DE2632248C2 - Verfahren zur Herstellung einer Anzahl von Infrarotdetektorelementen - Google Patents

Description

a) von einer auf dem Trägerkörper (5) befestigten Scheibe il) geeigneter Dicke ausgegangen und zunächsi eine erste Anzahl parallel verlaufender Kanäle (8) gebildet wird, die das Scheibenmaterial zerteilen, um auf dem Trägerkörper (5) eine Anzahl in etwa paralleler streifenförmiger Teile (9) aus dem infrarotempfindlichen Material zu erzeugen;

b) dann eine Behandlung zur Herabsetzung der Dicke der streifenförmigen Teile (9) durchgeführt wird, wodurch eine Abrundung der freiliegenden Längsränder der streifenförmigen Teile (9) erzielt wird,

c) dann eine zweite Anzahl in etwa parallel verlaufender Kanäle (10) ».1 dem /-'hcibenmaterial der streifenförmigen Teib (9) in einer zu der Längsrichtung der streifenförmig« Teile (9) in etwa senkrechten Richtung gebildet wird, wodurch auf dem Trägerkörper (5) eine Matrix nahezu rechteckiger Elcmcntkörpcr erzeugt wird, die jeweils abgerundete Ränder auf nur /wei gegenüberliegenden Seilen aufweisen, und

d) danach die elektrischen Konlaktschichten (20, 21) abgelagert werden, die sich über die abgerundeten Rändererstrecken.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Befestigung der Scheibe (1) aus infrarotempfindlichem Material auf dem Trägerkörper (5) die Scheibe einer Oxidationsbehandlung unterworfen wird, um eine Oxidschicht auf der auf dem Trägerkörper zu befestigenden Oberfläche der Scheibe zu bilden.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem die Dicke der Scheibe durch Polieren und Ätzen herabgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung zur Herabsetzung der Dicke der s'reifenförmigen Teile (9) und zum Erhalten einer Abrundung der freiliegenden Längsränder der streifenförmigen Teile (9) die Kombination eines Poliervorganges und eines anschließenden Ätzvorganges umfaßt. bo

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis J, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Bildung der zweiten Anzahl von Kanälen (10) in dem Scheibcnmaterial freiliegende Obcrflächentcilc der Elcmentkörper einer Passivierungsbehandlung unterworfen bs werden.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar vor der Passivierungsbehandlung die freiligenden Oberflächenteile der Elementkörper einer Ätzbehandlung unterworfen werden.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsbehandlung auf mittig liegende Oberflächengebiete (17) der Elementkörper beschränkt wird, wobei diese Gebiete durch Maskierungsschichtteile (15) definiert werden, die sich auf gegenüberliegenden Seiten dieser Gebiete (17) über die abgerundeten Ränder der Elementkörper erstrecken.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Passivierungsbehandlung und vor dem Aufbringen d:r Kontaktschichten (21, 22) die genannten Maskierungsschichtteile entfernt werden und eine weitere Maskierungsschicht derart aufgebracht wird, daß jedes passivierte Oberflächengebiel (17) mit einem Maskierungsschichtteil (18) überzogen ist bis auf zwei gegenüberliegende periphere streifenförmige Teile, die sich nahezu parallel zu den abgerundeten Rändern der Elementkörper erstrecken, und daß anschließend eine Materiaientfernungsbehandlung an diesen freiliegenden steifenförmigen Teilen der passivierten Oberflächengebiete (17) durchgeführt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Materialentfernungsbehandlung aus einem Poliervorgang besteht

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend die elektrischen Kontaktschichten (21,22) auf den freiliegenden Oberflächenteilen der Elementkörper und den Maskierungsschichtteilen (18) der weiteren Maskierungsschicht abgelagert werden, wonach die aus Photolack bestehende weitere Maskierungsschicht (18) und das darauf abgelagerte elektrisch leitende Material (20) auf chemischem Wege entfernt werden.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9. dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen der Kontaktschichten (21, 22) die Elementkörper einzeln durch mechanische Mittel von dem Trägerkörper (5) entfernt werden.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die erste Anzahl parallel verlaufender Kanäle (8) in der Scheibe mit einem in etwa gleichmäßigen gegenseitigen Abstand gebildet wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11. dadurch gekennzeichnet, daß das infrarotempfindliche Material Kadmiumquecksilbertellurid ist.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Anzahl von Infrarotdetekiorelemenien entsprechend dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Ein Verfahren dieser Art ist aus »Semiconductors and Scmimetals«. Willardson u. Beer (Ed.), Volume 5. New York 1970. Seite 245-247. bekannt.

Die Herstellung von Infrurotdctckiöranordnungvn umfaßt die Bildung von Infraroldeicktorelemcntcn. die Anbringung der Elemente auf gecigcnten Substraten, die Bildung elektrischer Anschlüsse an den Elementen, die Prüfung der mit diesen Anschlüssen versehenen Elemente und schließlich die endgültige Unterbringung der Elemente samt den Kontakten in einer geeigneten Umhüllung, lnfrarotdetekloranordnungen enthalten in gc-

