DE2634095A1 - Verfahren zum herstellen integrierter schaltungen - Google Patents
Verfahren zum herstellen integrierter schaltungenInfo
- Publication number
- DE2634095A1 DE2634095A1 DE19762634095 DE2634095A DE2634095A1 DE 2634095 A1 DE2634095 A1 DE 2634095A1 DE 19762634095 DE19762634095 DE 19762634095 DE 2634095 A DE2634095 A DE 2634095A DE 2634095 A1 DE2634095 A1 DE 2634095A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solution
- layer
- edges
- steps
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JKGITWJSGDFJKO-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trihydroxy)silane Chemical compound CCO[Si](O)(O)O JKGITWJSGDFJKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
- "Verfahren zum Herstellen integrierter
- Schaltungen Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
- Integrierte Schaltungen weisen heute eine packungsdichte von 1000 bis etws 10.000 Einzelelemente pro Chip auf. Dir Einzelbauelemente werden gemeinsam in einem Prozeßgang bergestellt und zum Schluß durch Leiterbahnen verbunden. Die für die L;er stellung einer integrierten Schaltung erforderlichen Verfatrensachritte umfassen Diffusionsprozesse, Abscheidungen aue der Gasphase und Aufdampfprozesse. Durch Mask-rungs- und Atzprozesse werden die gewünschten Strukturen erzeugt. Zwer wird zur Herstellung die sogenannte Planartechnik verwendet, doch läßt es sich insbesondere im Vorlauf von Atzprozessen nicht vermeiden, daß auf der Chipoberfläche ein Stufen und Kanten enthaltender Schichtaufbau entsteht. Die dabei vorhandenen Höhenunterschiede sind zwar gering im Vergleich zur lateralen Assdehnung der Strukturen; sie können bei nachfolgenden Absuheidungs- und Aufdampfungsprozessen dennoch zu einer mangelhaften Kantenbedeckung führen. Besteht ein Folgeprozeß beispielsweise au einer Abscheidung einer dielektrischen Schicht, so können an schlecht bedeckten Kanten elektrische Durchbrüche auftreten; werden andererseits Leiterbahnen über die Kanten gefünrt, so können diese eingeschnürt oder ganz unterbrochen sein. Es treten also Fehler auf, die zum Ausfall eines Bauelements und sogar der ganzen integrierten Schaltung führen können Zur Verringerung der Nachteile der in der Fachwelt auch unter dem Begriff "Steilkantenproblem" bekannten Erscheinung wurden bereits mehrere Lösungsmöglichkeiten vorgeschlagen.
- Schrägung der Kanten, insbesondere der Oxidkanten durch Ätzen in erwärmter gepufferter Flußsäure: Dadurch wird jedoch der Ilatznedarf einer Schaltung vergrößert. Beheizen des Substrats wrea es Aufdampfens : Man läuft dabei Gefahr, Verunreiigungen in die Schicht einzubauen. Neben dem größeren apparativen Aufwand ist auch die damit erzielte grobkörnige Struktur Qs a's Leiterbahn verwendeten Aluminiums nachteilig. Man bekommt Schwierigkeiten mit der Fotolackhaftung und Ätzung. Einennen von Stufen durch die sogenannte "Reflow-Technik" : Dazu wirc ein hochphosphorhaltiges Oxidglas auf der Scheibe aufgebra@ht. Lie hobe Phosphorkonzentration führt zu Schwierigkeiten, da dIese Schicht sehr feuchtigkeitsempfindlich ist. Die dustrierung einer Folgemaske wird erschwert, da durch das zerlaufent Glas auch die Justiermarken nicht mehr deutlich sichtbar sic. Beim Ätzen z.B. von Kontaktfenstern wird durch die hohe Ätzrate des Phosphorglases eine starke Unterätzung bewirkt. Zusammenfassend ist zu sagen, daß alle diese Lösungs- möglichkeiten noch nicht in befriedigender Weise zu einer Beseitigung der Ausfallursachen geführt haben.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die bei der Herstellung von integrierten Schaltungen auftretenden Feblerquellen, die durch steile Kanten und Höbenunters@biede bedingt sind, zu vermindern Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
- Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den in den Unreransprüchen enthaltenen Merkmalen hervor.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Stufen und Kanten enthaltende Oberfläche einer strukturierten Halbleiterscheibe mit sogenannter KE-Lösung ausgefüllt. KE-Lösung besteht aus Kiesalsäureäthylester gelöst in einem organischen Lörungsmittel und einer bestimmten Menge Wasser. Auf die ZZ,UF S.SCr. ,e+ZUng dieser Lösung wird weiter unten noch eingegangen. Beim Aufsch leudern a,f eine Halbleiterscheibe entsteht aus einer solchen Lösung eine Siliciumdioxidschicht. Infolge der Zäsigkeit der Lösung werden nun an staukturierten Halbleitersc@neiben die Kanten einer Stufe mit etwas mehr Siliciumdioxid a@sgefüllt als an glatten Flächen abgeschieden wird. Das fünrt zu einer nachträglichen Schrägung der Kanten, jetzt ater Chne Platzverlust für die Schaltung.
