DE2703322A1 - Verfahren zur herstellung von metall-halbleiter-kontakten mit grosser strominjektionsdichte - Google Patents

Verfahren zur herstellung von metall-halbleiter-kontakten mit grosser strominjektionsdichte

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DE2703322A1
DE2703322A1 DE19772703322 DE2703322A DE2703322A1 DE 2703322 A1 DE2703322 A1 DE 2703322A1 DE 19772703322 DE19772703322 DE 19772703322 DE 2703322 A DE2703322 A DE 2703322A DE 2703322 A1 DE2703322 A1 DE 2703322A1
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semiconductor material
micron
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DE19772703322
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German (de)
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Jacques Montel
Paul Cyril Moutou
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Thales SA
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D64/256—Source or drain electrodes for field-effect devices for lateral devices wherein the source or drain electrodes are recessed in semiconductor bodies
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FR7602588A FR2339956A1 (fr) 1976-01-30 1976-01-30 Procede de realisation de contacts " metal-semiconducteur " a grande densite d'injection, et dispositifs obtenus par ledit procede

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