DE2722045A1 - Verfahren zur herstellung duenner halbleiterschichten und -laminate sowie von solarzellen und danach erhaltene schichten, laminate und bauelemente, insbesondere solarzellen - Google Patents

Verfahren zur herstellung duenner halbleiterschichten und -laminate sowie von solarzellen und danach erhaltene schichten, laminate und bauelemente, insbesondere solarzellen

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Maurice Rhodes
Francis Raymond Sherliker
Edward Watkin Williams
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Description

TlEDTKE - BOHLING - KlNNE - GrUPE
Dipl.-Chem. Bühling
OTOon/t, Dipl-lng. Kinne
I LL U 4 0 Oipl.-lng. Grape
Bavariaring 4, Postfach 202403 8000 München
Tel.:(089)539653-56
Telex:524845tipat
cable. Germaniapatent München
16. Mai 1977 B 8188 ICI case Q.28789
Imperial Chemical Industries Limited London, Großbritannien
Verfahren zur Herstellung dünner Halbleiterschichten und -laminate sowie von Solarzellen und danach erhaltene Schichten, Laminate und Bauelemente, insbesondere Solarzellen
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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von anorganischen Filmen bzw. dünnen Schichten sowie auf Produkte, die solche Filme aufweisen.
Das erfindungsgemäße Verfahren findet insbesondere bei der Herstellung von Halbleiter-Dünnschichten Anwendung (d.h. Filmen oder Schichten mit einer Dicke in der Gegend von 50 nm bis 50000 nm) und insbesondere bei der Herstellung von Filmen, die im wesentlichen frei von "Nadellöchern1* sind. Die Erfindung bezieht sich besonders auf die Herstellung von Filmen, die ein halbleitendes Sulfid, Sulfoselenid, Selenid oder Tellurid aufweisen.
Das am weitestgehenden angewandte Verfahren zur Herstellung dünner nadellochfreier Filme eines Halbleiters besteht in der Vakuum-Aufdämpfung, die jedoch auf Beschichtungen von relativ geringer Flächengröße beschränkt ist.
Gemäß der Erfindung wird nun ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen im wesentlichen nadellochfreien Schicht vorgesehen, das gekennzeichnet ist durch die Elektrophorese einer kclloidalen Suspension eines halbleitenden Sulfids, Sulfoselenids, Selenids oder Telluride oder eines Vorläufers derselben in einem wässrigen Medium und Abscheidung des Halbleiters oder Halbleitervorläufers auf einer Oberfläche eines Substrats.
Die Erfindung umfaßt dünne im wesentlichen nadellochfreie Filme, insbesondere Filme mit einem Flächen-
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bereich von mehr als 500 cm , einer Dicke zwischen 50 nm und 5C000 nm, vorzugsweise zwischen 500 nm und 5000 nm, die durch elektrophoretische Abscheidung aus einer kolloidalen Suspension eines halbleitenden Sulfids, Sulfoselenids, Selenids oder Telluride oder eines Vorläufers derselben in einem wässrigen Medium erhalten
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worden sind.
Die Bezeichnung "Film" bzw. "Schicht" soll Überzüge und eingebettete Schichten bzw. Sandwich-Schichten mit einer Dicke zwischen 50 nm und 50000 nm umfassen.
Als "halbleitendes Sulfid, Sulfoselenid, Selenid, Tellurid" wird ein Sulfid, Sulfoselenid, Selenid oder Tellurid von Cadmium, Zink, Quecksilber, Kupfer-(l), Blei oder anderen geeigneten Metallen bezeichnet, die in der Halbleitertechnik zur Bildung halbleitender Sulfide, Sulfoselenide, Selenide oder Telluride bekannt sind sowie Mischungen oder Legierungen dieser Halbleiter.
Unter "kolloidalen Teilchen" werden Teilchen mit einem mittleren Durchmesser zwischen 1 und 100 nm verstanden und unter einer "kolloidalen Suspension'1 eine Suspension der kolloidalen Teilchen in einem wässrigen Medium, wobei Ausflockung und damit Abscheidung der Teilchen durch eine Ladungshülle oder oberflächenaktive Mittel auf der Oberfläche der Teilchen verhindert werden. Vorzugsweise haben die Teilchen einen mittleren Durchmesser zwischen 5 nm und 35 nm.
Als "wässriges Medium" wird eine Mischung, vorzugsweise Einphasen-Mischung, von Wasser und zumindest einer mit V/asser mischbaren polaren organischen Flüssigkeit bezeichnet, die vorzugsweise eine Dielektrizitätskonstante über 10 und insbesondere über 20 hat. Zu organischen Flüssigkeiten, die angewandt werden können, gehören niedrigere Alkohole mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, Diole, Amide, Acylnitrile, Ketone, Ester, Äther, Amine und andere organische Flüssigkeiten, die in der elektrochemischen Technik allgemein bekannt sind. Vorzugsweise umfaßt das wässrige Medium zwischen 5 und 50 Vol.?6 Wasser und zwischen 95 und 50 Vol.% organische Flüssigkeit. Ins-
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besondere enthält das wässrige Medium zwischen 10 und 30 Vol.% Wasser und zwischen 90 und 70 Vol.% organische Flüssigkeit. Ganz besonders bevorzugt wird ein niederer Alkohol mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen als organische Flüssigkeit.
Kolloidale Teilchen des Halbleiters oder Halbleitervorläufers können hergestellt, isoliert und dann in dem wässrigen Medium suspendiert oder in Wasser suspendiert
1C u"d mit organischer Flüssigkeit versetzt oder aber in organischer Flüssigkeit suspendiert und mit Wasser versetzt werden. Zu Verfahren,nach denen die kolloidalen Teilchen hergestellt werden können, gehören eine Ausfällung des Halbleiters oder Halbleitervorläufers aus einer Lösung (z.B. durch Zugabe eines Nicht-Lösungsmittels) und eine Verdampfung des Halbleiters oder Halbleitervorläufers in eine inerte Atmosphäre von vermindertem Druck oder in eine Flüssigkeit.
Vorzugsweise wird die kolloidale Suspension jedoch ohne Isolierung der kolloidalen Teilchen hergestellt. Besonders bevorzugt ist die Herstellung der kolloidalen Teilchen im Wasser und nachfolgende Zugabe einer geeigneten Menge organischer Flüssigkeit zum Wasser (vor der Elektrophorese) zur Erzeugung des wässrigen Mediums. Ganz besonders bevorzugt wird die Herstellung des Halbleiters oder Halbleitervorläufers im V/asser selbst.
Wenn der Halbleiter oder Halbleitervorläufer im Wasser durch eine Jmsetzungsreaktion gebildet wird, können die Konzentration, Teilchengröße, Dichte und Viskosität der kolloidalen Suspension durch Kontrolle der Reaktionsparameter wie z.B. Zugabegeschwindigkeit, Rührgeschwindigkeit, Temperatur usw. kontrolliert werden. Vorzugsweise ist eines der Ausgangsmaterialien für die Umsetzungsreaktion gasförmig, da so eine einfache Kon-
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trolle der Reaktion und bequeme Entfernung eines Überschusses von einem Ausgangsmaterial erreicht werden kann; insbesondere ist Schwefelwasserstoff eines der Ausgangsmaterialien.