wissen Ausführungen nur ein einziges Infrarotdetektorelement und in anderen Ausführungen eine Anzahl von Infrarotdetektorelementen, die z. B. gemäß einer linearen Matrix angeordnet sind. Für Anordnungen, deren Wirkung von der Eigenphotoleitfähigkeit des für Infrarot empfindlichen Materials abhängt, umfaßt die Herstellung der Elemente Schritte, vvie Vorbereitung von Material, Definition von Elementen durch eine Kombination von Ätz- und Poliertechniken, Oberflächenbehandlungen und das Anbringen von Kontaktschiditen. Für einige Infrarotdetektoranordnungen läßt sich das verwendete infrarotempfindliche Material, ζ B. Kadmiumquecksilbertellurid, schwer vorbereiten und ist teuer. Daher sind alle Schritte bei der Herstellung von Elementen, die zu Einsparungen beim Gebrauch eines solchen Materials führen, von großem Interesse. Es ergibt sich aber das Problem, daß sehr verschiedene Anforderungen für verschiedene Größen und Eigenschaften der Elemente und Montagekonfigurationen, abhängig von der betreffenden herzustellenden Infrarotdetektoranordnung, zutreffen können; z. B. kann die Größe des empfindlichen Gebietes der Elemente nur 25 μπι - 25 μπι, aber auch 2 mm · 2 mm sein. Lnii der Bildung des Elements oder Elemente aus einer Scheibe des infrarotempfindlichen Materials ist es also kostspielig, wenn für jede andere Konfiguration eine neue Scheibe dieses Materials als Ausgangskörper verwendet werden muß. Für die Herstellung der Anordnungen mit einer Matrix von Infrarotdetektorelementen ergibt sich in bezug auf die Ausbeute weiter ein Problem, wenn, wie üblich, die Matrix die Anordnung von Detektorelementen in einer oder mehreren Gruppen enthält, die je in einem gemeinsamen Körper aus dem infrarotempfindlichen Material gebildet werden. Diese sogenannte »monolithische« Annäherung der Herstellung einer Gruppe von Detektorelementen ergibt viele Probleme. Wenn z. B. eine Gruppe von ichn Elementen in einem einzigen kammartigen Körper gebildet wird, ergibt sich das Problem, daß, wenn nach der Montage und der Anbringung elekHscher Anschlüsse, gefunden wird, daß bei Prüfung eines der Elemente einer Gruppe fehlerhaft ist, die ganze Gruppe ersetzt werden muß. Andere Probleme ergeben sich bei der sogenannten monolithischen Annäherung, insbesondere im Zusammenhang mit dem gegenseitigen Abstand der einzelnen Elemente einer in einem gemeinsamen Körper gebildeten Gruppe. Wenn der gegenseitige Abstand der aktiven Oberflächengebiete der Elemente in einem solchen Körper durch einen Ätzvorgang definiert wird, gibt es eine Beschränkung für den Mindestabstand, der erreichbar ist, weil im allgemeinen beim Ätzen des Körpers aus infrarotempfindlichem Material die Brehe eines Kanals normalerweise viel größer als die Dicke des Körpers sein wird. Sogar wenn die Dicke des Körpers auf 6 μίτι herabgesetzt wird, kann nicht leicht durch Ätzen ein gegenseitiger Abstand einzelner Elemente von weniger als 12 μτη erzielt v/erden. Außerdem kann, wenn derart verfahren wird, daß die einzelnen Körper definiert werden, bevor ihre Dicke endgültig herabgesetzt wird, die Behandlung und weitere Verarbeitung von Körpern einer so geringen Dicke große Schwierigkeiten bereiten.

Ein anderes Problem, das sich sowohl bei nur ein einziges Element enthaltenden Anordnungen als auch in Matrizen ergibt, ist die Anbringung elektrischer Anschlüsse an dem oder jedem einzelnen Infrarotdetektoretement. Bisher wurde, dies dadurch erzielt, daß Drahtleiter auf metallisierten Oherflächenteilen des Elements oder der Elemente, z. B. durch einen Thermokompressionsvorgang oder einen Lötvorgang, miteinander verbunden werden. Infolge der Verformung des Drahtendes, das dem Verbindungsvorgang unterwerfen wird, wie es z. B. beim Nagelkopfverbinden der Fall ist, müssen Maßnahmen getroffen werden, um zu sichern, daß das Gebiet des Teiles des Elements, mit dem der Draht verbunden wird, genügend groß ist. um das endgültig verformte Drahtende aufzunehmen, derart, daß dieses verformte Drahtende völlig auf dem Element liegt. Die

ίο Konfiguration des Elements kann dadurch zu kompliziert werden, während weitere Beschränkungen in bezug auf den mindesterreichbaren Abstand zwischen benachbarten Elementen in einer Matrix auftreten. Auch ergeben sich Probleme, wenn die anderen Enden der Drahtleiter, z. B. durch Verlöten mit Durchführungsleitern, miteinander verbunden werden.

Ein weiteres mit der sogenannten monolithischen Annäherung einhergehendes Problem bei dsr Herstellung von Elementen ergibt sich, wenn es erwünscht ist, mehrere Elemente enthaltende Deketoranordnungen herzustellen, bei denen der gegenseitige AbstsM der Elemente, z. B. in einer linearen Matrix nicht g,?ichmäß!g ist Dieser ungleichmäßige Abstand kann z. B. erwünscht sein, wenn verschiedene Auflösungsgrade für verschiedene Teile der Matrix von Detektorelementen erforderlich sind. Die Bildung einer Anzahl von Elementen in einem einzigen Körper mit verschiedenen Abständen zwischen Elementen bei verschiedenen Teilen der Matrix ergibt viele Schwierigkeiten und kann in bezug auf das erforderliche Material besonders kostspielig sein.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so auszubilden, daß mit einem minimalen Aufwand an Material und Verfahrensschritten einfach zu kontaktierende Infrarotdetektorelemente hergestellt werden können, die einen sehr geringen und gegebenenfalls variablen gegenseitigen Abstand haben.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 enthaüenen Merkmale gelöst.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus de.i Unteransprüchen.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann große Vorteile in bezug auf Materialeinsparungen, Flexibilität bei der Bildung von Elementen mit verschiedenen empfindlichen Gebieten, vergrößerte Detektorleistung, e.nen geringen gegenseitigen Abstand von Elementen in mehrere Elemente enthaltenden Anordnungen und die Anbringung äußerer elektrischer Anschlüsse bieten, wie nachstehend noch beschrieben wird. Mit diesem Verfahren werden die Elemente in einzelner Form und nicht als ein monolithisches GeDÜde erhalten, in der Weise, daß ihr weiterer Zusammenbau und die Kontaktierung bei der He'-tellung einer Infrarotdektoranordnung erheblieh vereinfacht werden. Insbesondere kann dadurch, daß auf die Elemenc Kontaktschichten aufgebracht sind, die an die gegenüberliegenden gekrümmten Ränder gren/en. der weitere Zusammenbau der Elemente entweder in durch oin einziges Element gebildeten An-Ordnungen oder in darch mehrere Elemente gebildeten Anordnungen derart erfolgen, daß die elektrischen Anschlüsse in Form abgelagerter leitender Schichter aufgebracht werden. Dadurch wird die Anwendung eines Drahtverbindungs- oder Lötvorgangs mit den ihm inhärenten obengenannten Nachteilen vermieden. In bezug auf dieses Zusammenbau- und Kontaktierungsverfahren sei auf die gleichzeitig von der Anmelderin eingereichte und in der DE-OS 26 32 269 offengelegte Patent-

