DE2834391A1

DE2834391A1 - Einrichtung zur erzeugung von zeichenmustern auf einer objektflaeche mittels elektronenstrahlen

Info

Publication number: DE2834391A1
Application number: DE19782834391
Authority: DE
Inventors: Hans Christian Pfeiffer
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1977-08-10
Filing date: 1978-08-05
Publication date: 1979-02-22
Also published as: FR2400256A1; DE2834391C2; IT7826097A0; BR7804994A; JPS5438035B2; SE7808326A; NL7808162A; FR2400256B1; CH631574A5; GB1598219A; IT1112285B; SE7808326L; JPS5429981A; SE425838B

Description

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10504

wi/bm

Einrichtung zur Erzeugung von Zeichenmustern auf einer Objektfläche mittels Elektronenstrahlen

Einrichtungen zur Erzeugung von Zeichenmustern mit Elektronenstrahlen sind bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen bereits allgemein eingeführt. Sie werden hier zur Bildung und Aufzeichnung von Leitungsmustern auf den Halbleiterplatten verwendet. Zu diesem Zweck werden die Leitungsund Schaltungsmuster auf mit photoempfindlichem Lack beschichtete Flächen projiziert, die nach dem Entwickeln des Lacks Masken bilden, wie sie für eine Vielzahl von Verfahrensschritten in der Herstellung von Halbleiterschaltungen benötig werden. Dabei schreibt der Elektronenstrahl in außerordentlich kurzer Zeit auf eine definierte Fläche ein bestimmtes Muster mit bestimmter Ladungsdichte und Kantenauflösung. Soll dieses Schreibverfahren mit anderen lithographischen Prozessen zusammen eingesetzt werden, so ist die Genauigkeit der Ablenkung und ihre Wiederholbarkeit von großer Bedeutung. Insbesondere für besonders kleine Muster ist es notwendig, die Ladungsdichfc bei bestimmten Punkten des Musters zu ändern, um Annäherungseffekte auszugleichen. Zusätzlich müssen bei der Herstellung mehrschichtiger Muster die aufeinanderfolgenden Schichten der einzelnen Muster mit hinreichender Genauigkeit aufeinander abgeglichen werden können.

Es wurden bereits verschiedene Systeme entwickelt, die den vorgenannten Anforderungen gerecht werden. Solche Systeme bestehen beispielsweise aus einer Elektronenstrahlquelle, Konden sorlinsen, Ausrichtstufen, Verkleinerungslinsen, Projektionslinsen, Ablenkschaltungen und einer Objektfläche. Derartige Einrichtungen sind beispielsweise in den US-PS 3 644 700,

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3 949 288 und 3 984 678 beschrieben.

Bei Elektronenstrahlexnrichtungen ist es allgemein gebräuchlich einen runden Strahl zu erzeugen. Dabei wird der Elektronenstrahl so gebündelt, daß er eine kleine, fokussierte Abbildung des Kreuzungspunktes der Elektronenkanone bildet. Das Profil des Punktes verläuft angenähert entsprechend einer Gaußschen Kurve. Die Sammellinse ist so eingestellt, daß der Punktdurchmesser kleiner ist als die Breite der schmälsten Linie des Musters, das erzeugt werden soll. Jedes Element des Musters wird sodann durch punktweise Bewegung des Strahles aufgezeichnet, bis das gesamte Muster fertiggestellt ist.

Die Verweilzeit des Elektronenstrahls bei jedem Punkt des Musters kann erforderlichenfalls so bemessen werden, daß der Näherungseffekt ausgeglichen wird. Eine derartige Einrichtung mit rundem Strahl kann entweder zu vektorieller oder aber zu linienweiser Abtastung benützt werden. Das hat den Vorteil, daß sowohl orthogonale als auch diagonale Muster auf einfache Weise herstellbar sind. Da aber der Gaußsche Punkt nur einen geringen Durchmesser hat, wird die zur Aufzeichnung von Schaltungsmustern benötigte Zeit so lang, daß die Benützung des Systems einen zu großen Anteil an den Herstellkosten ausmacht. Dazu kommt, daß zur Musteraufzeichnung mit Gaußschem Punkt sehr viele Daten benötigt werden, wodurch das System den Anschluß aufwendiger Datenverarbeitungsanlagen erforderlich macht.

Zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen hat man bereits Elektronenstrahleinrichtungen den besonderen Erfordernissen angepaßt. So weist beispielsweise die in der genannten US-PS 3 644 700 beschriebene Einrichtung einen quadratischen Strahlquerschnitt auf, wodurch eine Reihe von Bildpunkten parallel belichtet werden, so daß eine höhere Arbeitsgeschwind ige it als mit einer Einrichtung mit Gaußschem Punkt

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erzielt wird. Der Strahl wird bei dieser Anordnung so fokussiert, daß eine scharfe, verkleinerte Abbildung einer öffnung entsteht, Strahlformungsöffnung genannt. Eine derartige Einrichtung eignet sich insbesondere zur Zeichnung von Mustern durch sequentielles Abtasten von Quadraten der Musterfläche. Die Größe des quadratischen Punktes wird entsprechend der kleinsten benötigten Linienbreite gewählt, und das optische System wird so ausgelegt, daß die Kantenauflösung des Punktes wesentlich besser ist als diejenige seiner Seitenlänge. Die Musterelemente werden durch sprungweises Bewegen oder Fortschalten des Strahls als eine Reihe von Quadraten aufgezeichnet.

Einrichtungen mit quadratischem Strahlquerschnitt haben gegenüber solchen mit rundem, Gaußschem Querschnitt einige wesentliche Vorteile. Hierzu wird verwiesen auf die Veröffentlichung von H. C. Pfeiffer "New Imaging and Deflection Concepts for Probe-Forming Microfabrication Systems", Journal of Vacuum Science and Technology, Nov./Dez. 1975, Bd. 12 Nr. 6, Seiten 1170 - 1173. Andererseits haben Einrichtungen mit quadratischem Strahlquerschnitt den Nachteil, daß sie viele Daten über die Muster benötigen und daß die wirksame Aufzeichnung von Mustern nur möglich ist, wenn diese im wesentlichen aus orthogonal verlaufenden Linien bzw. Kanten bestehen. Demgegenüber sind diagonal verlaufende Linien bzw. Kanten nur schwer aufzuzeichnen.

Eine andere Einrichtung zur Abbildung von Mustern mittels Elektronenstrahls ist in der DE-OS 2 805 371 beschrieben. Dort werden zwei Strahlformungsöffnungen mit einem dazwischenliegenden Ablenkungssystem kombiniert. Bei ausgeschaltetem Ablenkungssystem erzeugt die zweite, quadratische öffnung einen quadratischen Strahlquerschnitt, während bei eingeschaltetem Ablenkungssystem ein Teil der zweiten Strahlöffnung verdeckt und ein rechtwinkliger Punkt variabler Größe erzeugt

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der dieselbe Stromdichte wie der ursprüngliche quadratische Punkt aufweist.

Da die Größe des Punktes beliebig reduziert werden kann, wird seine maximale Abmessung größer gewählt als die minimale inienbreite des gewünschten Musters beträgt. Dann kann ein fluster mittels verschiedener quadratischer und rechteckiger Strahlquerschnitte gezeichnet werden, wodurch die Leistung der Anlage erhöht wird. Zusätzlich können Linien gezeichnet werden, deren Breite nicht einem ganzzahligen Vielfachen des ursprünglichen Quadrats entsprechen, obwohl richtig belichtet wird. Weiterhin ist eine Rahmentechnik möglich, bei welcher der Rand des Musters mit feinen Linien und seine Innenfläche mit größeren Quadraten abgedeckt und somit eine gute Kantenauflösung erreicht wird.

Obwohl das zuvor beschriebene System wesentliche Vorteile aufweist, ist es dennoch vor allem zur Aufzeichnung orthogonal orientierter Muster geeignet, während bei der Erzeugung diagonal verlaufender Linien oder Kanten, wie erwähnt, Schwierigkeiten auftreten. Überdies ist es nicht einfach, mit dieser /orrichtung Muster aufzuzeichnen, wie sie beispielsweise bei der Herstellung von Magnetblasenspeichern benötigt werden, die eine große Anzahl sich wiederholender Elemente, wie z.B. das I und das T benötigen.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter /ermeidung der vorgenannten Nachteile eine Einrichtung zur Erzeugung von Zeichenmustern mittels Elektronenstrahlen zu schaffen, die sich für die Erzeugung von sich sehr häufig wiederholenden Mustern eignet, wobei der Querschnitt des Elektronenstrahls ganze Zeichen oder Teile davon bildet, die auf der Objektfläche abgebildet werden, und wobei gleichzeitig die bei derartigen Abbildungen auftretende sphärische Aberration

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:orrigiert wird. Diese Aufgabe ist durch die im Patentanspruch angegebene Einrichtung gelöst worden.

