DE2649134A1 - Verfahren zur ionenimplantation in halbleitersubstrate - Google Patents

Verfahren zur ionenimplantation in halbleitersubstrate

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DE2649134A1
DE2649134A1 DE19762649134 DE2649134A DE2649134A1 DE 2649134 A1 DE2649134 A1 DE 2649134A1 DE 19762649134 DE19762649134 DE 19762649134 DE 2649134 A DE2649134 A DE 2649134A DE 2649134 A1 DE2649134 A1 DE 2649134A1
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DE
Germany
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angle
implantation
deviates
layer
ion implantation
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Ceased
Application number
DE19762649134
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German (de)
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Inventor
Yasuo Hayashi
Hideo Kubota
Nobumichi Okazaki
Seiichi Watanabe
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H10D1/64—Variable-capacitance diodes, e.g. varactors 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
    • H10P30/20—
    • H10P30/212—
    • H10P30/222—

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NL7611983A (nl) 1977-05-02
FR2330143B3 (enExample) 1979-07-13
JPS5834931B2 (ja) 1983-07-29
JPS5253658A (en) 1977-04-30

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