DE2610842A1 - Strahlungsempfindliche kopiermasse - Google Patents

Strahlungsempfindliche kopiermasse

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Description

Die Erfindung betrifft eine neue positiv arbeitende strahlungs empfindliche Kopiermasse, die als wesentliche Komponenten eine bei Bestrahlung Säure abspaltende Verbindung und eine Verbindung enthält, die mindestens eine durch Säure spaltbare C-O-C-Bindung enthält. Die Kopiermasse kann als Kopierschicht auf einem Träger oder als Lösung vorliegen. Die neue Positiv-Kopiermasse ist ausgezeichnet durch hohe Empfindlichkeit beim Bestrahlen mit Licht und energiereichen Strahlen, insbesondere Elektronenstrahlen.
Es ist schon eine große Zahl von lichtempfindlichen Positiv-Materialien bekannt. Am meisten bearbeitet und technisch genutzt sind die o-Naphthochinondiazide, beschrieben in Kosar, Light Sensitive Systems, Wiley, New York, (1965), Seiten 339-353» die vorzugsweise in Kombination mit Novolak-Harzen als Kopierschichten und Kopierlacke vielfältige Anwendung finden. In den letzten Jahren wurden
K 2379
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weitere Positiv-Systeme vorgeschlagen: The Journal of Photographic Science 18, (1971), Seite 88; DT-OS 2 150 691 und DT-OS 2 242 106, bei denen ebenfalls photolyt^sch erzeugte saure hydrophile Gruppen die alkalische Entwiekeloarkeit zu einem positiven Bild ermöglichen. Diese Positiv-Kopiermaterialien sind dadurch gekennzeichnet, daß ihre Lichtempfindlichkeit nicht oder nur unwesentlich durch Sensibilisatoren gesteigert werden kann und daß wegen der ihnen eigenen starken Dickenabhängigkeit der Belichtungsdauer die Herstellung ausreichend lichtempfindlicher dickerer Positivschichten schwierig oder unmöglich ist.
Man hat daher auf verschiedenen Wegen versucht, diese Schwierigkeiten zu überwinden. Eine Möglichkeit bieten chemisch neue Systeme, z. B. gemäß DT-OS 2 064 380, DT-OS 2 338 223, Photographic Science and Engineering 16, (1972), Seite 300. Mit den energiereicheren Elektronenstrahlen können durch Depolymerisation Positiv-Resists gebildet werden. Als günstig für diesen Zweck werden Schichten aus Polymethylmethacrylat bezeichnet, Polymer Engineering and Science 14, (1974), Seite 516. Schichten mit o-Naphtho-chinondiaziden können auch mit Elektronenstrahlen positiv bebildert werden (DT-OS 2 405 831).
Eine weitere Möglichkeit, die praktische Lichtempfindlichkeit von Positiv-Kopierschichten zu steigern, ist der Zweischichten-Aufbau (DT-OS 2 426 159). Dabei dient die lichtempfindliche
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Schicht bei der Entwicklung als Schablone für die nicht lichtempfindliche zweite Schicht. Der Vorteil höherer Lichtempfindlichkeit wird jedoch auch mit Nachteilen erkauft, da die Konturenschärfe der nicht lichtempfindlichen Schicht schlechter und unsicherer als die der Kopierschicht ist.
Neuerdings wurde ein lichtempfindliches positiv arbeitendes Stoffgemisch vorgeschlagen (US-PS 3 782 939), bei dem an sich als photochemisch spaltbar und säureliefernd bekannte Halogen-Verbindungen oder Diazonium-Salze zum Spalten von bestimmten Acetalen dienen. Die Spaltprodukte ermöglichen die alkalische Entwicklung der positiv arbeitenden Kopierschicht. Als besonders günstige Säure bildende Photoinitiatoren werden spezielle substituierte Haiogenmethyl-s-triazine (DT-OS 2 243 621) und als besondere Anwendung die Herstellung von Positiv-Transferschichten (US-PS 3 775 113) genannt.
Das dabei verwendete Prinzip, durch photolytisch erzeugte Säure Folgereaktionen auszulösen, wurde schon früher für die Herstellung von positiv arbeitenden Kopierschichten (DT-OS 1 522 495, 1 572 311) und besonders für negativ arbeitende Kopierschichten (ζ. B. DT-OS 1 447 913, 1 522 und US-PS 3 708 296) beschrieben. Inzwischen wurde bekannt (DT-OS 2 342 068), daß Acetale auch zu negativ arbeitenden Schichtkompositionen verwendet werden' können.
Wegen zusätzlich notwendiger Arbeitsschritte, z. B. Erwärmen nach dem Belichten, oder wegen zu geringer Lagerfähigkeit weisen diese Vorschläge immer noch bestimmte Nachteile auf.
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Aufgabe der Erfindung war es, eine positiv arbeitende strahlungsempfindliche Kopiermasse vorzuschlagen, die gegenüber den bekannten entsprechenden Kopiermassen höhere Strahlungs-, insbesondere Lichtempfindlichkeit auch bei größerer Schichtdicke und bzw. oder bessere Lagerfähigkeit aufweist.
Die Erfindung geht aus von einer strahlungsempfindlichen Kopiermasse» die als wesentliche Bestandteile (1) eine bei Bestrahlung Säure abspaltende Verbindung und (2) eine Verbindung enthält, die mindestens eine durch Säure spaltbare C-O-C- Bindung aufweist.
Die erfindungsgemäße Kopiermasse ist dadurch gekennzeichnet, daß die durch Säure spaltbare Verbindung (2) eine Verbindung mit mindestens einer Orthocarbonsäureester- und bzw. oder Carbonsäureamidacetalgruppierung ist.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform hat die Verbindung (2) die allgemeine Formel
0R3
R1-C- 0RA (I)
R,
H, eine ggf. substituierte Alkylgruppe, eine ggf. substituierte Phenylgruppe oder eine ggf. substituierte Cycloalkylgruppe,
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R2 R5O, R6(R7)N oder RQ N bedeutet,
a) R3 und R, gleich oder verschieden sind und jedes einen ggf. substituierten Alkyl-, Alkenyl-, Cycloalkyl-, Cycloalkenyl- oder Arylrest, und
R5 einen Rest der für R3 und R. angegebenen
Bedeutung, einen Acylrest oder, wenn R, = H und R3 = R4 = Phenyl ist, einen ggf. substituierten Methylenaminorest bedeuten
oder
b) R3, R4 und R5 jeweils zu zweit gemeinsam einem ggf. substituierten Ring angehören,
R6 einen Acyl- oder Sulfonylrest oder einen
ggf. substituierten Methylenaminorest,
R7 einen Alkyl- oder Phenylrest, Rg zusammen mit dem Stickstoffatom einen 4- bis
13-gliedrigen ggf. substituierten heterocyclischen Ring, gof. mit N, 0 oder S als weiteren Heteroatomen, bedeuten, an dem 1-2 ggf. substituierte aromatische oder ein cycloaliphatischer Ring annelliert sein können, und
wobei die Reste R1, Rg, R3 und R4 zusammen mindestens 10 C-Atome enthalten.
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Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform enthält die Kopiermasse außer den genannten Komponenten (1) und (2) noch mindestens ein Bindemittel, insbesondere ein al kaii1ösliches , bevorzugt ein Phenolharz.
Eine gute Resistenz der unbelichteten Bereiche gegenüber den Entwicklern wird in der Regel durch Derivate von Orthocarbonsäuren erzielt, die mehr als 14, vorzugsweise mehr als 18 Kohlenstoffatome enthalten. Es handelt sich hierbei nicht um eine starre Grenze, denn durch Einführung polarer Substituenten, z. B. Carboxyl-, Ester-, Carbonamid-, Cyan-, Sulfonamid-, Acyl-, Äther- oder Nitrogruppen, ist die Schwerlöslichkeit bzw. Hydrophobie innerhalb weiter Grenzen variierbar. Im Sinne der Erfindung besonders bevorzugte Kopiermassen enthalten als Komponente (2) mindestens 19 C-Atome umfassende Derivate von Orthocarbonsäuren, in denen mindestens einmal die durch die Formel I dargestellte Einheit auftritt.
Die Verbindungen der Formel I können monomeren oder polymeren Charakter haben, d. h. einer der Reste R. bis R» kann eine polymere und ggf. polyfunktionelIe Kette haben, an der als Endgruppen oder Seitenketten Einheiten der Formel I stehen. Es ist auch möglich, daß zwei oder mehrere der Reste R, bis R. mindestens bifunktionel1 sind und mit je mindestens zwei Orthocarbonsäurederivateinheiten verknüpft sind, so daß Polymerketten mit Orthoester- bzw. Amidacetalgruppen in der Hauptkette gebildet werden.
Im einzelnen können die oben genannten Reste die folgende Bedeutung haben:
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R^ ist Wasserstoff, eine verzweigte oder unverzweigte Alkylgruppe mit 1-6 C-Atomen, die z. B. durch Halogenatome, Alkoxygruppen, Acylgruppen, Phenyl gruppen oder Reste der Formel -C(R2)(OR3)(OR4) substituiert sein und olefinische Doppelbindungen enthalten kann. R, ist vorzugsweise H, Methyl, Äthyl, Cyclohexyl, Phenyl, insbesondere H.
