DE2828355A1 - Photoelektrisch leitfaehiges element mit einer sperrschicht aus aluminiumhydroxyoxid - Google Patents

Description

282835S

I-iinnesota hining and hanufacturing Company, Saint Paul, hinnesota 55101, V.St.A.

Photoelektrisch leitfähiges Element mit einer Sperrschicht aus

AIuminiurahydroxyoxid

Die Erfindung bezieht sich auf ein photoelektrisch leitfähiges Element, das im wesentlichen aus einem elektrisch leitfähigen Substrat, einer Sperr- bzw. Barrierschicht aus Aluminiumhydroxyoxid-Kristalliten auf diesem Substrat und einer zusammenhängenden (kontinuierlichen) photoelektrisch leitfähigen Schicht über dieser Sperrschicht besteht.

Die Erfindung betrifft photoelektrisch leitfähige Elemente, v;elche eine neuartige Sperrschicht aus Aluminiumhydroxyoxid— Kristalliten verwenden. Solche Elemente sind in elektrophotographischen Kopierverfahren geeignet und anwendbar.

Die Anwendung des elektrophotographis.chen Kopierens ist weitverbreitet. Bei einer derartigen Reproduktion wird einem photo-

elektrisch leitf einigen Element zunächst eine rleichmäßir-e elektrostatische Ladung gegeben, um dessen photoelektrisch leitf-^hige Oberflache zu sensibilisieren, und dann bildmäßig; einer aktivierenden elektromagnetischen ,Strahlung: ausgesetzt, wodurch die Ladung in den beleuchteten Bereichen des photoelektrisch leitfähig; en Elements selektiv zerstreut wird, während ein latentes elektrostatisches Bild in den nichtbeleuchteten Bereichen zurückbleibt. Das latente elektrostatische ijild kann dann entwickelt und sichtbar gemacht werden, z.B. indem man Entwicklertnaterial (z.B. feinverteilte /leichenteilchen wie tonerteilchen) auf die geladene Oberflache des photoelektrisch leitfahigen Clements ablagert, wenn das photoelektrisch leitfähig Element vom wiederverwendbaren Typ ist, kann das Tonerbild dann auf eine zweite ]?läche (z.ü. ein Blatt Papier) übertragen und darauf am

; Ort fixiert werden, um eine dauerhafte, sichtbare Reproduktion des Originals zu liefern. Wenn ein nicht wieder verwendbares photoelektrisch leitfähiges Element verwendet wird, können die

: Tonerteilchen am Ort direkt auf der Oberfläche des Elementes _; fixiert werden, womit folglich das Verfahren des überfuhrungs-ι Schrittes ausgeschaltet wird.

: Wiederverwendbare photoelektrisch leitfähige Elemente enthalten häufig ein elektrisch leitfähiges Substrat, eine Sperrschicht

:

j auf einer Oberfläche desselben und eine photoelektrisch leit-

j fähige Schicht auf der Sperrschicht. Sperrschichten werden ver- i wendet, um den Ladungsverlust in Abwesenheit von aktivierender ; Strahlung zu vermindern. Dieses Phänomen, bekannt als Dunkel-

809882/0965

entladung, führt zu einer vorzeitigen Herabsetzung in der elektrostatischen Aufladung von Bildbereichen, wodurch die ßildintensitkt auf erzeugten Kopien herabgesetzt wird. Sie begrenzt auch die Zahl von Kopien, die mit einer einzigen uildbelichtung hergestellt werden können.

Eine Reihe von Materialien ist für (Sperrschichten vorgeschlagen worden, 'fypischerweise weisen sie eine dünne Schicht aus dielektrischem haterial auf, das zwischen dem Substrat und der photoelektrisch leitfähigen Schicht angeordnet ist. 'Δ\ι solchen Materialien zählen beispielsweise dünne Schichten oder i'ilme aus Aluminiumoxid (AIoO₇), wie die in der US-PS 2 901 348 beschriebenen. Um jedoch eine zufriedenstellende Al^Oy-Schicht auf einer Aluminiumoberfläche zu bilden, ist es notwendig, daß die natürlich auftretende dichte AL₀O-,-Schicht zunächst entfernt wird (z.B. durch Kontaktieren der' Oberfläche mit einem Säurebad) und dann eine gleichmäßig starke Al₂O^-Schicht auf der gereinigten Oberfläche niedergeschlagen wird.

