DE2712561A1 - Verfahren zum schliessen rohrfoermiger koerper aus silicium - Google Patents
Verfahren zum schliessen rohrfoermiger koerper aus siliciumInfo
- Publication number
- DE2712561A1 DE2712561A1 DE19772712561 DE2712561A DE2712561A1 DE 2712561 A1 DE2712561 A1 DE 2712561A1 DE 19772712561 DE19772712561 DE 19772712561 DE 2712561 A DE2712561 A DE 2712561A DE 2712561 A1 DE2712561 A1 DE 2712561A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- silicon
- tubular body
- withdrawn
- tubular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L49/00—Connecting arrangements, e.g. joints, specially adapted for pipes of brittle material, e.g. glass, earthenware
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
DC 2158
/■ S B 1
DOW CORNING CORPORATION Midland, Michigan, V.St.A.
Die Erfindung bezieht sich auf rohrförmige Körper aus Silicium und betrifft insbesondere Verfahren, die es ermöglichen,
die Enden solcher Körper teilweise oder vollständig zu verschließen.
Die Herstellung von Rohren aus Silicium ist z.B. in der US-PS 3 781 152 beschrieben. Solche Rohre werden gewöhnlich in
der Weise hergestellt, daß man Silicium aus einer gasförmigen Phase durch eine Reduktion von Chlorsilanen mit Wasserstoff
auf einem erhitzten Dorn niederschlägt, der z.B. aus Graphit besteht; derartige Rohre werden z.B. als Ofenrohre bei der
Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet. In manchen Fällen ist es erwünscht, die Rohre mit geschlossenen Enden zu
versehen. Ferner kann es erforderlich werden, Rohre aus Silicium mit anderen Einrichtungen, z.B. Speiseleitungen, zu
809826/0463
ORIGINAL INSPECTED
verbinden, und dies erv/eist sich bei an den 2nd en offenen
Rohren aus schwierig.
In der US-PE 3 751 539 ist ein Verfahren zum Herstellen eines
an den Enden geschlossenen Rohrs aus Silicium beschrieben, bei dem dampfförmiges Silicium niedergeschlagen wird; danach
wird mit dem zu verschließenden Ende des Rohrs ein Plättchen aus Silicium verschweißt, und schließlich wird zusätzliches
Silicium aufgedampft. Bei diesem Verfahren muß jedoch Silicium in zwei getrennten Arbeitsschritten aufgedampft werden,
und zwischen diesen Arbeitsschritten muß das Werkstück der Aufdampfvorrichtung entnommen werden, um die Durchführung des
Schweißvorgangs zu ermöglichen. Diese Verfahrensweise ist offensichtlich sehr arbeitsaufwendig, und wegen der mehrfachen
Handhabung und Erwärmung jedes Werkstücks treten hohe Energieverluste auf. Schließlich hat es sich gezeigt, daß die ungleichmäßige Erwärmung, die sich beim Hochfrequenzschweißen
nicht vermeiden läßt, zu Wärmespannungen führt, die häufig zur Bildung von Rissen Anlaß geben.
Das bekannte Verfahren von Czochralski zum Züchten von Kristallen aus einer Schmelze durch Eintauchen eines Kristallkeims
in die Schmelze wird in großem Umfang angewendet, um Siliciumkristalle für die Halbleiterindustrie zu erzeugen.
Beispiele für dieses Verfahren sind in den US-PSen 2 631 und 2 889 240 beschrieben.
Gemäß der Erfindung hat es sich gezeigt, daß es möglich ist,
das Verfahren von Czochralski auch zu dem Zweck anzuwenden, die Enden rohrförmiger Körper aus Silicium teilweise oder
vollständig zu verschließen. Hierbei tritt das zu schließen de Rohr praktisch an die Stelle des Kristallkeims, der gewöhn
lich bei dem Kristal!ziehverfahren nach Czochralski verwendet
wird.