R2 ist R5O, R6(R7)N oder R& ,N, worin Rß eine al iphatische,
cycloaliphatische oder aromatische Acylgruppe mit 2 -10 C-Atomen, die vorzugsweise von einer Carbon- oder Sulfonsäure abgeleitet ist und ggf. z. B. durch Halogenatome, Alkyl-, Alkoxy-, Nitro-, Aryl-, Acylreste und Reste der Formel N(R7J-C(R1)(OR3)(OR4) substituiert sein kann, oder ein Methylenaminorest, der vorzugsweise an der Methylengruppe durch Alkylreste mit 1-10 C-Atomen, Arylreste mit 6-10 C-Atomen oder Aralkylreste mit 7-10 C-Atomen substituiert ist. Vorzugsweise ist Rß ein Benzoyl-, ein Benzol sulfonyl - oder ein Benzalaminorest. R7 ist eine Alkylgruppe mit 1-6, vorzugsweise 1-3 C-Atomen, insbesondere Methyl, oder eine Arylgruppe mit 6-10 C-Atomen, insbesondere Phenyl. Rg ist ein zweiwertiger Rest, der zusammen mit dem Stickstoffatom einen 4- bis 13-gliedrigen gesättigten oder ungesättigten, ggf. substituierten carbo- oder heterocyclischen Ring mit N, 0 oder S als Heteroatomen bildet. Der Ring kann Carbonylgruppen als Ringglieder und isolierte oder konjugierte Doppelbindungen enthalten und durch Halogenatome, Alkylgruppen mit 1-5 C-Atomen, Arylgruppen mit 6-10 C-Atomen, Acylgruppen mit 2-8 C-Atomen und Alkoxygruppen mit 1-5 C-Atomen substituiert sein und einen oder zwei annellierte Benzolringe, die durch Halogenatome oder Alkylgruppen substituiert sein können, oder einen annellierten cycloaliphatischen, insbesondere einen 6-gliedrigen Ring, der ebenso substituiert sein kann, tragen. R2 ist vorzugsweise RgO.
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Wenn R-, und R, isolierte Reste sind, sind sie verzweigte oder unverzweigte, gesättigte oder ungesättigte Alkyl- oder Cycloalkylreste, die durch Äther-, Ester-, Acyl-, Cyan- oder (ggf. substituierte) Carbonamidgruppen sowie Halogenatome substituiert und in denen einzelne Ketten- oder Ringglieder durch Sauerstoff ersetzt sein können, oder ein- bis dreikernige, gegebenenfalls z. B, durch Halogen-, Nitro-, Alkyl-, Cycloalkyl-, Aryl-, Aralkyl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Cyan-, Sulfonyl-, Acyl- oder Carboalkoxyreste substituierte aromatische Reste. R5 ist ein Rest gleicher Bedeutung wie R3 und R^ oder ein aliphatischer oder aromatischer Acylrest oder, wenn R, ein Wasserstoffatom und R3 und R, Phenylreste sind, ein Methylenaminorest, d. h. R5O ist der Rest eines Oxims. Die Methylengruppe ist vorzugsweise substituiert, sie kann auch Bestandteil eines cycloaliphatischen Rings sein. Als Substituenten kommen Alkylgruppen mit 1-10 C-Atomen und insbesondere Arylgruppen mit 6-10 C-Atomen in Betracht.
Wenn R3 bis R5 aliphatische Reste sind, haben sie bevorzugt je 1 - 18 C-Atome und sind bevorzugt primäre Alkylreste. Mit dem Begriff "Alkyl" sollen auch solche aliphatischen Gruppen umfaßt sein, in denen einzelne Kettenglieder durch Sauerstoff ersetzt sind ur.d/oder die ungesättigte Gruppen enthalten.
Insbesondere kommen hier Reste von Monoalkyläthern von PoIyäthylenglykolen der allgemeinen Formel -(CHpCH2O) -Alkyl in Betracht, worin η = 1 - 8 ist.
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Wenn R3 bis R5 aromatische Reste sind, haben diese im allgemeinen 6-20 C-Atome. Ein- und zweikernige Reste werden bevorzugt, insbesondere Verbindungen, in denen zwei dieser Reste einkernig sind. Die angegebene Anzahl von C-Atomen bezieht sich .ledigl ich auf Reste, die nur an eine Orthoester- bzw. Amidacetalgruppierung gebunden sind. In den mit Vorteil verwendeten Verbindungen mit zwei oder mehreren solchen Gruppierungen kann selbstverständlich die Anzahl C-Atome in einem Rest, von einer Gruppierung der Formel I aus betrachtet, wesentlich größer sein.
Geeignete Beispiele sind: Orthoameisensäure-, Orthoessigsäure-, Orthopropionsäure-, Orthobenzoesäure-, Orthocyclohexan-carbonsäure-, vorzugsweise Orthoameisensäure-trinonyl-, -tridecyl-, -triundecyl- , -tridodecyl- ,-tritetradecyl-, -trihexadecyl-, -tristearyl-, -trioleanyl-ester, Orthoameisensäure-tris-3-oxa-decyl-, -tris-3,6-dioxa-dodecyl-, -tris-3,6,9-trioxatridecyl-, -tris-3,6,9,12-tetraoxa-hexadecyl-, -tris-3,6,9, 12,15-pentaoxa-heptadecyl-, -tris-3,6 ,9 ,12,15,18,21,24-octaoxa-pentacosyl-ester, Orthoessigsaure-tris-3,6,9-trioxa-tridecyl-ester und beispielsweise Orthoameisensäuretris-3,5,5-trimethylhexyl- oder -tris-4,9 ,12-trimethylpentadecyl-ester sowie der Orthoameisensäureester des Tripropylenglykolmonomethyläthers.
Beispiele für gemischt aliphatisch-aromatische Orthoester sind die Orthocarbonsäure-aryl-dialkyl-ester, z. B. die Diäthoxy- und Dipropoxy-methyl-äther des p-Cumylphenols, die Bis-dimethoxy-, Bis-diäthoxy- und Bis-dipropoxy-methyläther des Bisphenol A sowie der weiter unten angegebenen ein- oder mehrwertigen aromatischen Hydroxyverbindungen.
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Wenn zwei der Reste R, bis Rj- zum Ring geschlossen sind, kann dieser im allgemeinen unter Einschluß der Sauerstoffatome 5, 6 oder 7, bevorzugt 5 oder 6 Glieder haben und durch Halogen, bevorzugt Chlor, C,-Cg-Alkoxy, Benzyloxy, Aryloxy, bevorzugt Phenoxy oder C^-C5-Alkoxycarbonyl, bevorzugt Methoxy- und Äthoxycarbonyl substituiert sein. Ein Beispiel für einen solchen Ring ist ein ggf. substituierter l,3-Dioxolan-4-on-2-ylrest. Die Herstellung derartiger Verbindungen ist im Chem.Ber.108, 3224 (1975) beschrieben. Der dritte Rest kann der Rest eines - bevorzugt - aliphatischen Alkohols oder eines gegebenenfalls substituierten Phenols oder Naphthols sein.
Als Beispiele für diese Verbindungsklasse sind zu nennen: l,3-Dioxolan-2-yl- und 2-Alkyi-, bevorzugt 2-Methyl-1,3-dioxolan-2-yl- sowie 2-Phenyl-1,3-dioxolan-2-yl-äther langkettiger aliphatischer Alkohole, Diole und Polyglykole, z. B. der 1,3-Dioxolan-2-yl-äther des Pentaäthylenglykolmonohexyläthers, der Bis-1»3-dioxolan-2-yl-äther des Octadecan-1,12-diols, die Bis-1,3-dioxolan-2-yl-äther des Pentaäthylenglykols, des Hexaäthylenglykols und von Polyäthylenglykolgemischen wie z. B. Polyglykol 200, 300, 500 und 1000, die den aufgezählten Verbindungen entsprechenden 2-Methyl- oder Phenyl-l,3-dioxolan-2-yl-äther, Äther, die durch zusätzlich in 4- oder in 4- und 5-Stellung substituierte 1,3-Dioxolan-2-yl-gruppen gebildet werden, z. B. 4-Chlormethyl-, 4-Phenoxymethyl-, 4-Tolyloxy-methyl-, 4 ,5-Dimethyl-, 4,5-Dip'henyl-, 4,5-Di-methoxycarbonyl - und 4,5-Di -äthoxycarbonyl -l,3-dioxolan-2-yl-bis-äther von 1,12-Dodecandiol oder Tri-,
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-Ii-
Tetra- oder Hexaäthylenglykol sowie den obengenannten Polyglykolen. Anstelle der in 2-Position unsubstituierten l,3-Dioxolan-2-yl-gruppen kommen auch solche mit 2-Methyl-, 2-Chlormethyl-, 2~Cyclohexyl- oder 2-Phenyl-Substituenten in Frage. Weitere Beispiele sind die 1,3-Dioxan-2-yl-äther der vorstehend genannten Gruppen von Alkoholen, z. B. Hexaäthylenglykül-bis-l,3-dioxan-2-yl-äther, 1,12-Dodecandiol-bis-5,5-dimethyl-1,3-dioxan-2-yl-äther, die Triäthylenglykol-butyl-(2,5-diäthyl-5-butyl-l,3-dioxan-2-yl)· und -(5-äthyl-5-butyl-2-phenyl-1,3-dioxan-2-yl)-äther, die den beiden letztgenannten Verbindungen entsprechenden Bis-äther des Tri-, Tetra- und Penta-äthylenglykols und z. B. 5-Alkoxy- oder 5-Phenoxy-l,3-dioxan-2-yl-äther. In Betracht kommen auch diejenigen Bis-l,3-dioxolan-2-yläther, die das dem 1,3-Dioxolanylrest zugrundeliegende Diol auch als verknüpfende Diolkomponente enthalten, wie z. B. l-Phenoxy-2,3-bis-(4-phenoxymethyl-1 ,S-dioxa-cyclopent^-yloxy)-propan, die durch Co-trimerisierung von ggf. substituierten 1,2-Diolen mit 2 Äquivalenten eines Orthocarbonsäureesters erhalten werden können oder bei der Umsetzung von 2-Al koxy-l,3~dioxolane,n mit den entsprechenden 1,2-Diolen entstehen.