anmeldung verwiesen. Die einzelnen Elemente können auf einem Substrat, z. B. dadurch zusammengebaut werden, daß die Elemente mittels eines Epoxydharzes auf einem isolierenden Substrat befestigt werden. Ein derartiges Verfahren kann sowohl für ein einziges Element enthaltende Anordnungen als auch für mehrere Elemente enthaltende Anordnungen verwendet werden. Im letzteren Falle ergibt sich der große Vorteil, daß der gewünschte gegenseitige Abstand der Elemente erzielt werden kann. Der gegenseitige Abstand kann erheblich kleiner sein als bei monolithisch gebildeten, aus mehreren Elementen bestehenden Anordnungen, während außerdem /. B. in einer linearen Matrix die Teilungsabstände zwischen den Elementen auf gewünschte Weise geändert werden können. Überdies wird erwünschtenfalls die Bildung zweidimensionaler Matrizen mit jedem gewünschten gegenseitigen Abstand erheblich erleichtert.

Mit dem Verfahren nach der Erfindung zur Bildung der Elemente können große Materialeinsparungen erhalten werden, weil in jeder bearbeiteten Scheibe einfach Elemente mit verschiedenen empfindlichen Gebieten, z. B. durch passende Wahl des gegenseitigen Abstandes der zweiten Anzahl von Kanälen, gebildet werden können. Außerdem kann eine vergrößerte Leistung der Elemente erhalten werden, weil mehrere Oberflächenbehandlungen einfach in dem Verfahren aufgenommen werden können.

Vor der Befestigung der Scheibe aus infrarotempfindlichem Material auf den Trägerkörper kann die Scheibe einer Oxidationsbehandlung unterworfen werden, um auf der an dem Trägerkörper /u befestigenden Oberfläche der Scheibe ein Oxid /u bilden. Auf diese Weise wird die Oberfläche der anschließend gebildeten infrarotempfindlichen Elemente, die den Oberflächen gegenüber liegt, auf die beim Betrieb die Strahlung einfällt, mit einer Schicht versehen, die. wie gefunden wurde, die Leistung der Detektorelemente vergrößert.

Nach der Befestigung der Scheibe aus infrarotempfindhehem Material auf dem Trägerkörper und vor der Bildung der ersten Anzahl von Kanälen in dem Scheibenmaterial kann die Scheibe einer anfänglichen Behandlung zur Herabsetzung der Dicke über ihre von dem Trägerkörper abgekehrte Oberfläche unterworfen werden. Diese Herabsetzung der Dicke kann durch einen mehrstufigen Poliervorgang erhalten werden, wobei allmählich weniger Schaden in aufeinanderfolgenden Siufcn herbeigeführt wird. z. B. dadurch, daß die Größe der Poiicrmitielteilchen. die in aufeinanderfolgenden Stufen verwendet werden, geändert wird, bis die gewünschte Dicke erhalten ist.

Die Behandlung /um Erhalten einer Verringerung der Dicke der streifenförmigen Teile und /um Erhalten einer Krümmung der freigelegten Längsränder der streifenförmigen Teile kann die Kombination eines Poliervorgangs und eines anschließenden Ätzvorgangs umfassen.

Nach der Bildung der zweiten Anzahl von Kanälen in dem Scheibenmaterial können freigelegte Oberflächenteile der Elementkörper einer Passivierungsbehandlung unterworfen werden. Die Durchführung der Passivierungsbehandlung in dieser Bearbeitungsstufe, d. h. nach der Definition der Matrix nahezu rechteckiger Elementkörper, ist vorteilhaft, weil dadurch freigelegte Seitenflächen der Eiementkörper, die in dem endgültig erhaltenen Element an die Hauptteile der Oberfläche des empfindlichen Gebietes grenzen werden, der Passivierungsbehandlung unterworfen werden können. Dies ist erwünscht, v/eil in einer ohne die passivierten Seitenflächen hergestellten Anordnung die Leistung geringer werden könnte, wenn die Anordnung erhöhten Temperaturen ausgesetzt wird. Bei einer bevorzugten Ausführungsform werden sofort vor der Passivierungsbehandlung die freigelegten Oberflächenteile der Elemenlkörper einer Ätzbehandlung unterworfen.

Die Passivierungsbehandlung kann auf mittlere Oberflächengebiete der Elementkörper beschränkt werden,

ίο die sich über den genannten Elementkörperaerstrecken und die durch maskierende Schichtteile definiert werden, die auf gegenüberliegenden Seiten dieser Gebiete in der Nähe der gekrümmten Ränder der Elemcntkörper vorhanden sind. Die maskierenden Schichtteile kön-

t5 nen aus Photolack bestehen.

Nach der Passivierungsbehandlung und vor der Anbringung der Kontaktschichten können die genannten maskierenden Schichtteile entfernt und kann eine weitere iviaskierungsschicht aufgebrueiii und definiert werden. derart, daß jedes passivierte Oberflächengebiet mit einem maskierenden Schichtteil bedeckt ist, ausgenommen zwei gegenüberliegende periphere streifenförmige Teile desselben, die sich nahezu parallel zu den gekrümmten Rändern der Elementkörper erstrecken, wo· bei eine Materialentfernungsbchandlung an den freigelegten streifenförmigen Teilen der passivierten Oberflächengebiete in Gegenwart der maskierenden Schichtteile durchgeführt wird. Auf diese Weise wird die seitliche Ausdehnung der passivierten Obcrflächengebicie vor der Anbringung der Kontaktschicht etwas herabgesetzt, um Probleme in bezug auf Maskcnausrichtiing bei der Anbringung der Kontaktschichten zu vormeiden.

Die genannte Materialentfernungsbchandlung /ur Herabsetzung der lateralen Ausdehnung der passivierten Oberflächengebiete kann mittels eines Poliervorgangs, z. B. mit einem Schmirgeüeinen und einem sehr feinen Scheuermittel, durchgeführt werden.
Die weitere Maskierungsschicht kann aus Photolack bestehen und die elektrischen Kontaktschichten können durch Ablagerung des elektrisch leiten'¹"'*. Materials auf den freigelegten Oberflächenteilen der Elementkörper und den Oberflächenteilen der aus Photolack bestehenden Maskierungsschicht gebildet werden, wonach die aus Photolack bestehende Maskierungsschicht und das darauf abgelagerte elektrisch leitende Material auf chemischem Wege entfernt werden können. Auf diese Weise wird das abgelagerte elektrisch leitende Material von oberhalb der aktiven Obcrflächcngebietc der Elemente durch eine sogenannte Abhebclechnik (»lift-off«) entfernt. Die Anwendung einer derartigen Technik ist günstig im Vergleich zu einer Technik, bei der das leitende Material zunächst auf der ganzen Oberfläche abgelagert und dann photolithographisch definiert wird, insbcsondere wenn das abgelagerte leitende Material aus Gold besteh», weil es sich als unmöglich erweisen kann, das leitende Material zu ätzen, ohne daß die unterliegende Passivierungsschicht und gegebenenfalls das Material der Elementkörper entfernt werden.

Nach der Anbringung der Kontaktschichten können die Elementkörper von dem Trägerkörper je für sich durch mechanische Mittel, z. B. durch Abheben mit einem feinen Werkzeug, entfernt werden.

Bei Anwendung mechanischer Mittel für die Entfernung können die Elementkörper von ausgewählten Stellen der Matrix entfernt und Prüfvorgängen, z. B. zum Messen des spezifischen Widerstandes, der Ansprechfähigkeit, der Grenzwellenlänge, der Zeitkonstanie und

D¹, unterworfen werden, um die Eigenschaften der Elementkörper und ihre Verteilung in der Matrix auszuwerten. Auf diese Weise kann eine Art Übersichtskarte der Eigenschaften dei· Elementkörper erhalten werden, wonach die Elementkörper für Entfernung entsprechend den gewünschten Eigenschaften der herzustellenden Detektoranordnungen ausgewählt werden können. Eine der^ige Prüfung wird mit Vorteil benutzt, wenn die Eigenschaften der ursprünglichen Ausgangsscheibe nicht über alle Teile der Scheibe konstant sind.

Für die Herstellung einer durch mehrere Elemente gebildeten Infrarotdetektoranordnung kann eine Gruppe nebeneinander liegender Elementkörper in der Matrix auf dem Trägerkörper für Entfernung entsprechend den ausgewerteten Eigenschaften der für die Prüfungszwecke entfernten Elcmentkörper ausgewählt werden.

Wenigstens die erste Anzahl nahezu parallel verlaufender Kanäle kann in der Scheibe mit einem gleichmäßigen gegenseitiger. Abstand gebildet werden. Auf diese Weise weisen alle danach herzustellenden Elementkörper die gleiche Querabmessung in einer Richtung zwischen den gekrümmten Rändern auf zwei gegenüberliegenden Seiten auf. Durch Änderung des gegensetigen Abstandes der genannten zweiten Anzahl der Kanäle, die in den vorher definierten Streifen aus dem infrarotempfindlichen Material gebildet werden, kann die Breite der Elementkörper, d. h. die Querabmessung in der Richtung parallel zu den gekrümmten Rändern auf zwei gegenüberliegenden Seiten, geändert werden. Auf diese Weise kann in jeder Ausgangsscheibe eine Anzahl von Elemen..cörpern mit wenigstens zwei verschiedenen Größen der aktiven Oberflächengebiete gebildet werden.

Das Verfahren nach der Erfindung kann bei der Herstellung von Infrarotdetektorelementen aus verschiedenen Materialien, insbesondere kostspieligen Materialien, verwendet werden. Ein solches Material ist z. B. Kadmiumquecksilbertellurid, wobei die Vorbereitung des Materials zum Erhalten der gewünschten Eigenschaften viel Zeit beansprucht und, wo möglich, Einsparungen bei der Bildung der Elemente notwendig machL Trotzdem kann das Verfahren auch vorteilhafterweise bei der Herstellung von Infrarotdetektorelementen aus anderen Materialien verwendet werden, wobei die Kosteneinsparungen in bezug auf die Materialien nicht so wichtig sind, z. B. aus Indiumantimonid.

Eine Ausführungsform der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt

F t g. 1 einen Querschnitt durch eine Scheibe aus Kadmiumquecksilbertellurid, die auf einem PoHerblock befestigt ist, und zwar in einer Stufe der Herstellung nach Durchführung einer Oberflächenbehandlung;

F i g. 2 im Querschnitt die Scheibe nach Befestigung auf einem weiteren Polierblock;

F i g. 3 im Querschnitt die verbleibende Scheibe auf dem weiteren Polierblock nach einem Schritt zur Herabsetzung der Dicke;

Fig.4 und 5 eine Draufsicht auf bzw. einen Querschnitt durch die Scheibe auf dem weiteren PoHerblock nach einem weiteren Bearbeitungsschritt, wobei F i g. 5 einen Schnitt längs der Linie V-V in F i g. 4 zeigt;

Fi g. 6 im Querschnitt die Scheibe auf dem weiteren Polierblock nach einem weiteren Schritt zur Herabsetzung der Dicke;

F i g. 7 eine Draufsicht auf einen Teil der Scheibe nach einem weiteren Bearbeitungsschritt;

F i g. 8 und 9 Querschnitte längs der Linien VIII-VIIl bzw.IX IXder Fig.7;

Fig. 10 bis 12 im Querschnitt einen Teil der Scheibe in weiteren Bearbeitungsstufen;

Fig. 13 und 14 im Querschnitt bzw. in Draufsicht denselben Teil der Scheibe in einer weiteren Bearbeitungsstufe nach der Durchführung einer Passivierungsbehandlung, wobei F i g. 14 einen Querschnitt längs der Linie XlV-XlV in F i g. 13 zeigt;
Fig. 15 und 16 im Querschnitt denselben Teil der Scheibe in weiteren Bearbeitungsstufen;

Fig. 17 und 18 einen Querschnitt durch bzw. eine Draufsicht auf denselben Teil der Scheibe in einer Bearbeitungsstufe, nachdem einzelne Elementkörper der Scheibe mit Kontaktschichten versehen worden sind, wobei Fig. 17 einen Querschnitt längs der Linie XVIl-XVU in Fig. 18 ist;

Fig. 19 eine vergrößerte Draufsicht auf einen EIcmentkörper mit darauf angebrachten Kontaktschichten auf dem PoHerblock. und

Fig. 20 und 21 Querschnitte längs der Linien XX-XX bzw.XXI-XXI in Fig. 19.

Die Figuren sind nicht maßstäblich gezeichnet und demzufolge stimmen die Werte der Abmessungen nicht; insbesondere bei einem praktischen Beispiel ist die Dikke der unterschiedlichen Schichten in bezug auf ihre laterale Ausdehnung viel kleiner als aus den Figuren hervorgeht.

Die nun zu beschreibende Ausführungsform umfaßt die Herstellung einer Vielzahl (im Bereich von zweitausend) Infrarotdetektorelementen aus Kadmiumquecksilbertellurid. Bei dieser Ausführungsform ist die Materialzusammensetzung d. h. das Kadmium/Quecksilber-Atomverhältnis, derart, daß eine Grenzwellenlänge im Bereich von 12 μυι erhalten wird.

Das Ausgangsmaterial ist ein scheibenförmiger Körper aus Kadmiumquecksilbertellurid mit einem Durchmesser von etwa 10 mm und einer Dicke von 0,5 mm.

Die Scheibe I ist auf einem keramischen Poiierbioek 2 mittels einer Wachsschicht 3 befestigt. Der Poiierbioek weist erhöhte Ansätze mit einer Höhe von 200 μηι auf. Das Polieren der über den Ansätzen hervorragenden Oberfläche der Scheibe erfolgt mittels einer Drehmaschine unter Verwendung eines BasispoHcrgHeds und einer Poliermittelpastc. Das Polieren ist ein mchrxtufiger Vorgang, bei dem allmählich abnehmender Schaden in der Kristallstruktur herbeigeführt wird, während die Dicke auf den gewünschten Wert von 200 μΐη herabgesetzt wird. Diese allmähliche Abnahme der Schaden wird durch die Anwendung immer feiner werdender

so Poliermittelteilchen erzielt. Dieser Poliervorgang wird fortgesetzt, bis die Oberfläche der Scheibe auf der gleichen Ebene wie die Oberflächen der Ansätze des Polierblocks 2 liegt Um den verbleibenden Teil der Oberflächenschäden zu beseitigen, wird eine Ätzbehandlung durchgeführt.

Eine Oxidationsbehandlung wird dann durchgeführt, wobei die Scheibe 1 noch immer auf dem Polierblock 2 fixiert ist, so daß die freigelegten oberen und seitlichen Flächen der Behandlung unterworfen werden. F i g. 1 zeigt eine Scheibe 1 mit einer Dicke von 200 μηι, die eine Oxidoberflächenschicht 4 aufweist.

Die Scheibe 1 wird nun von dem Polierblock 2 entfernt und wird über die oxidierte große Fläche auf einem weiteren PoHerblock 5 aus Aluminiumoxid hoher Dichte befestigt Der durch den Poiierbioek 5 gebildete Trägerkörper weist äußere Ansätze mit einer Höhe von 25 μΐη auf und innerhalb der Ansätze ist die Oberfläche mit einer Tantalschicht 6 versehen. Die Scheibe 1 ist

mittels einer Wachsschicht 7 auf der Tantalschicht 6 befestigt.

Obgleich die vorher gebildete Oxidoberflächenschicht 4 in F i g. 2 dargestellt ist, ist sie in den weiteren Figuren der Deutlichkeit halber weggelassen. Ein mehrstufiger Poliervorgang wird mit einer Drehpoliermaschine unter Verwendung einer Aluminiumoxidpaste durchgeführt, v/<:bei die Teilchengrößen derart gewählt werden, daß der herbeigeführte Schaden allmählich in aufeinanderfolgenden Stufen herabgesetzt wird. Dieser Poliervorgang wird fortgesetzt, bis die polierte Oberfläche der Scheibe 1 nahezu auf der gleichen Ebene wie die erhöhten Ansätze des Polierblocks 5 liegt. Fig. 3 zcigl die Scheibe 1 nach diesem Schritt zur Herabsetzung der Dicke und nun weist die Scheibe 1 eine Dicke von etwa 25 um auf.

Während die Scheibe 1 mit herabgesetzter Dicke noch über die Wachsschicht 7 auf der Tantalschicht 6 auf dem Polierblock 5 fixiert ist, wird eine Photolackschicht auf die obere Fläche der Scheibe 1 aufgebracht. Ein Photomaskierungs- und Entwicklungsvorgang wird dann durchgeführt, um eine Anzahl nahezu paralleler streifenförmiger öffnungen in der Photolackschicht zu definieren. Eine Ätzbehandlung findet dann statt unter Verwendung eines geeigneten Ätzmittels für Kadmiumquecksilbertellurid, um in der Scheibe eine erste Anzahl nahezu parallel verlaufender Kanäle 8 zu bilden, die auf dem Polierblock eine Anzahl nahezu parallel verlaufender streifenförmiger Teile 9 aus Kadmiumquecksilbertellurid definieren. F i g. 4 und 5 zeigen die Kanäle 8 und die Streifen 9. In diesem Beispiel weisen die Kanäle eine Breite von etwa 50 μπι und weisen alle Streifen eine Breite von etwa 200 μιη auf.

Die nächste Bearbeitungsstufe ist die Entfernung der auf den strcifenförmigen Teilen 9 verbleibenden Teile der Photolackschicht. Danach wird ein Schritt zur Herabsetzung der Dicke durchgeführt, um die Dicke der streifenlormigen Teile 9 auf nahezu 8 μιη herabzusetzen und gleichzeitig eine Krümmung der freigelegten oberen Längsränder der streifenförmigen Teile 9 zu erhalten. Dies wird dadurch erreicht, daß zunächst mit einer Poliermaschine unter Verwendung eines feinen Blocks und eines feinen Scheuermittels poliert wird, bis die verbleibende Dicke der streifenförmigen Teile 9 nahezu 12 μπι beträgt, wonach die streifenförmigen Teile 9 geätzt werden, um Material in einer Dicke im Bereich von 4 bis 5 μπι zu entfernen. In dieser Weise werden die oberen Längsränder der streifenförmigen Teile abgerundet und dieser Effekt wird dazu benutzt, die äußere Kontakiierung der endgültig herzustellenden Elemente zu ermöglichen. Außerdem wird gefunden, daß die Ätzung eine sensibilisierende Wirkung hat, wodurch eine vergrößerte Leistung des Detektors erzielt wird. F i g. 6 zeigt im Querschnitt die slreifenförmigen Teile 9 nach dem Ätzvorgang, infolge der von der Wirklichkeit abweichenden relativen Abmessungen in der Zeichnung stellt sich heraus, daß die Abrundung der Längsränder nicht wesentlich ist, aber in der Praxis wird gefunden, daß sich die Krümmung in dem Querschnitt über einen Abstand von mindestens 15 μιη von der unteren Fläche an jedem Längsrand erstreckt Auch sei bemerkt, daß während der Polierbehandlung zur Herabsetzung der Dicke von 12 um auf 7 bis 8 μπι die freigelegten Wachsschichtteile in den Kanälen S entfernt werden. So ist in dem Querschnitt nach F i g. b die Wachsschicht 7 nun nur unter jedem streifenförmigen Teii 9 vorhanden.

Die nächste Bearbeitungsstufe ist das Aufbi ingen einer Photolackschicht auf die oberen Flächen der streifenförmigen Teile. Unter Verwendung eines üblichen Photomaskierungs-· und Entwicklungsvorgangs werden eine Anzahl parallel verlaufender, senkrecht auf den streifenförmigen Teilen stehender Streifen von der Photolackschicht entfernt, während das freigelegte Material der streifenförmigen Teile 9 unter Verwendung eines geeigneten Ätzmittels für Kadmiumquecksilbertellurid geätzt wird, um eine Anzahl nahezu parallel verlaufender Kanäle 10 in dem Scheibenmaterial der streifenförmigen Teile zu erhalten, damit auf dem Polierblock eine Matrix nahezu rechteckiger Elementkörper 11 aus Kadmiumtellurid definiert wird. F i g. 7 ist eine Draufsicht auf einen Teil der Scheibe nach der Bildung der Kanäle 10 und der darauf folgenden Definition der Elementkörper 11, wobei die verbleibenden Teile der für die Maskierung verwendeten Photolackschicht entfernt sind Fig.δ und 9 zeigen Querschnitte längs der Linien VIII-VIII bzw. IX-IX in Fig. 7. Fig. 8 zeigt die Abrurcdung der Ränder der Elementkörper 11 auf zwei gegenüberliegenden Seiten im Gegensatz zu den naheliegenden senkrechten Rändern (F i g. 9) der beiden anderen Seiten der Elementkörper. In diesem Beispiel beträgt die Breite der endgültig geätzten Kanäle 10 nahezu 30 μιη und der endgültige Flächeninhalt der Elementkörper 11 nach F i g. 7 ist 200 μπι · 50 μιη.

Die nächste Bearbeitungsstufe ist das Aufbringen einer weiteren Photolackschicht 12 auf die Oberfläche der Elementkörper 11 und die freigelegten Oberflächenteile der Wachsschicht 7 und der Tantalschicht 6 auf dem Polierblock 5. Durch einen Photomaskierungs- und Entwicklungsvorgang wird die Photolackschicht 12 derart definiert, daß öffnungen 13 (Fig. 10) darin gebildet werden, die die Form von Streifen mit einer Breite von etwa 50 μιη aufweisen, die sich parallel /u den Kanälen 8

J5 erstrecken und durch die die Elemcnikörper 11 an einem Ende freigelegt werden, an dem ein abgerundeter Rand vorhanden ist, während durch diese öffnungen •aueh der angrenzende Tci! der Tantalschicht 6 auf dsm Polierblock 5 freigelegt wird, von dem die Wachsschicht 7 vorher in dem Polierschritt zur Herabsetzung der Dikke entfernt wurde. F i g. 10 zeigi einen Ocerschnitt entsprechend dem Schnitt nach F i g. 8 durch <jie Photolackschicht 12 und die darin gebildeten öffnungen 13.
Eine Goldschicht mit einer Dicke von 0,5 μιη wird nun durch Zerstäuben aufgebracht. Das Gold wird so auf der Photolackschicht 12 und in den öffnungen 13 abgelagert. Die Photolackschicht 12 wird dann in einem geeigneten Lösungsmittel gelöst und das darauf abgelagerte Gold wird dadurch mittels einer Abhebetechnik entfernt. Fig. 11 zeigt einen dem Schnitt nach Fig. 10 entsprechenden Schnitt, wobei Goldschichistreifen 14 mit einer Breite von nahezu 50 μπι einen Kontakt zwischen den oberen Flächen der Elemep.tkörper n und der Tantalschicht 6 auf dem Polierblock 5 bilden. Die Goldschichtteile 14 müssen diese elektrische Verbindung für einen danach durchgeführten Vorgang herstellen, wei! infolge der Kombination der vorher aufgebrachten Oxidschicht auf den unteren Flächen der Elementkörper und der Trennung der genannten Körper von der Tantalschicht 6 durch die Wachsschicht 7 sonst alle Elementkörper 11 effektiv isoliert werden würden.

Eine weitere Photolackschicht 15 wird auf die obere Fläche des Gebildes aufgebracht und durch einen Photomaskierungs- und Entwicklungsschritt werden öff-

(J¹J nungcn 16 in Form rechteckiger Streifen mit einer Breite von nahezu 80 μιτϊ in der Photolackschächt 15 gebildet Fig. 12 zeigt einen dem Schnitt nach Fig. 11 entsprechenden Querschnitt durch die streifenförmigen

öffnungen ί6, die sich in der Mitte auf den Oberflächen der Elementkörper 11 befinden. Diese streifenförmigen Öffnungen 16 weisen eine Breite in Richtung der größe-■ "en Querabmessungen der Elementkörper, d. h. in Richtung des Schnittes nach Fig. 11, auf, die etwas größer als die gewünschte endgültige Abmessung der aktiven Obcrflächengebiete der Elementkörper ist.