Die US-PS 3 94-0 270 beschreibt eine Duplexsperrschicht aus AIoO-, des porösen Typs und AIpO, des Barriertyps. Die beiden Schichten werden aufeinanderfolgend durch elektrolytische Oxidation gebildet. Der Elektrolyt enthält eine Lösung einer starken Säure. Potentiale bis zu 500 Volt werden während der

\ Oxidation angewendet. Die Haftung von pyroelektrisch leitfähi-

gen Materialien an diesen Sperrschichten kann an der Grenze liegen. Daher ist es häufig notwendig, eine Sperrschicht mit

809882/096S

282835S

einer speziellen photoelektrisch leitfähiren Schicht so zu "paaren", daß eine angemessene Haftung der letzteren an der oben genannten erhalten wird. Alternativ ist die Verwendung von die Haftung fördernden ochichten vorgeschlagen worden.

Zum Beispiel ist in den US-PSS 5 871 881 und 3 975 197 AIuminiumhydroxyoxid vorgeschlagen worden zum Binden von kleinteiligem Material an Aluminiumsubstraten. Diese Patente beschreiben die Ablagerung von kleinteiligem Material auf dem Substrat mit nachfolgender in-situ-Bildung von Aluminiumhydroxyoxid-Kristallen um die Teilchen herum.

In der NL-OS 7 410 265 wird die Verwendung eines versiegelten, anodisch gebildeten porösen Aluminiumoxid-Überzugs zwischen einem Aluminiumsubstrat und einer photoelektrisch leitfähigen Schicht aus Selen zur Verstärkung der Haftung des Photoleiters an dem Substrat beschrieben. Bei dem Verfahren wird das Substrat; zunächst vorzugsweise gereinigt. Die natürlich auftretende nichtporöse A^O ^-Schicht wird dann entfernt. Das Substrat wird dann elektrisch anodisiert, um eine gleichmäßige Schicht aus porösem AIpO^ zu bilden. Diese Schicht wird dann unter Bedingungen und mit Chemikalien in Kontakt gebracht, die AIpO^ ausreichend hydratisieren, um die Poren desselben zu versiegeln.

Wenngleich diese Konstruktionstypen auch einen gewissen Erfolg gebracht haben, erwiesen sie sich dennoch als nicht ganz zufriedenstellend. Zum Beispiel haben die Techniken zur Her-

809882/0965

Ι stellung solcher Konstruktionen mehrere Kachteile, die ihnen ' innewounen. Bestimmte dieser Prozeduren erfordern die Verwen- ^: dung äußerst saurer haterialien, um das AIoO₇₅ zu entfernen.

Andere erfordern spezielle Bäder und Sechniken, um die Aluminium [ oberfläche zu anodisieren. Abgesehen davon, daß solche Verfah-' ren zeitraubend und teuer sind, rufen sie auch Y/asserverschnmtsungsprobleme hervor.

] Diese und andere Nachteile der bisherigen l'echnik sind mit der

■ vorliegenden Erfindung überwunden worden durch Verwendung einer

■ Sperrschicht aus Äluminiumhydroxyoxid-Kristalliten in photoelek- ! trisch leitfähigen Elementen. Elemente der vorliegenden Erfin-

! dung eliminieren die Notwendigkeit, Schichten aus kleinteiligem photoelektrisch leitfähigen Material oder spezielle Techniken zur Entfernung der natürlich auftretenden Aluminiumoxidschicht anwenden zu müssen. Außerdem erfordern die Elemente der Erfin-

j dung weder die Ablagerung spezieller Alurniniumoxidschichten noch

I die Anodisierung ihrer Aluminiumoberfläche.

Die erfindungsgemäßen Elemente zeigen ausgezeichnete Dunkelabfalleigenschaften, ausgezeichnete Ladungsgleichmäßigkeit und gute Beständigkeit gegenüber' Ladungsabfall. Ferner besitzen die Sperr- bzw. Barrierschichten der erfindungsgemäßen Elemente außergewöhnliche Haftung sowohl an dem Substrat als auch an der darüberliegenden photoelektrisch leitfähigen Schicht. Zudem wird die Herstellung der Sperrschichten durch ein schnelles und einfaches Verfahren bewerkstelligt, das billig und verschmutzungs-

809882/0965

frei arbeitet.

