DE2658302A1 - Verfahren zum bonden von integrierten schaltungen - Google Patents
Verfahren zum bonden von integrierten schaltungenInfo
- Publication number
- DE2658302A1 DE2658302A1 DE19762658302 DE2658302A DE2658302A1 DE 2658302 A1 DE2658302 A1 DE 2658302A1 DE 19762658302 DE19762658302 DE 19762658302 DE 2658302 A DE2658302 A DE 2658302A DE 2658302 A1 DE2658302 A1 DE 2658302A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- bonding
- wiesbaden
- munich
- connection terminals
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
- H01L23/4828—Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
BLUMBACH - WESER . BERGEN · KRAMER ZWIRNER - HIRSCH
PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN
Postadresse München: Palentconsult 8 München 60 Radedcestraße 43 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313
Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger StraOe 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-166237
K. K. SUWA Seikosha 76/8752
Verfahren zum Bonden von integrierten Schaltungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden von integrierten
Schaltungen (IC), und insbesondere ein Oberseite-Unten-Bondverfahren
zum direkten Bonden der Verbindungsanschlüsse auf dem IC-Chip auf Verbindungsanschlüsse auf der
Schaltungsunterlage, und zwar ohne jegliche Drahtbondung.
Herkömmlicherweise wird ein Drahtbondverfahren verwendet, um IC- und Schaltungsunterlage zu verbinden. In letzter Zeit erhöht
sich jedoch der Integrationsgrad von IC's und es wird
eine große Anzahl von Anschlüsse.i verwendet, so daß die Bondkosten
proportional zur Erhöhung der Anzahl der Anschlüsse klettern, und es treten viele Schwierigkeiten beim Bonden auf,
die eine starke Verringerung der Ausbeute und der Zuverläs-
München: Kramer · Dr.Weser · Hirsch — Wiesbaden: Blumbach · Dr. Bergen · Zwirner
709827/0709
2G5ü3Ü2
sigkeit bewirken. Im Hinblick darauf nimmt die Beliebtheit drahtloser Bondverfahren zu, bei denen viele Anschlüsse
gleichzeitig gebondet werden, und zwar ohne irgendeinen Bondvorgang unter Verwendung von Bonddrahtdüsen. Unter den
drahtlosen Bondverfahren wird diejenige Methode im allgemeinen Oberfl äclie-Unten-Bondmethode genannt, bei der die
Oberfläche des IC-Chips und der Schaltungsunterlage einander gegenüberliegen und die Verbindungsanschlüsse auf der Unterlage
direkt mit den Verbindungsanschlüssen auf dem Chip verbunden werden.
Bisher verwendete Oberfläche-Unten-Bondverfahren sind beispielsweise
das Ultraschallbondverfahren, das Thermokompressionsbondverfahren und das Lotbondverfahren, welche folgende
Schwacnpunkte aufweisen.
Beim Ultraschallbond.verfahren verursacht die Ultraschallschwingung
während, des Bondens Veränderungen, Brüche und Deformationen der Chips, und es ist schwierig, die Bedingungen
zu steuern, wie die Preßkraft beim Bonden, die Ultraschallenergie oder die Zeitdauer der Ultraschalleinwirkung.
Beim Thermokompressionsbondverfahren und. beim Lotbondverfahren
muß der Chip erhitzt werden, so daß er der Gefahr ausgesetzt ist, durch Wärmeeinwirkung beschädigt zu werden.
Da bei jedem dieser Verfahren die Chipoberfläche und die Verbindungsanschlüsse in spezieller Struktur vorliegen
müssen, erhöhen sich überdies die Kosten der Chips, und
- 3 -7 0-9 R 2 7 / Π 7 0 9
es ist schwierig, die Gleichmäßigkeit der Strukturen aufrecht zu erhalten, so daß das Bonden eines IC's mit vielen Verbindungsanschlüssen
bis jetzt nicht angewendet worden ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die erwähnten Nachteile
bei der Oberseite-Unten-Bondmethode zu beseitigen.
Die Lösung dieser Aufgabe gibt der Anspruch an.