Weiterhin sind zu nennen 1 ,S-Dioxolan^-yl- bzw. 1,3-Dioxan-2-yl-äther von Naphtholen oder vom Bisphenol A, sowie 4,7-Dihydro-l,3-dioxepin-2-yl-äther langkettiger Alkohole und Polyglykole. 2-Alkoxy-4,7-dihydro-l,3-dioxepine sind z. B. in der US-PS 3 652 594 beschrieben.
Eine besonders bevorzugte Untergruppe der bisher beschriebenen Verbindungen sind solche der Formel II
. —^ 0-CH0-C-CH0-O Kgi 2,2
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in der R1 die oben angegebene Bedeutung hat, Rg Wasserstoff, •Alkyl oder Alkenyl mit 1-10 C-Atomen und Aryl, insbesondere Phenyl, bevorzugt Wasserstoff, Methyl oder Äthyl, bedeutet und Rgl Cj-CjQ-Alkyl , bevorzugt C^-Cg-Alkyl, das auch durch Halogen, bevorzugt Chlor, Cyan, C1-C5-AIkOXy oder Phenoxy substituiert sein kann, Cj-C^o"» bevorzu9t Cj-Cg-Alkenyl, Aryl, bevorzugt Phenyl, Cj-C10-Alkoxy oder Aryloxy, bevorzugt gegebenenfalls substituiertes Phenoxy, ist, wobei die Summe der C-Atome1 -tae^, R^ und Rg, mindestens 3, bevorzugt mindestens 5 beträgt und Rg und Rg1 zu einem Ringsystem verknüpft sein können.
Die Verbindungen der Formel II werden besonders vorteilhaft durch Co-trimerisierung von substituierten 1,3-Diolen mit 2 Äquivalenten eines Orthoameisensäure-trialkylesters in Gegenwart saurer Katalysatoren wie p-Toluolsulfonsäure oder Schwefelsäure oder eines sauren Ionenaustauschers hergestellt. Sie sind jedoch auch durch die Reaktion des Diols mit den entsprechenden 2-Alkoxy-l ,3-dioxanen, die wiederum aus den Diolen durch Umsetzung mit einem Überschuß an Orthocarbonsäureester gewonnen werden, zu erhalten.
Als Beispiele seien angeführt:
Verbindungen der Formel II mit R1 und Rg gleich Wasserstoff, Rg1 gleich Hexyl, Isoamyloxy, Phenoxy, 4-Tolyloxy, 2-Butoxyäthyl oder 2-Phenoxyäthyl;
R1 gleich Wasserstoff und Rg und Rg, gleich Methyl, Äthyl, Propyl, Butyl, Phenyl oder zusammen gleich Pentamethylen; R1 gleich Wasserstoff, Rg gleich Äthyl, Rgl gleich Methyl, Allyloxymethyl oder Butyl;
R1 gleich Methyl, Äthyl, Cyclohexyl oder Phenyl, Rg gleich Äthyl und Rgi gleich Butyl oder R1 gleich Methyl, Äthyl, Cyclohexyl oder Phenyl, Rg gleich Wasserstoff und Rg, gleich Phenoxy.
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Als besonders vorteilhaft haben sich auch Orthocarbonsäurederivate, insbesondere Orthocarbonsäureester erwiesen, in denen mindestens einer der Reste R3, R, und R5, insbesondere zwei von ihnen, aromatisch sind.
Bevorzugte Vertreter solcher Orthocarbonsäurederivate enthalten mindestens einen, vorzugsweise 1 bis 3, besonders bevorzugt 2 Diaryloxymethoxyreste der Formel III
CH-O-
(ΙΠ)
in der R10 bis R12 Wasserstoff, niedere Alkylreste mit 1-6 C-Atomen, die gegebenenfalls durch Alkoxy-, Carbo-Alkoxycarbonyl- und Acylgruppen mit 1-3 C-Atomen, durch Halogen, vorzugsweise Chlor, oder Cyan substituiert sein können, Alkoxyreste mit 1-6 C-Atomen, Acylreste mit 1-7 C-Atpmen, Alkoxycarbonylresta mit 1-5 C-Atomen, Fluor-, Chlor-, Brom-, Cyan-, Nitro-, gegebenenfalls substituierte Phenoxy-, Thiophenyl-, Aryl sulfonyl - oder Aralkyl, insbesondere 2-Phenyl-2-propylgruppen, bedeuten oder R1Q Wasserstoff und R11 und R12 die zur Bildung eines Naphthalinringes erforderlichen Methingruppen darstellen, wobei die Bedeutungen R10 bis R12 gleich Wasserstoff sowie auch R10 und R11 gleich Wasserstoff und R12 gleich Methyl, Methoxy, Chlor, 2-Phenyl-2-propyl und R1Q gleich Wasserstoff und R11 und R19 gleich den zur Bildung eines Naphthalinringes erforderlichen Methingruppen besonders bevorzugt sind.
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Außer den im folgenden näher beschriebenen Verbindungen sind als Beispiele zu nennen: Di -(p-tolyloxy)-methyl-, Di-(2,6-dime thy!-phenoxy)-methyl-, Di-(p-chlorphenoxy)-methyl- oder Di-(p-methoxyphenoxy)-methyl-äther von langkettigen aliphatischen Alkoholen, Polyglykolen, Phenolen, Dihydroxybenzolen, Naphtholen und Dihydroxynaphtholen, z. B. 1-Di -p-tolyloxymethoxy-dodecan , 1, 15-BiS-ZcTi-(2,6-dimethylphenoxy)-methoxy7-3,6,9 ,12-tetraoxa-tetradecan, 1-Di-(p-chlorphenoxy)-methoxy-4-(2-phenylpro ρ-2-y 1)-benzol, Bis-2,4-/cTi -(p-c hl or phenoxy) -me thoxy7-acetophenon, 2-Di-p-tolyloxymethoxy-naphthalin oder 2,7-Bis-(di-p-tolyloxymethoxy)-naphthalin sowie auch die Diphenoxymethoxyderivate ggf. substituierter Benzole, z. B. Diphenoxymethoxy-2,6-dimethyl-benzol, 4-tert.-Butyl -diphenoxymethoxy-benzol, Diphenoxymethoxy-benzoesäureester, wie 2-Diphenoxymethoxy-benzoesäurebutylester oder 4-Diphenoxymethoxy-benzoesäure-3,6,9-trioxa-tridecylester; ggf. substituierter Naphthaline, wie 1- oder 2-diphenoxymethoxy- oder 1-Methyl-2-diphenoxymethoxy-naph thaiin^ von Chi no 1 inen, ζ.. B. 8-Di phenoxymethoxy-chinol in; ggf. substituierter Anthracene und Phenanthrene, z. B. 1- bzw. 9-Diphenoxymethoxy-anthracen.
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Diese Verbindungen können durch Umsetzung der entsprechenden Hydroxyverbindungen mit den zugehörigen Diaryloxychlormethanen, wie sie in Rec. Trav. Chim. 9_2, 11 (1973) beschrieben sind, in Gegenwart von Säure bindenden Substanzen dargestellt werden.
Weiter sind als Beispiele Triaryloxymethane zu nennen, als einfachstes Triphenoxymethan, weiter Tricresyloxy-, Tri-pchlorphenoxy-, Tri-p-nitrophenoxy-, Tri-(2,6-dimethylphenoxy)-, Tri-(2,4,6-trimethyl-phenoxy)-, Tri-<C-naphthoxymethan, Di-(p-chlorphenoxy)-phenoxy-methan und Di-(pnitrophenoxy)-phenoxy-methan, deren Herstellung in Rec. Trav. Chim. £0_, 745 (1971) beschrieben ist, sowie Di-(ßnaphthoxy)-phenoxy-methan, Di-(p-cumylphenoxy)-phenoxy-methan und Tri-p-cumylphenoxy-methan. Die Darstellung dieser Verbindungen gelingt durch Austausch der Halogene in Aryl-dichlormethyläthern durch Aryloxyreste.
Als weitere Beispiele seien genannt Diphenoxymethyläther von langkettigen aliphatischen Alkoholen, z. B. l-(Diphenoxymethoxy)-dodecan, von Diolen, z. B. l,12-Bis-(diphenoxymethoxy)-dodecan, von Polyglykoläthern, z. B. 1-Diphenoxy-
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methoxy-3,6,9-trioxatridecan, sowie von nahezu beliebig variierbaren aliphatischen Alkoholen einschließlich . Enolen, z. B. der folgenden Formeln
des Di-(p-methoxyphenyl)-carbinols oder des 2-Methyl-3-hydroxy-eye lohex-2-en-1-ons.
Auch Diphenoxymethylester, z. B. Benzoesäure-diphenoxymethylester oder Terephthalsäure-bis-diphenoxymethylester können verwendet werden. Diese strukturell sehr unter-
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i.cniedlichen, in den Beispielen näher beschriebenen Verbindungen seien nur stellvertretend angeführt für die außerordentlich große Zahl von Diphenoxymethoxyderivaten, die im Rahmen der Erfindung eingesetzt werden können. Ihre Synthese erfolgt problemlos aus den Hydroxyverbindungen durch Reaktion mit Diphenoxychlormethan /T. Prakt. Chem. λ~4_7 , 7, 60 (1958^7 in Gegenwart von Säurefängern, z. B. Pyridin oder Triäthylami η.
Besonders bevorzugt werden ferner Diphenoxymethyläther von Dihydroxybenzolen, die im zentralen Benzolkern noch zwei Substituenten tragen können, von denen der erste Wasserstoff, C1-C3-AUyI, Chlor, Brom, Cyan, C1-C3-ACyI, C1-C3-AIkOXy oder Nitro, bevorzugt Wasserstoff, bedeutet und der zweite Wasserstoff, C,-Cg-Alky1 , Cycloalkyl, bevorzugt Cj-Cg-Alky1 und Cyclohexyl» Cj-Cg-Alkoxy, Phenyl, Phenoxy, Benzyl, R13CO, wobei R13 Cj-Cg-Alkyl, bevorzugt Cj-Cr-Alkyl, Cycloalkyl, bevorzugt Cyclohexyl, Aryl, bevorzugt Phenyl, C1-C9-AIkOXy, bevorzugt C1-Cg-AIkOXy, Cyclohexoxy, Phenoxy oder Di alkylami no ist, Halogen, bevorzugt Chlor und auch Brom, Cyan, Nitro sowie Diphenoxymethoxy darstellt.
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Beispiele für diese Verbindungen sind: Die Bis-diphenoxymethyläther des Resorcins, Hydrochinons , 4-Methyl-brenzcatechins, 4-tert-Butyl-resorcins , 2-Cyclohexyl-hydrochinons, 3,4-Dihydroxy-biphenyls , 5-Phenoxy-resorcins, 4-Cyan-resorcins, 4,5-Dimethyl-brenzcatechins, 4-n-Hexyl-resorcins, 2 ,4-Dihydroxybenzoesäuremethyl-, -äthyl-, -isopropyl-, -butyl- und -isoamylesters, des 3,5-Dihydroxy-benzoesäuremethyl-, -äthyl-, -propyl-, -butyl- und -isoamylesters , des 4-Acetyl-, 4-Propionyl-, 4-Valeryl-, 4-Isononanoyl-, 4-Benzoyl-, 4-Benzyl-, 4-Cyan-, 4-Chlor- oder 4-Nitro-resorcins, des 4-Benzyl-brenzcatechins, des 2-Methoxy- oder 2-Butoxy-hydrochinons oder des 2 ,4-Dihydroxybenzoesäuredimethylamids sowie die Tris-diphenoxymethyläther des Phloroglucins und 1,2 ,4-Trihydroxy-benzols.
Weitere bevorzugte Verbindungen sind die Bis-diphenoxymethoxynaphthaline, z. B. 1,2-, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,7-, 1,8-, 2,3-, 2,5- oder 2,7-Bis-diphenoxymethoxy-naphthalin. Der Napthalinring kann jedoch auch noch zusätzliche Substituenten tragen, z. B. 1-Chlor- oder 1-Methyl-substituenten. Etwas weniger vorteilhaft sind wegen ihrer geringen Löslichkeit 1,5- und 2,6-Bis-diphenoxymethoxy-naphthalin.
Weitere besonders bevorzugte Orthocarbonsäurederivate sind Verbindungen der Fortael IV
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(PhO)9HCO
(IV)
Ph = Phenyl
in welchen der Diphenoxymethoxyrest und R15 bevorzugt die 4,4'-Positionen besetzen und R14 die Gruppierungen -0-, -S-, -SO2-, -CO-, -COO-, -CH2CO-, -COCH2-, -CH2O-, -OCH2-, CH2-COO-, -COOCH2-, -CO-N-Alkyl, Alkylen, bevorzugt Dimethylmethylen und Phenylmethylen, CH3-C-(CH2J2COOR16, wobei R,ß Wasserstoff, 0,-C3-Alkyl sowie Diphenoxymethyl sein kann, und bei besonderer Bevorzugung der 3,3'-Positionen -0-(CH2CH2)2_4-0- bedeutet und R15 Wasserstoff, C1-C3-AUyI, Halogen, bevorzugt Chlor oder Brom, C1-C3-ACyI, Ci-C3-Alkoxy, C^-C.-Carboalkoxy, Cyan, Nitro oder Diphenoxymethoxy, bevorzugt Diphenoxymethoxy oder Wasserstoff ist.
Als Beispiele für diese Gruppe sind zu nennen: Die Di-phenoxy· methyläther von 3-Phenoxy-phenol , 4-Phenoxy-pheno.l , 4-Hydroxydiphenylsulfid, 2-, 3- oder 4-Hydroxy-benzophenon, 4-Hydroxybenzoesaurephenyl ester, Benzoesäure-4-hydroxy-phenylester, 4-Hydroxy-benzoesäure(methyl-phenyl)-amid, Hydrochinonmonobenzyläther, 4-Phenoxymethyl-phenol, 4-Hydroxy-phenylessigsäurephenylester, 3- oder 4-Hydroxy-diphenylmethan, 4>Hydroxy-tri phenylmethan, Cumylphenol, die Bis-diphenoxymethyläther von 4,4'-Dihydroxy-diphenyläther, 4,4'-Dihydroxy-
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dι phenylsu1 fön, 4,4'-Dihydroxy-diphenylsulfid, 4,4'-Uihydroxy-benzophenon, 3,4'-Dihydroxy-benzophenon, 4-Hydroxy-pheny1 essigsäure-4-hydroxy-phenylester, Hydrochinon-4-hydroxy-benzyläther, 4-Hydroxy-benzoesäure-(äthyl-4-hydroxy-phenyl)ami d, 3,3'-Dihydroxy-di phenyl methan, Bisphenol A, 4,4'-Dihydroxy-triphenylmethan, 4 ,4-Di-(4-hydroxy-phenyi)-valeriansäure, -val eriansäuremethyl-, -äthyl-, -propyl- sowie -diphenoxy-methyl-ester, l,2-Bis-(3-hydroxy-phenoxy)-äthan, 1,4-Bis-(3-hydroxyphenoxy)-butan und auch die Diphenoxymethyläther von 4-Äthyl-4'-hydroxy-diphenyläther, 3-Brom-4'-hydroxybenzophenon, 4-Hydroxy-4'-methoxy-diphenylsulfön , 4-Acetyl-4'-hydroxy-diphenylmethan sowie die genannten Valeriansäurederivate , in denen die 4-Hydroxy-phenylgruppen durch 4-Hydroxy-3-methyl-phenylgruppen ersetzt sind.
Weitere besonders bevorzugte Verbindungen sind die Bi sdiphenoxymethyl-äther von Polyäthylenglykolen mit 1 bis etwa 23, vorzugsweise .2 bis 11, Oxyäthyleneinheiten. Die nähere Zahl bedeutet den aus der Hydroxylzahl von technischen Polyglykolen unter der Annahme einer einheitlichen Verbindung errechneten Mittelwert.
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Beispiele sind die Bis-diphenoxymethyläther des Äthylenglykols, Diäthylenglykols , Triäthylenglykols , Tetraäthylenglykols, Pentaäthylenglykols und Hexaäthylenglykols , der Polyglykole 200, 300, 400, 500, 600 und 1000.
Es können jedoch auch Polypropylenglykole in die Bisdiphenoxymethyläther übergeführt werden.
Schließlich sind als geeignete Orthocarbonsäurederivate auch die Amidacetale zu nennen, bei denen R„ die Bedeutung R6N(R7) hat.
Als Beispiele seien die N-Methyl- und N-Äthyl-N-diphenoxymethyl-amide der Benzoesäure und der Benzolsulfonsäure genannt.
Wenn R2 den Rest Ro N bedeutet, so sind bevorzugte Vertreter die N-Diphenoxymethylverbindungen von Lactamen, ζ. B. von 4-Methyl-azetidin-2-on, 4,4-Dimethyl-azetidin-2-on, 3,4,4-Trimethyl-azetidin-2-on, 3,4-Dimethylazetidin-2-on, 4-Phenyl-azetidin-2-on, 4-Vinyl-azetidin-2-on, PyrrOlidin-2-on, 3,3-D1methyl-pyrrolidin-2-on, 4-Phenyl-pyrrolidin-2-on, 5-Methyl-pyrrolidin-2-on , 5,5-Dimethyl-pyrrolidin-2-on sowie von ggf. substituierten höhergiiedrigen Lactamen wie Valeroiactam, Caprolactam und Laurinlactam, Lactamen mit annellierten Ringen wie
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z. B. cis-3,4-Trimethylen-azetidin-2-on, Isatin, Phthalimidin und 3,4-Dihydro-carbostyri1.
Weitere Beispiele sind die N-Diphenoxymethylverbindungen cyclischer Imide wie Maleinimid, Succinimid, Glutarimid, Hexahydrophthalimid, Phthalimid und substituierter Phthalmimide wie Tetrachlorphthalimid, aber auch anderer 5- und 6-gliedriger, bevorzugt 5-gliedriger Heterocyclen, die mit ein oder zwei carbocyclischen Ringen annelliert sein können, wie z. B. 2-Acetyl-pyrrol , 2-Äthoxycarbonylpyrrol, Benzimidazol, 1-Phenyl-3-methyl-pyrazo1-5-on, Carbazol, Phenothiazin und 1,4-Dihydro-collidin-3,5-dicarbonsäurediäthyTester.
Weitere geeignete Verbindungen sind Ortho-carbonsäurederivate, bei denen R0 die Bedeutung Rc(R^7)N hat und R4. ein Methylenaminorest ist, in denen also R2 den über das Stickstoffatom verknüpften Rest eines N-Alkyl- oder N-Arylhydrazons bildet. Bevorzugt ist R2 der Rest des N-phenylhydrazons eines aliphatischen oder aromatischen Aldehyds oder Ketons mit bevorzugt 2-8 C-Atomen. Der Rest -CR2(OR3)(OR4) bedeutet in diesem Falle bevorzugt den Diphenoxymethylrest. Beispiele sind u. a. N-Diphenoxymethyl-acetaldehyd-N-phenyl hydrazon, N-Diphenoxymethyl-benzaldehyd-N-phenylhydrazon und N-Diphenoxymethyl-acetophenon-N-phenylhydrazon.
- 21b 609840/0997
Schließlich sind die Orthocarbonsäurederivate zu nennen, bei denen R,- einen Methyleniminorest, also den über das Sauerstoffatom verknüpften Rest des Oxims eines aliphatischen oder aromatischen Aldehyds oder Ketons mit vorzugsweise 2-13 C-Atomen und -CR1(OR3)(OR4) vorzugsweise den Diphenoxymethylrest darstellt. Als Verbindungen seien u. a. O-Diphenoxymethyl-acetaldoxim, -cyclohexanonoxim, -benzaldoxim und -benzophenonoxim genannt.
Die genannten Orthocarbonsäurederivate werden ebenfalls durch Umsetzen der freien Hydroxyverbindungen oder der N-mono-
substituier.ten Amide^der Lactame, Imide, der NH-Gruppen
in Heterocyclen und N-monosybstituierten Hydrazonen
sowie der Hydroxygruppe in Oximen mit Diphenoxy-chlormethan
erhalten.
Generell informiert über die Vielfals der Darstellungsmöglichkeiten von Orthoestern R. H. De Wolfe in dem Buch "Carbocyclic Ortho Acid Derivates", S. 1 - 133, aus der Monographienserie "Organic Chemistry", Academic Press, New York und London 1970 sowie in Synthesis 1974, S. 153.
- 22 -
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Zur Herstellung der erfindungsgemäßen positiv arbeitenden Kopiermassen werden die beschriebenen Orthocarbonsäurederivate gemischt mit Substanzen, die photochemisch und bzw. oder durch Einwirkung von energiereichen Strahlen, besonders Elektronenstrahlen, Säuren erzeugen.
Die bei vielen Positiv-Kopiermassen bewährten Novolak-Kondensationsharze haben sich auch bei den erfindungsgemäßen Kopiermassen als besonders brauchbar und vorteilhaft erwiesen. Sie fördern die starke Differenzierung zwischen den belichteten und unbelichteten Schichtpartien beim Entwickeln, besonders die höher kondensierten Harze mit substituierten Phenolen als Formaldehyd-Kondensations partner. Die Art und Menge der Novolak-Harze kann je nach Anwendungszweck verschieden sein; bevorzugt sind Kovolak-Anteile am Gesamtfeststoff zwischen 30 und 90, besonders bevorzugt 55 - 85 Gew.-%. Die Novolake können auch durch Umsetzung eines Teils ihrer Hydroxygruppen, z. B. mit Chloressigsäure, Isocyanaten, Epoxlden oder Carbonsäureanhydriden, modifiziert sein. Zusätzlich können noch zahl reiche andere Harze mitverwendet werden, bevorzugt Vinylpolymerisate wie Polyv1nylacetatet Polyacrylate, Polyvinylether und Polyvinylpyrrolidone, die selbst durch Comonomere modifiziert sein können. Der günstigste Anteil an diesen Harzen richtet sich nach den anwendungstechnischen Erfordernissen und dem Einfluß auf die Ent-
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Wicklungsbedingungen und beträgt im allgemeinen, nicht mehr als 20 % vom Novolak. In geringen Mengen kann die lichtempfindliche Masse für spezielle Erfordernisse wie Flexibilität, Haftung, Glanz etc. außerdem noch Substanzen wie Polyglykole, CeI1ulose-Derivate wie Äthyl eel 1ulose, Netzmittel, Farbstoffe und feinteilige Pigmente enthalten.
Als strahlungsempfindliche Komponente, die beim Bestrahlen mit Licht oder Elektronen ausreichender Energie Säuren abspaltet, sind eine große Anzahl von an sich bekannten Diazonium-Salzen und Halogen-Verbindungen sowie Chinondiazidsulfochloride bekannt.
An Diazonium-Salzen kommen die in der Diazotypie bekannten Verbindungen mit ausnutzbarer Absorption zwischen 300 und 600 nm in Frage. Einige erprobte und erfahrungsgemäß ausreichend lagerfähige Diazoniumverbindungen sind in den Beispielen genannt, bevorzugt werden Verbindungen, die keine basischen Substituenten enthalten.
Die genannten Diazoniumverbindungen werden in der Regel eingesetzt in Form ihrer organisch löslichen Salze, meist als Abscheidungsprodukt mit komplexen Säuren wie Borfluorwasserstoffsäure oder Hexafluorphosphorsäure.
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Es können aber auch Derivate der positiv arbeitenden o-Chinondiazide verwendet werden. Die beim Belichten von o-Naphthochinondiaziden entstehende Indencarbonsäure reicht meist nur knapp für eine ausreichende bildmäßige Differenzierung aus. Bevorzugt wird aus dieser Gruppe das Naphthochinon-1,2-diazid-4-sulfochlorid , bei dessen Belichtung drei Säurefunktionen gebildet werden, so daß ein relativ großer Verstärkungsfaktor bei der Spaltung der Orthoester entsteht.
Grundsätzlich sind als haiuyenhalti ge strahlungsempfindliche und Halogenwasserstoffsäure bildende Verbindungen alle auch als photochemische Radi kai starter bekannten organischen Halogenverbindungen, beispielsweise solche mit mehr als einem Halogenatom an einem Kohlenstoffatom oder einem aromatischen Ring, brauchbar. Beispiele sind in den US-PS 3 515 552 und 3 536 489 und den DT-OS 2 306 248 und 2 243 621 beschrieben. Die Wirkung dieser halogenhaltigen Verbindungen kann auch für diese erfindungsgemäßen Positiv-Kopierschichten durch an sich bekannte Sensibilisatoren spektral beeinflußt und gesteigert werden.
Geeignet sind ferner bestimmte substituierte Trichlormethylpyrone.
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(ft
Beispiele für geeignete Starter sind: 4-Di-n-propylaiiiino-benzoldiazoniumtetrafluoroborat, 4-p-To1ylmercapto-2,5-diäthoxy-benzoldiazoniumhexa-11 uorophosphat und - t.etraf 1 uoborat, Diphenylamin-4-di azorii umsul fdt, 4-Methyl -6-trichlormethyl -2-pyron , 4-(3 ,4, b-Tri methoxy-styry1)-6-trich!ormethyl-2-pyron, 4-(4-Methoxy-styryl)-6-(3,3,3-tri chi οr-propenyl)-2-pyron, 2-Tri chiyrmethy1-benzimi dazol, 2-Tribrommethyl-chinolin, Z ,4-Dimethy 1-1-tribromacetyl-benzol, 3-Nitro-l-tribromacetyl-benzol, 4-Dibromacetyl-benzoesäure, 1,4-Bisdi brommethyl-benzol , Tri s-di.brommethyl-s-triazin und die in den Beispielen angeführten Verbindungen.
Die Startermenge kann je nach Substanz und Schicht ebenfalls sehr verschieden sein. Günstigere Ergebnisse werden erhalten zwischen ca. 0,1 und ca. 10 X, bezogen auf den Gesamtfeststoff, bevorzugt sind 0,5 - 5 %. Besonders für Schichten von Dicken über 10,um empfiehlt es sich, relativ wenig Säurespender der Schicht beizumischen.
Schließlich können der lichtempfindlichen Masse noch lösliche oder auch feinteilige dispergierbare Farbstoffe sowie je nach Anwendungszweck auch UV-Absorber zugesetzt werden. Die günstigsten Mengenverhältnisse der Komponenten sind durch weitere Optimierung innerhalb der angegebenen Grenzen festzulegen.
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Getiyneie Los. unysiin t te) für das erf i ndungsgemäße Stoffijemisch bind Ketone, wie Methylethylketon, chlorierte
Kohl enWisserstoffe wie Trichloräthylen und 1,1,1-Trichloräthan, Alkohole wie n-Propanol , Äther wie Tetrahydrofuran, Alkoholäther wie Äthyl englykol -monoäthyla'ther und Ester wie Butylacetat. Es können auch Gemische verwendet werden,
die zudem noch für spezielle Zwecke Lösungsmittel wie
Acetonitril, Üioxan oder Dimethylformamid enthalten
können. Prinzipiell sind alle Lösungsmittel verwendbar, die mit den Schichtkomponenten nicht irreversibel
reag i e ren.
Die Wahl der Lösungsmittel ist jedoch auf'das vorgesehene Beschichtungsverfahren, die Schichtdicke und die Trocknungsvorrichtung.abzustimmen. Dünne Schichten bis ca. 5.um werden für Versuchsmengen vorzugsweise auf der Schleuder durch Aufgießen aufgetragen. Mit Lösungen bis zu ca. 40 % Feststoffgehalt sind so mit einmaligem Auftrag oder mit einer Streichrakel Schichtdicken bis ca. 60,um erreichbar. Für beidseitige Beschichtung wird Tauchbeschichtung vorgezogen, wobei durch Verwendung von Niedrigsiedern schnelles Antrocknen von Vorteil ist. Bandbeschichtung erfolgt durch Antragen mittels Walzen,
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•a
Fließerspalt oder Sprühen; Formate wie Zink- und Mehrmetall-Platten können durch Gießer-Antrag (curtaincoater) beschichtet werden.
Im Vergleich zu anderen Positiv-Schichten, besonders denen auf Naphthochinondiazid-Basis, ist die Herstellung dickerer Schichten vorteilhaft möglich, da die Lichtempfindlichkeit der erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Masse verhältnismäßig wenig dickenabhängig ist. Belichtung und Verarbeitung von Schichtdicken bis ca. 100/Um und darüber ist möglich.
Bevorzugte Träger für dicke Schichten über 10,um sind Folien, die dann als temporäre Träger für Transferschichten dienen. Dafür und für Farbfolien werden Polyesterfolien, z. B. aus Polyäthylenterephthalat, bevorzugt. Polyolefinfolien wie Polypropylen sind jedoch ebenfalls möglich. Als Schichtträger für Schichtdicken unter ca. 10,um werden meist Metalle verwendet. Für Offsetdruckplatten können eingesetzt werden: mechanisch oder elektrochemisch aufgerauhte Aluminiumplatten, die zudem noch chemisch, z. B. mit Polyvinylphosphonsäure, Silikaten oder Phosphaten, vorbehandelt sein können, außerdem Mehrmetallplatten mit Cu/Cr oder Messing/Cr als oberste Schicht. Für Hoch
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ZO
druckplatten können die erf i ndungsgemäben Schichten auf Zink- oder Magnesi um-Plattt.-n sowie deren handelsüblichen mikrokristalline Legierungen für Einstufenätzverfahren aufgetragen werden, außerdem auf ätzbare Kunststoffe wie Hostaform. Für Tiefdruck- bzw. Siebdruck-Druckformen eignen sich Orthocarbonsäurederivat-Schichten durch ihre gute Haftung und Ätzfestigkeit auf Kupfer- bzw. Nickel-Oberflächen.
Schließlich kann die Beschichtung direkt oder durch Auflaminieren vom temporären Träger erfolgen auf Leiterplatten-Materialien, die aus Isolierplatten mit ein- oder beidseitiger Kupfer-Auflage bestehen, auf Glas oder Keramik-Materialien, die ggf. haftvermittelnd vorbehandelt sind, und auf Si 1icium-Scheiben, für die in der Mikroelektronik schon Erfahrung mit Elektronenstrahl-Bebi1derung vorliegt. Außerdem können Holz, Textilien und Oberflächen vieler Werkstoffe beschichtet werden, die vorteilhaft durch Projektion bebi1 -'dert werden und resistent gegen die Einwirkung alkalischer Entwickler sind.
Für die Trocknung nach der Beschichtung können die üblichen Geräte und Bedingungen übernommen werden, Temperaturen um 100° C und kurzfristig bis 120° C werden ohne Einbuße an Lichtempfindlichkeit vertragen.
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Zum Belichten können ebenfalls die üblichen Kopiergeräte wie köhrenlampen , Xenonimpuls1ampen, metal 1 haiogendotierte Quecksilberdampf-Hochdrucklampen und Kohlebogenlampen verwendet werden. Darüber hinaus ist bei den lichtempfindlichen Orthocarbonsä'urederivat-Schichten das Belichten in üblichen Projektions- und Vergrößerungs-Geräten unter dem Licht der Metallfadenlampen und Kontakt-Belichtung mit gewöhnlichen Glühbirnen möglich. Die Belichtung kann auch mit kohärentem Licht eines Lasers erfolgen. Geeignet für die Zwecke vorliegender Erfindung sind leistungsgerechte kurzwellige Laser, beispielsweise Argon-Laser, Krypton-Ion-Laser, Farbstoff-Laser und HeIium-Cadmium-Laser, die zwischen 3Ό0 und 600 nm emittieren. Der Laserstrahl wird mittels einer vorgegebenen programmierten Strich- und/oder Raster-Bewegung gesteuert.
Das Bestrahlen mit Elektronenstrahlen ist eine weitere Bebi1derungsmöglichkeit. Elektronenstrahlen können die erfindungs· gemäße Kopiermasse wie auch viele andere organische Materialien durchgreifend zersetzen und vernetzen, so daß ein negatives Bild entsteht, wenn die unbestrahlten Teile durch Lösungsmittel oder Belichten ohne Vorlage und Entwickeln entfernt werden.- Bei geringerer Intensität und/oder höherer Schreibgeschwindigkeit des Elektronenstrahls bewirkt dagegen der Elektronenstrahl eine Differenzierung in Richtung höherer Löslichkeit, d. h. die bestrahlten Schichtpartien können
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vom Entwickler entfernt werden. Es wurde gefunden, daß diese Orthocarbonsäure-Derivate enthaltende Schichten erheblich elektronenstrahl-empfindlicher als übliche Naphthochinondiazid-Schichten sind und - wie in den Beispielen erläutert- ein breiter Bandbereich vergleichsweise geringer Energieeinwirkung von Elektronenstrahlen ausgenutzt werden kann. Die Wahl der günstigsten Bedingungen kann durch Vorversuche leicht ermittelt werden.
Die bildmä3ig belichtete oder mit Elektronen bestrahlte Orthocarbonsäurederivat-Schicht kann mit den gleichen Entwicklern wie fUr handelsübliche Naphthochinondiazid-Schichten und Kopierlacke entfernt werden bzw. die neuen Schichten können in ihren Kopierbedingungen vorteilhaft auf die bekannten Hilfsmittel wie Entwickler und programmierte Sprühentwicklungsgeräte abgestimmt werden. Die wäßrigen Entwicklerlösungen können Alkaliphosphate, -Silikate oder -hydroxide und ferner Netzmittel sowie organische Lösungsmittel enthalten. In bestimmten Fällen sind auch Lösungsmittel-Wasser-Gemische als Entwickler brauchbar. Die Wahl des günstigsten Entwicklers kann durch Versuche mit der jeweils verwendeten Schicht ermittelt werden. Bei Bedarf kann die Entwicklung mechanisch unterstützt werden.
Zur Erhöhung der Widerstandsfähigkeit beim Druck sowie der Resistenz gegen Auswaschmittel, Korrekturmittel und durch UV-Licht härtbare Druckfarben können die entwickelten Platten kurze Zeit auf erhöhte Temperaturen erwärmt werden, wie es
für Diazoschichten z. B. aus der britischen Patentschrift
609840/0997 1 154 749 bekannt ist.
Erfindungsgemäß wurde weiterhin gefunden, daß man sowohl die■erfindungsgemäßen, Orthocarbonsäurederivate enthaltenden Kopiermassen als auch bestimmte bekannte Kopiermassen zur Aufzeichnung von Elektronen- oder anderen energiereichen Strahlen mit besonderem Vorteil verwenden kann.
Erfindungsgemäß wird daher weiterhin ein Verfahren zur Aufzeichnung energiereicher Strahlung, insbesondere von Elektronenstrahlen vorgeschlagen, bei dem man ein strahlungs empfindliches Aufzeichnungsmaterial aus einem Träger und einer strahlungsempfindlichen Schicht, die als wesentliche Bestandteile (1) eine bei Bestrahlung Säure abspaltende Verbindung und (2) eine Verbindung enthält, deren Löslichkeit durch Säureeinwirkung erhöht wird, bildmäßig mit energiereicher Strahlung in solcher Dosis bestrahlt, daß die Löslichkeit der Schicht, insbesondere in Wasser und wäßrigen Lösungen, an den bestrahlten Stellen zunimmt, und die bestrahlten Stellen mittels einer Entwicklerlösung entfernt, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man als Verbindung (2) eine Verbindung mit mindestens einer Orthocarbonsäureester- und bzw. oder Amidacetalgruppierung oder eine Verbindung, die mindestens eine durch Säure spaltbare Bindung der allgemeinen Formel
B09840/099?
CH
aufweist, in dc-r Z den Rest -OAr, -NRSO^Ar
oder '
darstellt und Ar ein einwertiger oder zweiwertiger aromatischer Rest und R ein niederer Alkylrest ist, verwendet.
Die vorstehend genannten Acetal- bzw. Aminalverbindunaen sind im einzelnen in der DT-OS 2 306 248 beschrieben.
Als Starter bei dem Verfahren zur Elektronenstrahlaufzeichnung sind neben den bekannten für sichtbares und nahes UV-Licht empfindlichen photolytisehen Säurespendern auch
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solche geeignet, deren Absorptionsbereiche im kürzerwelligen Teil des elektromagnetischen Spektrums liegen und die damit gegenüber Tageslicht wenig empfindlich sind. Dies hat den Vorteil, daß man die Aufzeichnungsmaterialien ohne Lichtausschluß handhaben kann und daß die Materialien besser lagerfähig gemacht werden können.
Als Beispiele für derartige Starter sind Tribrommethylphenyl-sulfon, 2,2' ,4,4',6,6'-Hexabrom-diphenylamin, Pentabromäthan, 2 ,3,4,5-Tetrachlorani1iη, Pentaerythrittetra-bromid, Clophen-Harz W, d. h. ein Chlorterphenylharz, oder chlorierte Paraffine zu nennen.
Im folgenden werden Beispiele für die erfindungsgemäße Kopiermasse angegeben. Dabei wird zunächst die Herstellung einer Anzahl neuer Orthoester bzw. Carbonsäureamidacetale beschrieben, die in erf i ndungsgemäß.en Kopiermassen als säurespaltbare Verbindungen erprobt wurden. Sie wurden als Verbindungen 1 bis 103durchnumeriert und kehren unter dieser Bezeichnung in den Anwendungsbeispielen wieder. In den Beispielen stehen Gewichtsteile (Gt.) und Volumteile (Vt.) im Verhältnis von g zu ml. Prozent- und Verhältnisangaben beziehen sich, wenn nichts anderes angegeben ist, auf Gewichtseinheiten.
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Ein Teil der verwendeten bei Bestrahlung unter Säurebildung spaltbaren Verbindungen ist ebenfalls neu. Es handelt sich hierbei um bestimmte substituierte 6-Trichlormethyl-2-pyrone. Diese Verbindungen werden im wesentlichen alle nach dem folgenden Reaktionsschema in Analogie zu bekannten Verbindungen hergestellt:
CH ONa Ar-C=O + CH7-C = CH-COOCH. - > Ar-C = CH-C = CH-COOH (1)
ι Ji -J Ii
R CH3 R CH3
COCI9
Ar-C=CH-C=CH-COOH 'Ar-C=CH-C=CH-COCl (2)
I I Il
R CH3 R CH3
Et^N
Ar-C = CH-C = CH-COCl + Cl ,.CCOCl w CH = C - Ar
Il J It
R CH, (^S R (3)
ci3c ο
Die erhaltenen Pyronderivate können als solche verwendet oder noch durch Umsetzen mit Sulfurylchlorid, Chlor oder Brom halogeniert werden, wobei das Halogen an einer nicht näher bestimmten Stelle in das Molekül eintritt. Die nachhalogenierten Pyrone sind ebenfalls als säureabspaltende Starter
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geeignet. Die Herstellung einer Verbindung wird im einzelnen im Zusammenhang mit Beispiel 30 beschrieben. Die Herstellung der übrigen Verbindung erfolgt glatt in analoger Weise, ggf. unter Verwendung der vinylogen aromatischen Carbonylverbindungen als Ausgangssubstanzen in Stufe (1).
Allgemeine Vorschrift für die Herstellung der in den Tabellen 1-4 aufgeführten Verbindungen 1 bis 32
10 g Diphenoxychlormethan in 50 ml wasserfreiem Methylenchlorid oder einem Methylenchlorid-Diäthyläthergemisch 1 : 1 werden unter Rühren bei 5 - 15° C tropfenweise mit 6,5 ml Triethylamin in 10 ml wasserfreiem Methylenchlorid versetzt. Prinzipiell können auch andere unter den Reaktionsbedingungen mit den Reaktionskomponenten nicht irreversibel reagierende Lösungsmittel, z. B. Tetrahydrofuran, Dioxan, Aceton, Äthylacetat, 1,2-Dimethoxy-äthan und 1,2-Dichloräthan eingesetzt werden. Man fügt 0,04 Moläquivalente Hydroxylkomponente hinzu und rührt das Gemisch 2 bis 24 Stunden bei Raumtemperatur. Es können auch Hydroxyl komponente und Triethylamin vorgelegt und eine Lösung des Diphenoxychlormethans zugetropft werden. Nachdem die mit Hilfe der DUnnschichtchromatographie verfolgte Umsetzung weitgehend beendet ist, wird das Reaktionsgemisch zweimal mit 50 ml Wasser gewaschen, die organische
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Phase liber Natriumsulfat getrocknet und unter vermindertem Druck eingedampft. Das Rohprodukt kristallisiert man aus einem geeigneten Lösungsmittel um (Methode a). Die Aufarbeitungsmethode b beinhaltet zweimaliges
Waschen der organischen Phase mit je 10 ml 15 proz.
Natronlauge, dreimaliges Waschen mit Wasser, Trocknen und Eindampfen. Bei der Methode c wird das Rohprodukt an Kieselgel mit Methylenchlorid als Laufmittel chromatographiert, die Methode d besteht im Umfallen des Rohproduktes aus Methanol bei -30° C.
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CD CXJ O O
Tabelle 1 Verbindungen der allgemeinen Formel
(Ph * Phenyl)
OCH(OPh) OCH(OPh)0
Verbindung
Nr.
V R2 Positiohen
-OCH(OPh)2
Schmp., C Ausbeute
(% d. Th.)
Methode I C
1 H H 1,3 101 - 102,5 73 a d
2 4-tert-C4H9 H 1,2 88 - 89 80 a
3 4-COCH3 H 1,3 öl 99 b a
4 4-CO-n-C4H9 H 1 ,3 Öl 99 CD
c, a __k
O
b 00
5 4-COPh H 1,3 öl 64 b ^0
6 4-COOCH3 H 1,3 öl 79 a
7 5-COO-I-C5H1, H 1,3 68 - 69 61
8 5-OCH(OPh)2 H 1,3 114,5-116 83
9
10
4-COPh
4-n-C6H13
3-OCH(OPh)2
H
1,2
1,3
102 - 103
öl
92
99
11 4-COO-I-C5H11 H 1,3 öl 99
12 4-NO2 H 1,3 63 - 64 80
Tabelle 2 Verbindungen der allgemeinen Formel
(PhO)2CHO
OCH(OPh)
Verbindung
Nr.
Positionen
-OCH(OPh)2
Schmp., ° C Ausbeute
(% d. Th.)
Methode
13 1,4 119,5 - 120,5 56 a
14 1/5 183,5 - 184,5 86 a
15 1,6 122,5 - 123,5 66 a
16 1,7 93,5 - 95 76 a
17 1,8 84 - 85 51 a +)
18 2,3 121,5 - 123 70 a
19 2,6 179,5 - 182 81 a
20 2,7 97 - 98,5 78 a
+) Die Reaktionszeit betrug in diesem Beispiel 96 Stunden
Tabelle 3 Verbindungen der allgemeinen Formel
. (PhO) 2CHO
Verbindung Nr.
Position -OCH(OPh).
Schmp.
Ausbeute (% d. Th.)
Methode
CD
O
CO
OO
21 22
23 24
25 26
27
CH--C-CH
■J I ·
CH,-C-CH.j
J I J
-SO2-
CH3-C-(CH2)2COOC2H5
CH3-C-(CH2)2COOH
4'-OCH(OPh)
4'-OCH(OPh)
4' -OCH (OPh)
4'-OCH(OPh)
CH3-C-(CH2)
COOCH(OPh)
-0-
4'-OCH(OPh)
3'-OCH(OPh)
- 79/5
- 96,5
- 109
- 141
- 144
83,5 - 85,5 öl
80 91
94 91
95
92
+) Die Verbindung 25 wurde durch 15stündiges Erhitzen einer Lösung der Verbindung 26 in Äthanol unter Rückfluß, Abdestillieren des Lösungsmittels im Vakuum und Kristallisation aus Äthylacetat
• erhalten.
Tabelle
Verbindung Nr.
Verbindung
σ> ο co αο
ο co co
28
29
30
31
32
H-NMR (-0)3CH
<f (ppm) , CDCl3(TMS)
(PhO)2CH0(CH2)120CH(OPh)
Ph
-QC
OCH(OPh)
C2H5
OCH(OPh)
2H5
P-H3CO - Ph -
CHOCH(OPh)
6,24
6,24
6,30
6,25
6,22
Ausbeute (% d. Th.)
90 94
97 96
94
Methode
b b
Verbindung 33
16 g 2-Naphthol wurden in 55 ml Zn äthanolischer Natriumäthylatlösung gelöst. Unter vermindertem Druck wurde das Lösungsmittel abdestilliert, der Rückstand im Hochvakuum getrocknet, anschließend in 50 ml 1,2-Dimethoxyäthan suspendiert und die Flüssigkeit mit Stickstoff überlagert. Man tropfte in die gerührte Suspension 8,9 g Phenyldichlormethyläther (Rec. Trav. Chim. 9J), 556 (1971)), erhitzte sie anschließend 30 Minuten unter Rückfluß und entfernte das Lösungsmittel unter vermindertem Druck. Der Rückstand wurde zwischen Wasser und Methylenchlorid verteilt, die organische Phase mit 15 Xiger Natronlauge und Wasser gewaschen, über Natriumsulfat getrocknet und im Vakuum eingedampft. Der Rückstand wurde in 15 ml Äther gelöst und tropfenweise mit 45 ml Äthanol versetzt. Es kristallisierten 10,74 g (55 % d. Th.) Dinaphthoxy-phenoxy-methan vom Schmelzpunkt 88,5 90° C (Verbindung 33). Nochmaliges Umkristallisieren aus Äther/Äthanol erbrachte den Schmelzpunkt 90,5 - 91,5° C.
Verbindung 34
22,4 g Natrium-4-(2-phenyl-prop-2-yl)-phenolat in 50 ml Dimethylformamid wurden in einer Stickstoffatmosphäre unter Rühren tropfenweise mit 8,36 g Phenyldichlor-
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methyläther versetzt. Nach 3,5 Stunden bei Raumtemperatur wurde das Gemisch auf 500 ml Eis/Wasser gegossen und mit zweimal 200 ml Äther aufgenommen. Die in der Ätherphase suspendierte organische Substanz wurde abgesaugt und aus Methylenchlorid/ Äthanol umkristallisiert. Man erhielt 3,85 g Tris-4-(2-phenyl-prop-2-yl)-phenoxy-methan (Verbindung 34 A) vom Schmelzpunkt 166 - 67° C (13 % d. Th.).
Das ätherische Filtrat wurde mit 15 proz. Natronlauge und Wasser gewaschen, über Natriumsulfat getrocknet und eingedampft. Der Rückstand wurde in Methylenchlorid gelöst und über Kieselgel (0,05 - 0,2 mm) filtriert· Die aus den mittleren Fraktionen gewonnene Substanz (11,6 g, 70 % der aufgegebenen Menge) wurde fraktioniert aus Äther/Äthanol kristallisiert. Man erhielt 5,1 g Phenoxy-bi s-4-(2-phenyl-prop-2-yl)-phenoxy-methan (Verbindung 34 B) vom Schmelzpunkt 110 - 1110 C (20 % d. Th.).
