DE2739848C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2739848C2
DE2739848C2 DE19772739848 DE2739848A DE2739848C2 DE 2739848 C2 DE2739848 C2 DE 2739848C2 DE 19772739848 DE19772739848 DE 19772739848 DE 2739848 A DE2739848 A DE 2739848A DE 2739848 C2 DE2739848 C2 DE 2739848C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mol
oxide
varistor
varistor according
mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19772739848
Other languages
English (en)
Other versions
DE2739848A1 (de
Inventor
Lionel Monty Schenectady N.J. Us Levinson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE2739848A1 publication Critical patent/DE2739848A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2739848C2 publication Critical patent/DE2739848C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105Varistor cores
    • H01C7/108Metal oxide
    • H01C7/112ZnO type
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Metalloxid-Varistor aus dem Reaktionsprodukt, das sich beim Sintern einer Mischung aus einer Hauptmenge Zinkoxid, mindestens 0,1 Mol.-% Wismutoxid und Siliziumdioxid bildet.
Ein Metalloxid-Varistor der vorgenannten Art ist in der DE-PS 22 15 933 beschrieben. Nach Spalte 3, Absatz 2 dieser DE-PS liegt der dortigen Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen solchen Varistor zu schaffen, der durch einen hohen C-Wert, einen hohen n-Wert und mit einer großen Konstanz mit der Temperatur, bei Feuchtigkeit und elektrischer Belastung ausgezeichnet ist. Zur Lösung dieser Aufgabe weist der Metall­ oxid-Varistor nach der genannten DE-PS einen gesinterten Körper auf, der im wesentlichen aus Zindoxid als Haupt­ bestandteil sowie aus einem Zusatz aus 0,05 bis 20 Mol.-% Siliziumdioxid und insgesamt 0,05 bis 10 Mol.-% wenigstens eines Oxids der aus Wismutoxid, Kobaltoxid, Manganoxid, Bariumoxid, Strontiumoxid und Bleioxid bestehenden Gruppe besteht. Der Metalloxid-Varistor der DE-PS 22 15 933 ent­ hält zwar Zinkoxid und Siliziumdioxid als zwingende Be­ standteile, nicht aber Wismutoxid, und die Ergebnisse der Beispiele, siehe z. B. Tabelle III, zeigen denn auch, daß für die Zwecke der Erfindung nach der genannten DE-PS Wismut­ oxid nicht die vorteilhafteste dritte Komponente ist. Viel­ mehr ergeben Kobaltoxid, Manganoxid und Bariumoxid in einer Menge von 0,05 Mol.-% zusammen mit 20 Mol.-% SiO2 und 79,95 Mol.-% ZnO bessere Ergebnisse im Sinne der Erfindung nach der DE-PS 22 15 933. Der Temperaturbereich von 1000 bis 1450°C zum Sintern des Varistors nach der genannten DE-PS steht im Zusammenhang mit der Herstellung eines Varistors, der die dort zugrundeliegende Aufgabe lösen kann. Die tatsächlich nach der DE-PS 22 15 933 benutzten Sinter­ temperaturen betragen 1200 bis 1300°C.
Die DE-AS 18 02 452, die DE-OS 25 00 291 und das "Japanese Journal of Applied Physics", 10, 736-746 (1971) beschreiben Zinkoxid-Varistoren, die zwar verschiedene Metalloxid- und fluoridzusätze, wie Wismutoxid, Kobaltoxid, Manganoxid, Antimonoxid, Chromoxid, Nickeloxid, Chromfluorid, Nickel­ fluorid u. a., enthalten können, die aber alle kein Siliziumdioxid aufweisen. Für einen solchen Zinkoxid- Varistor ohne Siliziumdioxid aber mit Bi2O3, CoO, MnO, Cr2O3 und Sb2O3 in einer Gesamtmenge von 3 Mol.-% nimmt der nicht-lineare Widerstand C (V/mm) von 600 bei einer Sintertemperatur von 950°C auf 50 bei einer Sintertemperatur von 1450°C ab.
Für Materialien, wie ZnO, die eine nicht-lineare Wider­ standscharakteristik zeigen, gilt für die quantitative Beziehung von Spannung und Strom die folgende Gleichung:
I = (V/C) α
worin V die Spannung zwischen zwei Punkten ist, die durch einen Körper des betrachteten Materials getrennt sind, I der zwischen diesen Punkten fließende Strom, C eine Konstante und α ein Exponent größer als 1 ist. Sowohl C als auch α sind Funktionen der Zu­ sammensetzung und der Verfahrensparameter, die bei der Herstel­ lung des Elementes benutzt wurden. Materialien, wie Siliziumcar­ bid, zeigen nicht-lineare exponentielle Widerstandscharakteristika und werden als kommerzielle Varistoren benutzt, doch haben solche nicht-metallischen Varistoren im allgemeinen einen Exponenten α von nicht größer als 6 und sind daher für diese Anwendungen zur Spannungsregulierung und zur Unterdrückung von Stoßspannungen un­ geeignet.
Demgegenüber erhält man auf der Grundlage von ZnO Varistoren mit Exponenten α von mehr als 10 im Strom­ dichten-Bereich von 10-3 bis 102 A/cm2, wenn man eine Mischung sintert, die als Hauptanteil Zinkoxid sowie Wismutoxid und andere Metalloxide und/oder Halogenide enthält. Siliziumdioxid ist gelegentlich als Zusatz in einer Konzentration von 20 Mol.-% oder weniger in die­ sen Varistormaterialien auf der Grundlage von Zink- und Wismut­ oxid eingesetzt worden. Diese Zusammensetzungen zeigten jedoch relativ geringe Durchbruchsfelder und Exponenten α von weniger als 6, die im allgemeinen nicht als brauchbar zur Regulierung hoher Spannungen angesehen werden.
Das Durchbruchsfeld eines Varistormaterials kann als das elek­ trische Feld definiert werden, das auf einen Körper des Materials angewandt werden muß, um in dem Material eine Stromdichte von 10-3 A/cm zu erzeugen. Die Metalloxid-Varistormaterialien des Standes der Technik zeigen im allgemeinen Durchbruchsfelder zwi­ schen etwa 30 V/mm und etwa 1200 V/mm.
Es ist jedoch für manche Anwendungen erforderlich, Varistoren mit Durchbruchsfeldern von mehr als 1200 V/mm und mit Exponenten α von mehr als 10 zu haben.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Metalloxid-Varistoren der eingangs genannten Art mit Durch­ bruchsfeldstärken von mehr als 1200 V/min und Exponenten α von mehr als 10 zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den Patentanspruch 1 gelöst. Erfindungsgemäße Metall­ oxid-Varistoren weisen Durchbruchsfelder von 4000 V/mm oder mehr und Exponenten α von etwa 50 auf.
Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeich­ nungen näher erläutert, in deren einziger Figur eine Stromspannungs­ kurve von einem bekannten Metalloxid-Varistor gezeigt ist.
Die Metall-Varistoren nach dem Stand der Technik umfassen gesinterte Mischungen von Zinkoxid, Wismut­ oxid und anderen Metalloxiden, die in den obengenannten Patent­ schriften und technischen Publikationen beschrieben sind. Silizi­ umdioxid ist in Konzentrationen bis zu 20 Mol.-% als Zusatz in solchen Varistoren nach dem Stand der Technik eingesetzt worden, und man hat festgestellt, daß die Durchbruchs­ feldstärken von solchen Siliziumdioxid enthaltenden Varistoren mit der Siliziumdioxid-Konzentration zunahmen.
In der vorliegenden Erfindung ist jedoch festgestellt worden, daß die Durch­ bruchsfeldstärke von Metalloxid-Varistoren auf der Grundlage von Zinkoxid und Wismutoxid in einer drastischen und unerwarte­ ten Weise zunimmt, wenn Oxidmischungen aus Zinkoxid und 0,1 Mol.-% Wismut­ oxid und 10 bis 25 Mol.-% Siliziumdioxid bei relativ geringen Temperaturen von 800 bis 1100°C, ausgenommen einer Temperatur von 100°C oder mehr, gesintert werden.
Varistoren der vorliegenden Erfindung werden hergestellt durch Sintern einer Mischung mit 10 bis 90 Mol.-% Zinkoxid, mindestens 0,1 Mol.-% Bi₂O₃, 10 bis 25 Mol.-% Siliziumdioxid und in vorteilhafter Weiterbildung 0,1 bis 10 Mol.-% eines oder mehrerer der folgenden Metalloxid-Zusätze: Kobalt-, Mangan-, Antimon-, Chrom-, Nickel-, Magnesium-, Bor-, Barium-, Zirkonium-, Molybdän-, Strontium-, Blei- und/oder Zinnoxid. Zu­ sätzlich kann es vorteilhaft sein, die Fluoride von Wismut, Kobalt, Mangan, Antimon, Chrom, Nickel, Magnesium, Bor, Barium, Zirkonium, Molybdän, Strontium, Blei und/oder Zinn in Konzentrationen von etwa 0,1 bis etwa 10 Mol.-% hinzuzugeben, wie dies den Lehren nach dem Stand der Technik entspricht.
Die Durchbruchsfeldstärken von erfindungsgemäßen Varistoren nehmen als Umkehrfunktion von der Länge der Sinterzeit und/oder der Sintertemperatur zu. Die Mischungen der Metalloxidpulver werden gemäß den in den vorgenannten Patentschrift angegebenen Ver­ fahren hergestellt und bei Temperaturen im Bereich von 800 bis 1100°C, ausgenommen einer Temperatur von 1000°C oder mehr, für Zeiten zwischen etwa einer 1/4 Stunde und etwa 2 Stunden gesintert. Die Optimalwerte der Durch­ bruchsfeldstärken und Exponenten α werden bei Mischungen erhalten, die etwa 10 bis etwa 20 Mol.-% Siliziumdioxid enthalten und die im Temperaturbereich von 900 bis 1050°C, ausgenommen einer Temperatur von 1000°C oder mehr, gesintert worden sind.
Die hohen Durchbruchsfeldstärken und Exponenten α, die charak­ teristisch für die erfindungsgemäßen Varistoren sind, werden durch die kombinierten Wirkungen der Anwesenheit bestimmter Men­ gen von Siliziumdioxid und der geringen Sintertemperatur er­ halten. Mischungen, die Siliziumdioxid nicht in den angegebenen Konzentrationen enthalten, zeigen nicht diesen scharfen Anstieg bei der Durchbruchsfeldstärke mit abnehmender Sintertemperatur, wie er für die erfindungsgemäßen Varistoren charakteristisch ist.
Durch Sintern der folgenden Mischung wurden Varistoren herge­ stellt:
0,425 Mol.-% je von Bi₂O₃, Co2O3, MnO2 und Cr2O3
0,85 Mol.-% je von Sb2O3 und NiO
sowie die angegebenen %-Gehalte von SiO2 und ZnO auf 100 Mol.-%.
Die Mischungen wurden nach üblichen Praktiken für die Kermamik­ herstellung zubereitet und für eine und 1/2 Stunde bei den an­ gebenen Temperaturen gesintert.
In der Zeichnung ist die Stromspannungskurve eines bekannten Varistors angegeben:
Kurve A ist charakteristisch für eine bekannte Mischung mit 16,5 Mol.-% SiO2, die bei 1175°C gesintert ist. Die Eigenschaften dieses Elementes können aufgrund des Standes der Technik vorhergesagt werden. Die Durchbruchsfeldstärke beträgt etwa 950 V/mm.
Der höchste Wert der Durchbruchsfeldstärke für die erfindungs­ gemäßen Varistoren wurde bei einem Varistor erhalten, der aus einer Mischung mit 15 Mol.-% SiO2, gesintert bei 940°C, hergestellt war. Dieser Varistor hatte eine Durchbruchsfeldstärke von mehr als 4000 V/mm und einen Exponenten α von mehr als 10.
Metalloxid-Keramiken mit etwa 30 Mol.-% SiO2 hatten keine Varistor­ eigenschaften.

Claims (9)

1. Metalloxid-Varistor aus dem Reaktionsprodukt, das sich beim Sintern einer Mischung aus einer Hauptmenge Zinkoxid, mindestens 0,1 Mol.-% Wismutoxid und Silizium­ dioxid bildet, dadurch gekennzeichnet, daß Siliziumdioxid in einer Menge von 10 bis 25 Mol.-% vorhanden und das Sintern bei Temperaturen zwischen 800 bis 1100°C, ausgenommen einer Temperatur von 1000°C und mehr, erfolgt ist.
2. Varistor nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Mischung weiter Materialien ent­ hält, die ausgewählt sind aus den Oxiden und Fluoriden von Kobalt und Mangan, Antimon, Chrom, Nickel, Magnesium, Bor, Barium, Zirkonium, Molybdän, Strontium, Blei und Zinn.
3. Varistor nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Sintern für etwa 1/4 bis etwa 2 Stunden erfolgt ist.
4. Varistor nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Mischung 15 Mol.-% SiO2 enthält.
5. Varistor nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Mischung bei 940°C gesintert worden ist.
6. Varistor nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Mischung 17,5 Mol.-% SiO2 enthält.
7. Varistor nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Mischung 20 Mol.-% SiO2 enthält.
8. Varistor nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Mischung zwischen 10 und 20 Mol.-% SiO2 enthält und bei Temperaturen zwischen 900 und 1050°C, ausgenommen einer Temperatur von 1000°C oder mehr gesintert worden ist.
9. Varistor nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß er je 0,425 Mol.-% Bi2O3, Co2O3, MnO2 und Cr2O3 sowie je 0,85 Mol.-% Sb2O3 und NiO enthält.
DE19772739848 1976-09-07 1977-09-03 Varistor mit hohen durchbruchsspannung Granted DE2739848A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72105276A 1976-09-07 1976-09-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2739848A1 DE2739848A1 (de) 1978-03-30
DE2739848C2 true DE2739848C2 (de) 1989-08-10

Family

ID=24896335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772739848 Granted DE2739848A1 (de) 1976-09-07 1977-09-03 Varistor mit hohen durchbruchsspannung

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5912001B2 (de)
DE (1) DE2739848A1 (de)
FR (1) FR2363872A1 (de)
GB (1) GB1580549A (de)
NL (1) NL184246C (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4233603A (en) * 1978-11-16 1980-11-11 General Electric Company Multiplexed varistor-controlled liquid crystal display
DE3123599A1 (de) * 1980-06-18 1982-04-15 General Electric Co., Schenectady, N.Y. "stabile zusammensetzung fuer einen zinkoxid-varistor"
JPS60214212A (ja) * 1984-04-10 1985-10-26 Mitsutoyo Mfg Co Ltd 測定装置
JPS6254568A (ja) * 1985-09-02 1987-03-10 Sumitomo Light Metal Ind Ltd 取付けブロツクとヒ−トパイプ管体のはんだ付方法
DE3619620A1 (de) * 1986-06-11 1987-12-17 Siemens Ag Verfahren zur herstellung keramischen zinkoxid-varistormaterials und verwendung des nach diesem verfahren hergestellten materials
EP0667626A3 (de) * 1994-02-10 1996-04-17 Hitachi Ltd Spannungsabhängiger nichtlinearer Widerstand und Herstellungsverfahren.
EP2305622B1 (de) 2009-10-01 2015-08-12 ABB Technology AG Varistormaterial mit hoher Feldstärke-Festigkeit
US11501900B2 (en) 2020-11-11 2022-11-15 RIPD Intellectual Assets Ltd. Zinc oxide varistor ceramics

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5143192B2 (de) * 1971-08-19 1976-11-19
JPS5140947B2 (de) * 1972-03-01 1976-11-06
FR2176589A1 (en) * 1972-03-24 1973-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Voltage dependent resistors - sintered zinc oxide with silicon dioxide and other selected metal oxides
DE2215933C3 (de) * 1972-03-29 1975-04-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Spannungsabhängige Masse widerstände
JPS5513124B2 (de) * 1972-10-30 1980-04-07
DD103084A1 (de) * 1973-03-23 1974-01-05
CA1029133A (en) * 1974-02-20 1978-04-04 Mikio Matsuura Voltage-dependent resistor

Also Published As

Publication number Publication date
GB1580549A (en) 1980-12-03
JPS5344900A (en) 1978-04-22
DE2739848A1 (de) 1978-03-30
JPS5912001B2 (ja) 1984-03-19
NL7709862A (nl) 1978-03-09
NL184246C (nl) 1989-05-16
NL184246B (nl) 1988-12-16
FR2363872A1 (fr) 1978-03-31
FR2363872B1 (de) 1983-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2547077C3 (de) Spannungsabhäogiger Widerstand vom Massetyp mit einem auf Grund seiner Zusammensetzung spannungsabhängigen Sinterkörper auf der Basis von Zinkoxid
DE1515950A1 (de) Widerstand mit in Abhaengigkeit von der Temperatur sprunghaft abfallendem Widerstand
DE2454260A1 (de) Metalloxyd-varistor mit diskreten metallkoerpern darin und verfahren zu dessen herstellung
DE2308073B2 (de) Keramischer elektrischer widerstandskoerper mit positivem temperaturkoeffizienten des elektrischen widerstandswertes und verfahren zu seiner herstellung
DE2739848C2 (de)
DE2552127A1 (de) Keramikhalbleiter
DE2432613A1 (de) Zusammensetzung fuer einen spannungsvariablen metalloxyd-widerstand
DE2445627C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Varistorkörpers und nach diesem Verfahren hergestellter Varistorkörper
DE2952884C2 (de)
DE19800353A1 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung
DE1646987A1 (de) Keramischer Koerper aus ferroelektrischem Material mit Perowskitstruktur,der teilweise p- und teilweise n-leitend ist
DE2910841C2 (de) Spannungsabhängiger Widerstandskörper und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2525054C2 (de) Nichtlinearer Widerstandskörper aus Zinkoxid (Varistor)
DE3036617C2 (de) Verfahren zur Herstellung des Keramikmaterials für Zinkoxid-Varistoren
DE2225431C2 (de) Metalloxid-Varistor mit einem Gehalt an ZnO
DE2636954B2 (de) Spannungsabhangiger Widerstand (Varistor) und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2932212C2 (de) Varistor, dessen Herstellverfahren und dessen Verwendung
DE2529280C2 (de) Nichtlinearer Widerstandskörper aus Zinkoxid (Varistor)
DE2525053C2 (de) Nichtlinearer Widerstandskörper aus Zinkoxid(Varistor)
DE2529281C2 (de) Nichtlinearer Widerstandskörper aus Zinkoxid (Varistor)
DE2820118C2 (de) Oxid-Varistor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2627192C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines nichtlinearen keramischen Widerstandsmaterials
DE2754266A1 (de) Keramikkoerper mit spannungsabhaengigem widerstand
DE808851C (de) Elektrischer Widerstand
DE2533897B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus InSb

Legal Events

Date Code Title Description
8120 Willingness to grant licenses paragraph 23
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: SIEB, R., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 6947 LAUDENBACH