Genauer gesagt, wird das betreffende Ende eines Rohre au· Silicium in eine Siliciumschmelze eingetaucht und «tun Schmelzen gebracht, bis ein Meniskus sichtbar wird, der erkennen
läßt, daß sich ein Schmelzvorgang abgespielt hat und daft
809826/0463
Gewähr für eine Berührung zwischen dem Rohr und der Schmelze
besteht. Hierauf wird das Rohr ebenso wie bei dem normalerweise angewendeten Verfahren nach Czochralski zurückgezogen,
um geschmolzenes Silicium auf dem Ende des Rohrs erstarren zu lassen. Durch entsprechendes Regeln der Temperatur der
Schmelze und der Ziehgeschwindigkeit ist es möglich, den Durchmesser des Rohrs allmählich nach Bedarf zu verkleinern
und das Rohr sogar vollständig zu verschließen, wenn dies erwünscht ist. Schließlich wird das Rohr gegenüber der
Schmelze vollständig zurückgezogen.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann noch um einen Schritt weitergeführt werden; es ist z.B. möglich, rohrförmige Körper aus Silicium an ihren Enden mit Anschlüssen zum Herstellen von Verbindungen zu Gasleitungen oder dergl. zu versehen
und zu diesem Zweck entsprechende Paßflächen zu erzeugen.
Das Verfahren ist relativ einfach und liefert die gewünschten Ergebnisse mit einem minimalen Arbeitsaufwand. Es bietet die
Möglichkeit, Rohre mit einem runden oder einem anderen Querschnitt teilweise oder vollständig zu verschließen und Anschlußstücken die gewünschte Form zu geben. Da auch die Möglichkeit einer maschinellen Bearbeitung besteht, lassen sich
die Schwierigkeiten beim Herstellen von Verbindungen auf ein Mindestmaß verringern. Somit ist es jetzt möglich, ausschließlich aus Silicium bestehende Hohlkörper herzustellen, wie sie
bis jetzt nicht zur Verfügung standen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand schematischer Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 einen senkrechten Schnitt zur Veranschaulichung des Verfahrens nach der Erfindung;
Flg. 2 einen axialen Schnitt eines gemäß der Erfindung hergestellten rohrförmigen Körpers mit einem geschlossenen Ende;
Flg. 3 eine Seitenansicht eines Teils eines Ofenrohrs mit einen gemäß der Erfindung hergestellten Anschluß; und
809826/0463
In Fig. 1 ist ein rohrförmiger Körper 11 aus Silicium dargestellt, der in Richtung des Pfeils 12 gegenüber einem
zweckmäßig aus Quarz hergestellten Tiegel 13 bekannter Art nach Czochralski nach oben gezogen wird» Der Tiegel 13 wird
auf bekannte Weise erhitzt, z.B. mit Hilfe einer elektrischen Widerstands- oder Induktionsheizspule 14, die den Tiegel umschließt und an eine entsprechende Stromquelle angeschlossen
ist.
Der Tiegel 13 enthält einen Vorrat 15 von geschmolzenem Silicium, bei dem ein Teil der Oberfläche eine Temperatur aufweist, die nahezu der Erstarrungstemperatur von Silicium
entspricht, wie es z.B. in den schon genannten US-PSen 2 631 356 und 2 889 240 beschrieben ist. Zweckmäßig wird die
Schmelze gegenüber dem rohrförmigen Körper 11 in Drehung gehalten, um eine gleichmäßigere Temperaturverteilung zu gewährleisten, und außerdem ist es zweckmäßig, die Vorrichtung
in der bei der Züchtung von Kristallen üblichen Weise ständig mit einem inerten Gas, z.B. Argon, durchzuspülen.
Das untere Ende des rohrförmigen Körpers 11 wird in die Siliciumschmelze 15 eingetaucht, wobei die Schmelztemperatur
aufrechterhalten wird, bis am Umfang des Körpers über dem verbleibenden Teil der Oberfläche der Schmelze ein Meniskus
aus geschmolzenem Material sichtbar ist, wodurch angezeigt wird, daß das untere Ende des Körpers zum Schmelzen gebracht
worden ist. Nunmehr wird der Körper 11 nach oben gezogen, wobei die Temperatur so geregelt wird, daß eine Erstarrung etwas
oberhalb der Oberfläche der Schmelze eintritt. Hierbei regelt man die Temperatur und die Ziehgeschwindigkeit derart, daß
sich der Durchmesser des Rohrs 11 allmählich verringert, bis die gewünschte Verringerung eingetreten oder das Rohr vollständig geschlossen worden ist. Danach wird das Rohr von der
Schmelze abgezogen. Fig. 2 zeigt ein typisfehfts Rohr 11 mit
einem geschlossenen unteren Ende 16, das unter Anwendung des Verfahrens von Czochralski erzeugt worden ist.