Im folgenden wird die Erfindung anhand einer Ausführungsform
näher erläutert. In der zugehörigen Zeichnung zeigen:
Fig. Γ einen Zustand, in dem leitende Paste auf den Verbindungsanschlußteil
auf einem IC-Chip gedruckt ist; und
Fig. 2 eine Schnittansicht, die den gebondeten Teil im Anschluß an das Bonden zeigt.
In Fig. 1 ist leitende Paste 3 auf die Verbindungsanschlüsse
2 auf dem IC-Chip 1 aufgedruckt. Für das Bonden ist es erwünscht, daß die Menge der leitenden Paste 3 gleichmäßig ist
und Extreme vermieden sind. Ein Druckverfahren, das eine Metallmaske, eine Injektionsmethode oder dergleichen verwendet,
ist ausreichend, wenn das erfindungsgemäße Ziel mit dieser Methode erreicht werden kann. Die gewünschte Dicke
der gedruckten Paste beträgt J>0 bis 50 ^m. Bevor die aufgedruckte
Paste getrocknet ist, wird der IC-Chip auf die
_ b _ 709827/0709
Schaltungsunterlage 4 gebondet, d. h., mit dieser verbunden, wie es Fig. 2 zeigt. Zu dieser Zeit kann eine Ausbreitung der
Mtenden Paste zur Folge haben, daß die einander gegenüberliegenden
verbundenen Teile kurzgeschlossen werden. Dieses Problem kann jedoch leicht dadurch ausgeschaltet v/erden, daß
die Position in Höhenrichtung gesteuert wird. Eine leitende Paste mit einer Viskosität, die sich zum Drucken eignet, wird
durch das Gewicht des IC-Chips selbst niemals so nieder^epreßt,
daß sie sich ausbreitet. Als nächstes läßt man die leitende Paste unter den erforderlichen Bedingungen aushärten und danach
ist die Oberfläche-Unten-Bondung des IC durchgeführt.
Bei der erfindungsgemäßen Methode ist eine spezielle Struktur der Oberfläche und der Verbindungsanschlüsse der IC-Chips
nicht erforderlich. Wenn die Verbindungsanschlüsse jedoch aus Aluminium aufgebaut sind, sind sie mit einer Isolierschicht
aus Aluminiumoxid bedeckt, und deshalb ist es erforderlich, diese Isolierschicht auf irgendeine Weise zu
beseitigen, oder aber die Verbindungsanschlüsse aus Materialien wie Gold herzustellen, die keine Isolierschicht aufgrund
von Oxidation bilden. Im Vergleich zur IC-Struktur, wie sie bei herkömmlichen Oberfläche-Unten-Bondverfahren benötigt
wird, kann dies mit großer Einfachheit getan werden.
überdies ist auch für die Verbindungsanschlüsse der Schaltung
keine spezielle Struktur erforderlich. Und die Kosten können
- 5 709827/0709
weitgehend gesenkt werden, da jegliches Material für die Verbindungsanschlüsse der Schaltung beim erfindungsgemäßen
Bondverfahren nützlich ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann für fast alle Schaltungsarten angepaßt werden, wie Zuleitungsrahmen, gedruckte Unterlagen,
Dick- und DUnnschichtschaltungen, und der Schaltungsteil kann ohne Beschränkungen gebildet werden, wenn der gebondete
Teil flach ist, da die leitende Paste auf den IC-Chip gedruckt wird.
Wie bereits erwähnt, führt die vorliegende Erfindung zu niedrigen Kosten und zu einer hohen Zuverlässigkeit des
IC-Bondvorgangs und läßt sich mit großer Wirksamkeit auf einen weitläufigen Anwendungsbereich anpassen.
709827/0709
Claims (1)
- BLUMBACH · WESER . BERGEN · KRAMER ZWIRNER · HIRSCHPATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADENPostadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-18623776/8752Patentan s η r u ο hVerfahren zum Bonden einer integrierten Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß leitende Paste (3) auf Verbindungsanschlußteile (2) des Chips einer integrierten Schaltung aufgebracht wird und daß die Verbindungsanschlußteile (2) mit Verbindungsanschlüssen (5) auf einer Schaltungsunterlage (4) verbunden werden.München: Kramer · Dr.Weser - Hirsch — Wiesbaden: Blumbach · Or. Bergen · Zwirner709827/0709
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15756575A JPS5279773A (en) | 1975-12-26 | 1975-12-26 | Bonding method of ic |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2658302A1 true DE2658302A1 (de) | 1977-07-07 |
Family
ID=15652450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762658302 Ceased DE2658302A1 (de) | 1975-12-26 | 1976-12-22 | Verfahren zum bonden von integrierten schaltungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5279773A (de) |
DE (1) | DE2658302A1 (de) |
GB (1) | GB1525148A (de) |
HK (1) | HK8681A (de) |
MY (1) | MY8100339A (de) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0033420A1 (de) * | 1980-02-04 | 1981-08-12 | Rte Corporation | Zusammenbau von Ableitblöcken und spaltloser Überspannungsableiter mit diesem Zusammenbau |
DE3141056A1 (de) * | 1980-10-20 | 1982-05-13 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleitervorrichtung |
EP0299894A1 (de) * | 1987-07-16 | 1989-01-18 | STMicroelectronics S.A. | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zu einem Kontaktstift auf einer integrierten Schaltung und zugehörige Kontaktstruktur |
WO1992007378A1 (de) * | 1990-10-12 | 1992-04-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung einer hybriden halbleiterstruktur und nach dem verfahren hergestellte halbleiterstruktur |
EP0586243A1 (de) * | 1992-09-03 | 1994-03-09 | AT&T Corp. | Methode und Apparat zur Montage von Multichip-Modulen |
WO1995005675A1 (en) * | 1993-08-17 | 1995-02-23 | Epoxy Technology, Inc. | Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates |
EP0506859B1 (de) * | 1989-12-18 | 1996-05-22 | Epoxy Technology, Inc. | Flip-chip-technologie mit elektrisch leitenden polymeren und dielektrika |
US5611140A (en) * | 1989-12-18 | 1997-03-18 | Epoxy Technology, Inc. | Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates |
US5866951A (en) * | 1990-10-12 | 1999-02-02 | Robert Bosch Gmbh | Hybrid circuit with an electrically conductive adhesive |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2492164B1 (fr) * | 1980-10-15 | 1987-01-23 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation simultanee de liaisons electriques multiples, notamment pour le raccordement electrique d'une micro-plaquette de semiconducteurs |
US6221752B1 (en) * | 1998-08-20 | 2001-04-24 | United Microelectronics Corp. | Method of mending erosion of bonding pad |
-
1975
- 1975-12-26 JP JP15756575A patent/JPS5279773A/ja active Pending
-
1976
- 1976-12-08 GB GB5124176A patent/GB1525148A/en not_active Expired
- 1976-12-22 DE DE19762658302 patent/DE2658302A1/de not_active Ceased
-
1981
- 1981-03-12 HK HK8681A patent/HK8681A/xx unknown
- 1981-12-30 MY MY8100339A patent/MY8100339A/xx unknown
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0033420A1 (de) * | 1980-02-04 | 1981-08-12 | Rte Corporation | Zusammenbau von Ableitblöcken und spaltloser Überspannungsableiter mit diesem Zusammenbau |
DE3141056A1 (de) * | 1980-10-20 | 1982-05-13 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleitervorrichtung |
EP0299894A1 (de) * | 1987-07-16 | 1989-01-18 | STMicroelectronics S.A. | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zu einem Kontaktstift auf einer integrierten Schaltung und zugehörige Kontaktstruktur |
FR2618254A1 (fr) * | 1987-07-16 | 1989-01-20 | Thomson Semiconducteurs | Procede et structure de prise de contact sur des plots de circuit integre. |
US4914057A (en) * | 1987-07-16 | 1990-04-03 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Contacting method and structure for integrated circuit pads |
US6138348A (en) * | 1989-12-18 | 2000-10-31 | Polymer Flip Chip Corporation | Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates |
EP0506859B1 (de) * | 1989-12-18 | 1996-05-22 | Epoxy Technology, Inc. | Flip-chip-technologie mit elektrisch leitenden polymeren und dielektrika |
US5879761A (en) * | 1989-12-18 | 1999-03-09 | Polymer Flip Chip Corporation | Method for forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates |
US5611140A (en) * | 1989-12-18 | 1997-03-18 | Epoxy Technology, Inc. | Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates |
US5866951A (en) * | 1990-10-12 | 1999-02-02 | Robert Bosch Gmbh | Hybrid circuit with an electrically conductive adhesive |
WO1992007378A1 (de) * | 1990-10-12 | 1992-04-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung einer hybriden halbleiterstruktur und nach dem verfahren hergestellte halbleiterstruktur |
EP0586243A1 (de) * | 1992-09-03 | 1994-03-09 | AT&T Corp. | Methode und Apparat zur Montage von Multichip-Modulen |
US5564617A (en) * | 1992-09-03 | 1996-10-15 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for assembling multichip modules |
US6077725A (en) * | 1992-09-03 | 2000-06-20 | Lucent Technologies Inc | Method for assembling multichip modules |
WO1995005675A1 (en) * | 1993-08-17 | 1995-02-23 | Epoxy Technology, Inc. | Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5279773A (en) | 1977-07-05 |
MY8100339A (en) | 1981-12-31 |
HK8681A (en) | 1981-03-20 |
GB1525148A (en) | 1978-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2044494B2 (de) | Anschlussflaechen zum anloeten von halbleiterbausteinen in flip chip technik | |
DE69434049T2 (de) | Keramisches Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3140348A1 (de) | Verfahren zur gleichzeitigen herstellung mehrfacher elektrischer verbindungen, insbesondere zum elektrischen anschluss eines halbleiterbauelementes | |
DE3014422A1 (de) | Auf gedruckter schaltungsplatine angeordnete elektronische schaltungsanordnung, sowie verfahren zu deren herstellung | |
DE2658302A1 (de) | Verfahren zum bonden von integrierten schaltungen | |
DE1956501C3 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung | |
DE1765164B2 (de) | Verfahren zur bindung von stromleitern | |
DE69722661T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
DE2059919A1 (de) | Transparenter Isolierungswerkstoff fuer den Siebdruck | |
DE1916789A1 (de) | Nach der Einbrennmethode hergestellte Mehrschicht-Dickfilm-Integrierte-Hybrid-Schaltung | |
DE2441207A1 (de) | Edelmetallhaltige pulver | |
DE3929789C2 (de) | Schaltkreissubstrat für Dickfilmschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2125026C3 (de) | Verwendung von Metallpulver auf Nickelbasis zur Herstellung von gesinterten Befestigungsbiöcken für Chips integrierter Schaltkreise mit Aluminiumleitbahnen | |
DE1915148A1 (de) | Verfahren zur Herstellung metallischer Hoecker bei Halbleiteranordnungen od.dgl. | |
DE2301277A1 (de) | Verfahren zum herstellen mehrschichtiger verbindungskonstruktionen, z.b. fuer integrierte halbleiterschaltkreise | |
DE2354256A1 (de) | Verfahren zum kontaktieren eines halbleiterbauelementes | |
DE2461641A1 (de) | Edelmetallhaltige stoffzusammensetzung | |
DE2303158A1 (de) | Verfahren zur herstellung von anschlussplatten | |
DE2415120A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterchips tragenden chiptraegern | |
WO1999012198A1 (de) | Verfahren zur verbindung von elektronischen bauelementen mit einem trägersubstrat | |
DE102016112390B4 (de) | Lötpad und Verfahren zum Verbessern der Lötpadoberfläche | |
DE4334715B4 (de) | Verfahren zur Montage von mit elektrischen Anschlüssen versehenen Bauteilen | |
DD295499A5 (de) | Verfahren zum fertigen von verdrahtungstraegern mit draehten | |
DE2150818A1 (de) | Verloeten von bauteilen auf dickfilmschaltungen | |
DE102021115974A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer kupferbasierten, elektrisch leitfähigen Kontaktfläche |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA SUWA SEIKOSHA, SHINJUKU, TOKIO/TO |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W. |
|
8131 | Rejection |