Erfindungsgemäß wird ein photoelektrisch leitfähiges Element vorgeschlagen, das im wesentlichen aus (a) einem elektrisch leitfälligen Substrat, (b) einer darauf befindlichen Schicht aus Aluminiumhydroxyoxid-Kristalliben und (c) einer kontinuierlichen photoelektrisch leitfähigen Schicht besteht, die aus Selen, Selenverbindungen und/oder Belenlegierungen besteht und über dieser Schicht aus Kristalliten liegt.

Die Erfindung schlägt auch Verfahren zur Herstellung und Anwendung dieser neuen photoelektrisch leitfähigen Elemente vor.

Die Erfindung wird nachfolgend im einzelnen unter Bezugnahme auf die anliegende Zeichnung beschrieben, worin sich gleiche Bezugsziffern auf die gleichen Teile in den verschiedenen Ansichten beziehen, und

Fig. 1 ein Querschnitt eines elektrisch leitfähigen Substrats mit einer darauf befindlichen Sperrschicht aus AIuminiumhydroxyoxid-Kristalliten; und

]?ig. 2 ein Querschnitt durch die Konstruktion der Pig. 1 mit einer über der Sperrschicht befindlichen kontinuierlichen photoelektrisch leitfähigen Schicht ist.

809832/0965

212&31H

ji'ir. 1 zei^t ein elektrisch leitfabides bubstrat 10, an welchem eine strukturierte Sperr- od.er jiarriersciiicht Λ'έ. aus Aluniiniuinhydroxyoxid-Kristalliten (manchmal im folgenden als !ooehmit bezeichnet) gebunden ist. Substrat 10 weist vorzugsweise einen elektrischen Widerstand auf, der mehrere Größenordnungen geringer ist als der spezifische elektrische Widerstand der phctoelektrisch leitfähig en Schicht 12 (siehe ji'ig. 2), nachdetu diese Schicht belichtet worden ist. Im allgemeinen hat das Substrat 10 einen spezifischen vüderstand kleiner als 10 Ohm·cm und gewöhnlich kleiner als 10° Ohm-cm.

Zu haterialien, die als Substrat 10 geeignet sind, zählen reine Aluminiumfolien, aber auch andere Aluminiumfolien und -blabtmaterialien, die bis zu etwa 30 ¹P oder mehr an Legierungsmetallen enthalten. Solche Kiemente der Erfindung verwenden nur eine (einzige) Schicht aus Aluminiumhydroxyoxid-Kristalliten alsj Sperrschicht. Sie verwenden keine speziell präparierten A^O^- Schichten und dergl. Zu brauchbaren Aluminiumlegierungen gehören zum Beispiel Lynite , eine im Handel erhältliche 5 Gewichtsprozent Kupfer enthaltende Aluminiumlegierung; Aluminiumsilicon 4-3, eine im Handel erhältliche Aluminiumlegierung, die etwa 5 ^cfi Silizium enthält; Aluminium Alloy 35»eine im Handel erhältliche Aluminiumlegierung, die 1,25 % Mangan enthält; Aluminium Alloy 3003, eine handelsgängige Legierung mit etwa 98 <jb Aluminium; Aluminium Alloy 1100, eine im Handel erhältliche Legierung, die etwa 99»2 % Aluminium enthält; und Aluminium Alloy 114-5» eine im Handel erhältliche Legierung, die etwa

809882/0965

_._...2ft2aasa.

99j55 ¹P Aluminium enthält.

Außerdem kann Substrat 10 irgendein Substrat sein, das mit reinem Aluminium oder einer Aluminiumlegierung überzogen oder plattiert worden ist. Zum Beispiel sind Metalle (z.B. Messing, Stalil, etc) und Kunststoffilme (z.B. Polyester, Polycarbonat etc.) mit darauf befindlichen Überzügen (z.B. dünnen Uampfüberzügen) aus Aluminium oder Aluminiumlegierung einsetzbar. Praktisch kann Substrat 10 jedes Material sein, das in der Oberfläche genügend vorhandenes Aluminium aufweist, um das Wachstum der Schicht 12 (die nachfolgend vollständiger beschrieben wird) zu tragen und nach diesem Zuwachs elektrisch leitfähig bleibt.

Die strukturierte Schicht 12 wird gebildet, indem man die Aluminiumoberfläche des Substrats 10 einer oxidierenden Umgebung, die Wasser enthält, aussetzt, so daß Kristallite 15 aus hydratisiertem Aluminiumoxid darauf in situ wachsen. Obwohl dies durch einfaches Eintauchen des Substrats 10 in Wasser für eine gewisse Zeit bewerkstelligt werden kann, wird es mehr bevorzugt, diese einer gasförmigen oxidierenden Umgebung auszusetzen, die im wesentlichen mit Wasserdampf gesättigt ist, und zwar bei etwa 20° bis 150 ⁰O. Zum Beispiel kann die Aluminiumoberfläche in eine Umgebung aus Wasserdampf gebracht werden. Das Wasser und die oxidierende Atmosphäre.rufen das in-situ-Wachstum einer strukturierten Schicht auf der Aluminiumoberfläche des Substrats 10 hervor. Diese Schicht bildet eine irreguläre Wabe (z.B. mit einer Anzahl Spitzen und Vertiefun- ~ ~ 809882/0965

2828353

gen). Die einzelnen Kristallite 15 sind zueinander statistisch angeordnet und haben variierende höhen und Gestalten. Vorzugsweise stehen die Basen der Kristallite 15 in Kontakt mit den

basen benachbarter kristallite. Es können jedoch kleine Be- ^: reiche 15 des Substrats 10 vorhanden sein, in denen keine Kristallite gebildet sind.

Wegen der irregulären Mstur der die 3cnicht 12 aufbauenden Kristallite 15 variiert die Stärke der Schicht 12. Es wurde je- j doch gefunden, daß die Stärke der Schicht erfindungsgemäß nicht t entscheidend ist. Daher kann sie eine Starke bis zu etwa 200 nm oder darüber haben.

Die zur Herstellung der Schicht 12 erforderliche Einwirkungszeit hängt in erster linie von der Temperatur der oxidierenden Umgebung und der gewünschten Stärke der Schicht 12 ab. Daher erfordert ein Erhöhen der Stärke der Schicht 12 eine entsprechen de Zunahme der Einwirkungszeitspanne. Die erforderliche Ein-

j Wirkungszeit kann abgekürzt werden durch Erhöhen der Temperatur

j der oxidierenden Umgebung.

Die oxidierende Umgebung, welcher die Aluminiumoberfläche ausgesetzt wird, kann ein Wasserbad sein, obgleich es vorzugsweise eine Atmosphäre ist, die durch Einlassen von wasserdampf in einen offenen Kessel erhalten wird. Geschlossene Kessel, die Wasserdampf und Luft bei Drucken im -Bereich von Atmosphärendruck bis zu 7 kp/cm oder darüber enthalten, können ebenfalls verwen-

809882/0965

det werden. Durch itegulierung der Menge und des Druckes des in den Kessel eingeleiteten Wasserdampf es können Temperaturen von etwa 50 °G bis etwa I50 ⁰O erhalten werden, die zur Ausbildung von Aluminiumhydroxyoxid-Kristalliten geeignet sind. Das Verhältnis von Wasserdampf zu Luft ist nicht kritisch, ein geeigneter Bereich liegt zwischen etwa 1 : 20 bis 20 : 1 'feilen Luft pro Teil Wasserdampf.

Oxidierende Gase (zum Beispiel Sauerstoff) können eingesetzt

werden, um einen Teil oder die gesamte verwendete Luft in den oxidierenden Atmosphären zu ersetzen.

Vorzugsweise wird die Aluminiumoberfläche des Substrats 10 von (Jl und Oberflächenverunreinigungen nach einem der üblichen Verfahren gereinigt, die bisher zur Reinigung von Aluminium angewendet wurden. Die gereinigte Oberfläche wird vorzugsweise mit entionisiertem Wasser vor Einwirkung der oxidierenden Umgebung gespült. Obwohl es nicht notwendig ist, den natürlich auftretenden dichten Aluminiumoxid-Film von der Oberfläche des Substrats zu entfernen, kann dies gegebenenfalls vorgenommen werden. Gewöhnlich wird das Aluminiumsubstrat jedoch einfach durch Waschen mit einer wäßrigen Lösung eines herkömmlichen oberflächenaktiven Mittels oder Detergenz gereinigt, wonach ein Spülen mit Wasser und gegebenenfalls Trocknen folgt. Organische Lösungsmittel können zur Entfernung von Ölen von den Aluminiumoberflächen verwendet werden.

809882/0965

2828351

14 -

! In i''i;j.. 2 ist ein pbotoelektriscn leiuf eiliges Element 20 wieder-· f^egeueu, das i:.< wesentlichen aus einen; elektrisch leitf-üiigen

[ Substrat 10, einer Schicht 12 aus Alun,iniur.uiyurox;ycxid-, Kriscalliten 13 auf dies ei., -oubsirrat und einer kontinuierlichen ; photoelektrisch leitfshigen Schicht 14 über Schicht 12 bestellt.

Die als Scaicht 14 verwendeten pliotoelektrisch leitf-üiigen Γ-iateriaiien werden ausgewählt aus Selen, Selenverbindungen und Legierungen des Selens, Wenn Selen verwendet wird, kann es in amorpher oder glasartiger u'orm vorliegen. Zu repräsentativen Selenverbindungen gehören neben anderen Arsenselenig (As-Se₅.) , Cadmiumselenid, -Jellurselenid. Repräsentative geeignete .Gelenlegierungen umfassen Legierungen des Selens mit Arsen oder ■fellur in der glasartigen Form, mit Arsen oder l'ellur dotiertes Selen und andere. Vorzugsweise wird das photoelektrisch leitende Material ausgewählt aus glasartigem Selen, Arsen- oder Tellurlegierungen und Arsenselenid.

Das photoelektrisch leitfähige Material wird so auf die AIuminiumhydroxyoxid-Schicht aufgebracht, daß darauf eine kontinuierliche Flache vorgegeben wird. Die Stärke der photoelektrisch leitfähigen Schicht ist erfindungsgemäß nicht kritisch. Sie sollte jedoch von ausreichender Stärke sein, so daß ein sichtbares Bild geliefert wird, wenn das photoelektrisch leitfähige Element nach elektrophotographischen Techniken verarbeitet wird. Daher ist die photoelektrisch leitfähige Schicht vorzugsweise etwa 40 bis 60 Fiikron stark.

809882/0965

282&35S

Die photoelektrisch leitf-hige Schicht kann auf die Aluininiumhydroxyoxid-Schicht durch eine xteihe von .Techniken aufgebracht werden. Typischerweise wird sie durch Aufdatnpfen auf die Alumini umhydroxyoxid-Schicht nach bekannten Verfahren der Technik aufgebracht.

Die vorliegende Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele weiter erläutert, worin "Teile" auf Gewichtsteile bezogen sind, wenn nichts anderes vermerkt ist.

ι -Beispiel Λ

Ein photoelektrisch leitfähiges Element wurde hergestellt durch Behandeln einer 200 /um starken Aluminiumplatte mit gesättigtem Wasserdampf bei einer Temperatur von annähernd 95 °0 für 90 Sekunden. Während dieser Zeit wurde auf der Platte eine Sperrschicht aus Aluminiumhydroxyoxid-Kristalliten gebildet. Dann wurde auf der Sperrschicht eine 5 /U starke photoelektrisch leitfähige Schicht aus reinem Selen durch Vakuumbeschichtung aufgezogen.

Die gute Haftfestigkeit der photoelektrisch leitfähigen Schicht an der Sperrschicht wurde demonstriert durch Aufbringen eines Schnitts eines SGOTGH^E Magic Mending Tape (im Handel erhältlich von Minnesota Mining and Manufacturing Company) auf die Selenschicht. Der Streifen wurde mit normalem Pingerdruck aufgebracht und dann schnell von der Schicht abgestreift. Der Klebstoff des

809882/0965

Streifens verblieb auf der ^selenschicht, wenn der Streifen abgezogen wurde. Wenn dieser Test mit photoelektrisch leitfähigen j Elementen wiederholt wird, die natürlich auftretendes Aluminiumoxid (A^O^) als Sperrschicht verwenden, wird die photoelektrisch leitfähige Schicht durch den Streifen entfernt.

Beispiel 2

Eine 50 /U starke Folie aus biaxial orientiertem Poly(äthylen-'

terephthalat) wurde auf einer Seite durch Vakuumbeschichtung mit einer 0,3 /U starken Schicht aus Aluminium versehen. Der gesamte aluminisierte FiIm wurde mit gesättigtem Wasserdampf behandelt, wie in Beispiel 1 beschrieben, um eine Sperrschicht aus Aluminiumhydroxyoxid zu erzeugen. Eine 1 /U starke Schicht aus photoelektrisch leitfähigem Material (Arsenselenid) wurde dann auf der Sperrschicht durch Vakuumbeschichtung aufgezogen.

Die gute Haftfestigkeit der Arsenselenidschicht an der Sperrschicht wurde wie in Beispiel 1 nachgewiesen. Der Klebstoff des Streifens wurde von der Streifenunterlage entfernt, wenn der Streifen von der photoelektrisch leitfähigen Schicht abgezogen wurde.

Beispiel 3

Eine Reihe von photοelektrisch leitfähigen Elementen wurde unter Verwendung mehrerer Aluminiumtrommeln hergestellt. Die

809882/0965

18283Ü

Trommeln wurden mit einer Detergenzseife gewaschen und dann mit entionisiertem V/asser gespült. Eine Hälfte jeder Trommel wurde dann bei 98 G 10 Minuten mit gesättigtem Wasserdampf in Kontakt gebracht, um eine Sperrschicht aus Aluminiumhydroxyoxid-Kristallen (Boehmit) zu erzeugen. Die andere Hälfte jeder Trommel wurde gegen den Kontakt mit Wasserdampf gescnützt, so daß die darauf befindliche natürlich auftretende Al_o0₂-Schicht im wesentlichen unverändert ble|ib. Eine phot ο elektrisch leitfähige Schicht aus einer Selenlegianng (99,5 Gew.-^. Selen und 0,5 Gew.-^ Arsen) wurde dann durch Vakuumbeschichtung über beiden Hälften jeder Trommel aufgezogen. Die erhaltenen Trommeln bestanden aus einem elektrisch leitfähigen Substrat, einer Barrierschicht aus Aluminiumhydroxyoxid-Kristalliten auf diesem Substrat und einer zusammenhängenden kontinuierlichen photoelektrisch leitfähigen Schicht.

Die photoelektrisch leitfähigen Elemente wurden dann elektrostatisch geladen und hinsichtlich ihrer Spannungsaufnähme, I-Sekunden-Dunkelabfallcharakteristik und 50-Sekunden-Dunkelabfallcharakteristik getestet. Die Ergebnisse dieser Tests sind in Tabelle I wiedergegeben.

803882/0965

282835S

Λ < ■

— Io —

	Sperr schicht	Tabelle	I	Dunkelabfall (Volt) 1 Sek. 50 Sek.	250
Trommel	Boehmit	Dicke Photoleiter schicht ( /U)	Spannungs auf nähme zu Beginn (V)	30	460
A	Al2O3	48	890	70	150
	Boehmit	48	880	20	650
B	Al2O3	50	930	150	150
	Boehmit	48	800	15	650
σ	Al2O3	52	930	120
	50	800

Wie man sehen konnte, zeigten diejenigen Teile der Trommeln, die Boehmit-Sperrschichten verwendeten, eine bessere Spannungsaufnahme zu Beginn als die Teile der Trommeln, die natürlich auftretendes Al₂O₃ als Sperrschicht verwendeten. Zusätzlich verfügten die ersteren Teile der Trommeln über bedeutend bessere Dunkelabfallcharakteristiken als die letzteren.

Wegen dieser Eigenschaften weisen Kopien, die mit Kiementen unter Verwendung von Boehmit-Sperrschichten erzeugt werden, dichtere Bilder und weniger Hintergrund auf als Kopien, die von Elementen unter Verwendung der Al₂O₇,-Sperrschichten erzeugt werden. Zudem gestatten die verbesserten Dunkelabfallcharakteristiken der erfindungsgemäßen Elemente mit einer einzigen Aufladung und Belichtung eine größere Anzahl von Kopien herzustellen.
Dr.Ro/He

1098S2/09II

Claims (1)

1BERLIN33 8MÜNCHEN80

Auguste-Viktoria-Straße 65 _n nMCOUl/C ί DADXMCD PienzenauerstraBe 2

Pat.-Anw. Dr. Ing. Ruschke Dr. KUOOHKt & Γ AK I NtK

Pat.-Anw. Dipl.-Ing. γϊλ-ι-ι-μτλμ»λ#¹λ·ι-ι-γ- Pat.-Anw. Dipl.-Ing.

Olaf Ruschke PATENTANWÄLTE Hans E. Ruschke

Tel. (030)8 26 38 95/8 26 4481 BERLIN - MÜNCHEN ^Τβ'^- <⁰⁸⁹> ^{98 03 24} ' ^{98 ra 5B}

Telegramm-Adresse: Telegramm-Adresse:

Quadratur Berlin Quadratur München

TELEX: 183786 TELEX: 522767

l·atentanspräche

1. Photoelektrisch leitf ..hi ;;es KLement, gekeimzeic'nnet durch
(a) ein elektrisch leitf-Ahi^es Substrat, (b) eine darauf befindliche bchicht aus Aluiriniuuibydroxyoxid-Eristalliten, und (c) eine susawmenhinr-ende ρ not ο elektrisch leitf ähi.^-e bchicht aus Selen, Selenverbindungen und/oder Selenlegierungen über
diesen Kristalliten.

'd. Photoelektrisch leitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diese Optoelektrisch leitfähige Schicht aus Selen besteht.

3. Photoelektrisch leitf^higes Element nach Anspruch 1, dadurch gekennζeichnet, daß diese photoelektrisch leitfähige Schicht aus einer Selenlegierung besceht.

4-, Photoelektrisch leitfähiges Element nach Anspruch o% dadurch gekennzeichnet, daß diese Legierung mindestens etwa
9V>5 Gew.-yb Selen enthält, während der Rest Arsen oder
•tellur ist.

809882/0965

^. i-notoelektriscu leitf -.hi; ..-ε Kleuient nach ..nGpruca 4, dadurch ^ekennaeicrmct, ds ciiose le;iecim-_ ^r"inde3tons og'-.o Wji⁵ -C-Vi.-,. ,elen enth..It und uer· ιν'-.οϋ .".t'seii ist.

ο. Paotoeloiitriacii leifcf h.i;;^s ilerjent n-r-cri ansorucli 1, d^'Aur ^ekennaeichnet, dau c.iese pnotueieKtriscn leibf..hi;-je C-cIiiolit aus einer oelenverbindunc be--. ¹JGiIt.

7. thotoelektriscli leitfähiges Element nach Anspruch 6, dadurch f-Tekennzeichnet, da:': diese Verbindung As^/Je-. ist.

d. Verfahren zur Herstellung; eines rhotoelektrisch leitf-r.i-_:en Clements, dadurch gekennzeichnet, da.: ein Glciktrisch leitf,-..hif_-es Üubsfcrat n.it einer C'berfl-J.che aus Aluminium und/odernichtporöser.j Aluniiniuvioxid in einer oxidierenden I t. 9bnn ;;.i Wasser eine ausreichende Zeit lann; und bei ausreichender .Temperatur in Berührung rebracht wird, uu darauf die in-r.iti .uildun^ einer Schicht aus Aluminiumhydroxyoxid-Kristalliten zu bewirken, und dann eine zusammenhVingende Schicht aus photoelektrisch leitf vihigem Material aus öelen, Selenverbindungen und/oder üelenlegierungen auf diese Kristallitschicht aufgebracht wird.

9· Verfahren zur Bilderzeugung, dadurch gekennzeichnet, daß war. die photoelektrisch l)itfähige Schicht eines photoelektrisch leitfühigen Elements mit (a) einem elektrisch leitfähicen Substrat, (b) einer darauf befindlichen Schicht aus Aluruiniu

809882/0965

BAD OR'P'NAL

28283SS

und (c) einer zusaKt;ienli-\n. enden pnotoelektriGCh leitf-.,bi~en ochicht aus ._>elen, .oelonverliindun^en und/oder Selenlef-jierun^en über diesen Lristolliten elektronisch 1-j.dt, uic relBdene Schiebt bildui:']:..i;; uelicirbet und auf den nicircbelicnteten .oerc^;;ichen der pliotoelektrisch leitfahij-en Schicht ^ntvjicklerteilchen ablagert.

Verfahren nach Anspruch % dadurch gekennzeichnet, äaJi es einen .ochritt zur Überführung dieses Kntvjicklern&terials auf ein r:ezeptor- bzw. hrnpfanr.smoterial einschließt.

8 0 9882/0965

BAD