Die "Konzentration" der kolloidalen Suspension
kann innerhalb weiter Grenzen in Übereinstimmung mit der Abscheidung eines Films von geforderter Dicke und Qualität in einer geeigneten Zeitdauer unter den angewandten Bedingungen variieren. Die "Konzentration11 der kolloidalen Suspension ist vorzugsweise geringer als 50 mMolar und liegt insbesondere zwischen 1 und 25 mMolar.
Die Stabilität der kolloidalen Suspension kann durch Zugabe eines Stabilisators verbessert werden, wie es in der Kolloidtechnik allgemein bekannt ist, z.B. eines niedermolekularen ionischen Körpers oder eines oberflächenaktiven Mittels. Geeignete oberflächenaktive Mittel für die Anwendung beim erfindungsgemäßen Verfahren können anionisch, kationisch oder nicht-ionisch sein.
Die relativen Mengen an Stabilisator - soweit angewandt - und kolloidalen Teilchen sollten derart sein, daß der Stabilisator in einer Menge anwesend ist, die ausreicht, die kolloidale Suspension zu stabilisieren. Die relativen Mengen, die notwendigerweise benutzt werden müssen, werden unter anderem von der mittleren Teilchengröße der kolloidalen Teilchen und der chemischen Eigenart des Stabilisators abhängen. So wird im allgemeinen die notwendigerweise anzuwendende Stabilisatormenge umso größer sein, je größer der Oberflächenbereich bzw. die Gesamtoberfläche der Teilchen ist. Wenn ein Stabilisator angewandt wird, sollte er für das Verfahren oder Verfahrensprodukt gemäß der Erfindung nicht nachteilig sein.
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Ein Stabilisator wird nicht in jedem Falle benötigt. Ein einfacher Versuch läßt erkennen, bei welchen Systemen die Anwendung eines Stabilisators erwünscht ist und welche Eigenart und Konzentration des gegebenenfalls angewandten Stabilisators benötigt werden
Das Substrat kann zwischen zwei Elektroden von einander entgegengesetzter Polarität angeordnet z.B. eingetaucht oder aufgehängt werden und es kann mit einer der Elektroden in Kontakt sein. Wenn ein Substrat zwischen zwei Elektroden angeordnet wird, sollte es ausreichend porös sein, um eine Stromleitung zu gestatten und die Oberfläche des Substrats, auf der die Schicht abzuscheiden ist, sollte ausreichend leitend sein, damit die Ausbildung einer solchen Raumladung vermieden wird, welche die Abscheidung unterbrechen könnte, bevor ein nadellochfreier Film abgeschieden ist. Das Substrat kann zur Vermeidung von Raumladungsausbildungen geerdet werden. Vorzugsweise wird das Substrat in eine elektrische Schaltung als Elektrode einbezogen, die nachfolgend als "Arbeitselektrode" bezeichnet wird und entweder die Anode oder die Kathode sein kann. Die Elektrode mit entgegengesetzter Ladung zur Arbeitselektrode wird im nachfolgenden als "Gegenelektrode" bezeichnet. Die Polarität der Arbeitselektrode wird unter Berücksichtigung der Ladung auf den kolloidalen Teilchen gewählt. Im allgemeinen sind die beim erfindungsgemäßen Verfahren angewandten kolloidalen Teilchen negativ geladen und die Arbeitselektrode mithin eine Anode. Durch Zugabe geeigneter Zusätze wie z.B.
Cetyltrimethylammoniumbromid kann jedoch die Ladung auf den kolloidalen Teilchen derart verändert werden, daß sie zur Kathode wandern und die Kathode ist dann die Arbeitselektrode.
Die Arbeitselektrode kann selbsttragend oder auf einem Träger abgelagert sein. Der gegebenenfalls ange-
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wandte Träger kann flexibel sein wie z.B. eine Thermoplastfolie oder steif wie z.B. eine Glasscheibe. Zu typischen Thermoplasten, die als Träger benutzt werden können, gehören Polyäthylenterephthalat, Polyäthersulfon und Polyimid. Wenn ein flexibler Träger angewandt wird, kann er so beschaffen sein, daß der Träger, das Substrat und der Film (mit geringer oder keiner nachteiligen Wirkung auf den Film)verformt, z.B. aufgerollt werden können.
Zu Materialien, aus denen die Arbeitselektrode erzeugt sein kann, gehören Metalle wie rostfreier Stahl, Gold, Platin, Metalloxide wie z.B. Zinnoxid, Zinn/Indiumoxid und elementare Halbleiter sowie Verbindungs- oder Legierungshalbleiter wie z.B. Silicium und Cadmiumtellurid. Zu typischen unterstützten Arbeitselektroden gehören ein Metallüberzug auf einer Thermoplastfolie oder eine Zinnoxidschicht auf einer Glasscheibe.
Zu Materialien, aus denen die Gegenelektrode gemacht werden kann, gehören unter anderem rostfreier Stahl, Platin, Gold und Zinnoxid auf Glas,
Die Arbeitselektrode ist typischerweise planar bzw. eben ausgebildet und durch Anwendung einer Gegenelektrode von der gleichen Gestalt und Größe wie die Arbeitselektrode mit parallel dazu angeordneter Oberfläche können gleichmäßige Feldverteilungen erzielt werden. Wenn die Gegenelektrode eine zur planaren Arbeitselektrode unterschiedliche Gestalt besitzt,z.B. als Gitter, Draht, gewelltes Blech oder Rohr vorliegt, wird eine nicht-gleichmäßige Feldverteilung erhalten. Durch Anwendung einer planaren Arbeitselektrode und einer Gegenelektrode in Form eines linearen Drahtes wird oft eine einheitliche Schichtdicke erzielt.
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Die zu beschichtende Oberfläche kann eine Größe
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zwischen einigen mm und vielen m haben; das Verfahren
ist für Beschichtungsflächen über 500 cm besonders geeignet. Es kann kontinuierlich durchgeführt werden,z.B. indem ein Metallstreifen oder metallisierter Plastikstreifen,der mit einem elektrischen Kreis verbunden ist, fortlaufend durch ein Elektrophoresebad geführt wird.
Der Film kann von der Oberfläche,auf der er abgeschieden wurde, auf eine zweite Oberfläche z.B. durch Schichtübertragung überführt werden, wobei der Übertrag erleichtert wird, wenn die erste Oberfläche vor der Abscheidung des Films mit einem geeigneten Trennmittel behandelt wurde. Vorzugsweise bleibt der Film in ständigem Kontakt mit der Oberfläche, auf der er abgeschieden wurde, so daß Film und Substrat ein Laminat bzw. einen Schichtkörper bilden.
Die Oberfläche des Substrats wird vorzugsweise vor der Abscheidung des Films gereinigt, wie z.B. durch Behandlung mit einem Entfettungsmittel oder Ultraschall oder durch Ätzen z.B. mit einem Ionenstrahl oder einem Ätzfluid oder durch Elektropolieren zur Erzielung einer guten Haftung zwischen dem Film und der Oberfläche.
Die Elektrophorese erfolgt vorzugsweise bei einem pH-Wert zwischen 3,0 und 8,0, vorzugsweise bei einem pH-Wert zwischen 4,0 und 5,0. Wenn solche Bedingungen gewählt werden, kann die Haftung des Films an der Oberfläche verbessert und ein Ohm'scher Kontakt an der Grenzfläche zwischen Oberfläche und Film gebildet werden; beispielsweise erhält man bei Abscheidung von Cadmiumsulfid aus einer kolloidalen Suspension mit einem pH-Wert zwischen 4,C und 5,0 auf der Oberfläche einer Elektrode aus rostfreiem Stahl im allgemeinen einen Chm*sehen Kontakt.
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Die Haftung des Films an der Oberfläche kann durch Einführung eines Gasverdrängers in die kolloidale Suspension verbessert werden, der die Entwicklung von Gas an der Arbeitselektrode unterdrückt. Wenn die Arbeitselektrode eine Anode ist, wird der Gasverdr&nger typischerweise durch L-Ascorbinsäure oder Hydrochinon gebildet. Wenn die Arbeitselektrode eine Kathode ist, wird der Gasverdränger typischerweise durch Natriumchromat, Kaliumpersulfat oder Ammoniumpersulfat gebildet. Wenn ein Gasverdränger angewandt wird, sollte er weder für das Verfahren noch für das Produkt gemäß der Erfindung nachteilig sein.
Die Haftung des Films an der Oberfläche des Substrats kann durch Einbringen eines Bindemittels in die kolloidale Suspension verbessert werden; zu solchen Bindemitteln, die in der Elektropncresetechnik allgemein bekannt sind, gehören u.a. Polyvinylalkohol, Polyvinylpyrrolidon oder Guargummi. Bei Anwendung eines Bindemittels kann dieses nachfolgend wieder aus der Schicht entfernt werden. Wenn ein Bindemittel benutzt wird, sollte es weder für das Verfahren noch für das Frodukt gemäß der Erfindung nachteilig sein.
Der Abstand zwischen den Elektroden kann zur Erzielung eines optimalen ijpannungsgradienten gewählt werden. Typischerweise sind die Elektroden 0,1 cm bis 20 cm [bei angelegten Spannungen von C,1 V bis 1CCO V, vorzugsweise zwischen 5 V und 35C Vj voneinander entfernt.
Die angewandte Stromdichte kann typischerweise im
Bereich von C,1 bis 5CC mA/cm und vorzugsweise zwischen 0,5 und 10 mA/cm liegen, obgleich die Möglichkeit nicht ausgeschlossen werden soll, daß pulsierende Ströme mit einer Stromdichte oberhalb dieses Bereichs angewandt werden. Die angewandte Stromdichte wird unter anderem
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von dem Abstand zwischen den Elektroden und von der angelegten Spannung abhängen; ein einfacher Versuch wird die für irgendeine besondere Anwendung geeignete Stromdichte bequem erkennen lassen.
Die Filmdicke kann zwischen 50 nm und 50000 nm liegen. Vorzugsweise hat der Film eine Dicke zwischen 5CC und 5C00 nm, da solche Filme einen annehmbaren Abgleich zwischen mechanischen und elektrischen Eigenschaften und guter Haftung an der Oberfläche zeigen. Solche Filme können üblicherweise in relativ kurzer Zeit abgeschieden werden, die von den angewandten Betriebsparametern abhängt und typischerweise im Bereich von 30 s bis 30 min liegt.
Nach der Abscheidung wird eine Aufheizung des Films
zur Verbesserung seiner mechanischen, strukturellen, elektrischen und photcelektrischen Eigenschaften und Haftung an der Oberfläche des Substrats oft erwünscht sein* Typischerweise wird der Film auf Temperaturen zwischen 1C0°C und 8000C aufgeheizt, obgleich Temperaturen außerhalb dieses Bereichs nicht ausgeschlossen werden. Die Temperatur, auf die der Film aufgeheizt werden kann, wird oft durch die Temperatur begrenzt, die vom Substrat ausgehalten wird. Vorzugsweise wird der Film durch Beschüß mit Gasionen aufgeheizt, wodurch oft eine Erwärmung des Films bei geringer oder keiner Beschädigung des Substrats möglich ist. Diese Wärmebehandlung kann die Zusammensetzung und elektrischen Eigenschaften der halbleitenden Sulfide, Sulfoselenide, Selenide oder Telluride, die erfindungsgemäß angewandt werden, verändern und es kann eine weitere Behandlung zur Erzielung der gewünschten elektrischen Eigenschaften notwendig sein. Solche Behandlungen sind in der Halbleitertechnik allgemein bekannt und zu ihnen gehören z.B. eine Aufheizung des Films in Gegenwart von beispielsweise SchWefel, Wasser-
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stoff oder Cadmium.
Der Film bzw. die Schicht kann ein geeignetes Dotierungsmittel zur Modifizierung der elektrischen und/oder photoelektrischen Eigenschaften enthalten.
Typischerweise sind diese Dotierungsmittel Elemente aus den Gruppen IB (z.B. Kupfer, Silber), IUb (z.B. Aluminium, Gallium, Indium), Vb (z.B. Phosphor), VIb (z.B. Sauerstoff) oder VIIb (z.B. Chlor, Brom, Jod) des Periodensystems. Die Dotierungsmittel können in der kolloidalen Suspension enthalten sein, so daß sie mit dem Film abgeschieden werden oder der abgeschiedene Film kann einer geeigneten in der Halbleitertechnik allgemein bekannten Behandlung unterwerfen werden; z.B. kann das Dotierungsmittel in den Film eindiffundiert werden.
Filme bzw.Schichten gemäß der Erfindung können z.B. für eine Vielfalt von Bauelementen angewandt werden. Sie können als Feststoffelemente wie Solarzellen, Leuchtstoff-Überzüge, photoempfindliche Schichten, Geräte für akkustische Oberflächenwellen, Elektrolumineszenzvorrichtungen, Dünnschicht-Transistoren, IR-Reflektoren und integrierte Schaltungen benutzt werden. Ferner sind sie als Elektroden in Photochromievorrichtungen oder Brennstoffzellen oder als Schutzschichten in Batterien anwendbar.
Gemäß einer weiteren Ausführungsart der Erfindung wird ein Elektronikbauelement mit einem dünnen,im wesentlichen nadellochfreien Film vorgesehen, der durch elektrophoretische Abscheidung aus einer kolloidalen Suspension von einem halbleitenden Sulfid, Sulfoselenid, Selenid oder Tellurid oder Vorläufern derselben in einem v/ässrigen Medium hergestellt und mit zumindest einem Mittel für die Stromzuleitung (in elektrischem Kontakt mit besagtem Film) versehen ist.
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Filme bzw. Schichten gemäß der Erfindung können zweckmäßigerweise in Solarzellen angewandt werden.
Als "Solarzellen" werden photoelektrische Elemente bzw. Vorrichtungen bezeichnet, die zu einer direkten Umwandlung von elektromagnetischer Strahlung, typischerweise Sonnenlicht, in elektrischen Strom als Ergebnis einer Absorption der Strahlung durch einen Halbleiter befähigt sind. Die absorbierte Strahlung erzeugt ein Ladungspaar zusätzlich zu den Ladungsträgerkonzentrationen, die infolge des thermischen Gleichgewichts vorhanden sind. Die überschüssigen Ladungsträger von entgegengesetzten Vorzeichen werden an einer elektrischen Potentialstufe voneinander getrennt und wandern dann beidseits der Stufe oder Schranke zu Mitteln wie z.B. elektrischen Anschlüssen oder Kontakten zur Ableitung von Strcm aus der Zelle. Die Stufe oder Schranke kann entweder ein Metall/ Halbleiter-Übergang oder ein pn-übergang sein.
Die Kontakte werden im allgemeinen so gewählt, daß eine maximale Strahlungsmenge in die Nähe des Überganges durchgelassen wird. Oft wird ein Antireflexbelag auf die Oberfläche des strahlungsabsorbierenden Halbleiters aufgetragen, auf den die Strahlung auftrifft , um den durch Reflektion verlorenen Anteil der einfallenden Strahlung zu vermindern.
Im allgemeinen wird die Zelle umschlossen, um ein Eindringen von Wasser oder Sauerstoff in die Zelle zu verhindern, die zu einer Verminderung der Lebensdauer der Zelle beitragen könnten. Es ist zu bemerken, daß eine solche Umhüllung, so weit sie angewandt wird, zumindest einen Teil von irgendeiner auf die Zelle auftreffenden Strahlung durch die Zelle hindurchlassen wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsart der Erfindung
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wird daher ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen vorgesehen, bei dem
1) eine dünne, im wesentlichen nadellochfreie erste Schicht eines halbleitenden Sulfids, Sulfoselenids, Selenids oder Tellurids durch Elektrophorese einer kolloidalen Suspension des Halbleiters oder Halbleitervorläufers in einem wässrigen Medium erzeugt und
2) ein Übergang zwischen der ersten Schicht und einer zweiten Schicht gebildet wird, die ein Metall oder einen Halbleiter mit Majoritätsträgern von entgegengesetzter elektrischer Ladung gegenüber den Majoritätsträgern in der ersten Schicht umfaßt und der Übergang zur Verbesserung des elektrischen Kontakts zwischen den Schichten vorzugsweise aufgeheizt wird, wobei sich die erste Schicht in elektrischem Kontakt mit einem ersten stromzuführenden Mittel befindet und die zweite Schicht, wenn sie durch einen Halbleiter gebildet wird, in elektrischem Kontakt mit einem zweiten stromzuführenden Mittel ist und zumindest eines der stromzuführenden Mittel einfallende Strahlung zum Übergang bzw. zur Grenzschicht durchläßt.
Vorzugsweise wird die erste Schicht elektrophoretisch auf dem ersten stromzuführenden Mittel abgeschieden. Zweckmäßigerweise sind die ersten und zweiten stromzuführenden Mittel elektrische Kontakte.
Vorzugsweise wird ein Antireflexbelag auf die Oberfläche der Schicht aufgebracht, die der einfallenden Strahlung ausgesetzt ist und insbesondere sind Mittel zur Verminderung oder Verhinderung eines Zugriffs von Wasser und/oder Sauerstoff zum Innern der Zelle vorgesehen.
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Vor einer Bildung des Überganges wird die erste Schicht vorzugsweise zur Verbesserung ihrer mechanischen, strukturellen, elektrischen und photoelektrischen Eigenschaften aufgeheizt. Diese Aufheizung erfolgt vorzugsweise durch Gasionenbeschuß bzw. Ionenbeschuß aus dem Gasraum, wobei auch eine Neigung zur Reinigung der Oberfläche der Schicht besteht ; besonders bevorzugt wird die Anwendung eines Gasionenbeschusses, wenn die Schicht auf einem stromzuführenden Mittel abgeschieden ist, das einen Thermoplasten umfaßt.
Ein Übergang wird durch Aufbringen bzw. Eingriff einer zweiten Schicht von geeignetem Material d.h. Metall oder Halbleiter mit Majoritätsträgern von entgegengesetzter Ladung gegenüber den Majoritätsträgern der ersten Schicht auf die erste Schicht bzw. mit der ersten Schicht gebildet.
Die zv/eite Schicht kann auf der ersten durch igendeine geeignete Technik,beispielsweise durch Aufdampfen, elektrophoretische Abscheidung, Ionenaufprall (ion dipping), elektrochemische Abscheidung und elektrolytische Abscheidung oder Feststoffreaktion erzeugt werden. Alternativ kann eine vorgebildete zweite Schicht z.B. durch Schichtübertragung auf die erste Schicht aufgebracht bzw. mit dieser zum Eingriff gebracht werden.
Wenn die zweite Schicht ein Halbleiter ist, wird die Zelle mit einem zweiten elektrischen Anschluß versehen, der elektrischen Kontakt mit der zweiten Schicht gibt. Der zweite elektrische Kontakt ist typischerweise ein Gold- oder Kupfergitter. Der zweite elektrische Kontakt kann z.B. auf die zweite Schicht aufgedampft oder darauf elektrophoretisch abgeschieden oder durch Siebdruck aufgebracht werden oder als vorgeformtes Gitter wie z.B. ein goldbeschichtetes Kupfergitter oder ein Silber-
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gitter angebracht werden. Alternativ kann die zweite Schicht auf einem zweiten Substrat erzeugt und dann mit der ersten Schicht unter Bildung des Überganges zusammengebracht werden, in welchem Falle das zweite Substrat (wenn es eine geeignete Leitfähigkeit besitzt) zweckmäßigerweise den zweiten Kontakt bilden kann.
Wenn die zweite Schicht ein Metall ist, bildet dies zweckmäßigerweise den zweiten elektrischen Anschluß. Im Falle, daß die zweite Schicht durch ein Metall gebildet wird, soll die Möglichkeit nicht ausgeschlossen werden, daß es Perforationen, beispielsweise in Form von Maschen, haben kann.
Wenn der zweite elektrische Kontakt in Form eines Gitters vorliegt, können typische Linienbreiten und Linienabstände aus Gleichungen ermittelt werden, die im "Proceeding of the Institute of Radio Engineers", Bd.48 (1960) Seite 1246 angegeben sind. Antireflexbeläge wie Siliciumdioxid und Verfahren für ihre Aufbringung auf Solarzellen sind dem Fachmann bekannt.
Mittel zur Verminderung oder Verhinderung eines Zugriffs von V/asser oder Sauerstoff zum Innern der Solarzellen sind ebenfalls bekannt und dazu gehören unter anderem Glas- und Plastikgehäuse bzw. -kapseln. Vorzugsweise werden die Gehäuse oder Kapseln aus Glas hergestellt, da diese allgemein Zellen von längerer Lebensdauer liefern als Plastikumhüllungen.
2 2
Solarzellen von einigen mm bis zu vielen m können
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden. Es ist oft zweckmäßig, z.B. für Solarzellen mit einer Oberflächengröße von mehr als 500 cm , daß die zweite Schicht in Form von gesonderten Bereichen vorliegt, die mit dem zweiten Anschluß in elektrischem Kontakt sind.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsart der Erfindung wird eine Solarzelle mit einer im wesentlichen nadellochfreien ersten Schicht eines halbleitenden Sulfids, Sulfoselenids, Selenids oder Tellurids in Kontakt mit einem ersten stromzuführenden Mittel vorgesehen, wobei die erste Schicht einen Übergang mit einer zweiten Schicht bildet, die ein Metall oder einen Halbleiter mit Majoritätsträgern von entgegengesetzter Ladung gegenüber den Majoritätsträgern in der ersten Schicht umfaßt; im Falle, daß die zweite Schicht ein Halbleiter ist, steht sie mit einem zweiten stromzuführenden Mittel in elektrischem Kontakt und wenn die zweite Schicht ein Metall ist, bildet sie selbst ein zweites stromzuführendes Mittel, wobei zumindest eines der stromzufuhrenden Mittel irgendeine auftreffende Strahlung zumindest teilweise zum Übergang durchläßt; erfindungsgemäß ist die erste Schicht durch elektrophoretische Abscheidung des Halbleiters oder Halbleitervorläufers aus einer kolloidalen Suspension des Halbleiters oder Halbleitervorläufers in einem wässrigen Medium hergestellt worden.
Obgleich die Möglichkeit nicht ausgeschlossen wird, daß der Übergang ein Schottky-Übergang ist, wird er vorzugsweise durch einen pn-übergang gebildet, d.h. eine Grenzschicht zwischen zwei Halbleitern, wobei die eine Schicht Majoritätsträger von entgegengesetzter Ladung gegenüber den Majoritätsträgern der zweiten Schicht aufweist.
Insbesondere ist der pn-übergang ein Hetero-Ubergang, d.h. die beiden Schichten bestehen aus unterschiedlichen Materialien, obgleich er auch ein Homoübergang sein kann, bei dem beide Schichten durch das gleiche Material,dotiert mit unterschiedlichem Dotierungsmittel,gebildet werden,wie z.B. aus Cadmiumtellurid, das mir Jod und Cadmiumtellurid, das mit Phosphor dotiert ist.
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Geeignete Dotierungsmittel wie z.B. Jod und Phosphor sowie Verfahren zum Einbau derselben in eine Schicht, beispielsweise durch Diffusion,sind in der Halbleitertechnik bekannt. Vorzugsweise umfaßt die zweite Schicht eine Verbindung auf der Basis einwertiger Kationen aus der Gruppe IB des Periodensystems, wie es aus "Advanced Inorganic Chemistry", 2.Aufl.,1966 von F.A. Cotton und G.Wilkinson, Interscience Publishers, New York,hervorgeht, obgleich die Möglichkeit nicht ausgeschlossen wird, daß die zweite Schicht durch ein Halbleiterelement oder eine Verbindung oder Legierung desselben gebildet werden kann. Besonders bevorzugte einwertige Kationen verden durch Kupfer gebildet,u.insb. umfaßt der zweite Film Kupfer-(I)-sulfid. Vorläufer der Halbleiter sind dem Fachmann ebenso bekannt wie Verfahren zu ihrer Umwandlung in Halbleiter und bei Kupfersulfid gehören dazu beispielsweise Kupfer und Kupfer-(I)-chlorid, die beim Aufheizen in Gegenwart von Sulfidionen in Kupfer-(I)-SuIfid umgewandelt werden.
Es ist zu bemerken, daß bei Anwendung von Mitteln zur Verminderung oder Verhinderung eines Zugriffs von Wasser und/oder Sauerstoff zum Innern der Zelle diese Mittel einen Kontakt zwischen den stromzuführenden Mitteln und einer elektrischen Schaltung außerhalb der Zelle zulassen werden.
Gestalt und Anordnung der ersten und zweiten stromzuführenden Mittel müssen derart sein, daß sie innerhalb der Zelle keinen Kurzschluß bilden.
Es ist ferner zu bemerken, daß zumindest eines der stromzuführenden Mittel und wenn Mittel zur Verminderung oder Verhinderung eines Zutritts von Wasser und/oder Sauerstoff zur Zelle angewandt werden, diese Mittel zumindest einen Anteil von irgendeiner in die Zelle ein-
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fallenden elektromagnetischen Strahlung zum übergang durchlassen werden. Beispielsweise kann das Material der stromzuführenden Mittel durchscheinend oder durchsichtig sein und/oder die stromzuführenden Mittel können Perforationen aufweisen und z.B. in Form eines Gitters vorliegen. Vorzugsweise ist das Mittel zur Verminderung oder Verhinderung eines Zugriffs von Wasser und/oder Sauerstoff - soweit angewandt - für elektromagnetische Strahlung durchlässig.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der angefügten Zeichnungen beschrieben, die lediglich als Beispiel eine Ausführungsart der Erfindung wiedergeben. Es zeigen:
Fig.1 eine Aufsicht auf eine Solarzelle gemäß der Erfindung und
Fig.2 einen Schnitt längs der Linie A-A von Fig.1.
Gemäß Fig.1 und 2 ist eine Oberfläche eines elektrischen Kontakts laus rostfreiem Stahl mit einer Cadmiumsulfidschicht 2 von 1000 nm Dicke in Ohm'schem Kontakt, die elektrophoretisch darau abgeschieden wurde.
Ein Kupfer(I)-sulfidfilm 3 bildet einen pn-übergang 4 mit der Cadmiumt'ulfidschicht 2. Ein zweiter elektrischer Kontakt in Form eines Kupfergitters 5 ist mittels leitendem Gold/Epoxid auf der Kupfer(I)-sulfidschicht 3 gebunden und eine Kapsel bzw. ein Gehäuse 6, das beispielsweise aus Glas sein kann, umschließt die gesarate Anordnung. Verlängerungen 7 und 8 der elektrischen Kontakte ragen durch das Gehäuse unter Bildung von Anschlüssen für einen äußeren elektrischen Kreis vor. Die Vorsprünge 7 und 8 sind mit einem geeigneten Abdichtmittel wie z.B. einem Epoxyharz im Gehäuse abgedichtet. Vor der Versiegelung wird die Vorrichtung mit Stickstoff gefüllt.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Beispielen erläutert.
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Beispiel 1
250 ml 0,02 M Cadmiumacetatlösung in destilliertem Wasser und Schwefelwasserstoff (5 ml/min) wurden gesondert unter Rühren zu 250 ml Wasser über 2C Minuten hinweg hinzugegeben. Am Ende dieses Vorganges wurde die Umwandlung in eine kolloidale Cadmiurasulfidsuspension für vollständig erachtet. Über die Suspension wurde 1 bis 3 Minuten lang Stickstoff geleitet und dann Ammoniumhydroxid zur Veränderung des pH-Wertes der kolloidalen IQ Suspension von 2,5 bis 3,5 auf 3,5 bis 5,0 hinzugegeben. Die suspendierten Cadmiumsulfidteilchen hatten eine Größe von näherungsweise 20 nm.
120 Vol.-teile Methanol wurden zu 30 Vol.-teilen der kolloidalen Suspension hinzugefügt. Eine Platte aus
2 rostfreiem Stahl mit einer Fläche von 19 cm und ein in 60 mm Abstand davon fixierter 2 mm Draht aus rostfreiem Stahl wurden bis zu einer Tiefe von 5 cm in die Suspension getaucht. Die Platte diente als Anode und der Draht als Kathode. Zwischen Platte und Draht wurden 190 V angelegt, wobei zu Beginn ein Strom von näherungsweise 50 mA floß. Die Anode und Kathode wurden oszillierend 3 Minuten lang durch die Suspension bewegt, bis eine ausreichend dicke Schicht erhalten war. Substrat und aufgebrachte Schicht wurden aus der Suspension entfernt und luftgetrocknet. Die Dicke des Cadmiumsulfidfilms lag bei ungefähr 1000 nm.
Schicht und Substrat wurden 45 Minuten lang in Luft auf 4000C erwärmt, wonach eine 140 nm dicke Kupfer(l)-sulfidschicht durch Aufdampfen auf das Cadmiumsulfid abgeschieden und das resultierende Dreischichtsystem 3 Minuten lang in Luft auf 25O0C erhitzt wurde. Ein Druckkontakt-Meßkopf wurde auf die Kupfer(I)-sulfidschicht aufgebracht und das System als Solarzelle benutzt, bei der das Substrat einen elektrischen Kontakt und der Meß-
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kopf einen zweiten elektrischen Kontakt bildete. Die Solarzelle wurde mit einer Silicium-Solarzelle von bekanntem Wirkungsgrad unter Anwendung einer Wolfram-Halogenlichtquelle und eines Wärmefilters verglichen und die Energieausnutzung zu 3 +.0,5 % bestimmt.
Beispiel 2
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1, jedoch ohne den Zusatz von Ammoniumhydroxid also bei einem pH-Wert der kolloidalen Suspension von 3,0 hergestellt.
Beispiel 3
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch der pH-Wert der kolloidalen Suspension mit Ammoniumhydroxid auf 8,0 eingestellt wurde.
Beispiel b
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm wurde gemäß Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch die kolloidale Suspension von Cadmiumsulfid in V/asser mit 120 Vol.-teilen Äthylenglykol anstelle von 12C Teilen Methanol verdünnt wurde.
Beispiel 5
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm wurde gemäß Beispiel 1 hergestellt, v/obei jedoch die kolloidale Suspension von Cadmiumsulfid in Wasser mit 120 Vol.-teilen N,N-Dime thylforinamid anstelle von 120 Teilen Methanol verdünnt wurde.
Beispiel 6
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm wurde nach der Verfahrensweise von Beispiel 1 her-
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gestellt, nur daß die kolloidale Suspension von Cadmiumsulfid in Wasser mit 120 VoI.-teilen Acetonitril anstelle von 120 Teilen Methanol verdünnt wurde.
Beispiel 7
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm wurde gemäß Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch 0,1 g L-Ascorbinsäure zur kolloidalen Cadmiumsulfidsuspension in wässrigem Methanol vor der Elektrolyse zugesetzt wurde.
Beispiel 8
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm wurde gemäß Beispiel 1 hergestellt, nur daß 2 ml wässrige Guargummilösung zur kolloidalen Cadrniumsulfidsuspension in wässrigem Methanol vor der Elektrolyse zugesetzt wurden.
Beispiel 9
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm wurde wie in Beispiel 1 hergestellt,mit der Ausnahme, daß 2 ml Natriumstearatlösung (1 g Natriumstearat in 5CC ml Wasser) zur kolloidalen Cadmiumsulfidsuspension in wässrigem Methanol vor der Elektrolyse hinzugegeben wurden.
Beispiel 10
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfidfilm mit Bromdotierung wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch 1 ml Bromwasser zur kolloidalen Cadmiumsulfidsuspension in Wasser zur Erzielung einer Konzentration von 6 χ 10" g Brom in der kolloidalen Suspension zugesetzt wurde.
Beispiel 11
Ein im wesentlichen nadellochfreier Cadmiumsulfid-
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film wurde nach der Verfahrensweise von Beispiel 1 hergestellt, nur daß die Arbeitselektrode durch eine Graphitplatte gebildet wurde.
Beispiel
Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, wobei jedoch als Arbeitselektrode eine leitende Schicht A auf einem Träger B benutzt wurde; dabei hatten A und B die in Tabelle 1 angegebenen Bedeutungen. Es wurden im wesentlichen nadellochfreie Cadmiumsulfidfilme erhalten.
TABELLE leitende Oberflächen für die Abscheidung von Cd-sulfid
A B
leitende Schicht Träger
Platin (Lesungsauftrag)
Gold (Siebdruck)
Gold (Ionenbeschichtung)
Gold ( » )
Gold ( " )
rostfreier Stahl (Ionenbe
schichtung)
rostfreier Stahl ( " )
rostfreier Stahl ( " )
rostfreier Stahl (aufgesprüht)
rostfreier Stahl (Ionenbe
schichtung)
rostfreier Stahl ( " )
rostfreier Stahl/Kupfer (Ionen
beschichtung)
Zinnoxid		 Glas
Aluminiumoxid
Polyäthersulfon
Polyäthylentereph-
thalat
Polyimid
Polyäthersulfon
Polyethylentereph
thalat
Polyimid
Aluminiumoxid
Glas
rostfreier Stahl
Glas
Glas
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Beispiel 13
Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, nur
daß die Elektroden durch zwei parallele Bleche aus rost-
2
freiem Stahl von 20 cm mit 3 cm Abstand gebildet wurden.
Beispiel
Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, nur
daß die Elektroden durch zwei parallele Bleche aus rost-
2
freiem Stahl von 630 cm mit 1 cm Abstand gebildet wurden, zwischen denen eine Spannung von 50 V angelegt wurde unter Erzielung einer Anfangsstromstärke von 650 mA.
Beispiel 15
Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, nur daß die abgeschiedenen Cadmiumsulfidfilme gesondert der in Tabelle 2 gezeigten Wärmebehandlung unterworfen wurden.
TABELLE 2 Wärmebehandlur
Wärmebehandlung von Cadmiumsulfidfilmen
Atmosphäre Temperatur (0C)
Stickstoff 200
Stickstoff 400
Stickstoff 500
Forraiergas 400
Formiergas 550
Vakuum 550
Vakuum 400
Argon 2CO
Beispiel 16
250 ml einer 0,02 M Lösung von Zinkacetat in destilliertem Wasser und 5 ml/min Schwefelwasserstoff wurden gesondert unter Rühren zu 250 ml Wasser über 20 Minuten hinweg hinzugegeben zur Erzielung einer kolloidalen
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Suspension von Zinksulfid in Wasser. Stickstoff wurde 1 bis 3 Minuten lang über die Suspension geleitet und Ammoniumhydroxid zugesetzt, um den pH-Wert der kolloidalen Suspension von 2,5 bis 3,5 auf 3,5 bis 5,0 zu bringen. 120 Vol.-teile Methanol wurden zu 30 Vol.-teilen der kolloidalen wässrigen Zinksulfidsuspension hinzugefügt.
ρ Zwei Platten aus rostfreiem Stahl von 20 cm wurden mit 1 cm Abstand in der kolloidalen Suspension parallel gehalten und zwischen diesen eine Spannung von 60 V angelegt. Ein im wesentlichen nadellochfreier Zinksulfidfilm wurde auf der Oberfläche der Anode abgeschieden.
Beispiel 17
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Bei— spiel 1 hergestellt, nur daß die Oberfläche der Cadmiumsulf idschicht mit Argonionen geätzt wurde, bevor die Kupfer(l)-sulfidschicht darauf im Vakuum abgeschieden wurde.
Beispiel 18
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß die Kupfer(I)-SuIfidschicht durch eine Kupferionenauftragstechnik aufgebracht und dann 2 Minuten lang in Luft auf 2000C erhitzt wurde.
Beispiel 19
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß die Kupfer(I)-SuIfidschicht durch Aufdampfen einer 200 nm dicken Kupfer(I)-chloridschicht auf den Cadmiumsulfidfilm und Aufheizen derselben in Luft für 4 Minuten auf 170°C gebildet wurde.
Beispiel 20
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß die Kupfer(I)-sulfidschicht durch Aufdampfen einer 100 nm dicken Kupferschicht auf
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den Cadmiurnsulfidfilm und Aufheizen derselben in Luft für 1 Minute auf 25O°C gebildet wurde.
Beispiel 21
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß der zv/eite elektrische Kontakt als Goldstreifen auf den Kupfer(I)-SuIfidfilm aufgedampft wurde.
Beispiel 22
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß der zweite elektrische Kontakt durch ein mittels Siebdruck aufgebrachtes Silbergitter gebildet wurde.
Beispiel 23
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß der zweite elektrische Kontakt ein goldplattiertes Kupfernetz war, das mit dem Kupfer(I)-sulfidfilm durch gold-gefülltes Epoxyharz verbunden wurde.
Beispiel 2h
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß der zweite elektrische Kontakt durch ein vorgebildetes Kupfernetz oder golplattiertes Kupfernetz gebildet und die Schichten und elektrischen Kontakte von einem Kunststoffmaterial umhüllt wurden, das im Vakuum versiegelt wurde.
Beispiel 25
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß die Kombination der Schicht und elektrischen Kontakte durch Eingießen in Epoxyharz umhüllt wurde.
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Beispiel 26
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß die Kombination der Schicht und der elektrischen Kontakte in eine Kapsel eingeschlossen wurde, die aus einer zusammengeschmolzenen bzw. Sinterglasabdeckung erzeugt und im Vakuum versiegelt und unter Stickstoff "entspannt" wurde.
Beispiel 27
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß eine Schottky-Sperrschicht durch Aufdampfen von Gold auf den Cadmiumsulfidfilm erzeugt wurde. Die Spannung der Solarzelle in unbelastetem Zustand lag bei 350 mV und die Energieausnutzung bei
6 χ 10"-5 %.
Beispiel 28
Eine Solarzelle wurde nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, nur daß das Cadmiumsulfid auf einer auf einem Träger (B) abgelagerten Arbeitselektrode (A) abgeschieden und dann ^5 Minuten lang in Luft auf die in Tabelle 3 gezeigte Temperatur aufgeheizt wurde.
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TABELLE
Herstellung A von Solarzellen C
Arbeitselektrode B Wärmebehandlung
<°c)
Platin (Lösungsauftrag) Träger 450
Gold (Siebdruck) Glas 450
Gold (Ionenbe
schichtung)		 Aluminium 200
Gold ( " ) Polyäthersul-
fon		 150
Gold ( » ) Polyäthylen-
terephthalat		 450
rostfreier Stahl
(aufgesprüht)		 Polyamid 450
Zinnoxid Aluminiumoxid, 450
Glas
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L e e r s e i t e

Claims (32)

  1. B 8188
    Patentansprüche
    M. Verfahren zur Herstellung einer dünnen im wesentlichen nadellochfreien Schicht, insbesondere HaIbleiterschicht, gekennzeichnet durch die Elektrophorese einer kolloidalen Suspension von Teilchen eines halbleitenden Sulfids, Sulfoselenids, Selenids oder Tellurids oder eines Vorläufers derselben in einem wässrigen Medium und Abscheidung des Halbleiters oder Halbleitervorläufers auf einer Substratoberfläche.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kolloidalen Teilchen des Halbleiters oder Halbleitervorläufers in Wasser oder in einer polaren organischen Flüssigkeit gebildet werden.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die kolloidalen Teilchen des Halbleiters oder Halbleitervorläufers in Wasser gebildet werden und eine polare organische Flüssigkeit zum Wasser vor der Elektrophorese hinzugegeben wird zur Bildung einer kolloida len Suspension des Halbleiters oder Halbleitervorläufers in einem wässrigen Medium.
  4. h. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3» dadurch ge kennzeichnet, daß der Halbleiter oder Halbleitervor läufer im Wasser hergestellt wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Flüssigkeit eine Dielektrizitätskonstante über 10 hat.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch A, dadurch gekennzeichnet, daß ein Aus^angsmaterial für die Herstellung des HaIb leiters gasförmig ist.
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    ORIGINAL INSPECTED
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  7. 7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die kolloidale Suspension einen pH-Wert zwischen 3,0 und 8,C hat,
  8. 8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die kolloidale Suspension einen Stabilisator enthält.
  9. 9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die kolloidale Suspension ein Dotierungsmittel enthält.
  10. 10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die kolloidale Suspension ein Bindemittel enthält.
  11. 11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat eine Arbeitselektrode in einer elektrischen Schaltung ist.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,daß die Arbeitselektrode eine Anode ist.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Arbeitselektrode planar und eine Gegenelektrode in Form eines Drahtes vorhanden ist.
  14. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Arbeitselektrode auf einen Träger abgelagert ist.
  15. 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger flexibel ist.
  16. 16. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter nach der Ab-
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    -Jk-
    scheidung auf der Oberfläche wärmebehandelt wird.
  17. 17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung durch Bombardment mit gasförmigen Ionen erfolgt.
  18. 18. Dünne im wesentlichen nadellochfreie Schicht eines halbleitenden Suflids, Sulfoselenids, Selenids oder Telluride,erhalten nach einem der Ansprüche 1 bis
  19. 19. Dünnschicht nach Anspruch 18, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Dotierungsmittel.
  20. 20. Zumindest eine Dünnschicht nach Anspruch 18 oder 19 und ein Substrat aufweisendes Laminat.
  21. 21. Elektronisches Bauelement, gekennzeichnet durch eine dünne Schicht nach einem der Ansprüche 18 bis 20 und zumindest ein damit in elektrischen Kontakt befindliches Mittel für die Zuleitung von Strom.
  22. 22. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Halbleiter-Iiinnschicht,bei dem eine dünne im wesentlichen nadellochfreie erste Schicht eines halbleitenden Sulfids, Sulfoselenids, Selenids oder Telluride erzeugt und eine Grenzschicht bzw. ein Übergang zwischen der ersten Schicht und einer zweiten Schicht gebildet wird, die ein Metall oder einen Halbleiter umfaßt, dessen Majoritätsträger gegenüber den Majoritätsträgern in der ersten Schicht entgegengesetzt geladen sind, wobei die erste Schicht in elektrischem Kontakt mit einem ersten stromzuführenden Mittel und die zweite Schicht im Falle, daß sie ein Halbleiter ist, mit einem zweiten stromzufuhrenden Mittel in elektrischem Kontakt ist und zumindest eines der stromzuführenden Mittel auftreffende Strahlung zum übergang durchläßt, dadurch gekennzeichnet, daß die
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    erste Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 17 hergestellt wird.
  23. 23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht elektrophoretisch auf dem ersten stromzuführenden Mittel abgeschieden wird.
  24. 24. Verfahren nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang ein pn-Ubergang ist.
  25. 25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang ein HeteroÜbergang ist.
  26. 26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekenn-
    zeichnet, daß die zweite Schicht eine Verbindung auf der Basis einwertiger Kationen aus der Gruppe IB des Periodensystems umfaßt.
  27. 27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß das einwertige Kation Kupfer ist.
  28. 28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht Kupfer-(I)-sulfid umfaßt.
  29. 29. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 28, gekennzeichnet durch die Aufheizung der Grenzschicht bzw. des Überganges zur Verbesserung des elektrischen Kontakts zwischen den Schichten.
  30. 30. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 29» dadurch gekennzeichnet, daß ein Antireflexbelag zur Verminderung oder Vermeidung einer Reflexion von einfallender Strahlung von der Oberfläche des durch Strahlung getroffenen Films vorgesehen wird.
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    2722Ü45
  31. 31. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zur Verhinderung oder Verminderung des Zugriffs von Sauerstoff und/oder Wasser zur Zelle vorgesehen werden, die einen elektrischen Kon- takt zwischen den stromzuführenden Mitteln und einer elektrischen Schaltung außerhalb der Zelle zulassen.
  32. 32. Solarzelle, erhalten nach einem der Ansprüche 22 bis 31.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3328899A1 (de) * 1983-08-10 1985-02-28 Nukem Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zum herstellen von frontseitigem elektrisch leitendem kontakt fuer photovoltaische zellen

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0002109B1 (de) * 1977-11-15 1981-12-02 Imperial Chemical Industries Plc Verfahren zum Herstellen dünner photoleitender Schichten und von Solarzellen unter Verwendung dieser dünnen photoleitenden Schichten
JPS55500237A (de) * 1978-04-27 1980-04-24
GB2117796B (en) * 1982-04-06 1985-06-19 Standard Telephones Cables Ltd Forming ceramic layers; dielectric structures
GB2117795A (en) * 1982-04-06 1983-10-19 Standard Telephones Cables Ltd Fabricating capacitors; forming ceramic films
US4584074A (en) * 1982-12-07 1986-04-22 International Standard Electric Corporation Capacitors
US4695356A (en) * 1984-01-26 1987-09-22 Andromaque S.A. Electrochemical procedure for the direct forming of generally thin elements with various contours and surfaces of usual and technical ceramics or refractory material
US4952446A (en) * 1986-02-10 1990-08-28 Cornell Research Foundation, Inc. Ultra-thin semiconductor membranes
GB8715082D0 (en) * 1987-06-26 1987-08-05 Prutec Ltd Solar cells
AU3136793A (en) * 1991-11-27 1993-06-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrophoretic deposition of transition metal dichalcogenides
US5498270A (en) * 1994-09-12 1996-03-12 Smith; Strom W. Sulfur trap
US6126740A (en) * 1995-09-29 2000-10-03 Midwest Research Institute Solution synthesis of mixed-metal chalcogenide nanoparticles and spray deposition of precursor films
US6965196B2 (en) * 1997-08-04 2005-11-15 Lumimove, Inc. Electroluminescent sign
US6268014B1 (en) 1997-10-02 2001-07-31 Chris Eberspacher Method for forming solar cell materials from particulars
US20010042329A1 (en) * 2000-04-13 2001-11-22 Matthew Murasko Electroluminescent sign
SE519287C2 (sv) * 2000-08-31 2003-02-11 Ericsson Telefon Ab L M Inkapslat mönsterkort med sekventiellt uppbyggd ledningsmönster och tillverkningsförfarande
US20020159246A1 (en) * 2001-03-21 2002-10-31 Matthew Murasko Illuminated display system
US7048400B2 (en) * 2001-03-22 2006-05-23 Lumimove, Inc. Integrated illumination system
JP4354185B2 (ja) * 2001-03-22 2009-10-28 ルミムーブ， インコーポレイテッド 照明ディスプレイシステムおよびプロセス
WO2003003397A2 (en) * 2001-06-27 2003-01-09 Lumimove,Inc. Electroluminescent panel having controllable transparency
US20030159941A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-28 Applied Materials, Inc. Additives for electroplating solution
CN1830753A (zh) * 2005-03-10 2006-09-13 清华大学 碳纳米管组装方法和碳纳米管器件
CN1840465B (zh) * 2005-03-30 2010-09-29 清华大学 一维纳米材料器件制造方法
CN100572260C (zh) * 2005-03-31 2009-12-23 清华大学 一维纳米材料器件的制造方法
US8748216B2 (en) 2010-10-25 2014-06-10 Imra America, Inc. Non-vacuum method for fabrication of a photovoltaic absorber layer
US8409906B2 (en) 2010-10-25 2013-04-02 Imra America, Inc. Non-vacuum method for fabrication of a photovoltaic absorber layer
TWI451580B (zh) * 2011-09-26 2014-09-01 Ind Tech Res Inst 薄膜太陽能電池之製法
FR2981952B1 (fr) * 2011-11-02 2015-01-02 Fabien Gaben Procede de realisation de couches minces denses par electrophorese
WO2014025743A1 (en) 2012-08-07 2014-02-13 Cornell University Binder free and carbon free nanoparticle containing component, method and applications
FR3080957B1 (fr) 2018-05-07 2020-07-10 I-Ten Electrodes mesoporeuses pour dispositifs electrochimiques en couches minces
CN114672865A (zh) * 2022-04-26 2022-06-28 昆明理工大学 一种CNTs/Cu复合板材的制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2851408A (en) * 1954-10-01 1958-09-09 Westinghouse Electric Corp Method of electrophoretic deposition of luminescent materials and product resulting therefrom
DE1171995B (de) * 1962-02-08 1964-06-11 Ibm Deutschland Verfahren zum Aufbringen von Fotoelementen auf nichtleitende Traeger
DE1496879A1 (de) * 1964-07-21 1969-08-14 Licentia Gmbh Verfahren zur elektrophoretischen Abscheidung von Nickelseleniden
US3879276A (en) * 1974-04-10 1975-04-22 Int Standard Electric Corp Electrophoretic deposition of selenium
US4011149A (en) * 1975-11-17 1977-03-08 Allied Chemical Corporation Photoelectrolysis of water by solar radiation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3328899A1 (de) * 1983-08-10 1985-02-28 Nukem Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zum herstellen von frontseitigem elektrisch leitendem kontakt fuer photovoltaische zellen

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Publication number Publication date
BE854762A (fr) 1977-11-17
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FR2352078B1 (de) 1982-07-02
JPS52155994A (en) 1977-12-24
ES469346A1 (es) 1979-01-16
AU509321B2 (en) 1980-05-08
US4225408A (en) 1980-09-30
IT1143661B (it) 1986-10-22
AU2519777A (en) 1978-11-23
NL7705384A (nl) 1977-11-21
CA1086682A (en) 1980-09-30

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