Beim Vorhandensein der definierten Photolackschicht 15 werden die freigelegten Obcrflächcnteilc einer Sensibilisierungsbehandlungdurch Ätzen unterworfen, um Material über eine Dicke von höchstens 1 μηη zu entfernen. Dann wird eine Passivierungsbehandlung durchgeführt. Fig. 12 zeigt schematisch mit gestrichelten Linien die Passivierungsschicht 17, die an den freigelegten Oberflächen der Elementkörper 11 erzeugt wird.

Die verbleibenden Teile der Photolackschicht 15 werden nun gelöst und die Fig. 13 und 14 zeigen in Draufsich! bzw. im Schnitt das so erhaltene Gebilde, wobei die Goldschichtstreifen 14 noch vorhanden sind und die Elementkörper Ii Öberfiächenteiie enthalten, die mit einer Passivierungsschicht 17 versehen sind. Die Goldstreifen 14 sind in der üraufsicht nach Fig. 13 der Deutlichkeit halber schraffiert dargestellt. Es sei bemerkt, daß, weil die Photolackschicht von Teilen der Kanäle 10 zwischen den Elementkörpern 11 entlang der streifenförmigen Öffnungen 16 entfernt wurde. Teile der longitudinaien Seitenflächen der Elementkörper 11 auch der Passivierungsbehandlung unterworfen werden, und die Durchführung dieser Behandlung in dieser Stufe, d. h. nach der Definition der Elemente, kann in iT'eser Hinsicht vorteilhaft sein.

Die nächste Stufe ist die Aufbringung einer weiteren Photolackschicht 18 und ein darauffolgender Photomaskicrungs- und Entwicklungsschritt zum Definieren von öffnungen darin. Die öffnungen werden derart gebildet, daß das passivierte Oberflächengebiet auf jedem Elcmentkörper 11 nach wie vor mit der Photolackschicht iS überzogen ist, ausgenommen zwei einander gegenüber liegende periphere streifenförmige Teile 19 desselben, die sich nahezu parallel zu den gekrümmten Rändern der Elementkörper 11 erstrecken. Die Photolackschicht 18 bleibt in den Kanälen 10 zwischen den Elementkörpern erhalten, während sie in Teilen der Kanäle 8 (siehe Fi g. 15) zwischen den Elementkörperteilen die freigelegten Tantalschichtteile bedeckt und auch teilweise die Goldkontaktstreifen 14 überlappt, wo diese auf der Tantalschicht 6 vorhanden sind.

Eine Materialentfernungsbehandlung wird nun an den freigelegten streifenförmigen Teilen 19 der passivierten Oberflächengebiete in Gegenwart der definierten Photolackschicht 18 durchgeführt Dies wird durch einen Poliervorgang unter Verwendung eines Schmirgelleinens und eines feinen Poliermittels erzielt Es ist möglich, die Materialentfernung auf diese Weise durchzuführen, weil im allgemeinen die Photolackschicht einen größeren Polierwiderstand als die passivierte Oberflächenschicht und außerdem eine viel größere Dicke aufweist Auf diese Weise wird die passivierte Oberflächenschicht an den freigelegten streifenförmigen Teilen 19 entfernt und ermöglicht es, daß nachher Kontaktschichten ohne das Auftreten von Ausrichtprobiemen auf die Elementkörper aufgebracht werden können.

Nach diesem Poliervorgang wird eine Goidschicht 20 mit einer Dicke von 0,5 um auf der oberen Fläche des Gebildes, einschließlich der Photolackschichtteile 18 und der freigelegten Oberflächenteüe der Elementkörper 11, abgelagert Das Gold wird durch Zerstäubung abgelagert und Fig. 16 zeigt einen dem Schnitt nach

Fig. 15 entsprechenden Schnitt durch die Goidschicht 20, die die Oberfläche des Photolackschichtteiles 18 und die freigelegten Oberflächenteüe der Elementkörper 11 bedeckt. Es sei bemerkt, daß infolge der Entfernung der passivierten Oberflächenschicht entlang der streifenförmigen Teile 19 (Fig. 15) durch einen Poliervorgang die Goldschicht 20 die Oberfläche der Elementkörper 11 an keiner Stelle kontaktiert, an der ein solcher Passivierungsschichltcil vorhanden ist, d. h., daß sich die Ränder

ίο der Goldkontaktschicht 20 tatsächlich mit den Rändern des verbleibenden Teiles der passivierten Oberflächenschicht decken.

Nach der Ablagerung der Goldschicht 20 werden die verbleibenden Teile der Photolackschicht 18 gelöst, so dsß die daraufliegenden Teile der Goldschichl 20 durch einen Abhebeeffekt entfernt werden. So verbleiben auf jedem Elementkörper 11 zwei Goldkontaklschichten 2t und 22, zwischen denen ein wirksames Oberflächengebiet von 50 μπι ■ 50 μπι definiert wird. Die Kontakt-

2(i schichten 21 erstrecken sich über den abgerundeten Rand auf einer Seite der Elemente und die Kontaktschichten 22 erstrecken sich teilweise auf den verbleibenden Teilen der Goldstreifen 14, die den abgerundeten Rand auf der anderen Seite der Elemente bedecken.

So tritt eine gewisse Asymmetrie auf, sofern die Kontaktschichten 22 teilweise auf einer Seite dicker als die Kontaktschichten 21 auf der anderen Seite sind.

Fig. 17 und 18 zeigen im Querschnitt bzw. in Draufsicht einen Teil des Gebildes nach dem Lösen der Photolackschichtteile 18. Die vorher durchgeführte Abrundung der gegenüberliegenden Ränder der Elementkörper, über die die Kontaktschichten 21 und 22 angeordnet sind, ermöglicht es, daß die Elementkörper 11 mit den aufgebrachten Kontaktschichten bei der weiteren

J5 Herstellung einer Infrarotdetektoranordnung verwendet werden, derart, daß ein äußerer elektrischer Kontakt mit den Elemcntkörpern durch einen FilmablagerungEvorgang wesentlich erleichtert wird. In dieser Hinsicht sei auf die bereits genannte DE-OS 26 32 269 verwiesen.

In der Bearbeitungsstufe nach den Fi g. 17 und 18 ist eine Vielzahl (etwa zweitausend) von Kadmiumquecksilbertellurid-Elementkörpern 11 mit aufgebrachten Kontaktschichten vorhanden, die alle nach wie νο·~ über die Wachsschicht 7 auf dem Polierblock 5 fixiert sind. Es ist einleuchtend, daß infolge des Bearbeitungsverfahrens, bei dem von einer von einem Block abgeschnittenen Scheibe ausgegangen wird, eine gewisse Variation in den Eigenschaften der Elementkörper 11 über die ganze gebildete Matrix bestehen kann. Um die Elementkörper 11 ohne wesentlichen Ausschuß ausnutzen zu können, besteht der nächste Bearbeitungsschritt darin, daß einzelne Elementkörper 11 von ausgewählten Stellen der Matrix entfernt und die so entfernten Elemente unterschiedlichen Prüfvorgängen der obenbeschriebenen Art unterworfen werden. Auf diese Weise kann eine Art »Obersichtskarte« der Eigenschaften der Elemente über die ganze Matrix erhalten und benutzt werden, wenn eines oder mehrere der Elementkörper 11 zur Entfernung während der weiteren Herstellung einer Infrarotdetektoranordnung ausgewählt werden. Insbesondere bei der Herstellung einer durch mehrere Elemente gebildeten Anordnung wird dann eine Gruppe nebeneinander liegender Elementkörper in der Matrix auf dem Polierblock zur Entfernung in Abhängigkeit von den ausgewerteten Eigenschaften der einzelnen vorher für die Prüfvorgänge entfernten Elementkörper ausgewählt

13

In der vorliegenden Ausführungsform werden die Elementkörper 11 einzeln von dem Polierb'iock auf mechanischem Wege durch Abheben von dem Wachs mittels eines feinen Werkzeuges entfernt

F i g. 19 zeigt in einer vergrößerten Draufsicht einen Elementkörper 11, dar noch über die Wachsschicht 7 auf dem Polierblock 5 fixiert ist, während die F i g. 20 und 21 Querschnitte längs der Linien XX-XX bzw. XXl-XXI

S der Fig. 19 zeigen. In Fig.20 und 21 ist die vor der

\ Befestigung der Scheibe auf dem Polierblock 5 erzeugte

Oxidschicht mit der gestrichelten Linie 4 angegeben. Die nach der Sensibilisierung der aktiven Oberflächenschicht nach der Definition der Elemente erzeugte Passivierungsschicht ist mit der gestrichelten Linie 17 angegeben und aus Fig.2i ist ersichtlich, daß diese sehr dünne Oberflächenschicht auch entlang der angrenzenden Teile d?r longitudinalen Seitenflächen des Elementkörpers 11 gebildet wird. Die lateralen Grenzen des Gebietes der oberen Fläche, über das die Passivierungsbehandlung durchgeführt wurde, sind mit den Linien 24 in F: g. J 9 angegeben.

Aus F i g. 20 ist ersichtlich, daß sich eine Goldkontaktschicht mit einer Dicke von 0,5 μπι über den abgerundeten Rand des Elementkörpers 11 auf einer Seite desselben erstreckt Auf dem abgerundeten Rand auf der gegenüberliegenden Seite des Elementkörpers 11 ist der verbleibende Teil des Goldstreifens 14 mit einer Dicke von 0,5 μπι vorhanden. Auf diesem Teil des Streifens 14 ist die Goldkontaktschicht 22 mit einer Dicke von

0,5 μπι vorhanden, wobei sich die Kontaktschicht 22 30 *'

weiter in Berührung mit der oberen Fläche des Elementkörpers 11 erstreckt So weist auf einer Seite des Elementkörpers die zusammengesetzte Goldkontaktschicht 14, 22 eine Dicke von 1 μπι auf. während auf der anderen Seite die Goldkontaktschicht eine nahezu gleichmäßige Dicke von 05 μιτι aufweist. ,

Fa dürfte einleuchten, daß im Rahmen der Erfindung viele Abwandlungen möglich sind. Zum Beispiel kann das Verfahren bei der Herstellung von Infrarotdcteklorelcmcnten aus anderen Materialien, wie Indiumanlimonid. verwendet werden. Statt eine Matrix nach Fig. 17 anzuordnen, wobei alle Elementkörper 11 gleich groß sind und gleiche aktive Oberflächengebiete aufweisen, kann das Verfahren derart durchgeführt werden, daß aus einer einzigen Ausgangsscheibe eine Matrix erhalten wird, wobei für die Elementkörper mindestens zwei verschiedene Größen bestehen. Dies kann

leicht bei der ersten Photomaskierungsstufe beim Definieren der Breite der streifenförmigen Teile 9 erhalten werden. Obgleich in der beschriebenen Ausführungsform das Verfahren das Aufbringen ohmscher Kontaktschichten auf Elementkörper mit einer gleichmäßigen Materialzusammensetzung zur Anwendung in Detektoren umfaßt, deren Wirkung auf der Eigcnphotoleitfähig· keil basiert, ist im Rahmen der Erfindung auch ein Vcrfahren möglich, bei dem die V.lemenikorpcr derart gcbildel werden, daß sie je einen pn-übergang in dem empfindlichen (iebiet enthalten und die sich über die gekrümmten Ränder auf den beiden gegenüberliegenden Seilen des empfindlichen Gebietes eines F.lenicntkör- bo pcrs erstreckenden Kontaktschichten einen Kontakt mit den p- und n-lcitcndcn Gebieten in dem Elementkörper bilden.

Hierzu 6 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung einer Anzahl von Infrarotdetektorelementen mit jeweils einem nahezu rechteckigen Körper aus einem für Infrarotstrahlung empfindlichen Material, bei dem eine Scheibe

' aus dem infrarotempfindlichen Material auf einem Trägerkörper befestigt wird, die Dicke der Scheibe herabgesetzt wird, die Scheibe in gesonderte Detektorelemente zerteilt und die freiliegende Oberfläche jedes Detektorelements durch Ablagern eines elektrisch leitenden Materials mit zwei auf Abstand liegenden elektrischen Kontakten niedrigen Widerstandes versehen wird, zwischen denen sich das strahlungsempfindlichc Gebiet des Elementes erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß