauswahlschaltern verbundene Adressierschaltkreise zum Adressieren einer entsprechenden Speichereinrichtung aus der Vielzahl der Speichereinrichtungen, einen Lösch-ZSchreib-ZLese-Spannungsgenerator, eine damit verbundene Betriebsartsteuerung, die auf die Bandauswahl-, Voreinstellungsauswahl- und Voreinstcllungsspeicherschalter zum abwechselnden und wiederholten Schreiben und Lesen des Analogwertes in die adressierte Speichereinrichtung anspricht, bis die der Abstimmspannung des Abstimmspannungsgenerators entsprechenden Daten in die Speichereinrichtung in der Schreib- und Lese-Betriebsart eingeschrieben werden, wobei danach die Daten in der Speichereinrichtung zum Zuführen einer Abstimmspannung zu der spannungsgesteuerten veränderlichen Kapazitätsdiode in der Voreinstellungs-Betriebsart ausgelesen werden, so daß die Voreinstellungsauswahl dadurch erreicht wird, daß die Daten in die adressierte Speichereinrichtung eingeschrieben und daraus ausgelesen werden. Vorzugsweise werden die die Abstimmspannung betreffenden Daten in eine Rohabstimmspannung und eine Feinabstimmspannung aufgeteilt, die in getrennten Speichereinrichtungen getrennt gespeichert werden. Vorzugsweise wird die Leseabstimmspannung einmal in einem Pufferspeicher gespeichert und dann in Abhängigkeit von einem automatischen Frequenznachstimmungssigna! korrigiert.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt

F i g. 1 einen Querschnitt durch einen typischen bekannten nichtfiüchtigen Halbleiterspeicher mit ungeerdeter Gate-Elektrode,

Fig.2 ein Kurvendiagramm der Steuergatespannung-Drainstrom-Kenniinie, mit der elektrischen Ladungsmenge an der ungeerdeten Gate-Elektrode als Parameter,

F i g. 3 ein Kurvendiagramm der Lösch-ZSchreibspannung-Steuergatespannung-Kennlinie,

Fig.4A die Verbindung der Elektroden des Halbleiterspeichers in der Lösch-Betriebsart,

F i g. 4B die Verbindung der Elektroden des Halbleiterspeichers in der Lese-Betriebsart,

Fig.4C die Verbindung der Elektroden des Halbleiterspeichers in der Schreib-Betriebsart,

F i g. 5 ein Blockschaltdiagramm eines Rundfunkempfängers mit einem erfiridurigsgeinäßeri Abstimmgerat, das einen Abstimnischaltkreis bzw. einen Oszillatorschwingkreis mit einer spannungsgesteuerten veränder-

liehen Kapazitätsdiode aufweist, der von einer Spannungsquelle un' τ Verwendung des oben beschriebenen nichtflüchtigen Halbleiter-Analogspeichers eine Abstimmspannung zugeführt wird,

Fig.6 eine schematische Darstellung des Adreß-Speichers,

Fig. 7 eine schematische Darstellung der Lösch-Z Schreib-/Lese-Betriebsartsteuerung und der Auswahl· torschaltungssteuerung für den Adreß-Speicher,

Fig.8 eine schematische Darstellung des Datenspeichers,

Fig. 9 eine schematische Darstellung der Lösch-Z Schreib-ZLese-Betriebsartsteuerung und der Auswahltorschaltungssteuerung für den Datenspeicher,

Fig. 10 Kurvenformen zur Erläuterung der Zeitfolge der entsprechenden Betriebsarten,

Fig. 11 Kurvenformen zur Erläuterung der Schreibspannung,

Fig. 12 eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform des Sägezahn-Schreibspannungsgenerators,

Fig. 13 ein Blockschaltdiagramm eines Rundfunkempfängers mit einer weiteren Ausfühmngsform des erfindungsgemäßen voreinstellbaren Abstimmgeräts,

Fig. 14 im Detail den größeren Teil der logischen Steuerungseinheit,

F i g. 15 die Zeitfolge der verschiedenen Steuerungen der logischen Steuerungseinheit nach Fig. 14,

Fig. 16 Kurvenformen zur Erläuterung der Ausführungsform nach Fig. 13,

Fig. 17 eine Kurvenform zur Erläuterung des Betriebes der Analog-Digital-U'nwandlung und

Fig. 18 im Detail die Übertragungstorschaltung und den Pufferspeicher.

Wie bereits oben beschrieben wurde, verwendet das erfindungsgemäße voreinstellbare Abstimmgerät einen Feldeffekt-Halbleiterspeicher mit ungeerdeter bzw. freischwebender Gate-Elektrode als nichtfiüchtigen Analogspeicher zur Speicherung einer Information, die eine Abstimmspannung betrifft, die einer in dem erfindungsgemäßen voreinstellbaren Abstimmgerat enthaltenen spannungsgesteuerten ve.änderlichen Reaktanz zugeführt wird. Es wird daher am Anfang ein Feldeffekt-Halbleiterspeicher mit ungeerdeter Gate-Elektrode im Detail beschrieben. Wie bereits oben ausgeführt wurde, ist in der US-PS 40 04 195 ein Feldeffekt-Halbleiterspeicher mit ungeerdeter Gate-Elektrode für die digitale Anwendung vollständig beschrieben. Da die Grundsttuktur eines Feldeffekt-Halbleiterspeichers mit ungeerdeter Gate-Elektrode für die Verwendung in dem crfindup.gsgerriäfien voreinstellbaren Abstimmgerät im wesentlichen gleich ist wie bei der aus der US-PS 40 04 195 bekannten Struktur, wird im wesentlichen darauf Bezug genommen.

F i g. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine typische bekannte nichtflüchtige Halbleiterspeichereinrichtung mit ungeerdeter Gate-Elektrode. Die Einrichtung nach F i g. 1 weist ein Halbleitei substrat 1 eines bestimmten Leitungstyps, wie etwa ein N-Silicium-Substrat einen in dessen Oberfläche ausgebildeten Source-Bereich j üp.d einen Drain-Bereich 2 beispielsweise des entgegengesetzten Leitungstyps oder des P-Typs sowie eine auf dem Substrat 1 ausgebildete zusammengesetzte Schicht aus Metall- und Isolierfilmen auf. Insbesondere ist eine erste Isolierschicht 4 aus Silichimdioxyd (S1O2) ausgebildet und erstreckt sich in einem Zwischenraum zwischen den beiden Bereichen 2 und 3. Auf der ersten Isolierschicht 4 ist eine ungeerdete Gate-Elektrode 5

aufgebracht. Als die ungeerdete Gate Elektrode 5 bildender Werkstoff kann ein Meiallfilm aus Molybdän, ein Film aus einem Halbleiter verwendet werden, wie etwa mit vielen Fremdstoffen (z. B. Phosphor, Bor u. dgl.) dotiertes polykristallines Silicium. Die Einrichtung nach Fig. 1 weist weiterhin eine auf der Gate-Elektrode 5 aufgebrachte zweite Isolierschicht 6 aus Siliciumnitrid (S13N4), eine auf der Siliciumnitrid-Schicht 6 aufgebrachte Steuergate-Elektrode 7 und Source- sowie Drain-Elektroden 8 und 9 auf, die mit den Source- und Drain-Bereichen 3 bzw. 2 entsprechend in Kontakt stehen.

Zum Löschen der Information aus der Speichereinrichtung mit einem derartigen Aufbau wird die ungeerdete Gate-Elektrode 5 mit einer positiv elektrischen Ladung aufgeladen, beispielsweise durch Herausstoßen von Elektroden aus der ungeerdeten Gate-Elektrode 5, wodurch die Steuergatespannungs-Drainstrom-Kennlinie in negativer Richtung verschoben und damit die Schwellenspannung des Feldeffekt-Bauteils in negativer Pachtung verschoben wird. Andererseits wird zum Einlesen der Information in eine derartige Halbleiterspeichereinrichtung die Gate-Elektrode mit einer negativen elektrischen Ladung aufgeladen, beispielsweise durch Einführen von Elektronen in die Gate-Elektrode 5, wodurch die Steuergatespannung-Drainstrom-Kennlinie in positiver Richtung und damit die Schwellenspannung des Feldeffekt-Bauteils ebenfalls in positiver Richtung verschoben wird.

F i g. 2 zeigt ein Kurvenschaubild der Steuergatespannung-Drainstrom-Kennlinie, wobei die elektrische Ladungsmenge in der ungeerdeten Gate-Elektrode als Parameter verwendet wird. Dabei ist auf der Abszisse die Steuergatespannung und auf der Ordinate der Drainstrom aufgetragen. Andererseits zeigt F i g. 3 ein Kurvenschaubild der Losch'/Schreibspannung-Steuergateschwellenspannungs-Kennlinie, wobei auf der Abszisse die Lösch'/Schreibspannung und auf der Ordinate die Steuergateschwellenspannung aufgetragen ist. Die Kurve a zeigt die Schreibkennlinie und die Kurve ö die Löschkennlinie. Fig.2 zeigt die Lesekennlinie, und es wird daher im Zusammenhang mit einer Leseoperation darauf Bezug genommen. F i g. 3 zeigt die Lösch-/ Schreibkennlinie der Halbleiterspeichereinrichtung, und es wird im Zusammenhang mit der Lösch- und Schreiboperation der Halbleiterspeichereinrichtung darauf Bezug genommen.

Eine Löschoperation wird durch den Fowler-Nordheim-Tunneleffekt der Elektronen aus der Gate-Elektrode 5 zum Siliciumsubstrat hin bewirkt, wodurch die Gate-F!ektrode 5 in positiver Richtung auf einen gegebenen Wert der elektrischen Ladungsmenge aufgeladen wird. Eine Schreiboperation wird durch eine Avalanche-Fnjektion der Elektronen vom Drainbereich 2 zur Gate-Elektrode 5 hin erreicht wodurch die Gate-Elektrode 5 in negativer Richtung auf einen weiteren gegebenen Wert der elektrischen Ladungsmenge aufgeladen wird.

Fig.4A zeigt die Verbindung der Elektroden der Halbleiterspeichereinrichtung in der Lösch-Betriebsart, Fig.4B in der Lese-Betriebsart und Fig.4C in der Schreib-Betriebsart In der Lösch-Betriebsart ist die Drain-Elektrode geerdet und die Löschspannung wird an die Steuergate-Elektrode in der Form eines negativen Löschimpulses zugeführt, während die Source-E!ektrode offen ist in der Lese-Betriebsart ist die Source-EIektrode über einen Widerstand geerdet wodurch ein Leseausgangssignal von der Source-EIek-

trode erhalten wird. Die Steuergate-Elektrode und dar Drainbereich sind mit der negativen Klemme der Spannungsquelle verbunden. In der Schreib-Betriebsart ist die Steuergate-Elektrode geerdet, und dem Drainbereich wird ein negativer Schreibimpuls zugeführt, während die Source-EIektrode geöffnet ist.

Anhand der F i g. 2, 3, 4A, 4B und 4C folgt nun eine detaillierte Beschreibung der einzelnen Betriebsarten. In der Lösch-Betriebsart wird eine Löschspannung Vy der Steuergate-Elektrode 7 zugeführt, bezüglich des Drainbereichs 2. Dies hat zur Folge, daß die ungeerdete Gate-Elektrode 5 auf einen Wert der elektrischen Ladungsmenge aufgeladen wird, der eine Schwellenspannung Vt in Übereinstimmung mit der Kennlinie (b) nach Fig.3 bringt. Wenn in der Schreib-Betriebsart eine Schreibspannung Vd' dem Drainbereich 2 zugeführt wird, bezüglich der Steuergate-Elektrode 7, so wird die Gate-Elektrode 5 auf einen neuen Wert der elektrischen Ladungsmenge aufgeladen, wodurch eine neue Schweiienspannung Vt erreicht wird, entsprechend der Schreibkurve (a) nach F i g. 3. Wenn eine neue Schreibspannung Vd" dem Drainbereich 2 zugeführt wird, bezüglich der Steuergate-Elektrode 7, so wird die Gate-Elektrode 5 auf einen neuen Wert der elektrisch :n Ladungsmenge aufgeladen, wodurch eine neue Schwellenspannung Vt" erreicht wird. Wie aus Fig. 2 zu ersehen ist, fließt in der Lese-Betriebsart, wenn der Steuergate-Elektrode 7 eine Lesespannung Vq zugeführt wird, ein Drainstrom Id', wenn der Halbleiterspeichereinrichtung in der vorhergehenden Schreib-Betriebsart eine Schreibspannung Vd' zugeführt wurde, und ein weiterer Drainstrom Id", wenn der Halbleiterspeichereinrichtung in der vorhergehenden Schreib-Betriebsart eine Schreibspannung ^"zugeführt wurde. In anderen Worten, die Schwellenspannung der HaIbleiterspeichereinrichtung ist in Abhängigkeit von einem Schreibspannungswert änderbar, der der Halbleiterspeiche reinrichtung in der vorhergehenden Schreib-Betriebsar: zugeführt wurde. Demzufolge ist auch der Drainstrom in der Lese-B, triebsart in Abhängigkeit von der Schwellenspannung und damit in Abhängigkeit von der in der vorhergehenden Schreib-Betriebsart der Halbleiterspeichereinrichtung zugeführten Schreibspannung veränderbar. Damit ist die B-Jbleiterspeichereinrichtung in der Lage, Analoginformationen zu speichern.

Im nachfolgenden wird nun die Schreib-Betriebsart genauer beschrieben. Nachdem man durch Zuführen einer Schreibspannung Vd' zur Halbleiterspeichereinrichtung die Schwellenspannung Vt' erhält, erhält man durch Zuführen einer neuen Schreib>pannung Vd" zur Halbleiterspeichereinrichtung einp neue Schwellenspannung Vt". In anderen Worten, die Erneuerung der Schwellenspannung kann in Richtung von der Schwellenspannung aus als ausgelöscht und zur Schwellenspannung hin als nicht ausgelöscht leicht erreicht werden. Andererseits ist vom praktischen Standpunkt aus gesehen die Schreiboperation in entgegengesetzter Richtung schwierig. Daher wird die Schreiboperation vorzugsweise in Richtung von der Schwellenspannung aus als ausgelöscht und zur Schweiienspannung hin als nicht ausgelöscht bewirkt

F i g. 5 zeigt ein Blockschaltdiagramm eines Rundfunkempfängers mit einer Abstimmeinrichtung, die einen Abstimmschaltkreis oder einen Oszillatorschwingkreis mit einer spannungsgesteuerten veränderlichen Kapazitätsdiode aufweist der eine Abstimmspannung unter Verwendung der oben beschriebenen nicn!flüchtigen

Halbleiter-Analogspeichereinrichtung von einer Spannungsquelle aus zugeführt wird. Der größere Teil eines typischen Rundfunkempfängers ist im oberen Teil von Fig.5 dargestellt, der einen mit einer Antenne verbundenen Tuner 201, einen Zwischenfrequenzverstärker 202, einen mit dem Zwischenfrequenzverstärker 202 verbundenen Detektor 203 zum Feststellen der Amplitude oder der Frequenz des Ausgangs des Zwischenfrequenzverstärkers sowie nachfolgende Tonstufen aufweist, wie etwa einen Tonverstärker 204 und einen Lautsprecher 205, die wohlbekannt sind und nicht im Detail beschrieben werden müssen. Der Tuner 201 weist üblicherweise einen Hochfrequenzverstärker, einen HilfsosziUator und eine Mischstufe auf. Zum Einbau der Erfindung weist der Tuner 201 des is Rundfunkempfängers weiterhin eine spannungsgesteuerte veränderliche Reaktanz auf, die so geschaltet ist, daß sie einen Teil eines Abstimmschaltkreises für den Hochfrequenzverstärker und den HilfsosziUator bildet Eine typische und eine bevorzugte spannungsgesteuerte veränderliche Reaktanz eines Fesikörpcrtyps, wie sie heute im Handel angeboten wird, ist ein spannungsgesteuerter veränderlicher Kondensator. Wie bereits oben beschrieben wurde, verwendet ein solcher spannungsgesteuerter veränderlicher Kondensator die Kapazität die von der Sperrschicht einer Halbleiterdiode gebildet wird, die in Abhängigkeit oder im umgekehrten Verhältnis zu einer daran angelegten Sperrspannung veränderlich ist und die auch als veränderliche Kapazitätsdiode bekannt ist. Es kann jedoch auch jede so andere spannungsgesteuerte veränderliche Reaktanz für die Zwecke der Erfindung verwendet werden. Der Tuner 201 empfängt eine Abstimmspannung von dem unteren Schaltkreisabschnitt.

Der Tuner 201 empfängt über einen Schalter 101 die J5 Abstimmspannung. Der Kontakt N des Schalters 101 ist mit einem Abstimmspannungsgenerator 102 verbunden, der einen zwischen der Spannungsquelle + B und Erde geschalteten veränderlichen Widerstand 102a aufweist. Der Kontakt P des Schalters 101 ist mit dem Ausgang der Spannungsumwandlungsschaltung 110 und mit dem Eingang eines Komparators 111 verbunden, die später im Detail beschrieben werden. Eine manuelle Einstellung des veränderlichen Widerstands 1023 Hefen eine veränderliche Spannung. Der Schalter 101 ist mit dem 4ί Kontakt Nin der normalen Auswahlbetriebsart und mit dem Kontakt P in der voreinstellbaren Auswahlbetriebsart verbunden. Wenn der Schalter 101 mit dem Kontakt N verbunden wird, so wird eine durch den veränderlichen Widerstand 102a eingestellte Abstimmspannung der veränderlichen Kapazitätsdiode VC im Tuner 201 zugeführt, wodurch der Abstimmschaltkreis im Tuner 201 auf die gewünschte Rundfunkfrequenz eingestellt wird.

Das vom Tuner 201 erhaltene Zwischenfrequenzsi- r> gnal wird durch den Zwischenfrequenzverstärker 202 verstärkt und dann durch den Detektor 203 festgestellt. Das Ausgangssignal des Detektors 203 wird durch den Tonverstärker 204 verstärkt und dann dem Lautsprecher 205 zugeführt. Dadurch wird die übliche Auswahl w des Senders erreicht.

Bisher wurde der Abstimmspannungsgenerator 102 so beschrieben, daß er einen veränderlichen Widerstand aufweist, der manuell so einstellbar ist. daß er eine veränderliche Abstimmspannung zum Abtasten eine«. >■.". gegebenen Frequenzbandes liefert. Alternativ dazu kann der Abstimmspanniingsgenerator 102 so aufgebaut sein. JaLl er die bekannte Säge/ahn-Ahstimmspannung für einen automatischen Abtastbetrieb liefert Ein derartiges Abstimmgerät mit automatischer Abtastung ist vorzugsweise so ausgebildet, daß der automatische Abtastbetrieb in Abhängigkeit von einem den Abstimmzustand des Tuners darstellenden Signal unterbrochen wird. Eine derartige automatische Abtasteinrichtung ist in den US-PS 39 65 288, 39 67 057, 39 86154 und 40 08 437 beschrieben. Vorzugsweise kann das erfindungsgemäße Abstimmgerät sowohl einen manuell betätigbaren Abstimmspannungsgenerator, wie etwa den Abstimmspannungsgenerator 102, sowie einen automatischen Abstimmspannungsgenerator zur Erzeugung einer automatischen Abtastspannung aufweisen, die wahlweise über einen geeigneten Schalter mit dem Tuner 201 verbunden sind.

Erfindungsgemäß kann die Abstimmspannung, entsprechend der Rundfunkfrequenz, die als Ergebnis der Auswahl durch manuelle Einstellung des veränderlichen Widerstands 102a des Abstimmspannungsgenerators 102 empfangen wurde, in einem nichtflüchtigen Haibleiter-Änalogspcicher mit einem Fcldcffckt-Haibleiterspeicher mit ungeerdeter Gate-Elektrode gespeichert werden. Kurz gesagt steuern erfindungsgemäß eine manuelle Bedienung eines Bandauswahlschalters 104 und eines Voreinstellungsauswahlschalters 105 eine Auswahltorschaltungssteuerung 106 eines Speichersteuerschaitkreises 114, wodurch ein Datenanalogspeicher 107 mit einem Feldeffekt-Halbleiterspeicher mit ungeerdeter Gate-Elektrode in Abhängigkeit vom Ausgang der Auswahltorschaltungssteuerung 106 geeignet adressiert wird. Die manuelle Betätigung eines Voreinstellungsspeicherschalters 103 steuert eine Lösch-/ Schreib-/Lese-Betriebsartsteuerung 108 des Speichersteuerungsschaltkreises 114, und es wird eine Schreibspannung von dem Losch-ZSchreib'/Lese-Spannungsgenerator 109 erhalten und entsprechend der Adressierung der Halbleiterspeichereinrichtung im Datenspeicher 107 zugeführt wodurch die Schreibspannung in die Halbleiterspeichereinrichtung des Datenspeichers 107 in der Form einer Schwellenspannung eingeschrieben wird, wie es bereits oben beschrieben wurde. Die in den Datenspeicher 107 eingeschriebene Schreibspannung wird sofort in der Form eines Drainstroms, wie es bereits oben beschrieben wurde, ausgelesen und weiter in eine entsprechende Abstimmspannung durch die oben beschriebene Spannungsumwandlungsschaltung 110 umgewandelt, worauf die von der Spannungsumwandlungsschaltung 110 umgewandelte Abstimmspannung mit der von dem Abstimmspannungsgenerator 102 erhaltenen Abstimmspannung verglichen wird. Da der Datenspeicher 107 nicht jede Form in der Form einer Abstimmspannung, sondern eher in der Form einer Schwellenspannung speichert, wie es oben beschrieben wurde, muß der Ausgang des Datenspeichers 107 in geeigneter Weise durch den Spannungsumwandlungsschaltkreis 110 verstärkt werden, der einen Verstärker aufweist. Die vom Spannungsumwandlungsschaltkreis 110 umgewandelte Abstimmspannung wird mit der vom Abstimmspannungsgenerator 102 gelieferten Abstimmspannung durch einen Komparator 111 verglichen. Jede der oben beschriebenen Schreib- und Leseoperationen wird während einer relativ kurzen Zeitdauer ausgeführt und abwechselnd wiederholt, bis die vom Spannungsumwandlungsschaltkreis 110 umgewandelte Abstimmspaniiiing mit der vom Abstimmspannungsgenerator 102 erhaltenen .Abstimmspannung zusammenfällt. Wenn die l'ibereinstimmung der beiden Abstimmspanniingen erreicht wird, liefert der Komparator Ml ein .Abschält-

signal, das der Lösch-ZSchreib-ZLese-Betriebsartsteuerung 108 zur Beendigung der Schreiboperation des Datenspeichers 107 zugeführt wird. Dies bedeutet, daß die der Abstimmspannung entsprechende Information, wie sie vom Abstimmspannungsgenerator 102 erhalten wird, in den Datenspeicher 107 eingeschrieben wird.

Nachdem die der gewünschten Abstimmspannung entsprechenden Daten in den Datenspeicher 107 eingeschrieben wurden, kann eine voreinstellbare Auswahl des der oben beschriebenen Abstimmspannung entsprechenden Senders durch einfaches Umschalten des Schalters 101 zum Kontakt P und durch Betätigen des Bandauswahlschalters 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105 bewirkt werden. Der Datenspeicher 107 wird entsprechend den Ausgängen der Schalter 104 und 105 adressiert, und das Ausgangssignal, das entsprechend der Adressierung von dem Datenspeicher 107 ausgelesen wird, wird durch die Spannungsumkehrschaltung 110 verstärkt Der Ausgang der Spannungsumwandlungsschaltung 110 wird als eine voreingestellte Abstimmspannung dem Tuner 201 zugeführt, wodurch die Rundfunkfrequenz der gewünschten Rundfunkstation durch die voreingestellte Auswahl ausgewählt wird.

Nun ist es aber wünschenswert, daß nach dem Auswählen der Rundfunkfrequenz einer gewünschten Rundfunkstation durch eine voreingestellte Auswahl und nachdem die Stromzuführung zu dem Rundfunkempfänger abgeschaltet wurde, der gleiche Empfangszustand wie vor Abschaltung der Stromzuführung zum Rundfunkempfänger wiederhergestellt wird, wenn die Stromzuführung wieder eingeschaltet wird. Um dies zu ί!reichen, kann ein nichtflüchtiger Adreß-Speicher vorgesehen werden, der die der vorherigen Betätigung des Bandauswahlschalters 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105 entsprechenden Daten speichert, nämlich die Daten darüber, wie die Schalter 104 und 105 vorher betätigt wurden. Zu diesem Zweck weist die Ausführungsform nach Fig.5 weiterhin einen Adressenspeicher 112 zum Speichern der Adresse des Datenspeichers 107 auf. der durch die Betätigung des Bandauswahlschalters 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105 ausgewählt wurde, und die oben beschriebene Auswahltorschaltungssteuerung 106 des Speichersteuerungsschaltkreises 114 ist in Abhängigkeit vom Ausgang steuerbar, der von dem Adressenspeicher 112 ausgelesen wird. Insbesondere wird die Speicherung der oben beschriebenen Adresse, die durch die Betätigung der Schaller 104 und 105 ausgewählt wurde, durch die Auswahltorschaltungssteuerung 113 des Speichersteuerungsschaltkreises 114 erreicht, um den nichtflüchtigen Adressenspeicher 112 und den Lösch-/ Sciireib-/Lese-Spannungsgenerator 115 zur Zuführung der L.ösch-/Schreib-/Lesespannung zum Adressenspeicher 112 zu steuern. Wenn bei diesem Aufbau die Stromzuführung wieder eingeschaltet wird, wird die oben beschriebene Auswahltorschaltungssteuerung 106 in Abhängigkeit von dem aus dem Adressenspeicher 112 ausgelesencn Ausgangssignal gesteuert, worauf die gleiche Adresse, die vorher im Datenspeicher 107 gespeichert wurde, wieder erhalten wird.

Ls werden nun im nachfolgenden noch weitere Operationen der Alisführungsform nach F i g. 5 beschrieben, wie »hinschreiben der gewünschten Adresse in den Adressenspeichcr«. »Linschreiben der Abstiinmspannung 111 den Datenspeicher« und »Vorcinstelliingsauswahl«. Der Einfachheit halber wird die Lrfimlung anhand eines voreinstellen cn kuiidfiinkcinpfiingcrs mit zwei Bändern (AM- und FM-Band) und mit zwei voreinstellbaren Sendern zur Auswahl beschrieben.

Einschreiben der gewünschten Adresse
in den Adressenspeicher

Die durch die Betätigung des Bandauswahlschalters 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105 bestimmte Adresse wird in den nichtflüchtigen Analogspeicher 112 eingeschrieben, der den oben beschriebenen Aufbau aufweist Da die Adresse an sich von digitaler Natur ist, kann der Adressenspeicher in den nichtflüchtigen Digitalspeicher implementiert werden.

F i g. 6 zeigt eine schematische Darstellung des

Adressenspeichers 112. Um die Daten bezüglich der Bandadressen einzuspeichern, sind Adreßhalbleiterspeicher MBX und MB 2 vorgesehen. Um andererseits die Daten bezüglich der Auswahladressen 7·:, speichern, sind Adreßhalbleiterspeicher MSX und AiS 2 vorgesehen. Die als Feldeffekttransistoren ausgebildeten

2(i Torschaltungen Gl bis G 7 sind zur wahlweisen Lösch-/Schreib-/Lese-Operation der Adreßhaibieiierspeicher MB 1 und MB 2 vorgesehen, und in ähnlicher Weise sind die als Feldeffekttransistoren ausgebildeten Torschaltungen G 8 bis G 14 zur wahlweisen Lösch-/ Schreib-ZLese-Operation der Adreßhalbleiterspeicher Λ/Sl und MS2 vorgesehen. Da die Schreiboperation der Bandadressen und die der Auswahladressen in genau der gleichen Weise durchgeführt wird, wird im nachfolgenden lediglich die Schreiboperation der

jo Bandadressen beschrieben, während die Beschreibung der Schreiboperation der Auswahladressen weggelassen wird. Die Torschaltungen G 1 und G 2 dienen dazu, wahlweise eine Schreibspannung VW oder eine Lesespannung VR', die von dem Lösch-ZSchreib-ZLese-

r> Spannungsgenerator 115 zugeführt wird, den Drain-Elektroden der Speicher MSl und MB2 zuzuführen, wodurch ein Schreibmodus oder ein Lesemodus der Speicher MBX und MB 2 gebildet wird. Die Torschaltungen G3 und G 4 sind im Lösch- und Lesemodus

w beide geöffnet, wobei im Schreibmodus lediglich eine davon wahlweise geöffnet ist, so daß ein Schreibmodus bezüglich einer der beiden Speicher MbX und AiS 2 gebildet wird. Die Torschaltungen G5 und G 6 dienen zur wahlweisen Zuführung der Löschspannung VEoder

4-, der Lesespannung VR, die von dem Lösch-ZSchreib-Z I.ese-Spannungsgenerator 115 zugeführt wird, zu den S.euergate-Elektroden der Speicher MB 1 und MB2, so daß damit bezüglich der Speicher MB 1 und MB2 ein Löschmodus oder ein Lesemodu'- gebildet wird. Die

w Torschaltung G7 ist im l.esemodus geöffnet, wodurch -iie Source-Elektroden der Speicher MB 1 und MB2 mit Erde verbunden sind, wenn die Bandadressen über einen Source-Widcrstand erhalten werden. Es ist darauf hinzuweisen, daß die von dem Lösch-ZSchreib-ZLese-

v-> Spannungsgenerator 115 zugeführten Spannungen VE, VW, VR und VR' jeweils eine Konstantspannung sind und daß der Spannungsgenerator 115 so aufgebaut ist, daß er diese Spannungen erzeugt.

F i g. 7 zeigt eine schematische Darstellung der

!.ο I,ösch-/Schreib-/I.ese-Modijssteuerung 108 und der Auswahltorschaltungsstcuerung 113, die in der Speichersteuerung 114 enthalten sind. Es wird nun im folgenden beschrieben, wie die Bandadresse in den Speicher MB 1 gespeichert wird, wenn der Bandaus-

h'i wählschalter 104 beispielsweise zur Auswahl des AM-Bandes betätigt wird. Wenn der Bandauswahlschalter 104 betätigt wird, so werden die ODER-Glieder 10, 11 und 12 in Arbeitslage geschaltet und der I !-Ausgang

(Ausgang mit hohem Potential) des ODER-Glieds 12 wird einem Zähler 14 und einem Schieberegister 16 mit seriellem Eingang und parallelem Ausgang zugeführt, wodurch der Zähler 14 und das Schieberegister 16 gelöscht werden, und ein Oszillator 13 wird eingeschal- ί tet Die vom Oszillator 13 erhaltenen Impulse werden in geeigneter Weise durch den Zähler 14 frequenzgeteilt, und der Ausgang des Zählers 14 wird dem Dateneingang D des Schieberegisters 16 zugeführt. Das Schieberegister 16 liefert an den Klemmen I₁ 2 und 3 sequentiell Ausgangsimpulse. Wenn der Ausgangsimpuls jedoch an der Klemme 3 erhalten wird, so hat das NOR-Glied 15 L-Potential (niedriges Potential), und dem Takteingang CK des Schieberegisters 16 wird nicht mehr das Takteingangssignal zugeführt, was zur Folge hat, daß die Operation des Schieberegisters 16 beendet wird.

Wenn der Ausgangsimpuls an der Klemme 1 des Schieberegisters 16 zum ersten Mal erhalten wird, so nehmen beide Ei.igänge des UND-Glieds 29 H-Potential an, wodurch der Ausgang des NOR-Glieds 30 sich vom H- zum L-Potential ändert, während der Ausgang eines Inverters 31 sich vom L- zum Η-Potential ändert. Andererseits befindet sich ein Eingang des UND-Glieds 28 auf L-Potential, und die beiden Ausgänge der NAND-Glieder 24 und 25 befinden sich beide auf Η-Potential. Die Torschaltungen G 3 und G 4 werden beide in Abhängigkeit vom Η-Potential am Ausgang der NAND-Glieder 24 und 25 geöffnet Demzufolge wird die Löschspannung VE vom Spannungsgenerator 115 über die Torsc!'a!uingen G 3, G 4 und G 5 den Gate-Elektroden der Speicher MBl und MB 2 zugeführt, wobei irgendeine in den Speichern MB 1 und MB 2 gespeicherte, die Bandadresse betreffende Information gelöscht wird. Wenn damit. in Impuls von der a Klemme 1 des Schieberegisters 16 erhalten wird, so werden die Torschaitungen G 3, G 4 und G 5 des Adressenspeichers 112 in Arbeitslage geschaltet, wodurch die Adressenspeicher MB 1 und MB 2 in den Löschmodus gebracht werden.

Wenn dann der Ausgangsimpuls von der Klemme 2 des Schieberegisters 16 erhalten wird, so wird das UND-Glied 28 in die Arbeitslage geschaltet und sein Ausgang erhält H-Potential. Die beiden Eingänge des NAND-Glieds 24 bekommen Η-Potential, wodurch der ■>=> Ausgang auf L-Potential kommt. Das NAND-Glied 25, das NOR-Glied 30 und der Inverter 31 bleiben gleich wie beim Löschmodus. Demzufolge nehmen die Ausgänge des NAND-Glieds 25, des UND-Glieds 28 und des Inverters 31 Η-Potential an und die Torschaltungen G 1, G 4 und G 5 des Adressenspeichers 112 werden damit in Arbeitslage geschaltet. Damit wird die vom Lösch-/Schreib-/Lese-Spannungsgenerator 115 erhaltene Schreibspannung VW den Drain-Elektroden der beiden Speicher MB 1 und MB2 zugeführt. Da >ί jedoch die Torschaltung G 3 geschlossen ist, ist die Steuergate-Elektrode des Speichers MB 1 über einen Gate-Widerstand geerdet, während der Steuergate-Elektrode des Speichers MB2 die Löschspannung VE vom Spannungsgenerator 115 über die Torschaltungen ho G 5 und G 4 zugeführt wird, was zur Folge hat, daß die Daten lediglich in den Speicher MB 1 eingeschrieben werden. Wenn der Bandauswahlschalter 104 zur Auswahl des FM-Bandes betätigt wird, so werden die Torschaltungen Gl, G3 und G5 in Arbeitslage (>·> geschaltet bzw. leitend, wodurch die Daten in den Speicher MB 2 eingeschrieben werden. Wenn dann der Ausgangsimpuls von der Klemme 2 des Schieberegisters 16 erhalten wird, so wird einer der Speicher MB 1 oder MB2 des Adressenspeichers 112 in den Schreibmodus gebracht

Wenn der Ausgangsimpuls danach von der Klemme 3 des Schieberegisters 16 erhalten wird, so wird die Betätigung des Schieberegisters 16 beendet. In einem derartigen normalen Zustand sind jedoch die Torschaltungen G2, G3, G4, G6 und Gl des Adressenspeichers 112 in Abhängigkeit von den Η-Potentialen nn den Ausgängen der NAND-Glieder 24 und 25 und des NOR-Glieds 30 in Arbeitslage geschaltet Damit wird die Lesespannung VR' über die Torschaltung G 2 den Drain-Elektroden der Speicher MB 1 und MB 2 und die Lesespannung VR über die Torschaitungen G 3, G 4 und G 6 den Steuergate-Elektroden der Speicher MB 1 und MB 2 zugeführt während die Source-Elektroden der Speicher MBl und MB 2 über die Torschaltung G 7 geerdet werden, was zur Folge hat daß beide Speicher MB 1 und MB 2 in den Lesemodus gebracht werden, so daß die in irgendeinem der Speicher gespeicherte Information bezüglich der Bandadresse ausgelesen wird.

Die Schreiboperation der Auswahladressen wird in ähnlicher Weise bewirkt Wenn der Voreinstellungsauswahlschalter 105 betätigt wird, so werden die NAND-Glieder 26 und 27, die UND-Glieder 32 und 33, das NOR-Glied 34, der Inverter 35 und die Torschaltungen G 8 bis G14 geeignet ausgewählt und angesteuert wodurch die Information bezüglich der Auswahladressen in irgendeinem Speicher MSl oder MS 2 eingeschrieben wird.

Da die oben beschriebene Lösch- und Schreiboperation bezüglich der Speicher gleichzeitig durchgeführt wird, können die Schalter 104 und 105 auch Berührungsschalter sein. In diesem Fall ist sogar eine kurze Zeitdauer eines Fingerkontakts mit dem Berührungsschalter ausreichend, um die oben beschriebene gleichzeitige Lösch- und Schreiboperation zu ermöglichen.

Einschreiben der Abstimmspannung
in den Datenspeicher

Wie oben bereits beschrieben wurde, werden die Daten bezüglich der Band- und Auswahladressen in den Adressenspeicher 112 in Abhängigkeit von der Betätigung des Bandauswahlschalters 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105 eingeschrieben, worauf ein kontinuierlicher Lese-Betriebsmodus hergestellt wird und der Bandadreßsusgang und der Auswahladreßausgang von dem Adressenspeicher 112 erhalten wird. Es wird nun beschrieben, wie die Daten bezüglich der von dem Abstimmspannungsgenerator 102 erhaltenen Abstimmspannung in den Speicher des Datenspeichers 107 eingeschrieben werden, und zwar adressiert in Abhängigkeit vom oben beschriebenen Bandadreßausgang und vom Auswahladreßausgang.

Erfindungsgemäß werden die Daten bezüglich einer Abstimmspannung in dem nichtflüchtigen Datenanalogspeicher 107 gespeichert, der den oben beschriebenen Aufbau aufweist. Fig.8 zeigt eine schematische Darstellung des Datenspeichers 107. Für eine vereinfachte Darstellung des Aufbaus der Torschaltungen, die um den Speicher 107 herum angeordnet sind, werden die Datenspeicher MA 1 und MA 2 sowie MFl und MF2 in Matrixform angeordnet, wobei die Zeilen der Speicher den Frequenzbändern und die Spalten der Speicher den voreingestellten Sendern zugeordnet werden. Die Torschaltungen G 21 bis G 28 des

Datenspeichers 107 werden in Verbindung mit der Adressieroperation angesteuert F i g. 9 zeigt eine schematische Darstellung der Auswahltorschaltungssteuerung 106 der Speichersteuerung 114 zum Ansteuern der Torschaltungen G 21 bis G 28, wobei die -> von dem oben beschriebenen Adressenspeicher 112 erhaltenen Adressierausgangssignale den Klemmen Tl bis TA zugeführt werden, um lediglich den Datenspeicher in der adressierten Form einer LösclWSchreib-/ Lese-Operation tu unterziehen. πι

Bei einer Ausführungsform, bei der kein Adreß-Speicher 112 vorgesehen ist, sind die Ausgänge des Bandaub"wahlschalters 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105 direkt mit den Klemmen T\ bis Γ 4 verbunden. Falls der AdreG-Speicher 112 nicht vorgese- ι > hen ist und Berührungsschalter als Bandauswahlschalter 104 und Voreinstellungsauswahlschalter 105 verwendet werden, so ist es erforderlich, Verriegelungsschaltungen bzw. Selbsthalteschaltungen vorzusehen, die in Abhängigkeit von der Betätigung der Berührungsschalter fortwährend die Adressierausgangssignale so liefern, daß ein momentanes Ausgangssignal des Berührungsschalters erhalten wird.

Die Torschaltungen G 29 bis G 33 werden in Verbindung mit der Lösch-/Schreib-/Lese-Betriebsart r> angesteuert. F i g. 9 zeigt eine schematische Darstellung der Lösch-/Schreib7Lese-Betriebsartsteuerung 108 zum Steuern der Torschaltungen G 29 bis G 33. F i g. 10 verdeutlicht die Zeitfolge der entsprechenden Betriebsarten. JO

Die Lesespannung VT?' wird mit einem konstanten Wert über die Torschaltung G 29 dem Datenspeicher 107 zugeführt, während die Lesespannung VT? mit einem konstanten Wert über die Torschaltung G 30 dem Datenspeicher 107 zugeführt wird. Die Schreibspan- r> nung VW mit einer Sägezahnkurvenform wird über die Torschaltung G 31 dem Datenspeicher 107 und die Löschspannung V£mit einem konstanten Wert über die Torschaltung G 32 dem Datenspeicher 107 zugeführt. Diese Spannungen werden von dem Lösch'/Schreib-/ Lese-Spanm.ngsgenerator 109 erzeugt.

Es wird nun im folgenden beschrieben, wie die Daten bezüglich der Abstimmspannung in den Speicher MA 1 eingeschrieben werden, und zwar in dem Falle, in dem die Adressierausgangssignale den Klemmen Ti und TI -r> zugeführt werden und der Voreinstellungsspeicherschalter 103 betätigt wird. Wenn djr als Berührungsschalter ausgebildete Voreinstellungsspeicherschalter 103 betätigt wird, so werden der Oszillator 13, der Zähler 14 und das Schieberegister 16 eingeschaltet, wie ->o es auch geschieht, weoi die Schalter 104 und 105 betätigt werden. Wenn der Ausgangsimpuls zum ersten Mal von dvr Klemme 1 de„ Schieberegisters 16 erhalten wird, so nehmen beide Eingänge des UND-Glieds 23 Η-Potential und der Ausgang des UND-Glieds 23 r> Η-Potential an. Infolge des Η-Potentials am Ausgang des UND-Glieds 23 wird die Torschaltung G32 des Datenspeichers 107 leitend. Andererseits liefert von den Invertern 21 und 22, deren Ausgänge normalerweise Η-Potential haben, lediglich der Inverter 21 L-Potential, ho aufgrund der Inversion des Η-Potentials am Ausgang des UND-Glieds 23, wodurch der Ausgang des UND-Glieds 38 Η-Potential annimmt und die Torschaltung G 22 des Datenspeichers 107 leitend wird. Demzufolge wird die von dem Spannungsgenerator 109 erhaltene Löschspannung VE über die Torschaltungen G 22 und G 32 lediglich dem Speicher MA 1 zugeführt, wodurch irgendeine v:-;her gespeicherte Information gelöscht wird und der Speicher für die Aufnahme neuer Daten aufnahmeberek gemacht wird. In anderen Worten, wenn von der Klemme 1 des Schieberegisters 16 der Ausgangsimpuls erhalten wird, so wird die Lösch-Betriebsart eingestellt. Siehe F i g. 10(a).

Bei H-Potentia! am Ausgang des UND-Giieds 23 wird ein monostabiler Multivibrator 24' getriggert, wodurch der Ausgang des monostabilen Multivibrators 24' von H- zu L-Potential während der quasi-stabilen Zeitdauer T umgekehrt wird, so daß während der oben beschriebenen quasi-stabilen Zeitdauer reine Schreiboperation in den entsprechend adressierten Speicher ermöglicht wird. Siehe Fig. 10(b). Im Unterschied zur Schreiboperation der Daten bezüglich der Adressen von digitaler Natur kann die Schreiboperation der Analogdaten bezüglich einer Abstimmspannung nicht augenblicklich erreicht werden. Daher wird bei der dargestellten Ausführungsform die Schreiboperation der Analogdaten wiederholt durchgefühlt, und zwar über eine fortwährende Betätigung des Oszillators 13 in Abhängigkeit von dem in Arbeitslage geschalteten Ausgang des NOR-Glieds 20. Da.. Stoppsignal ist normalerweise ein L-Potential, es ist jecoch dann ein Η-Potential, wenn die Daten bezüglich einer gewünschten Abstimmspannung in den entsprechend adressierten Speicher eingeschrieben werden, worauf die Betätigung des Oszillators 13 beendigt wird, um jede weitere Schreiboperation zu unterbrechen. Das Stoppsignal wird im Detail im nachfolgenden beschrieben.

Nachdem das Ausgangssignal an der Klemme 1 des Schieberegisters 16 L-Potential annimmt, nehmen die Ausgänge der NOR-Glieder 18 und 19 abwechselnd Η-Potential an, je nach dem Ausgang des Zählers 14, wodurch die Schreib-Betriebsart und die Lese-Betriebsart abwechselnd und wiederholt bewirkt werden. Das Η-Potential am Ausgang des NOR-Glieds 19 stellt die Schreib-Betriebsart dar (siehe F i g. 10(c)), während das Η-Potential am Ausgang des NOR-Glieds 18 die Lese-Betriebsart darstellt (siehe Fig. 10(d)). Wenn das Stoppsignal Η-Potential (Fig. 10(e)) annimmt, nimmt der Ausgang des NOR-Glieds 17 L-Potential an und behält dieses bei, während der Ausgang des NOR-Glieds 18 Η-Potential annimmt und dieses beibehält. Demzufolge wird danach eine fortwährende Lese-Betriebsart hergestellt. Wie bereits oben beschrieben wurde, wird die Operation beendet, wenn der Ausgang der Klemme 3 des Schieberegisters 16 H-Potential annimmt, wodurch sichergestellt ist, daß der Ausgang der Klemme 1 wieder Η-Potential annimmt. Insbesondere wird die Lösch-Betriebsart nur einmal direkt nach der Betätigung des Voreinstellungsspeicherschalters 103 hergestellt.

In der Schreib-Betriebsart nehmen die Ausgänge des NOR-Glieds 19 und des UND-Glieds 37 Η-Potential an, v.orajf die Torschaltungen G 21 und G 31 des Speichers 107 leitend werden. Dies hat zur Folge, daß die von dem Spannungsgenerator 109 erhaltene Schreibspannung VW über die Torschaltungen G 21 und G31 lediglich der Drain-Elektrode des Speichers MA 1 zugeführt wird, wodurch lediglich im Speicher MA 1 eine Schreiboperation bewirkt wird.

In der Lese-Betriebsart nehmen die Ausgänge des NOR-Glieds 18 und der UND-Glieder 37 und 38 Η-Potential an und die Torschaltungen G 21, G 22, G 29, G 30 und G 33 des Datenspeichers !07 werden in Arbeitslage geschadet. Damit wird die vom Spannungsgenerator 109 erhaltene Lesespannung VR über die Torschaltungen G 22 und G30 der Steuergate-Elektro-

de des Speichers MA 1 und die von dem Spannungsgenerator 109 erhaltene l.esespanriung VK' über die Torschaltungen G 29 und G 21 der Drain Elektrode des Speichers MA 1 zugeführt, wodurch ein Leseausgangssignal an einem Widerstand K erhalten wird, der zwischen der Source-Elektrode des Speichers MA 1 und Erde geschaltet ist. und zwar in Form des Drainstroms. Da der Drainstrom des Speichers MA 1 in Abhängigkeit von der Schreibspannung veränderlich ist. ist das i^Hu^M^ipM! in Abhängigkeit "on Her S-H-Ih- „ spannung verschieden.

Das von dem Speicher MA 1 abgenommene l.eseaus· gangssignal wird invertiert und durch die SpanmrigMiniwandlungsschaltung 110 verstärkt, wie es in Fig.·") dargestellt ist. Das von der Spannungsumwandliinpsschaltung 110 erhaltene Ausgangssignal in Form einer Abstimmspannung wird mit der durch den Ahstimmspannungsgenerator 102 cizcujmOm Ahs;nnrr,ipar;r;;;r;g verglichen.Die Schreib-Betriebsart und die lese Betriebsart werden abwechselnd und wiederholt so lange durchgeführt, bis das von der Spannungsuiimandlungv schaltung HO in der Form einet Abstimmspanming umgewandelte Ausgangssienal mit der umi dem Abstimmspanniingsgcnerator 102 erzeugten Abstimmspannung übereinstimmt. Nach DbereinMimmung des umgewandelten Ausgangssignals \on der Spanniingsumwandliingsschaltung 110 und der von dem Abstimm· spannungsgenerator 102 erzeugten Abstimmspannung wird vom Komparator 111 ein Stoppsignal erhaben, worauf die Lesc-Retnehsart danach fortw ährenii hergestellt wird, wodurch eine weitere Schreiboper.ition verhindert wird. Siehe F i g. 10(e).

Damit wird der der Abstimmspannung entsprechende und von dem Abstimmspannungsgenerator 102 erzeugte Analogwert in den Speicher MA 1 eingeschrieben. In gleicher Weise können verschiedene Analogwerte, die den anderen verschiedenen Abstimmspannungen ent sprechen, in die übrigen Speicher MA 2. MF \ und Λ//· eingeschrieben werden, und zwar durch geeignete Auswahlsteuerung der UND-Glieder 39 bis 47 und der Torschaltungen G 2.3 bis G 28 des Datenspeichers 107. Es wird nun im Zusammenhang mit Fig. 11 die dem Datenspeicher 107 zugeführte Schreibspannung be schrieben. Die Kurvenform (a) zeigt das Ausgangssignai des NOR-Glieds 20. wobei das Bezugszeichen T eine quasi-stabile Zeitdauer des monostabilen Multivibrators 24' bezeichnet, während der die Schreiboperation möglich ist. Die Kurvenform zeigt den Fall, bei dem bei der ersten Betätigung des Voreinstellungsspeicherschalters 103 zum Zeitpunkt f0 während der Zeitdauer T kein Stoppsignal erzeugt wird, wodurch die Schreiboperation in den Datenspeicher mit maximaler Schreibspannung bewirkt wird. Bei der zweiten Betätigung des Voreinstellungsspeicherschalters 103 zum Zeitpunkt wird das Stoppsignal zum Zeitpunkt ti erzeugt, wodurch die Schreiboperation durch die zum Zeitpunkt (2 verfügbare Schreibspannung bewirkt wird. Die Kurvenform (b) zeigt eine vom Lösch-ZSchreib-ZLese-Spannungsgenerator 109 erzeugte sägezahnförmtge Schreibspannung. Die Sägezahnform wird so erzeugt, daß die Abtastung in Abhängigkeit von der Betätigung des Voreinstellungsspeicherschalters 103 begonnen und in Abhängigkeit von der Beendigung der Betätigung des monostabilen Multivibrators 24' oder des Stoppsignals beendet wird. Die Kurvenform (c) zeigt die Schreibspannung, die entsprechend dem Ausgangssignal in der Schreib-Betriebsart (siehe Fig. 10(c)) zerhackt und der Torschaltung C 31 des Datenspeichers 107 und damit dem Datenspeicher 107 zugeführt wird. Es wird nun die Beziehung der Breite der Schreib /I ese-lmpulse und der Abtastzeitdauer T der Sägezahnform beschrieben. Die Schreibimpulsbreite ta und die Leseimpulsbreite tb

. werden durch die Schreib-ZLese-Geschwindigkeilscharakteristik des Speichers und einer für einen Tuner zulässigen Abstimmfrequenzabweichung Δ ν bestimmt. So besteht bei einer zu kleinen Breite ta + tb die Gefahr einer unzureichenden Schreib-ZLeseoperation.

ι während bei einer zu großen Breite ta + tb eine zunehmende Differenz zwischen den Schreibspan nungswcrten des Schreibimpuhes η und des folgenden Schreibimpulses η + 1 bewirkt wird, was eine verminder te Abstimmgenauigkeit zur Folge hat Allgemein sollte

, die Abstimmfrequenzabweichung .U bei 4 mV und die Breite la *■ tb bei 2 msec liegen. Es soll nun die Abstimmspannung von der Spannung Vl zur Spannung \ 2 verän.der' worden. Damit erhält man die folgende Gleichung:

12 Il ·--■ M

to + lh

Damit kann die AbtastzeiUlauer /'durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden:

Λ -l²^-¹- (M ,h).

Die Spannungsdifferenz V2-VI ist je nach dem Rundfunkband verschieden Wenn V2- VI =8 Volt ist. so isi die Abtastzeitdauer 7 gleich 4 Sekunden. Dies bedeutet, daß bis zu 4 Sekunden erforderlich sind, um die die Abstimmspannung betreffenden Daten in einen Speiche: zu schreiben. Vom praktischen Standpunkt aus gesehen ist jedoch eine derartige Zeitdauer nicht zu vertreten. Dm einen derartigen Nachteil zu vermeiden. win.! die Beziehung zwischen der Abstimmspannung und der Schreibspannung im voraus berechnet. Wenn ·., die einer Abstimmspannung entsprechenden Daten, entsprechend der Schreibspannung VW ■ n. in den Speicher eingeschrieben werden sollen, so wird die Schreiboperation vorzugsweise mit einer Schreibspanniing. wie etwa VW ■ n'. begonnen, die etwas unterhalb i, der Schreibspannung VVV ■ η liegt. Wenn das Gerät so aufgebaut ist. da3 es die in Fig. ll(d) dargestellte Abtastoperation bewirken kann, so kann die Schreibzeitdauer von der Zeitdauer f auf t verkürzt werden.

Fig. 12 zeigt eine schematische Darstellung einer ν bevorzugten Ausführungsform eines Spanr-ingsgenerators 109 zur Erzeugung einer sägezahnförmigen Schreibspannung. Ein Operationsverstärker OP empfängt an einem seiner Eingänge über eine Leitung /1 die von dem Abstimmspannungsgenerator 102 erzeugte v-, Abstimmspannung Tu - n. Diese Leitung /1 ist in der Ausführungsform nach Fig. 5 mit der gestrichelten Linie /1 dargestellt Der Operationsverstärker OP liefert bei Zuführung einer gegebenen Abstimmspannung Tu ■ π eine Schreibspannung Vw ■ n'. die etwas _rn kleiner ist als die Schreibspannung VW - n. die der angelegten Abstimmspannung Tu - π entspricht. Bei H-Potential am Ausgang des NOR-Glieds 20 wird die Torschaltung GO leitend. Wenn die Torschaltung GC gesperrt wird, so haben die beiden Punkte A und S das „^ Potential VW - n'. Wenn in diesem Zustand der Voreinstellungsspeicherschalier 103 betätigt wird, so nimmt der Ausgang des NOR-Glieds 20 Η-Potential an und die To-schaltung GO wird in die Arbeitslage

geschaltet. Dann entlädt sich ein Kondensator C wodurch das Potential am Punkt A vom Potential VW ■ n' zu einem Potential abfällt, das sich durch den Spannungsteiler R I und R 2 mit der Potentialdifferenz V- VW ■ «'ergibt. Damit erhält man die Schreibspannung VWam Punkt A. wie es in Fig. ll(d) dargestellt ist. Eine derartige .Schreibspannung ermöglicht eine sofortige .Schreiboperation nach Betätigen des Voreinsteü'-flgsspeicherschalters 103.

Voreinstellungsauswahl

Nachdem die Daten bezüglich einei- gewünschten Abstimmspannung in den Datenspeicher 107 eingeschrieben wurden, ist der F.mpfang einer Rundfunkfrequenz oder eines Rundfunksenders durch eine Voreinstellungsauswahl möglich. Die Voreinslellungsauswahl kann durch Verbinden des Schalters 101 mit dem Kontakt P und durch Betätigen des Bandauswahlschalter¹ 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105 in

Wenn beispielsweise durch den Bandauswahlschalter 104 das AM-Band ausgewählt wird, so werden die Adreß-Speicher MB 1 und MB 2 in die Lösch-Betriebsart und dann in die Schreib-Betriebsart gebracht, worauf die dem AM-Band entsprechenden Daten in den Speicher MB 1 geschrieben werden. Danach wird fortwährend die Lese-Betriebsart hergestellt, und die dem AM-Band entsprechenden Bandadreß-Ausgangssignale werden von dem Speicher MB 1 erhalten. Wenn die erste Rundfunkstation durch den Voreinstellungsauswahlschalter 105 ausgewählt wird, so werden die der eri.5n Station entsprechenden Auswahladrcssier-Aus gangssignale von dem Speicher MSX erhalte¹). Der relevante Speicher im Datenspeicher 107 wird entsprechend der beiden oben beschriebenen Adressier-Ausgangssignale adressiert.

Andererseits bleibt der Datenspeicher 107 fortwährend in der Lese-Betriebsart, wenn nicht der Voreinsteilungsspeicherschalter 103 neu betätigt wird oder der Normalbetriebszustand vorliegt, was aus der vorhergehenden Beschreibung leicht verständlich ist. Daher werden die Daten aus dem Speicher MA 1 des Datenspeichers 107 ausgelesen, der entsprechend der Adressier-Ausgangssignale des Adressenspeichers 112 adressiert wurde. Die von dem Speicher MA 1 ausgelesenen Daten werden durch die Spannungsumwandlungsschaltung HO verstärkt. Das von der Spannungsumwandlungsschaltung 110 verstärkte Ausgangssignal in der Form einer Abstimmspannung wird über den Schalter 101 dem Tuner 201 zugeführt. Damit wird ein Empfang entsprechend der voreingestellten Auswahl erreicht.

Es wird nun der Fall betrachtet, bei dem zuerst durch die Voreinstellungsauswahl ein Empfangszustand hergestellt wurde und bei dem die Stromversorgung des Empfängers zuerst abgeschaltet und dann wieder eingeschaltet wird. Wie bereits oben beschrieben wurde, befindet sich der Adreß-Speicher 112 normalerweise in der Lese-Betriebsart. Demzufolge werden in einer derartigen Situation die gleichen Adressier-Ausgangssignale von dem Adreß-Speicher 112 wie vorher empfangen. Damit kann selbst in einer derartigen Situation der gleiche Rundfunksender oder die gleiche Rundfunkfrequenz empfangen werden wie vorher.

Fig. 13 zeigt ein Blockschaltdiagramm eines Rundfunkempfängers mit einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen voreinsteiFDaren Abstimmgeräts. Ein wesentliches Merkmal dieser Ausführungsform

besteht darin, daß die Abstimmspannung in eine Rohabstimmspannung und eine Feinabstimmspannung aufgeteilt und eine getrennte Speicherung der Rohabstimmspannung in einem Digital-Datenspeicher und der Feinabstimmspannung in einem Analog-Datenspeicher vorgenommen wird. Die dargestellte Ausführungsfoim weist ein weiteres Merkmal auf, nämlich daß die bei der Voreinstellungsauswahl in den Datenspeicher gespeicherte Abstimmspannung erst einmal in einen Pufferspeicher übertragen oder eingeschrieben wird, in dem sie in Abhängigkeit von einem automatischen Frequenznachstimmsignal korrigiert und die korrigierte Spannung als tatsächliche Abslimmspannung im Tuner verwendet wird. Dabei ist die Ausführungsform so gestaltet, daß bei einer Abweichung der im Datenspeicher gespeicherten Abstimmspannung um einen einen vorbestimmten Wert überschreitenden Wert bezüglich der tatsächlichen Abstimmspannung diese entsprechend der automatischen Frequenznachstimmung korrigiert ··"*-! rA'tn Int Pin tnn»nn!/<linf nnlnrlnnnn P^»»· nr\ t'iltnr· *lin

Wiedereinschreiboperation in eine neue Abstimmspannung erneuert werden. Zu diesem Zweck weist die dargestellte Ausführungsforni anstelle der Speichersteuerschaltung 114, wie sie in Verbindung mit F i g. 5 beschrieben wurde, eine logische Steuereinheit 118 auf.

Fig. 14 zeigt mehr im Detail einen Hauptteil der logischen Steuereinheit 118. F i g. 15 zeigt die Zeitbeziehung der verschiedenen Steuerungen durch die logische Steuereinheit 118 nach F i g. 14. Anhand der Fig. 14 und 15 wird nun die logische Steuereinheit 118 beschrieben, bevor eine detaillierte Beschreibung der Ausführungsform nach Fig. 13 erfolgt.

Die logische Steuereinheit 118 empfängt Signale, die von verschiedenen in Fig. 13 dargestellten Schaltern 103, 104, 105 und 116 erhalten werden. Die logische Steuereinheit 118 empfängt weiterhin ein von einem Subtrahierer 123 erhaltenes Wiedereinschreib-Befehlssignal und ein von dem Komparator 111 empfangenes letztes Stoppsignal. Die Signale von den verschiedenen Schaltern und das Wiedereinschreib-Befehlssignal von dem Subtrahierer 123 werden über ein ODER-Glied G 101 beispielsweise dem Setzeingang 5 des Flip-Flops FFund auch einem Löscheingang CL eines 9-Bit-Schieberegisters SR zugeführt. Das Wiedereinschreib-Befehlssignal vom Subtrahierer 123 wird weiterhin dem Glied 104 zugeführt. Das vom Komparator 111 gelieferte letzte Stoppsignal wird einem Rücksetzeingang R des Flip-Flops FF so zugeführt, daß es als Betriebsstoppsignal der logischen Steuereinheit 118 dient

Wenn einer der in Fi g. 13 dargestellten Schalter 103, 104,105 und 116 betätigt oder das Wiedereinschreib-Beiehlssignal vom Subtrahierer 123 eingegeben wird, so wird das Flip-Flop FF gesetzt und das Schieberegister SR gelöscht Wenn das Flip-Flop FF gesetzt wird, so wird das nichtinvertierte Ausgangssignal über ein Glied G 105 einem Oszillator OSC zugeführt Damit beginnt der Oszillator OSC den Betrieb, wodurch ein Taktimpuls mit einer Breite von Beispielsweise 4 msec erzeugt wird. Der Taktimpuls vom Oszillator OSC wird dem Taktimpulseingang CK des Schieberegisters über das Glied 106 zugeführt Das Schieberegister SR führt in Abhängigkeit von dem vom Glied G 106 zugeführten Taktimpuls eine sequentielle Verschiebung oder eine Schrittoperation von eins bis neun durch.

Das Schieberegister SR spricht auf den ersten Taktgeberimpuis nach seiner Löschung an, worauf an der Klemme 1 des Schieberegisters SR ein Ausgangssi-

2b

gnal anliegt. Dieses Ausgangssignal a ist in Fig. I5(a) dargestellt und dient als Schreibtaktsignal für den Adreß-Speicher 112. Wenn das zweite Taktgebersignal dem Schieberegister SR zugeführt wird, so wird das folgende Ausgangssignal an der Klemme 2 erhalten. Die Ausgangssignale der Klemmen 1 und 2 werden durch das ODER-Glied G 102 einer ODER-Operation unterzogen, und am Atisgang des ODER-Glieds 102 wird ein Signal b abgenommen. Damit weist das Signal b die Breite von beispielsweise 8 msec, nämlich von zwei Taktgeberimpuisen auf. Das Signal h bestimmt die Zeitfolge der Datenübertragung von der Datenübertra gungsschaltung I18;i /um Adreß-Speicher 112. Der Grund dafür, warum die Impulsbreite des Signals b beispielsweise /.wei Taktgeberimpulse umfaßt, besteht darin, für den Datentransfer eine relativ lange vorbestimmte Zeitdauer zu gewährleisten, und /war unabhängig von der Länge der Zeitdauer, in der die .Schalter iO.5, 104. iO'3 uuei iJ6

uciüiigi

werden.

Wenn der dritte Taktgeberimpuls empfangen wird, so erhält man an der Klemme 3 des Schieberegisters SR das Signal c. Das Signal c dient als Rücksetztaktsignal des Zählers 119. Wenn das vierte Taktgebersignal eingegeben wird, so liegt das Signal c/an der Klemme 4 des Schieberegister·; SR an. Das Signal cMient dazu, die Zeitfolge /um Einschalten des Taktgeberimpulsgenerators 121 zn bestimmen. Das Schieberegister SR spricht auf den fünften Taktgeberimpuls an und liefert an der Klemme 5 ein Ausgangssignal und in gleicher Weise bei Empfang des sechsten Taktgeberimpulses an der Klemme 6 ein entsprechendes Ausgangssignal. Die Aiisgangssignale an den Klemmen 5 und 6 werden durch das ODER-Glied G 103 einer ODER-Operation unterzogen und am Ausgang des ODER-Glieds G 103 wird ein Signal e abgenommen. Das Signal e dient dazu, die Zeitfolge der Datenübertragung vom Zähler 119 zum Digital-Analog-Wandler 120 zu bestimmen. Das Signal e hat auch die Impulsbreite von zwei Taktgeberimpulsen, ähnlich wie das oben beschriebene Signa! b. Die impulsbreite des Signals e entsprechend den zwei Taktgeberimpulsen wurao deswegen gewählt weil der Zähler 119 und der Digital-Analog-Wandler 120 jeweils beispielsweise eine Fünf-Bit-Struktur aufweisen, w?s für einen /.ähler/yklus 119 eine Zeitdauer erforderlich macht, die eine Taktgeberimpulsbreite überschreitet.

Wenn der siebte Taktgeberimpuls empfangen wird, so liegt an der Klemme 7 des Schieberegisters SR ein Ausgangssignal an. Dieses Ausgangssignal /dient dazu, die Zeitfolge der Übertragung des Ausgangssignals vom Zähler 119 zum Digital-Datenspeicher 107a zu bestimmen.

Wenn das achte Taktgebersignal zugeführt wird, so erhält man an der Klemme 8 des Schieberegisters SR ein Signal g. Dieses Signal g dient dazu, die Zeitfolge der Schreiboperation des Digital-Datenspeichers 107a zu bestimmen. Wenn der neunte Taktgeberimpuls zugeführt wird, so liegt an der Klemme 9 des Schieberegisters SR ein Signal h an. Dieses Signal h dient dazu, die Zeitfolge der Schreiboperation der Daten zum Analog-Datenspeicher 107c/ zu bestimmen. Wenn das Signal h erhalten wird, so wird mit Hilfe des Glieds G106 eine weitere Zuführung des Taktgeberimpulses vom Oszillator OSCzum Schieberegister SR gestoppt

Die dargestellte Ausführungsform weist weiterhin ein Glied G104 zur Steuerung des Oszillators OSC auf. Dem Glied 104 wird ein vom Adreß-Speicher 112 geliefer*?s, die Voreinstellungsbetriebsart anzeigendes Signal, das vom Subtrahierer 123 gelieferte Wiedereinschreib-Befehlssignal und das von der Klemme 3 des Schieberegisters SR gelieferte Signal c zugeführt. Das Glied G 104 spricht auf das Signal c an, wenn dieses zu einem Zeitpunkt außerhalb der Voreinstellungsbetriebsart oder wenn dieses zu einem Zeitpunkt erhalten wird, wenn das Wiedereinschreib-Befehlssignal nicht zugeführt wird, wodurch das Glied G 105 so gesteuert wird, daß der Ausgang des Flip-Flops FFnicht vom Oszillator OSC getrennt wird. Damit spricht die logische Stcuerungseinheit 118 auf den Betrieb der entsprechenden Schalter 103, 104, 105 und 116 so ar. daß sie verschiedene Taktsignal!' a bis h liefert, die für die Steuerung erforderlich sind. Ausgehend von dem grundsätzlichen Verständnis der logischen Steuereinheit 118 wird nun der Betrieb der Ausführungsform nac¹. Fig. 13 mehr im Detail un'er Darstellung der verschiedenen Betriebsarten beschrieben.

Manueller Auswahlmodus

Beim manuellen Auswahlmodus wird zuerst der manuelle Auswahlschalter 116 betätigt. Nach Betätigen des Schalters 116 wird die logische Steueningseinheit 118 eingeschaltet und die Betätigung des manuellen Auswahlschalters 116 wird im Adreß-Speicher 112 gespeichert. Insbesondere wird nach Betätigen des manuellen Auswahlschalters 116 das Schieberegister SR der logischen Steuerungseinheit 118 in die Arbeitslage geschaltet, und es werden, wie bereits oben beschrieben wurde, die Taktsignale a und b abgegeben. Damit spricht die Datenübertragungsschaltung 118a auf das Taktsignal b an, um den von der logischen Steuerungseinheit 118 zugeführten Datenübertragungsbefehl (siehe Fig. I6(b)) zu empfangen, wodurch die Adreßdaten dem Adreß-Speicher 112 zugeführt werden. Gleichzeitig erhält die logische Steuerungseinheit 118 entsprechend dem Taktsignal a das Schreibsignal (siehe Fig. I6(a)), wodurch die Adreßdaten in den Adreß-Speicher 112 eingeschrieben werden. Die Anzeigetreiberschaltung 117 wird entsprechend dem Leseausgangssignal des Adreß-Speichers 112 angetrieben, wodurch eine Leuchtdiode 116a. die entsprechend dem manuellen Auswahlschalter 116 vorgesehen ist. durch die Anzeigetreiberschaltung 117 beleuchtet und damit der manuelle Auswahlmodus angezeigt wird. Das vom Adreß-Speicher 112 ausgelesene Ausgangssignal, d. h. das für den manuellen Auswahlmodus charakteristische Ausgangssignal wird einer Torschaltung C 201 eines Übertragungsglieds 124 zugeführt, das in Fig. 18 im Detail dargestellt ist und später beschrieben wird. Damit wird die Torschaltung G 201 leitend und die vom Abstimmspannungsgenerator 102 erhaltene Abstimmspannung einem Kondensator C eines Pufferspeichers 206 zugeführt, der in Fig. 18 mehr im Detail dargestellt ist und später beschrieben wird. Wenn zu diesem Zeitpunkt der Bandauswahlschalter 104 betätigt wird, werden die dem ausgewählten Band entsprechenden Daten in den Adreß-Speicher 112 eingespeichert, wie es in gleicher Weise bei Betätigen des manuellen Auswahlschalters 116 der Fall war, und eine Leuchtdiode 104a entsprechend dem gewählten Band leuchtet auf. Zu diesem Zeitpunkt wird die logische Steuerungseinheit 118 aufgrund des Signals b vom Schieberegister SR davon abgehalten, eine Schrittoperation durchzuführen, wie es bereits oben beschrieben wurde. Wenn nun die Abstimmspannung verändert oder durch manuelle Betätigung des veränderlichen Widerstands 102a, der den Abstimmspannungsgenerator 102 darstellt, abgeta-

stet wird, so wird die Abstimmspannung über die Torschaltung G 201 des Übertragungsglieds 124 in den Kondensator Cdes Pufferspeichers 206 eingeschrieben. Das Ausgangssignal des Pufferspeichers 206 wird als Abslimmspannung dem Tuner 201 zugeführt, der die veränderliche Kapazitätsdiode durch einen Feldeffekttransistor 7"3 für die Impedanztransformation aufweist, wodurch die manuelle Auswahl erreicht wird.

Voreinstellungsspeichermodus

Es wird nun der Voreinstellungsspeichermodus beschrieben, bei dem die durch die manuelle Auswahloperation erhaltene Abstimmspannung in die Datenspeicher 107a und 107£> eingeschrieben wird. Beim Voreinstellungsspeichermodus wird zuerst der Voreinstellungsspeicherschalter 10.3 betätigt. Nach Betätigen des Voreinstellungsspeicherschalters 103 wird die Betätigung dieses Schalters 103 im Adreß-Speicher

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von der logischen Steuerungseinheit 118 erhalten werden, also ähnlich, wie es bereits oben beschrieben wurde. Gleichzeitig leuchtet die dem Voreinstellungsspeicherschalter entsprechende Leuchtdiode 103a auf. Entsprechend dem aus dem Adreß-Speicher 112 ausgelesenen Ausgangssignal werden zu diesem Zeitpunkt die Torschaltungen C 201 und G 202 gesperr;. Die Torschaltung G 201 des Übertragungsglieds 124 wird fortwährend bei dem manuellen Auswahlmodus leitend gemacht und bei den öderen Betriebsarten gesperrt bzw. nichtleitend gemach'.. Die Torschaltung G 202 des Übertragungsglieds 124 wird so in Abhängigkeit von dem aus dem Adreß-Speicher 112 ausgelesenen Ausgangssignal gesteuert, daß sie für eine vorbestimmte Zeitdauer im Voreinstellungsauswahlmodus leitend gemacht wird und daß sie nach Niederdrücken des Bandschalters 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105 nach Einschalten des Stromzuführungsschalters nichtleitend gemacht wird.

Es wird dann der Voreinstellungsauswahlscnalter 105 betätigt. Entsprechend der Betätigung des Voreinstellungsauswahlschalters 105 speichert der Adreß-Speicher 112 die Daten des entsprechend gewählten Senders, wie es bereits oben beschrieben wurde. Gleichzeitig wird die dem durch den Voreinstellungauswahlschalter 105 ausgewählten Sender entsprechende Leuchtdiode 105a in den leuchtenden Zustand versetzt. Da die Bandauswahl im oben beschriebenen manuellen Auswahlmodus bewirkt wurde, werden das Ausgangssignal für die Adressierung des Bandes und das Ausgangssignal für die Adressierung des vorangestellten Senders vom Adreß-Speicher 112 erhalten, wodurch die Datenspeicher 107a und 107ft entsprechend dieser Adressier-Ausgangssignale adressiert werden.

Andererseits wird bei Betätigen des Voreinstellungsauswahlschalters 105 das Rücksetzsignal für den Zähler 119 (siehe F ig. 16(c)) vom Taktsignal c erhalten, das den Taktsignalen a und b folgt, die alle von der logischen Steuerungseinheit 118 geliefert werden, wodurch der Zähler 119 zurückgesetzt wird. Auf das folgende Taktsignal d hin wird der Taktgeberimpulsgenerator 121 eingeschaltet Damit werden die in Fig. 16(d) dargestellten Taktgeberimpulse vom Taktgeberimpulsgenerator 121 abgegeben und dem Takteingang C/Cdes Zählers 119 zugeführt Damit spricht der Zähler 119 auf die Taktgeberimpulse vom Generator 121 an und führt sequentielle Schrittoperationen durch. Bei Auftreten des dem Taktsignal d folgenden Taktsignal·; e wird der Torschaltung 1196 der Dateniibertragungsbefehl (siehe F i g. 16(e)) zugeführt. Damit wird der Inhalt des Zählers

119 dem Digital-Analog-Wandler 120 zugeführt. Dem nach wandelt der Digital-Analog-Wandler 120 den Inhalt des Zählers 119, der entsprechend den Taktgeberimpulsen in sequentiellen Schritten abgegeben wird, in ein Analog-Ausgangssignal um. Wenn sowohl der Zähler 119 als auch der Digital-Analog-Wandler 120 eine Fünf-Bit-Struktur aufweisen, so kann der Digital-Analog-Wandler 120 in Abhängigkeit vom Ausgang des Zählers 119 eine schrittweise Spannung mit 32( = 2'ⁱ) Schritten liefern (siehe F i g. 17).

Es soll nun die in den Kondensator C des Pufferspeichers 206 im manuellen Auswahlmodus eingeschriebene Abstimmspannung Vl, sein, wie es in Fig. 17 dargestellt ist. In diesem Fall wird de Zähloperation des Zählers 119 gestoppt, wenn die Ausgangsspannung des Digital-Analog-Wandlers 120 ci^K *"-"Γ!Ί W^ft V * Z¹¹Hl W°rt V- iind^r' ^vip ps ebenfalls in Fig. 17 dargestellt ist, worauf der Wert im Zähler 119 in die Adresse des Digital-Datcnspeichers 107a gespeichert wird, die durch den AdreG-Spcicher 112 mit Hilfe einer Rohabstimmspannung adressiert wurde. Dies wird im folgenden genauer beschrieben. Der Ausgang des Digital-Analog-Wandlers 120 ist über den Addierer 122 mit dem Komparator 111 verbunden. Andererseits wird die vom Pufferspeicher 206 erhaltene Abstimmspannung dem anderen Eingang des Komparators 111 zugeführt. Damit vergleicht der Komparator 111 die beiden Eingangsspannungen miteinander. Wenn die Ausgangsspannung vom Digital-Analog-Wandler

120 kleiner als die Ab^ctimmspannung wird, so nimmt der Ausgang des Komparator·, 111 L-Potential an. Damit wird die Erzeugung der Taktgeberimpulse vom Taktgeberimp ilsgencrator 121 gestoppt. Siehe Fig. 11(d)und(f).

Das Taktsignal /'wird nach dem Taktsignal e in der logischer. Steuerungseinheit 118 erzeugt. Durch das Taktsignal /"(siehe F i g. l'Vf)) wird die Torschaltung 119a leitend gemacht, wodurch der Inhalt des vorher gestoppten Zählers 119 dem Digital-Daicnspeicher 107a zugeführt wird. Danach wird von der logischen Steuerungseinheit 118 das Taktsignal g erhalten und damit das Schreibsignal (siehe Fig. 16(g)) dem Lrisi'.al-Datenspeicher 107a zugeführt. Dies hat zur F Ve. daß der Inhalt des Zählers 119 in die Adresse des Digital-Datenspeichers 107a eingeschrieben wird, die durch den Adreß-Speicher 112 adressiert wurde. Danach wird das vom Datenspeicher 107a ausgelesene Ausgangssignal dem Digital-Analog-'■ andler 120 eingegeben und dessen Ausgangssignal dem Addierer 122 als Robabstimnispannung zugeführt.

Nach dem Taktsignal g liefert die logische Steuerungseinheit 118 das Taktsignal h, wenn das Schieberegister SR vor der Ausführung einer weiteren Schrittoperation gestoppt wird. Bei Empfang des Taktsignals h wird der Lösch-ZSchreib-ZLese-Spannungsgenerator 109 eingeschaltet. Der Spannungsgenerator 109 liefert zuerst dem Analog-Datenspeicher 107bein Löschsignal (siehe Fig. 16(h)). der als Speicher für die Speicherung der der Feinabstimmspannung entsprechenden Daten dient Damit wird der Analog-Datenspeicher 107fc gelöscht und er wird nun abwechselnd und wiederholt in den Lese-Betriebsmodus und in den Schreib-Betriebsmodus gebracht je nachdem, ob ein Lesesignal (Fig.(16(.)) oder ein Schreibsigna! (siehe Fig. 16(J)) anliegt das vom Spannungsgenerator 109 erhalten -.':\ ± Damit wird die Schreiboperation der Feinabstimrnspan-

nung durchgeführt Die Schreiboperation der Feinabstimmspannung wird in der gleichen Weise durchgeführt wie bei der Ausführungsform nach F i g. 5, so daß auf eine weitere Beschreibung verzichtet werden kann. Das vom Analog-Datenspeicher 1076 ausgelesene Ausgangssigna^. & h. die Feinabstimmspannung, wird dem oben beschriebenen Addierer 122 zugeführt

Der Addierer 122 rechnet die Summe der vom Digital-Analog-Wandler 120 erhaltenen Rohabstimmspannung und der vom Analog-Datenspeicher 1076 erhaltenen Feinabstimmspannung aus. Das Summenausgangssignal vom Addierer 122 wird dem einen Eingang des !Comparators 111 und auch dem Übertragungsglied 124 zugeführt Der Ausgang des (Comparators 111 geht vom L- in das Η-Potential (siehe Fig. 16(f)) über, wenn der Ausgang des Addierers 122 größer wird als die in dem Pufferspeicher 206 eingeschriebene Abstimmspannung, wodurch die Schreiboperation einer neuen Feinabstimmspannung in den Analog-Datenspeicher 1076 gestoppt wird. Danach verbleibt der Analog-Datenspeicher 1076 weiter im Leseoperationsmodus (siehe Fig. i6(i)). Gleichzeitig wird der Voreinstellspeichermodus freigegeben. Demnach wird entsprechend der dargestellten Ausführungsform die in den Pufferspeicher 206 einzuschreibende Abstimmspannung in eine Rohabstimmspannung und eine Feinabstimmspannung aufgeteilt die jeweils in den Digital-Datenspeicher 107a bzw. den Analog-Datenspeicher 1076 eingeschrieben werden.

Voreinstellungsauswahlmodus

Um eine Voreinstellungsauswahl zu erreichen, werden der Bandauswahlschalter 104 und der Voreinstellungsauswahlschalter 105 in entsprechender Weise betätigt Im Voreinstellungsauswahlmodus wird auf ein Taktsignal c hin, das von der logischen Steuerungseinheit 118 erhalten wird, das Schieberegister SR vor der Durchführung einer weiteren Schrittoperation gestoppt. Die den ausgewählten Schaltern 104 und 105 entsprechenden Leuchtdioden 104a und 105a leuchten entsprechend den Taktsignalen a und 6 auf, und gleichzeitig wird die Adresse, die durch den Bandauswahlschalter 104 und den Voreinstellungsauswahlschalter 105 bestimmbar ist, in den Adreß-Speicher 112 eingeschrieben. Die Daten werden entsprechend den Adressier-Ausgangssignalen vom Adreß-Speicher 112 aus dem Digital-Datenspeicher 107a und dem Analog-Datenspeicher 1076 ausgelesen.

Das vom Digital-Datenspeicher 107a ausgelesene Ausgangssignal wird durch den Digital-Analog-Wandler 120 in eine Analogspannung umgewandelt, die als Rohabstimmspannung einem Eingang des Addierers 122 zugeführt wird. Das vom Analog-Datenspeicher 1026 ausgelesene Ausgangssignal wird dem anderen Eingang des Addierers 122 als Feinabstimmspannung zugeführt Im Voreinstellauswahlmodus, d. h. bei Nichtbetätigen des manuellen Auswahlschalters 116, wird die Torschaltung G 202 des Übertragungsglieds 124 während einer vorbestimmten Zeitdauer (siehe Fig. 16(k)) leitend gemacht, entsprechend der Betätigung des Bandauswahlsehalters 104 und des Voreinstellungsauswahlschalters 105. Damit wird zu diesem Zeitpunkt das Ausgangssignal des Addierers 122 in den Kondensator C des Pufferspeichers 206 als Abstimmspannung eingeschrieben. Zu diesem Zeitpunkt bleibt die Torschaltung G 201 des Übertragungsglieds 124 nichtleitend oder geschlossen. Die in den Pufferspeicher 206 eingeschriebene Abstimmspannung wird entsprechend dem Signal von der automatischen Frequenznachstimmung 207 korrigiert, und die korrigierte Abstimmspannung wird dem Tuner 201 zugeführt Die Korrektur der Abstimmspannung, die entsprechend der automatischen Frequenznachstimmung vom Pufferspeicher erhalten wird, ist in der US-PS 39 86 154 genauer beschrieben, insbesondere im Zusammenhang mit Fig.4. Es wird daher die Korrektur der Abstimmspannung entsprechend der automatischen Frequenznachstimmung nur

ίο kurz beschrieben. Wenn die Hilfsoszillatorfrequenz des Tuners 201 in die niedrigere Richtung verschoben wird, so wird am Ausgang der automatischen Frequenznachstimmung 207 ein L-Potential erhalten, wodurch der Feldeffekttransistor Tl des Pufferspeichers 206 leitend wird und die Spannung am Kondensator C ansteigt Wenn dagegen die Hilfsoszillatorfrequenz in die höhere Richtung verschoben wird, so liegt am Ausgang der automatischen Frequenznachstimmung 207 ein H-Potential an, das den Feldeffekttransistor 7"2 des Pufferspeichers 206 leitend macht und damit die Spannung am Kondensator C vermindert Es ist darauf hinzuweisen, daß der Feldeffekttransistor T3 als Puffer für die Impedanztransformation für den Zweck der Verhinderung eines Ableitungsstromes vorgesehen ist der vom Kondensator Cüber den Komparator 111, den Addierer 123, die spannungsgesteuerte veränderliche Kapazitätsdiode u.dgl. fließen kann, die mit dem Pufferspeicher 206 verbunden sind.

Gleichzeitig wird bei Einschalten der Stromzuführung

jo des Rundfunkempfängers ein Übertragungsimpuls (Fig. 16(k)) erhalten. Damit wird die Torschaltung G 202 des Übertragungsglieds leitend bzw. geöffnet und die Rohabstimmspannung wird vom Digital-Datenspeicher 107a und damit vom Digital-Analog-Wandler 120

j5 und die Feinabstimmspannung vom Analog-Datenspeicher 1076 eingelesen. Zu diesem Zeitpunkt werden die Adresse des Digital-Datenspeichers 107a und die Adresse des Analog-Datenspeichers 1076 durch die Adressier-Ausgangssignale bestimmt, die vom Adreß-Speicher 112 entsprechend dem vor Abschalten der Stromzuführung empfangenen Sender ausgelesen werden. Damit wird selbst nach einem Abschalten der Stromzuführung zum Rundfunkempfänger der gleiche Sender wie vor dem Abschalten der Stromzuführung auch nach deren Einschalten wieder empfangen.

Wiedereinschreiben der Abstimmspannung

Im oben beschriebenen Voreinstellungsauswahlmodus werden die entsprechend von den Datenspeichern 107a bzw. 1076 eingelesene Rohabstimmspannung bzw Feinabstimmspannung über den Addierer 122 und da: Übertragungsglied 124 in den Pufferspeicher 206 eingeschrieben, wonach die Abstimmspannung entsprechend dem automatischen Frequenznachstimmsigna korrigiert wird, das von der automatischen Frequenznachstimmung 207 erhalten wird. Die so korrigierte Abstimmspannung wird dem Tuner 201 als tatsächliche Abstimmspannung zugeführt. Diese so dem Tuner 201 zugeführte tatsächliche Abstimmspannung wird auch einem Eingang des Subtrahierers '23 zugeführt. Derr anderen Eingang des Subtrahierers 123 wird die Ausgangsspannung vom Addierer 122 zugeführt, wie e: bereits oben beschrieben wurde, d. h. die Abstimmspan nung von den Speichern. Der Subtrahierer 123 liefen ein Signal für die Wiedereinschreiboperationssteuerunj an die logische Steuerungseinheit 118, wenn die Differenz zwischen der vom Pufferspeicher 20( erhaltenen tatsächlichen Abstimmspannung und dei

vom Addierer 122 entsprechend den Datenspeichern 107a und 107i> erhaltenen Abstimmspannung einen vorbestimmten Wert überschreitet. Damit wird die logische Steuerungseinheit 118 so gesteuert, daß das Schieberegister SÄ seine Schrittoperation beginnt. Damit wird die tatsächliche Abstimmspannung, die entsprechend dem automatischen Frequenznachstimmsignal korrigiert wurde, in gleicher Weise wie im Voreinstellungsspeichermodus wieder in den Digital-

Datenspeicher 107a bzw. den Analog-Datenspeicher 107/) eingeschrieben, und zwar in Abhängigkeit von den verschiedenen Taktsignalen a bis h, die vom Schieberegister SR geliefert werden.

Änderungen und Ausgestaltungen der beschriebenen Ausführungsforrnen sind für den Fachmann ohne weiteres möglich und fallen in den Rahmen der Erfindung.

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Claims (22)

Patentansprüche:

1. Voreinstellbares Abstimmgerät zum Auswählen eines voreingestellten Senders oder Kanals mit einem nichtflüchtigen bzw. leistungslosen Speicher in Form eines eine ungeerdete bzw. freischwebende Gate-Elektrode aufweisenden Feldeffekt-Halbleiterspeichers, wobei der Halbleiterspeicher eine Änderung der Steuergatespannung-Drainstrom- ι ο Kennlinie als eine Funktion der Art und der Menge der an der Gate-Elektrode angelegten elektrischen Ladung anzeigt, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtflüchtige Speicher als Analogspeicher verwendet wird und daß das Abstimmgerät aufweist: ι j· eine erste Spannungszuführungseinrichtung (109, VZ^ zum wahlweisen Zuführen einer Löschspannung zum Halbleiterspeicher in einer Löschbetriebsart, um einen ersten Wechsel in der an der Gate-Elektrode angelegten elektrischen Ladungsmenge auf einen ersten vorbestimmten Wert in der einen Richtung und einen entsprechenden Wechsel in der Steuergatespannung-Drainstrom-Kennlinie des Halbleiterspeichers zu bewirken,

eine zweite Spannungszuführungseinrichtung (109, :5 VW) zum wahlweisen Zuführen einer Schreibspannung zum Halbleiterspeicher in einer Schreibbetriebsart, um einen zweiten Wechsel in der an der Gate-Elektrode angelegten elektrischen Ladungsmenge auf einen voreinzustellenden Wert in entgegengesetzter Richtung und einen entsprechenden zweite.. Wechsel in der Steuergatespannung-Drainstrom-Kennlinie zu l~;wirken, wobei der zweite Wechsel mit den voreinzustellenden Wert in der elektrischen Ladungsmenr-; verbunden ist und J5 richtungsmäßig entgegengesetzt zum ersten Wechsel erfolgt,

eine dritte Spannungszuführungseinrichtung (109, VT?, VÄ^zum wahlweisen Zuführen einer Lesespannung zu dem Halbleiterspeicher in einer Lesebetriebsart, um ein elektrisches Analogsignal abzunehmen, das für einen Drainstrom typisch ist, der als eine Funktion des voreinzustellenden Werts in dor elektrischen Ladungsmenge an der Gate-Elektrode bezüglich der Steuergatespannung-Drain-Kennlinie des Halbleiterspeichers bestimmbar ist,
eine mit der dritten Spannungszuführungseinrichtung verbundene erste Abstimmspannungsversorgeeinrichtung (110), um eine mit dem für einen Drainstrom typischen elektrischen Analogsignal >o verbundene Abstimmspannung zu liefern, und
eine Abstimmeinrichtung (201) mit einer spannungsgesteuerten veränderlichen Reaktanz, die von der ersten Abstimmspannungsversorgeeinrichtung (110) die erste Abstimmspannung empfängt, wobei der voreinzustellende Wert so vorgewählt wird, daß durch die Abstimmeinrichtung (201) eine Auswahl des voreingestellten Senders oder Kanals ermöglicht wird.

2. Abstimmgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Abstimmspan= nungsversorgungseinrichtung (102) zum wahlweisen Zuführen einer zweiten Abstimmspannung zu der spannungsgesteuerten veränderlichen Reaktanz des Abstimmgeräts sowie eine mit der zweiten Ab- βί stimmspannungsversorgungseinrichtung (102) verbundene Einrichtung (102a) zum wahlweisen Ändern der zweiten Abstimmspannung aufweist, die der spannungsgesteuerten veränderlichen Reaktanz zugeführt wird, um die Auswahl eines gewünschten Senders durch das Abstimmgerät zu ermöglichen.

3. Abstimmgerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Steuereinrichtung (111, 114) für die zweite Spannungszuführungseinrichtung aufweist, die auf die erste Abstimmspannung von der ersten Abstimmspannungsversorgungseinrichtung (110) und auf die zweite Abstimmspannunf von der zweiten Abstimmspannungsversorgungseinrichtung (102) anspricht, um den zweiten Wechsel in der an der Gate-Elektrode angelegten elektrischen Ladungsmenge auf einen Wert zu bewirken, der der zweiten Abstimmspannung von der zweiten Abstimmspannungsversorgungseinrichtung (102) entspricht

4. Abstimmgerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (111,114) für die zweite Spannungszuführungseinrichtung aufweist:

eine Wechsel- und Wiederholsteuereinrichtung (108) für die zweite Spannungszuführungseinrichtung und die dritte Lesespannungszuführungseinnchtung, die jeweils die Schreibbetriebsart und die Lesebetriebsart für eine vorbestimmte Zeitdauer abwechselnd und wiederholt einstellt, wobei die zweite Schreibspannungszuführungseinrichtung so beschaffen ist, daß ein vorbestimmter kleiner Wert des zweiten Wechsels in der elektrischen Ladungsmenge bei jeder Zeitdauer der Schreibbetriebsart bewirkt wird, und

eine auf die erste und zweite Abstimmspannung ansprechende Detektorvorrichtung (114), die die Übereinstimmung der ersten und zweiten Abstimmspannung feststellt und die Wechsel- und Wiederholsteuerungseinrichtung unterbricht.

5. Abstimmgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Auswahl eines gewünschten voreingestellten Senders unter einer Vielzahl von vorangestellten .Sendern ermöglicht und daß der nichtflüchtige Analogspeicher eine Vielzahl von Feldeffekt-Halbleiterspeichern mit ungeerdeter Gate-Elektrode, die der Vielzahl von Sendern zugeordnet sind, sowie eine Senderauswahleinrichtung (105) und eine damit verbundene Adressiereinrichtung (106,122,113) aufweist, mit der ein entsprechender Halbleiterspeicher aus der Vielzahl von Halbleiterspeichern adressierbar ist.

6. Abstimmjerät nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Verbindungseinrichtung aufweist, mit der die Vielzahl von Halbleiterspeichern gemeinsam mit der ersten, zweiten und dritten Spannungszuführungseinrichtung und der ersten Abstimmspannungsversorgungseinrichtung (110) verbindbar sind.

7. Abstimmgerät nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Sendern in eine Vielzahl von Gruppen aufgeteilt ist, die jeweils einem Frequenzband entsprechen, und daß es eine Bandauswahleinrichtung (104) und eine damit verbundene Adressiereinrichtung (106, 112, 1113) aufweist, durch die eine entsprechende Gruppe aus der Vielzahl von Gruppen der Halbleiterspeicher adressierbar ist.

8. Abstimmgerät nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Spannungszuführungseinrichtung eine Einrichtung (109, /1) aufweist, die in Abhängigkeit von der von der zweiten

Abstimmspannungsversorgungseinrichtung (102) gelieferten zweiten Abstimmspannung eine Schreibspannung erzeugt, die etwas kleiner als die der zweiten Abstimmspannung entsprechende Schreibspannung ist

9. Abstimmgerät nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Adressiereinrichtung (106, 112,113) eine Schalteinrichtung (112) aufweist, die in Abhängigkeit von der Senderauswahleinrichtung betätigbav ist ι ο

10. Abstimmgerät nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinrichtung (112) ein Feldeffekt-Bauteil (MS 1, MS2) aufweist

11. Abstimmgerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Adressiereinrichtung (106, 122,113) eine Schalteinrichtung (112) aufweist, die in Abhängigkeit von der Bandauswahleinrichtung (104) betätigbar ist

12. Abstimmgerät nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinrichtung ein Feldeffekt-Bauteil (MB 1, MB 2) aufweist

13. Abstimmgerät nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Einrichtung (103) zur Abgabe eines Schreiboperationsbefehls sowie eine damit verbundene Schalteinrichtung (23, G32) aufweist mit der die erste Spannungszuführungseinrichtung einschaltbar ist

14. Abstimmgerät nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß es eine mit der Wechsel- und Wiederholungssteuerungseinrichtung (103) verbundene Einrichtung (18,19, G 29, G 30, G31, G33) mit der diese nach der Löschbetriebsart einschaltbar ist.

15. Abstimmgerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß es aufweist:

eine erste Datenwertzuführungseinrichtung (111, 119, 121), die in Abhängigkeit von der zweiten Abstimmspannungsversorgung^einrichtung einen ersten Datenwert zuführt der in Rohform einen Näherungswert der zweiten Abstimmspannung von der zweiten Abstimmspannungsversorgungseinrich- -to tuiig darstellt,

eine zweite Datenwertzuführungseinrichtung (109, 118, 123), die in Abhängigkeit von der ersten Datenwertzuführungseinrichtung und der zweiten Abstimmspannungsversorgungseinrichtung einen ·τ> zweiten Datenwert liefert, der in Feinform die Differenz zwischen dem tatsächlichen Wert der zweiten Abstimmspannung und dem Näherungswert der zweiten Abstimmjpannung darstellt,
eine zusätzliche mit der ersten Datenwertzufüh- v> rungseinrichtung verbundene Speichereinrichtung (!(►7a) zum Speichern des ersten Datenwerts, und eine mit der zusätzlichen Speichereinrichtung verbundene Spannungszuführungseinrichtung (120) zu;r Zuführung einer zusätzlichen Spannung, die mit dem ersten Datenwert gekoppelt ist
wobei der nichtflüchtige Analogspeicher (107Λ) eine mit dem zweiten Datenwert gekoppelte weitere Spannung als den voreinzustellenden Wert speichern kann und die erste Abstimrmpannungsversorgungseinrichtung eine Addiereinrichtung (122) zum Hinzufügen der weiteren Spannung zu der zusätzlichen Spannung aufweist

16. Abstimmgerät nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Datenwertzuführungseinrichtung aufweist:

einen Taktgeber (ιΐΐ) zur Erzeugung von Taktgeberimpulsen,

einen mit dem Taktgeber verbundenen Zähler (119), der einen Zählwert als ersten Datenwert liefert, und einen mit der zusätzlichen Spannungszuführungseinrichtung und der zweiten Abstimmspannungsversorgungseinrichtung verbundenen Komparator (111), der die Annäherung der zusätzlichen Spannung und der zweiten Abstimmspannung feststellt und den Taktgeber unterbricht

wobei die zusätzliche Spannungszuführungseinrichtung wahlweise mit dem Zähler verbunden ist wenn die erste Datenwertzuführungseinrichtung betätigt wird und die zusätzliche Speichereinrichtung den Zählwert vom Zähler als ersten Datenwert speichern kann.

17. Abstimmgerät nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet daß die mit der zusätzlichen Speichereinrichtung verbundene zusätzliche Spannungszuführungseinrichtung zum Zuführen einer mit dem ersten Datenwert verbundene zusätzliche Spannung umwandelt

18. Absiirnrngerät nach Anspri'-ch 17, dadurch gekennzeichnet daß die zweite Datenwertzuführungseinrichtung eine Einrichtung (122) zum Berechnen der Summe aus der zusätzlichen Spannung und de; weiteren Spannung und eine Detektoreinrichtung (111) aufweist die feststellt ob die Summe die zweite Abstimmspannung erreicht hat

19. Abstimmgerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß es eine wahlweise mit der ersten und zweiten Abstimmspannungsversorgungseinrichtung verbundene Auswahltorschaltung (124) und eine damit verbundene Spannungsspeichereinrichtung zugeführte Spannung speichert und die gespeicherte Spannung der spannungsgesteuerten veränderlichen Reaktanz dem Abstimmgerät als Abstimmspannung zuführt.

20. Abstimmgerät nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß es eine automatische F.equenznachstimmungseinrichtung (207) aufweist, die mit der Spannungsspeicherungseinrichtung verbunden ist und die gespeicherte Spannung für die automatische Frequenznachstimmung korrigiert.

21. Abstimmgerät nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daP es aufweist:

einen Detektor (123), der mit der Spannungsspeicherungseinrichtung und der Einrichtung zum Hinzufügen der zusätzlichen Spannung zu der ersten Abstimmspannung verbunden ist, die feststellen kann, ob die Differenz zwischen der ersten Abstimmspannung von der Einrichtung zum Hinzufügen der zusätzlichen Spannung zu der ersten Abstimmspannung und der von der Spannungs-•pächerungseinrichtung gespeicherten Spannung einen vorbestimmten Wert überschreitet und eine mit der B'/ferenzdetektorschaltung verbundene Schalteinrichtung (118, G 104) zum Einschalten der zweiten Spannungszuführungseinrichtung, so daß eine neue Schreiboperation durchgeführt werden kann, wenn die Differenz den vorbestimmten Wert überschreitet.

22. Abstimmgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet daß der als Analogspeicher verwendete nichtflüchtige Speicher aufweist: ein Halbleitersubstrat des einen Leitungstyps mit einer Hauptoberfläche, im Abstand zueinander an der Hauptoberfläche angeordnete Source- und Drain-Bereiche des anderen Leitungstyps, eine auf

der Hauptoberfläche mindestens in einem Gebiet zwischen den Source- und Drain-Bereichen ausgebildete erste Isolierschicht, eine auf der ersten Isolierschicht über dem Gebiet zwischen den Source- und Drain-Bereichen ausgebildete ungeerdete Gate-Elektrode und eine auf der Gate-Elektrode ausgebildete zweite Isolierschicht und eine gegenüber der Gate-Elektrode auf der zweiten Isolierschicht ausgebildete Steuergate-Elektrode.