- Beim Aufbringen von Leiterbahnen durch einen Aufdampfprozeß, beilspielsweise, geht diesem meist eine pyrolytische Abscheidung von Siliciumdioxid voraus, um eine galvanische Trennung zwischen den Bauelementen und der darüber liegenden Leiterbahnebene zu erreichen. Dadurch wird man bei der Führung der Loiterbahnen frei von der Anordnung der darunterliegenden Bauelemente. Die Verbindung zu bestimmten beuelementen ourch das trennende Oxid wird über Kontaktfenster ausgefuhrt. Es ist nun zweckmäßig, die Einebnung von vorhandenen Kanten bereits vor der Abscheidung des pyrolytischen Oxids vorzunehmen An steilen und scharfen Kanten bilden sich nämlich sogenannte Wülste, die nachträglich durch KE-Lösung auch nicht mehr völlig ausgeglichen werden können. Sind hIngegen die Kanten bereits vor der Abscheidung eingeebnet, so schmiegt sich das abgeschiedene Oxid dieser Struktur völlig an, und es bestehen keinerleil Steilkantenprobleme bei einer nachfolgenden Aluminiumbedampfung.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand ciniger bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben. Dabei wird auch auf die Zeichnung Bezug genommen.
- Ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung (Fig. 1), betrifft insbesondere die Herstellung einer Leiterbahnebene bei eiper MCS-Transistoren enthaltenden integrierten Schaltung.
- Beim Silicongate-Prozeß bestebt das Problem, aluminiurleiterbahnen über Stufen von Feldoxid und polykristallires Silicium zu führen. In Fig. 1 ist die kritische Schichtstruktur dargestellt Sie entsteht auf folgende Weise. Das Siliciumgrundmaterial 1 wird thermisch oxidiert. Dabei entsteht eine 0,1 bis 1,2 µm dicke Feldoxidschicht 2, in die mit Hilfe der Fotolacktechnik aktive Bereiche 3 ausgeätzt werden (Fig. la).