809826/0463
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich nicht nur ein einfaches Rohr mit geschlossenen Enden herstellen, sondern es ist auch möglich, Vorrichtungen von komplizierterer
Form zu erzeugen· üeispielsveise zeigen Fig. L* und 4 einen
Ofenrohranschluß in Gestalt eines allgemein rohrförmigen Teils 17, das unter Anwendung des vorstehend beschriebenen
Verfahrens mit einem sich verjüngenden Abschnitt 13 von kleinerem Durchmesser versehen worden ist, an den sich ein
freier Endabschnitt von im wesentlichen konstantem Durchmesser anschließt; nachdem die gewünschte Verringerung des Durchmessers erreicht war, wurde der Abschnitt 18 in der gleichen
Weise aus einer Schmelze gezüchtet, wobei mit konstanten Werten der Ziehgeschwindigkeit und der Temperatur gearbeitet
wurde.
Nach Abschluß des Züchtungsvorgangs wird das AnschlußstUck 17 mit Hilfe von Diamant- oder Siliciumkarbidwerkzeugen und/
oder unter Anwendung'von Schleifmitteln bearbeitet; hierbei wird die öffnung 19 auf einen konstanten Durchmesser aufgerieben, und am äußeren Ende wird ein kugelförmiger Abschnitt
20 mit einer Ringnut 21 erzeugt, damit ein rohrförmiges Verbindungsstück angeschlossen v/erden kann. Die Innenfläche des
rechten Teils des Anschlußstücks 17 erhält eine konische Form, um einen entsprechenden konischen Endabschnitt 22 eines
Ofenrohrs 23 aufnehmen zu können. Somit ist es möglich, das Ofenrohr 23 mit Gaseinlaß- und Gasauslaßanschlüssen zu versehen.
Bei einer bestimmten Ausführungsform der Erfindung wurde
eine Kristallzüchtungsvorrichtung nach Czochralski in Verbindung mit einem widerstandsbeheizten Quarztiegel benutzt, der
eine Charge von 540 g Silicium enthielt. In das Futter der Kristallzieheinrichtung wurde ein Siliciumrohr mit einem
Außendurchmesser von etwa 38 mm und einer Wandstärke zwischen etwa 1,9 und etwa 2,5 mm eingespannt und in einer Argonatmosphäre in die Sillciumschmelze hinein abgesenkt, wobei das
Rohr mit 5 U/min gedreht wurde, v/ährend der Tiegel mit 7 U/min in der Gegenrichtung umlief. Die Temperatur der
809826/0463
Schmelze wurde allmählich verringert, bis das untere Ende des Rohrs unter Entstehen eines sichtbaren Meniskus angehoben
werden konnte, ohne daß ein Abschmelzen auftrat, wodurch das Rohr von der Schmelze getrennt worden wäre. Sobald
dieser Punkt erreicht war, konnte die Erstarrung von Material auf dem unteren Ende des Rohrs beobachtet werden, und danach
wurde eine konstante Ziehgeschwindigkeit von etwa 32 mm/h
aufrechterhalten. Innerhalb einer Stunde hatte sich der Durchmesser des Rohrendes auf etwa 1,27 cm verkleinert, und nach
weiteren 45 min wurde das Rohr von der Schmelze abgezogen, wobei es sich zeigt, daß es vollständig geschlossen worden
war.
Auf ähnliche Weise wurde ein Rohr aus Silicium mit einem Außendurchmesser von etwa 51 mm geschlossen. In diesem Fall
wurde der Ziehvorgang mit einer Geschwindigkeit von etwa 40 mm/h begonnen; dann fand nach etwa 2 Stunden und 15 min
eine Steigerung auf etwa 43 mm/h statt; hierauf folgte ein weiteres Ziehen mit einer Geschwindigkeit von etwa 51 mm/h
während einer Zeitspanne von etwa 15 min, und schließlich wurde 30 min lang mit einer noch höheren Ziehgeschwindigkeit
von 57 mm/h gearbeitet. Danach wurde das Rohr von der Schmel ze abgezogen, wobei es sich zeigte, daß sich das Rohr vollständig
geschlossen hatte, wobei sich an den Hohlraum de· Rohrs ein sehr stumpfer Übergang anschloßt und wobei sich
jedoch nach dem Schließen eine erhebliche Meng· an massivem
Silicium abgelagert hatte.
Ein dünnwandiger Verschluß wurde dadurch hergestellt, daÄ
ein weiteres Rohr von 51 mm Durchmesser mit einer höheren Geschwindigkeit gezogen wurde. In diesem Fall betrag die
Ziehgeschwindigkeit während der ersten 45 min etwa 57 mm/h·
Dann wurde 14 min lang eine erhöhte Ziehgeschwindigkeit tob etwa 76 mm/h beibehalten; hierauf fand eine weitere Erhöhung
auf etwa 92 mm/h statt, doch erfolgte nach etwa 1 min elm· Trennung des Rohrs von der Schmelze. Die Nachprüfung zeigt·
jedoch, daß das Rohr durch eine relativ gleichmäßige dumm·
Wand abgeschlossen war.
809826/0463
Claims (4)
1. Verfahren zum Verschließen eines Endes eines rohrförmigen Körpers aus Silicium, dadurch gekennzeichnet, daß das zu schließende Zünde des Körpers
in eine Siliciumschmelze eingetaucht wird, während die Schmelze auf die Schmelztemperatur von Silicium erhitzt ist,
daß zugelassen wird, daß der unterhalb der Oberfläche der Schmelze eingetauchte Teil des Körpers seine Schmelztemperatur
erreicht, so daß auf dem Körper oberhalb der Oberfläche der Schmelze ein Schmelzmeniskus entsteht, daß dann der
rohrförmige Körper allmählich aus der Schmelze herausgezogen wird, während die Temperatur so geregelt wird, daß der
Schmelzmeniskus am Ende des rohrförmigen Körpers erstarrt, während der rohrförmige Körper zurückgezogen wird, daß die
Temperatur und die Geschwindigkeit, mit welcher der Körper zurückgezogen wird, so geregelt werden, daß eine allmähliche
Verringerung des Durchmessers des erstarrten Teils eintritt, bis das eingetauchte Ende des rohrförmigen Körpers auf den
gewünschten kleineren Durchmesser gebracht worden ist, und daß danach die Geschwindigkeit, mit welcher der Körper zurückgezogen
wird, erhöht wird, um den Körper von der Schmelze zu trennen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine relative Drehbewegung zwischen dem rohrförmigen
Körper und der Schmelze aufrechterhalten wird, während der Körper gegenüber der Schmelze zurückgezogen wird.
3. Rohrförmiger Körper aus Silicium, gekennzeichnet durch
seine Herstellung mit Hilfe des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verringerung des Durchmessers des rohrförmigen
809826/0463
ORIGINAL INSPECTED
Körpers fortgesetzt wird, bis das betreffende Hnde des Körpers
geschlossen ist, bevor der Körper gegenüber der Schmelze zurückgezogen wird.
δ. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Flächenteile des rohrförmigen Körpers nach dem
Zurückziehen des Körpers gegenüber der Schmelze bearbeitet werden.
809826/0463
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/754,481 US4289572A (en) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | Method of closing silicon tubular bodies |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2712561A1 true DE2712561A1 (de) | 1978-06-29 |
DE2712561B2 DE2712561B2 (de) | 1979-06-07 |
DE2712561C3 DE2712561C3 (de) | 1980-02-07 |
Family
ID=25034982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2712561A Expired DE2712561C3 (de) | 1976-12-27 | 1977-03-22 | Verfahren zum Beeinflussen der Form eines Endes eines rohrförmigen Körpers aus Silicium |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4289572A (de) |
JP (1) | JPS5382161A (de) |
DE (1) | DE2712561C3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19781967B3 (de) * | 1996-08-30 | 2016-05-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0126270Y2 (de) * | 1985-08-03 | 1989-08-07 | ||
US5173270A (en) * | 1987-04-09 | 1992-12-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Monocrystal rod pulled from a melt |
JPS63252991A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Mitsubishi Metal Corp | 落下防止保持部を有するcz単結晶 |
US7062135B2 (en) * | 2002-03-21 | 2006-06-13 | Corning Incorporated | Method for fabricating curved elements |
CN101676203B (zh) * | 2008-09-16 | 2015-06-10 | 储晞 | 生产高纯颗粒硅的方法 |
CN103882519A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 天津环煜电子材料科技有限公司 | 一种硅管及硅管太阳电池级多晶硅棒制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1025526B (de) * | 1955-07-13 | 1958-03-06 | Siemens Ag | Halbleitergrundkoerper, vorzugsweise Einkristall, zum Aufbau von Halbleiteranordnungen, beispielsweise Gleichrichtern und Transistoren, und Verfahren zu seiner Herstellung |
US2962363A (en) * | 1957-07-09 | 1960-11-29 | Pacific Semiconductors Inc | Crystal pulling apparatus and method |
NL112257C (de) * | 1958-07-11 | |||
DE1596672A1 (de) * | 1965-03-29 | 1971-03-18 | Tokyo Shibaura Electric Co | Methode und Vorrichtung zur Ausbildung einer Glasflaeche zum Verschluss einer ringfoermigen OEffnung eines Hohlkoerpers |
US3550251A (en) * | 1967-08-11 | 1970-12-29 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method for manufacturing a heat insulating vessel |
US3650703A (en) * | 1967-09-08 | 1972-03-21 | Tyco Laboratories Inc | Method and apparatus for growing inorganic filaments, ribbon from the melt |
US3621213A (en) * | 1969-11-26 | 1971-11-16 | Ibm | Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals |
US3943324A (en) * | 1970-12-14 | 1976-03-09 | Arthur D. Little, Inc. | Apparatus for forming refractory tubing |
US3915662A (en) * | 1971-05-19 | 1975-10-28 | Tyco Laboratories Inc | Method of growing mono crystalline tubular bodies from the melt |
US3953174A (en) * | 1975-03-17 | 1976-04-27 | Tyco Laboratories, Inc. | Apparatus for growing crystalline bodies from the melt |
-
1976
- 1976-12-27 US US05/754,481 patent/US4289572A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-03-22 DE DE2712561A patent/DE2712561C3/de not_active Expired
- 1977-04-14 JP JP4312177A patent/JPS5382161A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19781967B3 (de) * | 1996-08-30 | 2016-05-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5441460B2 (de) | 1979-12-08 |
DE2712561B2 (de) | 1979-06-07 |
JPS5382161A (en) | 1978-07-20 |
US4289572A (en) | 1981-09-15 |
DE2712561C3 (de) | 1980-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19710672C2 (de) | Quarzglas-Tiegel zum Ziehen von Einkristall und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69324963T2 (de) | Verfahren zum Ziehen von Glasvorformen für optische Faser | |
DE69617087T2 (de) | Verfahren zum behälterlosen Herstellen rissfreier Gegenstände aus Metall | |
DE2928089C3 (de) | Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung | |
EP1370498B1 (de) | Bauteil aus quarzglas sowie verfahren zur herstellung desselben | |
DE3872745T2 (de) | Einkristallstab, verfahren und vorrichtung zu seiner ziehung aus einer schmelze. | |
DE69801381T2 (de) | Verfahren und Impfkristall zur Herstellung eines Silicium Einkristalles | |
CH644408A5 (de) | Vorrichtung und verfahren zum giessen von gegenstaenden mit gelenkter kristall-lagerung. | |
DE69129709T2 (de) | Polykristalliner Silicium-Stab für das Zonenziehen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
CH640441A5 (de) | Verfahren zur herstellung von gussstuecken durch praezisionsgiessen. | |
DE3874219T2 (de) | Vorrichtung zur zuechtung von kristallen aus halbleitermaterialien. | |
DE69201693T2 (de) | Vorrichtung zur Züchtung von Einkristallen. | |
DE69802864T2 (de) | Silizium-Impfkristall, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalls unter Verwendung des Silizium-Impfkristalls | |
DE2712561A1 (de) | Verfahren zum schliessen rohrfoermiger koerper aus silicium | |
EP0729918B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines polygonalen Quarzglasstabes | |
DE69122590T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer synthetischen Diamantstruktur | |
DE60209988T2 (de) | Impf-Kristall für die Herstellung von Siliciumeinkristallen und Verfahren zur Herstellung von Siliciumeinkristallen | |
DE69603148T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Heben eines Strömungsführungszylinders einer Kristallziehungsanlage | |
DE2754856B2 (de) | Verfahren zur Verhinderung unerwünschter Abscheidungen beim Kristallziehen nach Czochralski in Schutzgasatmosphäre sowie Vorrichtung hierfür | |
DE2548050C3 (de) | Vorrichtung zur Stabhalterung beim tiegelfreien Zonenschmelzen | |
DE2358300B2 (de) | Vorrichtung zum senkrechten halten eines halbleiterkristallstabes beim tiegelfreien zonenschmelzen | |
DE2508651A1 (de) | Verfahren zur herstellung von koerpern aus einem schmelzbaren kristallinen material, insbesondere halbleitermaterial, bei dem ein ununterbrochenes band aus diesem kristallinen material hergestellt wird, und durch dieses verfahren hergestellter koerper | |
DE1209997B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus schmelzbarem Material | |
DE1916293A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Niobschicht durch schmelzflusselektrolytische Abscheidung auf einem Kupfertraeger | |
DE1128413B (de) | Verfahren zur Herstellung von zersetzungsfreiem einkristallinem Silicium durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: SPOTT, G., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |