DE2820118C2 - Oxid-Varistor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Oxid-Varistor und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der elektronischen Bauelemente. Sie betrifft einen Oxid-Varistor,
der aus einem auf keramischen Wege hergestellten Widerstandskörper
besteht, der eine metalloxidische Grundsubstanz enthalt und in dem zwischen benachbarten
Grundsubstanz-Körnern mit einem Metalloxidodcr
Metallmischoxid-Additiv gebildete elektrische Barrieren vorhanden sind. Weiterhin betrifft die Erfindung
ein Herstellungsverfahren für einen Oxid-Varistor, insbesondere für einen ZnO-Varistor.
Das Vorhandensein der genannten elektrischen Barrieren ist verantwortlich für die Ausbildung einer nichtlinearen elektrischen Leitfähigkeit des Varistors. Die
Einsat?"spannung der Varistoren ist dabei von der Anzahl der vom Strom durchflossenen elektrischen Barrieren
abhängig, d. h. von der Größe der Grundsubstanz-Körner und der Geometrie des Widerstandskörpers.
Der Spannungsabfall pro Barriere bei 1 mA liegt etwa im Bereich von I bis 4 V, in Abhängigkeit von der lokalen
chemischen Zusammensetzung der aneinandergrenzcnden Phasengebietc. Einsatzspannungen
<20V erfordern damit Varistordicken im Bereich von 0.1 mm,
deren industrielle Fertigung und Tolerierung für eine gewünschte Strom-Spanniingscharakteristik sehr
schwierig ist.
Es sind bereits 7nO-Varistoren bekannt, die, obwohl sie eine relativ große Widerstandskörperdicke aufweisen,
trotzdem für Einsatzspannungen <20V geeignet sind (DE-AS 16 65 135; DE-AS 20 61 670). Diese Varistoren
weisen jedoch eine andere Struktur bzw. einen anderen Aufbau als die bereits genannten Varistoren
auf, was sich 7. B. darin zeigt, daß die Spannungsabhängigkeit
des Widerstandes im wesentlichen durch zumindest eine nichtohmsche Elektrode erreicht wird.
In der DE-AS 18 02 452 wird u. a. die Herstellung eines
ZnO-Varistors nach der anfangs genannten Art beschrieben,
bei der die Grundsubstanz zu einem Körper verpreßt und dieser einem Sinterprozeß unterworfen
wird. Anschließend werden die gegenüberliegenden Oberflächen des Körpers mit einer Paste bedeckt, die
als festen Bestandteil das Additiv in feinverteilter Pulverform enthäiL Danach wird der so überzogene Körper
erwärmt, wodurch das Additiv in das Korngefüge des Körpers reaktiv eindiffundiert, was die Erzeugung
der elektrischen Barrieren zur Folge hat. Die Diffasionstemperatur
und -zeit werden dabei so gewählt, daß sich das Additiv gleichförmig im gesamten Körper verteilt,
der eine Dicke > 0,5 mm besitzt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Oxidvaristor der eingangs genannten Art so auszubilden, daß der
Einfluß der Größe der Grundsubstanzkörner und der Dicke des Widerstandskörpers auf die Einsatzspannung
auf ein Minimum reduziert wird. Zur Hersteilung solch eines Oxid-Varistors soll ein Verfahren gefunden werden.
jo Die Aufgabe der Erfindung wird durch die in den Ansprüchen 1 bzw. 3 beschriebene Gestaltung bzw.
Herstellung eines Oxid-Varistors gelöst. Die Ansprüche 2 bzw. 4 bis 6 zeigen vorteilhafte Weiterbildungen davon.
Mit der Erfindung werden Bedingungen für einfach herstellbare Oxid-Varistoren^ die auch für Einsatzspannungen
< 20 Volt brauchbar sind, geschaffen. Vorteilhaft ist, daß die Größe der Grundsubstanz-Körner und
die Dicke des Widerstandskörpers keinen wesentlichen Einfluß auf die Einsatzspannung des Varistors hat. Mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich die Anzahl der mit dem Additiv kontaktierten Grundsubstanz-Körncr
und somit auch die Einsatzspannung bei Varistoren in sehr einfacher Weise steuern. Das erfindungsgemäße
Verfahren ist jedoch nicht auf das angegebene Spannungsgebiet beschränkt, sondern ist darüber hinaus
auch für die rationelle Herstellung von Varistoren mit mittleren und höheren Einsatzspannungen und von
Thermistoren geeignet.
so Nachfolgend wird die Erfindung an 3eispielen näher
erläutert:
Zinkoxidpulver wird mit 0,5 mol-% Kobaltoxidpulver
homogen vermischt. Die so vorbehandelte Grundsubstanz wird mit einem Druck von 785 MPa zu scheibenförmigen
Körpern von 20 mm Durchmesser und 2 mm Höhe verpreßt und in Sauerstoffatmosphäre 60 h bei
1300"C gesintert. Zur Herstellung eines Additivs werden 71,5 Gew,-% Wismutoxid, 13,7 Gew.-% Antimonoxid
und 14,8 Gew.-% Zinkoxid vermischt, in einem Platintiegel erschmolzen und anschließend pulverisiert.
Dieses Additiv wird zu einer Paste angelassen und diese
b5 auf die scheibenförmigen Körper einseitig aufgebracht.
Anschließend werden die Körper bei 12500C an Luft getempert, wobei das Additiv 30 s in schmelzflüssigem
Zustand gehalten wird. Nach der Abkühlung werden die
ΚδφεΓ beiderseits mit einer Indium-Gallium-Legierung
kontaktiert. Die so hergestellten Varistoren besitzen eine
nichtlineare Strom-Spannungscharakteristik mit folgenden Werten:
t/,(beilO-JA) = 3.2V,
L/2(bei 10-2 A) = 4,5 V.« = 6,8.
L/2(bei 10-2 A) = 4,5 V.« = 6,8.
10
a) Die im Beispiel 1 verwendete Grundsubstanz wird mit einem Druck von 392 MPa zu scheibenförmigen
Κοφεπι von 11 mm Durchmesser und 1,5 mm
Höhe νεφΓβΒί Die Körper werden 20 h bei
1260°C an Luft gesintert. Danach wird das im Beispiel 1 beschriebene Additiv auf die Körper einseitig
aufgetragen und diese bei 1250° C an Luft getempert, wobei das Additiv 30 s im schmelzflüssigen
Zustand gehalten wird. Abschließend werden die Körper kontaktiert. Diese Varistoren besitzen
eine nichtEnjare Strom-Spannungscharakteristik mit folgenden Werten:
U1 =6 V, £/2 =
25
b) Sind im Zinkoxidpulver neben der im Beispiel 1 erwähnten Dotierung noch 0,5 inol-% Titandioxid
und 0,25 mol-% Manganoxid enthalten, ergeben sich folgende Werte:
10 U, = 3 J V, U-. = 4,5 V, a = 7,4.
Die gemäß Beispiel 2a hergestellte Grundsubstanz-Körper
mit Additiv-Beschichtung werden bei 1250°C an Luft getempert, wobei das Additiv 2 min im schmelzflüssigen
Zustand gehalten wird. Nach der Abkühlung werden die Körper kontaktiert. Die so hergestellten Varistoren
besitzen eine nichtlineare Strom-Spannungscharakteristik mit folgenden Werten:
U, = \bVM2= 19V1A= 13,4.
Sofern die Zeit, während der sich das Additiv im schmelzflüssigen Zustand befindet, auf 30 min ausgedehnt
wird, ergeben sich folgende Werte:
U1 = 80V. Ui = 87 V,<x = 27,5.
50
Das Beispiel betrifft einen Varistor, der aus den gleichen Bestandteilen wie der im Beispiel I beschriebene
Vaiistor besteht. Das Additiv ist in Abweichung zu den
anderen Beispielen in einer Schicht innerhalb der Scheibe enthalten, welche nicht an die Seiten der Scheibe
angrenzt. Der Varistor besitzt eine nichtlinearc Strom-Spannungscharakteristik mit folgenden Werten:
Ui =y,8V, U2= 13,4 V.a-= 7,4.
Claims (7)
1. Oxid-Varistor, bestehend aus einem auf keramischen Wege hergestellten Widerstandskörper, der
eine metalloxidische Grundsubstanz enthält und in dem zwischen benachbarten Grundsubstanz-Körnern
mit einem Metalloxid- oder Metallmischoxid-Additiv gebildete elektrische Barrieren vorhanden
sind, gekennzeichnet dadurch, daß sich das die Barrieren bildende Additiv nur in einem Teilvolumen
des Widerstandskörpers befindet.
2. Oxid-Varistor nach Anspruch 1. gekennzeichnet
dadurch, daß das Teilvolumen innerhalb des Widerstandskörpers als eine Schicht definierter Dicke ausgebildet
ist.
3. Verfahren zur Herstellung von Oxid-Varistoren nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß das
Additiv auf den Widerstandskörper mit einer definierten Masse aufgebracht wird und daß anschließend
eine Wärmebehandlung mit einer definierten Temperatur und für eine definierte Zeit vollzogen
wird, wobei erreicht wird, daß das Additiv in ein Teilvolumen des Widerstandskörpers eindiffundiert.
4. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet dadurch,
daß als Grundsubstanz dosiertes oder undotiertes ZnO und als Additiv die Metalloxide BijOj,
SbiOj und ZnO verwendet werden.
5. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet dadurch,
daß die pulverförmige Grundsubstanz zu einem dicht gesinterten Körper verarbeitet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet dadurch,
daß mehrere mit dem Additiv kontaktierte Körper übereinandergestapelt und anschließend
wärmebehandelt werden.
7. Verfahren nach Anspruch 3. gekennzeichnet dadurch,
daß das Additiv nur einseitig auf den Widerstandskörper aufgebracht wird.
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DD19964877A DD132377A1 (de) | 1977-06-23 | 1977-06-23 | Keramischer halbleiterwiderstand |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE2820118C2 true DE2820118C2 (de) | 1985-04-11 |
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ID=25747590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782820118 Expired DE2820118C2 (de) | 1977-06-23 | 1978-05-09 | Oxid-Varistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
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Families Citing this family (3)
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DE3231118C1 (de) * | 1982-08-20 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Kombinierte Schaltungsanordnung mit Varistor und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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Family Cites Families (3)
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NL181156C (nl) * | 1975-09-25 | 1987-06-16 | Gen Electric | Werkwijze voor de vervaardiging van een metaaloxide varistor. |
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1978
- 1978-05-09 DE DE19782820118 patent/DE2820118C2/de not_active Expired
- 1978-06-08 FR FR7817214A patent/FR2395577A1/fr active Granted
Also Published As
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