- Durch einen weiteren Oxidationsprozeß werden die freiliegenden Teile der Siliciumoberfläche, das sind die aktiven Zonen, mit einer weiteren Slliciumdioxidschicht, dem Gateoxid 4,versehen. Darüber wird eine in der Regel etwa 0,5/um dicke polykristalline Siliciumschicht 5 abgeschieden (Figur Ib). Durch einen Maskierungs- und Ätzvorgang wird das polykristalline Silicium 5 strukturiert. Die zurückbleibenden polykristallinen Siliciumflächen nehmen zwei verschiedene Funktionen im Aufbau des Schaltkreises ein Auf dem Feldoxid 2 verlaufende Teile des polykristallinen Siliciums 5a (Fig. 1c, Fig. 1d) haben die Aufgabe von Leiterbahnen, während Teilstücke 5b vonpolykristallinem Silicium auf dem Gateoxid 4 die Metallelektrode eines MOS-Transistors darstellen. In Fig. le ist das Gateoxid, das in Fig. Ib auch Drain- und Sourcezone 6 bzw. 7 bedeckt, bereits abgenommen und die Diffusion durchgeführt Dabei geht auch ein Teil des Feldoxids (wie in Fig. 1c angedeutet) verloren Fig. 1c stellt nun denjenigen Zustand dar, der vorliegt, wenn pyrolytisches Oxid abgeschieden werden soll, um die Diffusionszonen sowie die polykristallinen Siliciumbahnen von der aus Aluminium bestehenden Leiterbahnschicht zu trennen. Die Bedeckung der vorhandenen steilen Kanten durch Oxid ist schwierig und nicht zuverlässig zu erreichen. Wird jedoch in diesem Stadium erfindungsgemäß KE-Lösung aufgebracht, so entsteht eine erste Oxidschicht 8, die die Stufen ausfüllt und die Kanten bedeckt (Fig. 1d0. Eine anschließende Abscheidung von SiO2 ist problemlos. Da sich dabei keine Wülste ausbilden und die Kanten durch diesen Vorgang abgeschrägt werden, ist Auch das Aufdampfen von Aluminium mit den gängigen Methoden problemlos.
- Die mehrebenenverdrahtung, das heißt das Überkreuzen von Aluminiumleiterbahnen in mindestens zwei übereinanderliegenden Ebenen, bat sich bisher nicht durchgesetzt, da sich beim Beschichten von Aluminiumleitbahnen der unteren Ebene mit SiO2 starke Wülste an den Aluminiumkanten bilden. Dies kann durch Einebnen mit KE-Lösung verhindert werden. Auch bei Aufbringen von Abdeckoxid auf bereits vorhandene Leiterbahnen, wodurch hauptsächlich ein mechanischer Schutz der Chipoberfläche ereeicht werden soll, bestehen ähnliche Probleme. Vorbe-Weise rige Einebnung mit Lösung kann auf vorteilhafte/die Stabilität der Deckoxidschicht und damit deren Schutzfunktion gegen Umgchungseinflüsse erböhen.
- Die Anwendung von KE-Lösung bringt keinen nennenswerten Mehraufwand mit sich Sie wird mit einer in jedem Halbleiterlabor vorhandenen Fotolackschleuder aufgebracht. Die KE-Lösung ist billig und einfach zu handhaben. Versuche haben ergeben, daß die auf diese Weise frisch aufgebrachte SiO2 Schi@tt keiner Temperung bei erhöhten Temperaturen (T>800°C) bedarf. Im Gegenteil, die Temperung würde den ausgleichenden Effekt der zusätzlich aufgebrachten Schicht vermindern. Auch verbietet sie sich bei den letztgenannten beiden Ausführungsbeispielen. Offensichtlich reicht die Temperaturerhöhung während der SiO2-Abscheidung aus.
- Die verwendete KE-Lösung besteht aus Kieselsäureätbylester, der unter Zusatz von Wasser in einem organischen Lösungsmitteil gelöst ist. Sie entspricht in ihrer Zusammensetzung etwa der aus der DT-OS 2 447 204 bekannten Dotierlösung mit dem Unterschied, daß als Hydrolysebeschleuniger zweckmäßig ausschließlich 0,1 N HNO3 zur anwendung gelangt.
- Die Zusammensetzung der KE-Lösung kann in relativ weiten Grenzen verändert werden. Als organisches Lösungsmittel eignet sich Propanol-2. Besonders gute Ergebnisse lassen sich mit einer Lösung erzielen, die Kieselsäureäthylester, Propanol-2 und 0,1N HNO3 in einem Volumenverhältnis von 3 : 6 : 2 enthält. Die Verdünnung der Lösung ist eingeschränkt durch die Bedingung, daß noch ausreichend dicke Schichten ausgebildet werdon Andererseits werden bei zu konzentrierten Ansätzen die Schichten zu dick, so daß sie unter Umständen reißen. Naturgemäß wird an den Kanten die aufgebrachte Oxidschicht dikker sein, es besteht daher dort die größte Gefahr der Rißbildung. Zweckmäßig kann diese Rißbildung durch Zusatz von Glasbildnern, wie z.B. Bleisalzen, zur KE-Lösung vermieden werden Gegebenenfalls erweist es sich als vorteilhaft, der KE-Lösung zur\ Vergrößerung der Stabilität und Beständigkeit der integrierten Schaltung weitere Stoffe, wie beispielsweise P, B oder Al hinzuzufügen.
- Es ist weiterhin möglich, die Lösung als Diffusionsquelle zu benutzen. Verwendet man in dem in Fig. 1 beschriebenen Ausführungsbeispiel statt einer undotierten Schicht 8 eine bor- oder phosphordotierte Schicht, so kann diese einebnende Schicht 8 zugleich als Diffusionsquelle verwendet werden.
- Der nach Darstellung von Fig. 1c bereits separat durchgeführte Diffusionsprozeß entfällt dann, und die Drain- und Sourcezonen 6, 7 werden erst nach Aufbringen der dotierten Schicht während eines nachfolgenden Temperprozesses gebildet. Neben Verwendung der kostensparenden Solid-to-Solid-Diffusion hat man sich damit eine Reihe von Prozeßschritten erspart, z.B.
- Vordiffusion, Nachdiffusion, Bor- bzw. Phosphorglasabnahme, Reinigungsschritte.
- L e e r s e i t e
Claims (11)
- Patentansprüche 1. Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen, bei auf einer Halbleiterscheibe durch Diffusions-, Abscheidungs- und/oder Aufdampfungsprozesse, sowie Maskierungs-und Atzprozesse eine Vielzahl von Bauelementen entsteht, die Stufen unterschiedlicher Höhe und steil abfallende Kanten zeigen, dadurch gekennzeichnet, daß zur Einebnung 1 der Stufen und zur Abflachung des Kantenprofils auf die strukturierte Halbleiterscheibe in der Weise eine ausgleichende Deckschicht aufgebracht wird, daß die Oberfläche der Halbleiterscheibe mit einer Lösung bedeckt wird, die sich beim Abschleudern zu einer Siliciumdloxiddeckschicht zersetzt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung der Lösung so ge@ählt wird, daß in den von Randflächen gebildeten Winkeln der strukturierten Halbleiterscheibe eine stärkere Schichtbildung erfolgt als auf den Berandungsflächen.
- 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Lösung zum Aufbringen der Schicht eine Lösung von Kieselsäureäthylester gelöst in Propanol-2 und vermischt mit 0,1 N HNO3 verwendet wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Zusammensetzung der Lösung Kieselsäureäthylester:Propanol-2: 0,1 N HNO gleich 3:6:2 Volumenteile beträgt.
- 3 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Aufschleudervorgang zum Ausgleich der Stufen und Kanten vor einem CVD-Prozeß zum Abscheiden von Siliciumdioxid erfolgt.
- 6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufen und Kanten ausgleichende Deckschicht im Silikongateprozeß zur Ausbildung einer dielektrischen Trennschicht zwischen der Ebene des polykristallinen Siliciums und der Aluminiumleiterbahnebene angeordnet wird.
- 7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgleichsschicht bei der Mehrebenenverdrahtung zur Ausbildung einer dielektrischen Schicht zwischen zwei Aluminiumleiterbahnebenen angeordnet wird.
- 8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgleichsschicht als Abdeck- und Schutzschicht der integrierten Schaltung dient.
- 9. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Lösung zur Verbesserung der glasbildenden Eigenschaften Glasbildner, insbesondere Bleisalze zugesetzt werden.
- 10. Verfahren nach den Araprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Fördetung der Bauelementabilitä der Lösung Fremdstoffe zugefügt werden, insbesondere P, B, Al.
- 11. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Lösung Dotierungsmittelanteile hinzugefügt werden1 so daß die aus der Lösung gebildete einebnende Schicht als Diffusionsquelle verwendbar ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2634095A DE2634095C2 (de) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | Verfahren zur Abflachung und Einebnung von Stufen auf der Oberfläche einer integrierte Schaltungen aufweisenden Halbleiterscheibe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2634095A DE2634095C2 (de) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | Verfahren zur Abflachung und Einebnung von Stufen auf der Oberfläche einer integrierte Schaltungen aufweisenden Halbleiterscheibe |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2634095A1 true DE2634095A1 (de) | 1978-02-02 |
| DE2634095C2 DE2634095C2 (de) | 1982-11-04 |
Family
ID=5984225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2634095A Expired DE2634095C2 (de) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | Verfahren zur Abflachung und Einebnung von Stufen auf der Oberfläche einer integrierte Schaltungen aufweisenden Halbleiterscheibe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2634095C2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710264A (en) * | 1984-06-07 | 1987-12-01 | Telefunken Electronic Gmbh | Process for manufacturing a semiconductor arrangement |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3345040A1 (de) * | 1983-12-13 | 1985-06-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung einer eingeebneten, die zwei metallisierungen trennenden anorganischen isolationsschicht unter verwendung von polyimid |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2040180A1 (de) * | 1970-01-22 | 1971-07-29 | Intel Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit bruchsicheren Schichten und Halbleitervorrichtung |
-
1976
- 1976-07-29 DE DE2634095A patent/DE2634095C2/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2040180A1 (de) * | 1970-01-22 | 1971-07-29 | Intel Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit bruchsicheren Schichten und Halbleitervorrichtung |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710264A (en) * | 1984-06-07 | 1987-12-01 | Telefunken Electronic Gmbh | Process for manufacturing a semiconductor arrangement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2634095C2 (de) | 1982-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3021206C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen auf Halbleiterbauelementen | |
| DE2832740C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer Mehrebenenverdrahtung | |
| DE2040180A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit bruchsicheren Schichten und Halbleitervorrichtung | |
| DE2153103A1 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE2534158A1 (de) | Halbleiteraufbau und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE4125221A1 (de) | Verfahren zur bildung einer mehrstufenverbindung in einer halbleitereinrichtung | |
| DE2439300A1 (de) | Verfahren zum aetzen abgeschraegter raender, insbesondere an siliziumoxidschichten | |
| DE3688219T2 (de) | Germaniumsilikatgläser hergestellt durch ein Schleuderverfahren. | |
| DE60126207T2 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
| DE2230171A1 (de) | Verfahren zum herstellen von streifenleitern fuer halbleiterbauteile | |
| DE19654096A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| DE2634095A1 (de) | Verfahren zum herstellen integrierter schaltungen | |
| DE3007500A1 (de) | Verfahren zum passivieren eines integrierten schaltkreises | |
| DE3145850A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
| DE2703618A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung | |
| DE1764937C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Isolationsschichten zwischen mehrschichtig übereinander angeordneten metallischen Leitungsverbindungen für eine Halbleiteranordnung | |
| DE2130928A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2302264A1 (de) | Dicken-oxidierungsprozess zur verbesserung der metallablagerung und der stabilitaet von halbleitereinrichtungen | |
| DE3132645C2 (de) | ||
| DE2723499A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines fensters in einer isolierschicht bei halbleiteranordnungen | |
| EP0347518A1 (de) | Passivierung eines Halbleiterbauelementes | |
| DE1564849C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht auf einem Halbleiterkörper | |
| DE1621522A1 (de) | Verfahren zum Einbringen von nicht als Diffusionsmaske wirkenden Schichten oder OEffnungen in eine,einen Halbleiterkoerper bedeckende Siliziumnitridschicht | |
| DE2507344A1 (de) | Verfahren zum diffundieren von verunreinigungen in ein substrat | |
| DE2929077A1 (de) | Verfahren zum herstellen von integrierten mos-halbleiterschaltungen nach der doppel-silizium-gate-technologie |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAP | Request for examination filed | ||
| OD | Request for examination | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |