DE2758666A1

DE2758666A1 - Elektroakustischer wandler

Info

Publication number: DE2758666A1
Application number: DE19772758666
Authority: DE
Inventors: Elmer V Carlson; Mead Clifford Killion
Original assignee: Industrial Research Products Inc
Current assignee: Knowles Electronics LLC
Priority date: 1976-12-30
Filing date: 1977-12-29
Publication date: 1978-07-06
Also published as: US4063050A; GB1565157A; DE2758666C3; US4151480A; DE2758666B2

Description

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Anmelderin:

Industrial Research Products, Inc., Elk Grove Village, Illinois 60007, USA

Titel:

Elektroakustischer Wandler

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SO 207 Anm.: Ind. Res. Prod,

Beschreibung

Die Erfindung betrifft einen elektroakustischen Wandler mit einer Elektret-Anordnung, die eine Membran umfaßt, welche neben einem Elektret-Film und einer Rückplatte angeordnet ist. Die Elektret-Anordnung ist in einem Gehäuse so untergebracht, daß auf den beiden gegenüberliegenden Seiten der Membran akustische Kammern gebildet sind. Das Gehäuse umfaßt einen Kanal, durch den ein äußeres akustisches Signal in eine der beiden Kammern eintreten und so die Membran zum Ansprechen bringen kann. Die Rückplatte ist perforiert, damit die durch die Schwingungen der Membran erzeugten Luftdruckschwankungen in die andere akustische Kammer eintreten können. Der Elektret-Film ist an eine geeignete elektronische Schaltung angeschlossen, welche die elektroakustische Wechselwirkung zwischen der Membran und dem Elektret-Film herbeiführt und so ein elektrisches Signal liefert, welches dem akustischen Signal entspricht.

Bekanntlich kann ein solcher Wandler auch in umgekehrter Richtung betrieben werden, nämlich so, daß ein elektrisches Signal an das Elektret angelegt und so die Membran zu Schwingungen angeregt wird, wodurch ein akustisches Signal entsteht, welches sich aus der ersten akustischen Kammer auskoppeln läßt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Konstruktion eines elektroakustischen Wandlers xler vorgenannten

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Art anzugeben.

Diese Aufgabe ist erfindüngsgemäß mit dem im Anspruch 1 und bezüglich vorteilhafte Ausgestaltungen in den Unteransprüchen gekennzeichneten elektroakustischen Wandler gelöst.

Bei einem elektroakustischen Wandler nach der Erfindung ist die Anordnung auf Membran, Elektret und Rückplatte in einfacher und bequemer Weise auf Stützsäulen montiert, die im Gehäuse ausgebildet sind. Gleichzeitig wird hierdurch eine akustische Kammer gebildet, in welche von außen Schall eintreten kann» Die Membran umfaßt Flansche, welche von der Ebene der Membran quer weg stehen und so ein sicheres Anhaften der Membran an den Wänden des Gehäuses ermöglichen.

Das Elektret umfaßt einen dielektrischen Film, der auf eine perforierte Rückplatte aufgebracht ist» Die Rückplatte umfaßt Vorsprünge, welche den dielektrischen Film in einem bestimmten ausgewählten Abstand von der Membran halten. Die erläuterte Konstruktion ermöglicht es, daß die Anordnung auf Membran, Elektret und Rückplatte mit gutem akustischen Wirkungsgrad und unter Einhaltung genauer Toleranzen im Gehäuse montiert werden kann.

Eine elektronische, auf einem Halbleiter-Körper ausgebildete Signal-Verstärkerschaltung ist auf einer keramischen Platte angebracht, weiche im Gehäuse angeordnet und zum Teil durch eine Säule unterstützt ist, welche an der Rückplatte befestigt ist. Die elektronische Schaltung umfaßt zwei Feldeffekt-Transistoren und Mittel zur Begrenzung eines durch die Feldeffekt-Transistoren fließenden Überstromes. Ein elektrischer Anschluß umfaßt relativ steife elektrische Leitungen, die mit der elektronischen Schaltung verbunden sind und sich von der keramischen Platte nach außen durch akustisch abgedichtete Öffnungen im Gehäuse hindurcherstrecken, wo sie an eine zugeordnete äußere elektronische Schaltung angeschlossen werden können.

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Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften Einzelheiten anhand eines sch^matisch dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 eine teilweise im Querschnitt ausgeführte isometrische Ansicht eines Elektret-Wandlers nach der Erfindung?

Fig. 2 eine Draufsicht auf das Gehäuse des Wandlers nach Fig. 1, wobei ein Teil der Elektret-Anordnung und der Membran fortgelassen ist, um eine Stützsäule im Gehäuse sichtbar werden zu lassen, auf welcher die Elektret-Anordnung angebracht ist/ und ferner die keramische Platte, auf welcher die elektronische Schaltung angebracht ist, sowie die Unterstützung der keramischen Platte;

Fig. 3 ein Schaltbild eines Teiles der in Fig. 2 sichtbaren Verstärkerschaltung, welche zwei Feldeffekt-Transistoren und zugeordnete Bauelemente umfaßt;

Fig. 4 eine isometrische Ansicht der in Fig. 1 und Fig. 2 erkennbaren keramischen Platte, wobei diese gegenüber den Fig. 1 und 2 in umgekehrter Stellung dargestellt ist, um die Anordnung der Bauelemente auf der Platte sichtbar werden zu lassen.

Gemäß Fig. 1 umfaßt ein erfindungsgemäßer Elektret-Wandler 11 ein tassen- oder schalenförmiges Gehäuse 13, das bei der gezeigten Ausführungsform im wesentlichen rechteckig ausgerichtete und geformte Wände 15 umfaßt. Ein passender Deckel 17 umfaßt eine im ganzen flache Platte mit nach unten abgewinkelten oder geneigten Ecken 18, die oben auf die Wände 15 paßt und an diesen fest zementiert ist, um das Gehäuse 13 zu verschließen. Die geneigten Ecken te erleichtern die richtige Anordnung des Deckels 17 auf dem Gehäuse 13 beim Zusammenbau. Ein geeignetes Einlaßrohr 19 für ein akustisches Signal ist am Gehäuse 13 angebracht und steht über eine geeignete akustische öffnung 40 in der Stirnwand 15 mit dem Inneren des Gehäuses in Verbindung, und zwar im einzelnen mit einer akustischen Kammer 20, die im Ge&äiise 13 ausgebildet ist.

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Eine Elektret-Wandler-Anordnung 21 ist im Gehäuse 13 untergebracht. Die Elektret-Anordnung hat im wesentlichen einen Aufbau, wie er aus der US-PS 3 740 496 hervorgeht. Die Elektret-Anordnung 21 umfaßt eine einstückige Membran 22, die als plattenförmiger Abschnitt 23 ausgebildet ist, welcher sich über den gesamten, relativ flachen Boden bzw. die untere Wand 32 des Gehäuses 13 erstreckt, sowie eine Einfassung bzw. einen Rand 25. Die Membran 22 kann beispielsweise aus Polyäthylen-Terephthalat {Mylar} oder einem ähnlichen Material bestehen. Der plattenförsige Abschnitt 23 kann mit. einer nicht gezeigten, metallisierenden Schicht aus leitfähigem Material überzogen sein, welche beispielsweise im Vakuum auf ihre Oberfläche aufgebracht wurde.

Die am Rand des plattenförmigen Abschnittes 23 ausgebildete Einfassung 25 kann ebenfalls metallisiert sein, um einen akustischen Anschluß zu bilden. Die Einfassung 25 umfaßt einen Umfangsflansch 26, welcher sich quer zur Ebene des plattenförmigen Abschnittes 23 erstreckt. Der Flansch 26 ist so geformt, daß er mit der Innenseite der Wände 15 des Gehäuses 13 zusammenpaßt. Eine einstückige Lasche, die durch eine Verlängerung des Flansches 26 gebildet sein kann, erstreckt sich nach oben zwischen der Wand 15 und dem elektrischen Leiter, der an den Anschluß 51 angeschlossen ist, vergleiche die leitfähige Lasche 73 in Fig. 2 und 3. Die Oberseite der Membran 22 wird hierdurch elektrisch mit dem Anschluß 51 und dem Gehäuse 13 an der Schweißstelle 75 verbunden.

Eine relativ steife, feste Rückplatte 33 erstreckt sich ebenfalls praktisch über die gesamte Bodenwand 32 des Gehäuses 13. Die Rückplatte 33 ist so dimensioniert, daß sie zum Flansch 26 der Membran 22 paßt. Wie aus Fig. 1 hervorgeht, ist der Flansch 26 der Membran 22 zwischen der Kante der Rückplatte 33 und den Wänden 15 des Gehäuses 13 angeordnet und dort festgehalten. Die Membran 22 und die Rückplatte 33 unterteilen das Gehäuse 13 in zwei akustische Kairsnern 2O und 24. Geeignete öffnungen 35 in der Rückplatte 3 3 ermöglichen es, daß die Schallschwingungen von einer akustischen Kammer in die andere gelangen.

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Ein polarisierter dielektrischer Film bzw. ein Elektret 31 ist auf der Unterseite der Rückplatte 33 mit bekannten Mitteln angebracht. Bei einer Ausführungsform kann der Elektret-FiIm 31 auf der Rückplatte 33 so angeordnet oder aufgebracht sein, daß er durch öffnungen 35 hindurch fließt und bis zur gegenüberliegenden Seite der Rückplatte 33 reicht, wodurch Verankerungslaschen für den Film 31 gebildet sind, wie dies beispielsweise in der ÜS-PS 3 772 133 näher erläutert ist. Ein Flansch 30 auf dem Film 31 kann sich um die Kante der Rückplatte 33 herum erstrecken. Die Rückplatte 33 umfaßt ferner an der Unterseite ein Muster aus voneinander beabstandeten Vorsprüngen 37. Der plattenförmige Abschnitt 23 der Membran liegt auf den Vorsprüngen 37 auf, wodurch er seine richtige Lage erhält. Mit anderen Worten wird ein bestimmter Abstand 42 zwischen dem plattenförmigen Abschnitt 23 der Membran und dem Abschnitt des Elektret-Filmes 31, der zwischen den Vorsprüngen angeordnet ist, genau einbehalten.

Mehrere Stützsäulen 16, vgl. auch Fig. 2, sind mit gegenseitigem Abstand auf dem ganzen Boden bzw. der ganzen inneren Unterseite 32 des Gehäuses 13 angebracht oder dort ausgebildet. Bei der Ausführungsform nach Fig. 1 werden drei Stützsäulen in Dreieck-Konfiguration angewandt, die mit drei Vorsprüngen 37 der Rückplatte 33 fluchten und zur Halterung und sicheren Befestigung der Elektret-Anordnung 21 im Inneren des Gehäuses 13 dienen. Wie bereits erwähnt, können die Stützsäulen 16 durch Vorsprünge des Bodens 32 gebildet sein, die durch Eindrücken einzelner Zonen des Bodens 32 zum Inneren des Gehäuses 13 hin erzeugt werden. Alternativ können die Stützsäulen 16 separate Stütz-Bauteile sein, welche in der ausgewählten Anordnung am Boden 32 des Gehäuses 13 angeschweißt öder in anderer Weise befestigt sind. Darauf hinzuweisen ist, daß die Stützsäulen nicht nur eine sichere Halterung für die Anordnung 21 bilden, sondern außerdem die Abmessungen der akustischen Kammer 20 genau festlegen, die zwischen der Membran 22 und dem Boden des Gehäuses 13 gebildet ist.

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Im zusammengebauten Zustand ist die Membran 22 neben der Rückplatte 33 angeordnet. Wie oben erläutert wurde, richtet sich der Abstand zwischen dem plattenförmigen Abschnitt 23 der Membran und den &b&nen Zonen der Rückplatte 33 nach den Vorsprüngen 37 an der Rückplatte 33. Die Elektret-Anordnung bzw, -ünteranordnung 21 aus Rückplatte 33 und Membran 22 kann dann so in das Gehäuse 13 eingesetzt werden, daß sie auf den Stützsäulen 16 auf der Innenseite des Gehäuses aufliegt und die akustische Kammer 20 in der erläuterten Weise gebildet wird. Die Rückplatte 33 und der Flansch 26 der Membran 22 können anschließend an den Wänden 15 des Gehäuses 13 angebracht werden, z.B. mittels eines Tropfens bzw. eines Streifens Klebstoff 36.

Eine Stützplatte 41, die aus keramischem oder einem anderen nicht leitenden Material besteht, ist mit Abstand von der Rückplatte 32 im Inneren des Gehäuses 13 gehalten, vgl. Fig. 1 und 2, Die Platte 41 ist mittels eines länglichen Stabes 43 positioniert und befestigt, der sich von einer Kante der Ebene der Platte 41 nach außen erstreckt. Der Stab 43 ist beispielsweise durch Schweißen an einer Querlasche 4 5 befestigt, die aus der Rückplatte 33 herausgebogen sein kann. Der Stab 43 kann an der Seite der Querlasche 45 angebracht sein, wie/in den Figuren dargestellt ist; er kann aber auch in einfacher Weise an der Oberseite der Querlasche 45 befestigt sein. Schließlich kann die Querlasche 45 auch durch ein separates Stück gebildet sein, das sowohl mit der Rückplatte 33 als auch mit dem Stab 43 verschweißt ist.

Die andere Kante der keramischen Platte 41 ist im Gehäuse 13 mittels relativ steifer elektrischer Anschlüsse 47, 49 und 51 gehalten, von denen jeder einen Abschnitt hat, der an der Platte 41 befestigt ist, sowie einen gegenüberliegenden Abschnitt, welcher sich durch Zementierung zu Anschlußkissen bzw. -stücken 54 auf der Isolierplatte 52 erstreckt, die an der Wand 15 des Gehäuses 13 angebracht ist. Außerdem kann die Platte 41 weiterhin mittels eine Klebstoffes 77 befestigt sein, welcher zwischen die Ränder der Platte und der Wand des Gehäuses 13 eingebracht

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ist. Die Enden der elektrischen Anschlüsse 47, 49 und 51, die an der Platte 41 befestigt sind, sind außerdem mit der zugeordneten elektronischen Schaltung 50, vgl. Fig. 3, verbunden, die auf der Platte 41 angebracht ist. Die bereits erläuterte Masse-Lasche 73, vgl. Fig. 2, die am Flansch 26 der Membran 22 ausgebildet ist, stellt die elektrische Verbindung mit dem Anschluß 51 her, während sich die Schweißstelle 75 zwischen dem Anschluß 51 und dem Gehäuse 13 befindet.

Gemäß Fig. 3 umfaßt die elektronische Schaltung zwei Feldeffekt-Transistoren FET-1 und FET-2, ferner zwei Dioden 53 und 55 sowie einen Widerstand 57. Die Schaltung nach Fig. 3 stellt die Abwandlung einer Schaltung dar, wie sie in der US-PS 3 512 100 beschrieben wurde.

Nach Fig. 3 umfaßt der Feldeffekt-Transistor FET-1 eine Senkelektrode 65, eine Quellelektrode 67 und eine Torelektrode 63. Die Senkelektrode 65 steht über den Anschluß 47 mit einer geeigneten Speisequelle in Verbindung, z.B. mit einer Batterie, deren Spannung im Bereich zwischen 0,9 und 20 Volt, üblicherweise zwischen 0,9 und 2 Volt, liegt.

Die Quellelektrode 67 ist an die Senkelektrode 71 des Feldeffekt-Transistors FET-2 angeschlossen. In bekannter Weise erhält der Feldeffekt-Transistor FET-1 das Signal zur Verstärkung, welches durch die gegenseitige Wechselwirkung von Membran 22 und Elektret 31 entsteht.

Die Quellelektrode 74 des Feldeffekt-Transistors FET-1 ist über einen Serien-Widerstand 57 zum anderen Anschluß 51 der Speisequelle geführt. Der Anschluß 51 ist außerdem über eine Leitung 61 und einen Leiter 73, der gestrichelt dargestellt ist, an die Eingangssignalquelle 60 angeschlossen. Das in Fig. 4 gezeigte Kissen 58 stellt einen Leiter dar, der mit der Verstärkerschaltung 50 in Verbindung steht. Der Widerstand 57 ist so ausgesucht, daß er einen Spannungsabfall zwischen 10 Millivolt und 100 Millivolt erzeugt, wenn im Widerstand der Normal-

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strom fließt. Beispielsweise ist für einen Verstärker, der einen Strom von 25 Mikro-Ampere von der Speisequelle zieht, erfahrungsgemäß ein Widerstand von 1000 Ohm geeignet, um wirksam eine Beschädigung der Schaltung aufgrund einer zufälligen elektrostatischen Entladung über die Anschlüsse 47 und 49 beim Anfassen des Gehäuses 13 zu verhindern. Der Widerstand 57 kann als Teil einer Halbleiter-Basis bzw. -Matrize 48 gebildet sein, vgl. Fig. 4. Alternativ kann der Widerstand 57 ein diskretes Bauelement sein oder auch auf der Platte durch Aufdrucken oder Aufdampfen aufgebracht sein*

Die Torelektrode 63 des ersten Feldeffekt-Transistors ist über zwei parallel zusammengeschaltete Dioden 53 und 55 an die Quellelektrode 74 des zweiten Feldeffekt-Transistors FET-2 angeschlossen. Die Dioden 53 und 55 sind einander entgegengesetzt parallel geschaltet und haben die gleiche Funktion, wie sie in der genannten US-PS 3 512 100 erläutert ist. Die Torelektrode 69 des zweiten Feldeffekt-Transistors ist ebenfalls an die Dioden 53 und 55 angeschlossen.

In Fig. 4 ist die Verstärkerschaltung nach Fig. 3 so dargestellt, daß sie eine einzige Halbleiter-Unterlage 48 umfaßt, die durch Zementierung oder eutektische Klebung mit einer geeigneten gedruckten Schaltung auf der keramischen Platte 41 verbunden ist.

Die Schaltung nach Fig. 3 ist insofern eine Verbesserung gegenüber der Schaltung gemäß der ÜS-PS 3 512 1OO, als der zweite Feldeffekt-Transistor FET-2, der als Last-Transistor arbeitet, in die Schaltung einbezogen ist. Das Ausgangssignal wird an den Anschlüssen 4 9 und 51 vom zweiten Feldeffekt-Transistor abgegriffen, der einen niedrigen Gleichstrom-Widerstand und einen hohen Wechselstrom-Widerstand darstellt. Außerdem umfaßt die verbesserte Schaltung nach Fig. 3 den Serien-Widerstand 57, der in die Schaltung aufgenommen ist, um den maximalen, durch den ersten oder zweiten Feldeffekt-Transistor fließenden

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Strom im Falle einer elektrostatischen Entladung über entweder den Speisespannungs-Anschluß 47 oder den Ausgangs-Anschluß 49 zu begrenzen.

Die Eingangssignalquelle für die Schaltung 50 ist durch das Rechtecksymbol 60 dargestellt, welches zwischen den Leitungen 28 und 73 liegt. Bekanntlich ist der Signaleingang für die Schaltung vom dynamischen bzw. anfänglichen Abstand des Membran-Abschnittes 23 vom Elektret 31 abhängig. Der Ausgang der Schaltung 50 ist ein verstärktes elektrisches Signal, das an den Anschlüssen 49 und 51 ansteht und dem Eingangssignal entspricht.

Natürlich hängt die Polarität der Anschlüsse der Speisequelle, an welche die beiden Feldeffekt-Transistoren angeschlossen sind, vom Polaritäts-Typ bzw. der Polaritätsorientierung der beiden verwendeten Feldeffekt-Transistoren ab.

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Le e rs e i te

Claims

Ansprüche

λ J Elektroakustischer Wandler, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale:

ein Gehäuse (13) mit einem Boden (32) und mit

Seitenwänden (15),

eine Elektret-Anordnung (21) mit einer Membran (22), die einen mittleren, schwingfähigen, plattenförmigen Abschnitt (23) und eine relativ flexible Einfassung (25 am Umfang des plattenförmigen Abschnittes umfaßt, eine Rückplatte (33) mit hindurchgehenden öffnungen (35), Vorsprünge (37) auf einer Seite der Rückplatte, ein Elektret-Film (31), der auf der Seite der Rückplatte mit den Vorsprüngen ausgebildet ist und mit der Membran zur Erzeugung eines Signales zusammenwirkt, und gegenseitig beabstandete Stützsäulen (16) auf der Innenseite des Bodens des Gehäuses zur Halterung der Elektret-Anordnung im Gehäuse und zur Bildung einer akustischen Kammer (20) zwischen der Elektret-Anordnung und der Innenseite des Bodens des Gehäuses.
2. Elektroakustischer Wandler nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Deckel (17) für das Gehäuse (13), durch eine Befestigung der Membran (22) und der Rückplatte (33) an den Seitenwänden (15) des Gehäuses, durch eine im Gehäuse angeordnete nicht leitende Platte (41), und durch eine auf der nicht leitenden Platte gehaltene Signal-Verstärkerschaltung (50), die zwei Feldeffekt-Transistoren umfaßt, von denen ein erster

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Feldeffekt-Transistor das von der Membran und dem Elektret (31) erzeugte Signal erhält und verstärkt und von denen der zweite Feldeffekt-Transistor eine Ausgangs-Lastimpedanz für das verstärkte Signal bildet.
3. Elektroakustischer Wandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,, daß Anschluß-Mittel {47, 49, 51) die nicht leitende Platte <41) jait der Seite des Gehäuses < 13) verbinden, und dai3 eine Klammer {45} die nicht leitende Platte an der Rüekpktte (33) festhält.

4. Elektroakustischer Wandler nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Membran (22) und die Rückplatte (33) das Gehäuse (13) in zwei verschiedene akustische Kammern {2O; 24} unterteilen,

5. Elektroakustischer Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Einfassung {25} an ihrem Umfang einen Flansch (26) aufweist, welcher passend zu den Wand-Flächen des Gehäuses (13) geformt ist und an den Wänden (15) anhaftet bzw. angeklebt ist.

6. Elektroakustischer Wandler nach einem der Ansprüche

1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß für das Gehäuse {13) ein Deckel {1?) mit einer ebenen Hauptfläche und geneigten Ecken (18) vorgesehen ist, wobei die Ecken die Positionierung des Deckels am Gehäuse während des Zusammenbaus erleichtern.

7. Elektroakustischer Wandler nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die an eine Speisequelle mit niedriger Spannung anschließbare Verstärkerschaltung (50) zwei Feldeffekt-Transistoren mit jeweils mindestens drei Elektroden umfaßt, daß eine Elektrode (65) des ersten Feldeffekt-Transistors an eine Seite der Speisequelle angeschlossen ist, daß eine Vorspannungseinrichtung (2) derart parallel geschaltete Dioden (53, 55) umfaßt, daß diese aufgrund ihrer Polarität Strom in den beiden zueinander entgegengesetzten Richtungen hindurch Lassen, daß eine zweite Elektrode (63) des ersten Feideffekt-Transistors an einen Anschluß der Vorspannuruj.s-

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einrichtung angeschlossen ist, daß die dritte Elektrode (67) des ersten Feldeffekt-Transistors an die erste Elektrode (71) des zweiten Feldeffekt-Transistors angeschlossen ist, und daß die zweite Elektrode (69) des zweiten Feldeffekt-Transistors an den anderen Anschluß der Vorspannungseinrichtung angeschlossen ist, so daß der zweite Feldeffekt-Transistor eine niedrige Gleichstrom-Impedanz und eine hohe Wechselstrom-Impedanz bildet, wobei das über dem zweiten Feldeffekt-Transistor abfallende Wechselspannungssignal einem Verbraucher zuführbar ist.

8. Elektroakustischer Wandler nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß ein Widerstand in Serie mit dem Gleichstrom-Weg liegt, der von den ersten zu den dritten Elektroden der Feldeffekt-Transistoren verläuft, und den durch diesen hindurch fließenden Strom als Schutz gegenüber elektrostatischen Entladungen begrenzt.

9. Elektroakustischer Wandler nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Verstärkerschaltung (50) eine einzige Halbleiter-Unterlage (48) aufweist.

10. Elektroakustischer Wandler nach einem der Ansprüche

3 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß die auf einer einzigen Halbleiter-Unterlage (48) ausgebildete Signal-Verstärkerschaltung (50) an der nicht leitenden Platte (41) angebracht ist.

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