Die erfindungsgemäß vorgesehenen Blenden ermöglichen, mittels des Strahles Zeichen oder Teile von Zeichen auf die Objektfläche zu projizieren, wobei der Strahl zu seiner Formung zunächst die erste Blendenscheibe mit einer zentralen, quadratichen Blendenöffnung durchläuft, und anschließend die Zeichenblende, die nach den jeweils abzubildenden Zeichen oder Elementen aus mehreren zur Verfügung stehenden Zeichenblenden ausgewählt werden kann. Hierzu wird die erste Blendenscheibe auf einer bestimmten Stelle der Zeichenblende abgebildet, wodurch der bereits quadratische Strahl den Querschnitt des ausgewählten Zeichens der Zeichenblende enthält.

Darauf wird der Elektronenstrahl so abgelenkt und fokussiert, daß eine Abbildung des ausgewählten Zeichens an der vorgesehenen Position der Objektfläche entsteht und diese Abbildung gleichzeitig bezüglich der sphärischen Aberration korrigiert ist.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung der Elektronenstrahleinrichtung,

Fig. 2 eine vereinfachte schematische Darstellung der verschiedenen Arten, Zeichen zu bilden,

Fig. 3 eine Darstellung einzelner Zeichen, die bei der Herstellung von Magnetblasenspeichern benötigt werden,

Fig. 4 eine schematische Darstellung der Elektronenstrahleinrichtung mit einem längs der Mittelachse der Spalte projizierten Zeichenmuster,

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eine schematische Darstellung der Elektronenstrahleinrichtung mit einem längs dem Randbereich der Zeichenöffnungen projizierten Zeichenmuster,

Diagramme zur Erklärung der sphärischen Aberration und

das Blockschema einer Ablenksteuerung zur Korrektur der sphärischen Aberration bei der Zeichenabbildung.

Gemäß Fig. 1 erzeugt eine Elektronenstrahlquelle 10 einen Strahl 11 längs der Strahlenachse 12 auf eine (nicht dargestellte) Objektfläche. Der Strahl 11 erhält durch die in einer Blendenscheibe 13 ausgesparte Blendenöffnung 14 einen quadratischen Querschnitt. Eine Kondensorlinse 15 sammelt den Strahl zur Erzeugung einer scharfen Abbildung der Blendenöffnung 14 in der Ebene einer Zeichenblende 17, in der sich Blendenöffnungen 16 befinden. Gleichzeitig erzeugt die Kondensorlinse 15 eine scharfe Abbildung der Elektronenstrahlquelle 10 am Punkt 18, der in der gleichen Ebene liegt wie der Mittelpunkt einer Ablenkvorrichtung 19, welche die Abbildung in der Ebene der Blendenscheibe 13 bezüglich der Ebene der Zeichenblende 17 parallel verschieben kann.

Die Ablenkvorrichtung 19 besteht aus üblichen elektrostatischer Ablenkplatten, wobei die quadratische Strahlabbildung in der X-Richtung von den Platten 20 und 20' und die quadratische Strahlabbildung in der Y-Richtung von den Platten 21 und 21' abgelenkt wird. Die so geformte Abbildung, in Fig. 1 als I, entspricht dem Teil der quadratischen Abbildung, der nicht durch die gewählte Zeichenöffnung der Zeichenblende 17 versperrt wird und daher als zusammengesetzte Zeichenabbildung 24· abgebildet wird. Die Abbildung des Strahls ist in Fig. 1 als nicht abgelenkt dargestellt. Es ist jedoch klar, daß die Abbildung der'quadratischen Blendenöffnung 14 in der X- und

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Y-Richtung zur Bildung anderer Zeichen oder Zeichenteile, die aus der Zeichenblende 17 ausgewählt werden, abgelenkt werden kann.

Die in Fig. 1 dargestellte Einrichtung kann mit unterschiedlichen Elektronenstrahlquellen betrieben werden, beispielsweise mit der in der bereits genannten US-PS 3 644 700 beschriebenen Anordnung. In diesem Fall würde die Zeichenabbildung 24 die Sammel- bzw. Verkleinerungslinsen und Projektionslinsen durchlaufen, um das Zeichen auf die Objektfläche zu projizieren. Hierzu können übliche Linsen und Ablenkungsvorrichtungen benützt werden? im vorliegenden Fall ist jedoch zusätzlich eine Korrektur der sphärischen Aberration vorgesehen, die bei der Projektion einer großen Anzahl paralleler Bildpunkte entsteht, wie sie zur Abbildung eines ganzen Zeichenbildes notwendig sind. Gemäß Fig. 2 erfordert die Erzeugung eines gesamten Zeichenbildes die parallele Projektion einer größeren Anzahl von Bildpunkten, als dies bisher mit quadratischen Strahlen oder Gaußschen Punktstrahlen nötig war. Dementsprechend zeigt Fig. 2 die Elektronenstrahlprofile bzw. die relative Anzahl von Bildpunkten, die gleichzeitig durch eine Einrichtung mit Gaußschem Punktstrahl bzw. mit quadratischem Strahl und dem hier beschriebenen Zeichenerzeugungssystem notwendig ist. Die Beziehung zwischen dem Auflösungsvermögen und der Intensitätsverteilung für die verschiedenen Systeme ist in der bereits erwähnten DE-OS 2 805 37' beschrieben.

In der Zeit, in welcher ein einzelner Bildpunkt mit Gaußschem Strahl adressiert werden kann, können etwa fünfundzwanzig Bildpunkte mit quadratischem Strahl adressiert werden. Im vorliegenden Projektionssystem wird ein ganzes Zeichen auf einmal belichtet, während das System mit quadratischem Strahlquerschnitt die Teile eines Zeichens z.B. als 8 χ 8-Matrix abtasten muß, die aus der minimalen Linienbreite entsprechenden

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Punkten zusammengesetzt ist. Somit adressiert die vorliegende Einrichtung im Vergleich zur Einrichtung mit Gaußschem Strahl 54 χ 25 = 1600 Bildpunkte gleichzeitig, und dadurch ist eine srheblich höhere Leistung bei der Bearbeitung von Schaltungsaubstraten erzielbar.

Das in Fig. 3 dargestellte Muster wird beispielsweise bei der lerstellung von Magnetblasen-Datenspeichern verwendet, und die hier beschriebene Einrichtung eignet sich bevorzugt zur Erzeugung derartiger Muster mit sehr geringen Abmessungen. Denn lie Erzeugung der I- sowie T-Muster mittels der in Fig. 1 gezeigten Zeichenblende 17 ist besonders einfach, ebenso wie die darin befindlichen Winkelmuster, so daß sich ohne weiteres die verschiedenen, in Fig. 3 beispielsweise dargestellten Muster 31, 32 und 33 darstellen lassen. In entsprechender Weise kann aber auch eine große Anzahl anderer Muster erzeugt /•/erden. Erforderlichenfalls stellt man eine entsprechende Anzahl von Zeichenblenden 17 mit unterschiedlichen Musterkonfigurationen bereit.

In den Fign. 4 und 5 sind Strahlengänge für die Formung und Ablenkung bestimmter Zeichen dargestellt. In Verbindung mit Fig. 7 soll später noch erläutert werden, wie hierbei die sphärische Aberration, die bei der Abbildung gemäß Fig. 5 entsteht, korrigiert wird. Die Einrichtung gemäß Fig. 4 enthält eine Elektronenquelle 50, die einen Elektronenstrahl entlang einer Strahlenachse 71 richtet. Der Strahl tritt durch eine quadratische Blendenöffnung 72 in einer Blendenscheibe hindurch und erhält hierbei quadratischen Querschnitt. Im weiteren Verlauf des Strahlenganges ist eine Kondensorlinse 74 angeordnet, die üblicherweise als magnetische Linse bekannter Bauart ausgebildet ist» Die Kondensorlinse 74 fokussiert einerseits die Abbildung der Blendenöffnung 72 in der Ebene einer Zeichenblende 76 mit den Blendenöffnungen 75, und andererseits fokussiert die Kondensorlinse 74 die Abbildung 77

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ler Elektronenstrahlquelle 50 an einem Punkt der Strahlenichse 71, der im Zentrum der Zeichenauswahl-Ablenkvorrichtung Liegt, bestehend aus den Ablenkplatten 78 und 78'.

(litteis der Ablenkplatten 78 und 78' kann das durch die 3ffnung 79 erzeugte fokussierte Bild der Blendenöffnung 72 seitlich auf eine der Blendenöffnungen 75 abgelenkt werden. Ein weiteres Paar von Ablenkplatten (in den Fign. 4 und 5 nicht dargestellt) ist orthogonal zu den Ablenkplatten 78 und 78' angeordnet und bewirkt die Ablenkung in der zweiten Achse. Die Ablenkung durch die Öffnung 79 hindurch ist in den Fign. 1 und 5 am deutlichsten erkennbar.

/tfie aus der bereits erwähnten DE-OS 2 805 371 ersichtlich, werden derartige Einrichtungen am besten so betrieben, daß die Abbildung 77 der Elektronenstrahlquelle 50 im Zentrum der vier Ablenkplatten liegt, wobei zwei davon, nämlich die Ablenkplatten 78 und 78', in der Zeichnung dargestellt sind. Die Brennweite der Kondensorlinse 74 ist so gemessen, daß die durch die Öffnung 79 gebildete Abbildung in der Ebene der Zeichenblende 76 liegt. Die Abbildung 77 liegt daher nicht notwendigerweise genau im Zentrum der Ablenkplatten. Entsprechende Mittel zur Verschiebung der Ablenkplatten sind in der vorgenannten OS beschrieben. Eine entsprechende Korrektur sann jedoch auch, wie nachfolgend anhand von Fig. 7 noch beschrieben werden wird, mittels Korrektur-Elektroden 89 und 89' vorgenommen werden, womit gleichzeitig auch die sphärische Aberration der Abbildung korrigiert werden kann.

Die Zeichenblende 76 ist innerhalb einer Kondensorlinse 80 angeordnet. Die Kondensorlinse 80 projiziert die Abbildung der Elektronenstrahlquelle 50 in die Eingangsöffnung einer ersten Verkleinerungslinse. Wie in der bereits erwähnten DE-OS 2 805 371 beschrieben, ist eine weitere Blende 66 sowie eine zweite Verkleinerungs- oder Sammellinse 65 anschließend

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im Strahlengang angeordnet. Die zusammengesetzte Zeichenabbildung wird somit in zwei Schritten erzeugt und davon eine vergrößerte Abbildung in der Ebene der Lochblende 81 dargestellt. Diese Abbildung hängt von der genauen Lage der tatsächlichen Abbildung 77 ab. Da diese aber unabhängig von der Ablenkung feststeht/ die das Zeichen erzeugt, bleibt die Abbildung 82 ebenso wie jene in der ursprünglichen Strahlenachse, d.h. in der runden Lochblende 81, wenn die schon erwähnte Korrektur für die sphärische Aberration vorgenommen wird. Die Lochblende 81 stellt somit eine im wesentlichen gleichmäßige Stromdichte sicher, indem sie lediglich den zentralen oder axialen Anteil der Gaußschen Quelle durchläßt und somit die durch die letzte Linse erzeugte Aberration klein hält. Die endgültige Zeichenabbiidung 83 wird in der Ebene der Objektfläche 69 mittels des Ablenkjochs 68 an die richtige Stelle gelenkt.

ine Projektionslinse 67, die das Ablenkjoch 68 umgibt, erleichtert die genaue Einstellung der Zeichenabbildung 83 in der Ebene der Objektfläche 69.

Die in Fig. 5 dargestellte Ausführung ist ähnlich derjenigen nach Fig. 4, und die einzelnen Teile sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet. Hier wird die Abbildung der

rsten, quadratischen Blendenöffnung 72 durch die Ablenkplatten 78 und 78* auf der Blendenöffnung 75 auf die im peripheren Bereich liegende Öffnung 79 der Zeichenblende 76 gelenkt. Demzufolge muß eine Korrekturspannung an die Korrektur

lektroden 89 und 89' angelegt werden, wie später noch anhand von Fig. 7 beschrieben werden wird.

Nach den Fign. 6A und 6B bricht eine Elektronenlinse 70 marginale Strahlen α 2 stärker als zentrale Strahlen α 1, ale nahe der Strahlenachse liegen. Die Abbildung in der Gaußschen Bildebene 87, die einem axialen punktförmigen Objekt entspricht, ist über einen Punkt des Radius r ver-

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teilt, welcher der dritten Potenz des Strahlhalbwinkels α entspricht. Es ist also:

r_s - c_s α³ (1)

Der Radius r der durch die sphärische Aberration erzeugten Bildunschärfenscheibe steigt also mit der dritten Potenz des Bildhalbwinkels α. Diese Unscharfe kann nicht korrigiert weräen. Die sphärische Aberratxonskonstante c andererseits hängt von der Geometrie und der Brennweite der Elektronenlinse 70 ab. Fig. 6B zeigt den Fall, in dem ein schmales trahlenbündel mit einem kleinen und konstanten Winkel α in einer Randzone der Elektronenlinse 70 abgelenkt wird. Eier erzeugt die sphärische Aberration eine Bildverzerrung, jedoch keine Unscharfe, wobei das Koma und weitere Aberrationen dritter Ordnung der Elektronenlinse 70 vernachlässigt seien, da der Winkel α wesentlich kleiner ist als ß„ Diese Beziehung ist durch die nachfolgende Gleichung (2) definiert:

r_d = c_s - ß³ (2)

Diese Verzerrung oder Bildverschiebung des Strahls kann durch entsprechende Strahlablenkung in der entgegengesetzten Richtung korrigiert werden. Eine hierfür geeignete Schaltung zur Zeichenauswahl und Strahlablenkung zur Korrektur der Verzerrung ist in dem Blockdiagramm nach Fig. 7 gezeigt. Die Verstärker 84 und 85 erzeugen ein symmetrisches Signal für die Ablenkplatten 78 und 78' und erzeugen gleichzeitig ein Eingangssignal für die nichtlinearen Verstärker 90 und 90". Der nichtlineare Verstärker 90 erzeugt ein Korrektursignal der folgenden Form:

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ex + C₁X + C₀X¹^y

und der nichtlineare Verstärker 90' erzeugt das umgekehrte Signal:

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- 14 -ex - C₁X - c„x y.

Dieses gleichfalls symmetrische Signal wird den Korrektur- i

Elektroden 89 und 89' zugeführt. Die linearen Komponenten ex j

und ex des Signals sind identisch mit dem Korrektursignal, wie ί

es in der Einrichtung nach der genannten DE-OS Verwendung ^!

findet. Dadurch wird das virtuelle AblenkungsZentrum mit der j

Abbildungsebene der Elektronenstrahlquelle zusammengebracht. !

Die nichtlinearen Komponenten j

c χ³ - c x²v i

C₁X C₂X y .

und das umgekehrte Signal j

-C₁X³ - c₂x²y j

korrigieren die Bildbewegung r,, die durch die Variationen der | Konvergenz der Linse erzeugt wird, wodurch die sphärische
Aberration der Elektronenlinsen entsteht, wie in Fig. 6B gezeigt.

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PATENTANSPRÜCHE

Einrichtung zur Erzeugung von Zeichenmustern auf einer Objektfläche mittels durch ein Blenden- und Ablenksystem gerichteter Elektronenstrahlen, dadurch gekennzeichnet, daß in der Strahlenachse (12; 71) eine erste, den Strahl formende Blendenscheibe (13; 73) mit einer zentralen Blendenöffnung (14; 72) und eine zweite Zeichenblende (17; 76) mit einer Mehrzahl Blendenöffnungen (16; 75) angeordnet sind

und daß eine Kondensorlinse (15; 74) zur Abbildung des von der ersten Blendenscheibe (13; 73) geformten Strahls (11) in der Ebene der Zeichenblende (17; 76), Ablenkelemente (20, 20¹, 21, 21'; 78, 78') zur Ablenkung des Strahls auf zumindest einen Teil einer oder mehrerer Blendenöffnungen (16; 75) in der Zeichenblende (17; 76) zur Erzeugung einer überlagerten Abbildung der von der ersten Blendenscheibe (13; 73) und von den Blendenöffnungen (16; 75) der Zeichenblende (17; 76) geformten Strahlen sowie ein Linsen-/Blenden-/Ablenksystem (65, 66, 67, 68) zur Abbildung des Bildes auf der Objektfläche (69) vorgesehen sind.

i^!2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeichenblende (17; 76) eine Mehrzahl Blendenöffnungen (16; 75) in unterschiedlichen, den erforderlichen Zeichenelementen entsprechenden Formen aufweist.

Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß den Ablenkelementen (78, 78") zur Ablenkung des Strahls auf zumindest einen Teil einer oder mehrerer Blendenöffnungen (75) in der Zeichenblende (76) zur Berichtigung der sphärischen Aberration bei der Abbildung auf der Objektfläche (69) Korrekturelektroden (89, 89") zugeordnet sind.

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4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Speisung der Korrekturelektroden (89, 89") mit den Signalen der Ablenkplatten (78, 78') Verstärker (90, 90') mit nichtlinearer Kennlinie angeordnet sind.

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