Verbindung 35
52 g n-Decanol, 10,8 g Orthoameisensäuretrimeth'yiester und 300 mg p-Toluolsulfonsäure wurden 15 Stunden unter RUhren erhitzt, wobei man die Temperatur des Heizbades allmählich von 100° C auf. 140° C steigerte; 8,80 g eines Destillats, das zu 91 % aus Methanol bestand,
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wurden aufgefangen. Man ließ das Reaktionsgemisch abkühlen, verrührte es mit 1,5 g wasserfreiem Kaliumcarbonat und filtrierte es. Das Filtrat wurde in einer Kugelrohrapparatur destilliert. Die bei einer Luftbadtemperatur von 185 - 205° C und 0,002 Torr übergehende Fraktion von 14,42 g bestand aus .Ortho-ameisensäure-tri-n-decylester (Verbindung 35). 1H-NMR (CDCl3, TMS) : </" 5,15 ppm ((-O)3CH).
Verbindung 36
58 g n-Dodecanol, 10,8 Orthoameisensäuretrimethylester und 300 mg p-Toluolsulfonsäure wurden 42 Stunden unter Rühren erhitzt, wobei man die Temperatur des Heizbades allmählich von 115 auf 160° C steigerte; 6,50 g eines Destillats, das zu 94 % aus Methanol bestand, wurden aufgefangen. Man ließ das Reaktionsgemisch abkühlen, verrührte es mit 0,5 g wasserfreiem Kaliumcarbonat und filtrierte es. Das Filtrat wurde in einer Kugelrohrapparatur destilliert. Die bei einer Luftbadtemperatur von 240 - 250° C und 0,007 Torr übergehende Fraktion von 17,8 g bestand aus Orthoameisensäure-tri-n-dodecylester (Verbindung 36).
1H-NMR (CDCl31 TMS) :<T= 5,16 ppm ((-O)3CH).
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Verbindung 37
160,3 g 2-Äthyl-2-butyl-1,3-propandiol, 72 g Qrthoameisensäuretrimethylester und 650 mg p-Toluolsulfonsäure wurden unter Rühren 5 Stunden erhitzt, wobei man die Badtemperatur allmählich von 100° C auf 165° C steigerte, über eine aufgesetzte 20 cm-Vigreux-Kolonne wurden 60,2 g Methanol abdestilliert. Das Reaktionsgemisch verrührte man nach dem Abkühlen mit 100 ml Äther und 2,4 g wasserfreiem Kaliumcarbonat, filtrierte es und destillierte das Filtrat in einer Kugelrohrapparatur. Die bei einer Luftbadtemperatur von 180 - 200° C und 0,005 Torr übergehende Fraktion vqn 130 g wurde nochmals destilliert. Bei 180 - 185° C Luftbadtemperatur und 0,005 Torr wurden 114,6 g 1,3-Di -/2~-(5-äthyl-5-butyl-l,3-dioxa-cyclohexoxy]7-2-äthyl-2-butyl-propan erhalten (Verbindung 37).
1H-NMR(CDCl3, TMS):eT= 5,26 ppm ((-O)3CH).
Verbindung 38
28 g 2-Äthyl-2-butyl-l,3-propandiol, 19,3 Orthoessigsäuretriä'thylester und 150 mg p-Tol uolsul fonsäure wurden unter Rühren 7 Stunden erhitzt, wobei man die Badtemperatur allmählich von 125° bis 160° C steigerte. 12,92 g
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Äthanol destillierten ab. Nach dem Abkühlen verrührte man das Reaktionsgemisch mit 300 mg Kaliumcarbonat und 50 ml Äther, filtrierte es und destillierte das Filtrat dreimal in einer Kugelrohrapparatur. Die schließlich bei der Luftbadtemperatur von 185° C und 0,0005 Torr übergehende Fraktion bestand aus 1,3-Di-
/?-(5-äthyl-5-butyl-2-methyl-l,3-dioxa-cyclohexoxy]7-2-äthyl-2-butyl-propan (Verbindung 38).
1H-NMR (CDCl3, TMS): qT = 3,17 - 4,02 ppm, AB-Spektrum + S, (-CH2-O-)
Allgemeine Vorschrift für die Verbindungen 39 - 49
Einer gerührten Lösung von 15 mMol Diol und 4,9 ml Triethylamin in 30 ml Methylenchlorid werden tropfenweise unter Kühlung 7,5 g Diphenoxychlormethan in 10 ml Methylenchlorid zugesetzt. Die Reaktionsmischung steht über Nacht bei Raumtemperatur und wird anschließend jeweils zweimal mit 15 ml Wasser, 15 vml 15 proz. Natronlauge und fünfmal mit 15 ml Wasser gewaschen, über Natriumsulfat getrocknet und im Vakuum vom Lösungsmittel befreit. Die Rohprodukte werden - bis auf das Umsetzungsprodukt des Äthylenglykols, das aus Äther unter Zusatz von Äthanol kristallisiert - direkt analysiert. Das H-NMR-Signal
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46,-
HS
(CDCl3) der Diphenoxy-methyl-Protonen ((-O)3CH) wird in allen Fällen im Bereich» = 6,28 - 6,31 ppm im berechneten Integrations vernaltnis gefunden. Die IR-Spektren zeigen keine Hydroxylgruppen an.
Verbindung 39 Äthylenglykol-bis-diphenoxymethyläther (Schmp. 74,5 - 75,5° C) Ausbeute 91 % d. Th. Verbindung 40 Di äthy1englykol-bis-diphenoxymethy lather. Ausbeute 98 % d. Th. Verbindung 41 Triäthy1englykol-bi s-diphenoxymethylather. Ausbeute 94 % d. Th. Verbindung 42
Tetraäthylenglykol-bis-diphenoxymethyläther. Ausbeute 99 % d. Th.
Verbindung 43 Pentaäthy1englykol-bis-diphenoxymethyläther. Ausbeute 99 % d. Th.
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Verbindung 44
Verätherung von Polyglykol 200 mit Diphenoxychlormethan. Eingesetzt: 3 g Polyglykol 200 der Hydroxylzahl 562. Ausbeute: 8,74 g (99 % d. Th.)
Verbindung 45
Verätherung von Polyglykol 300 mit Diphenoxychlormethan. Eingesetzt: 4,6 g Polyglykol 300 der Hydroxylzahl 366. Ausbeute: 10,25 g (97 % d. Th.)
Verbindung 46
Verätherung von Polyglykol 400 mit Diphenoxychlormethan. Eingesetzt: 6,3 g Polyglykol 400 der Hydroxylzahl 270. Ausbeute: 11,85 g (96 % d. Th.)
Verbindung 47
Verätherung von Polyglykol 500 mit Diphenoxychlormethan. Eingesetzt: 7,43 g Polyglykol 500 der Hydroxylzahl 227. Ausbeute: 13,11 g (98 % d. Th.)
Verbindung 48
Verätherung von Polyglykol 600 mit Diphenoxychlormethan. Eingesetzt: 9,03 g Polyglykol 600 der Hydroxylzahl 186. Ausbeute: 14,75 g (98,6 % d. Th.)
609840/0997
Verbindung 49
Veretherung von Polyglykol 1000 mit Diphenoxychlormethan. Eingesetzt: 15,45 g Polyglykol 1000 der Hydroxylzahl 107. Ausbeute: 21,33 g (99,6 % d. Th.)
Verbindung 50
Zu 4,12 g Triäthylenglykolmonobutyläther und 3,3 ml Triäthylamin in 35 ml Methylenchlorid wurden unter Rühren und Kühlung 5 g Diphenoxychlormethan in 5 ml Methylenchlorid getropft. Die Reaktionsmischung stand über Nacht bei Raumtemperatur und wurde anschließend zweimal mit je 15 ml Wasser, dreimal mit 15 ml 15 proz. Natronlauge und wieder dreimal mit 15 ml Wasser gewaschen. Die über Natriumsulfat getrocknete organische Phase wurde im Vakuum vom Lösungsmittel befreit. Als öliger Rückstand verblieben 7,76 g (96 % d. Th.) Triäthylenglykol-butyl -diphenoxymethyl-äther (Verbindung 50).
1H-NMR (CDCl3, TMS) : <f= 6,46 ppm (-O)3CH
Verbindung 51
Analog zur Herstellung der Verbindung 50 wurden anstelle von Triäthylenglykolmonobutyläther 1,66 g Terephthalsäure umgesetzt und das Gemisch nach 6,5 Stunden aufgearbeitet. Das Rohprodukt kristallisierte aus Äther:
809840/09$?
4,43 g (77 % d. Th.) Terephthalsäure-bis-diphenoxymethylester vom Schmelzpunkt 96 - 97° C (Verbindung 51).
Verbindung 52
Analog zur Herstellung der Verbindung 50 wurden anstelle von Triäthylenglykolmonobutyläther 2,7 g Benzoesäuremethylamid in 20 ml Methylenchlorid umgesetzt und nach drei Tagen aufgearbeitet. Das Rohprodukt wurde, gelöst in Methylenchlorid, durch Filtration über Kieselgel von Verunreinigungen befreit. Man erhielt 3,7 g (56 %) öliges N-Methyl-N-diphenoxymethylbenzoesäureamid (Verbindung 52). IR (CHgCIp): 1653 cm" (Amidcarbonyl).
Verbindung 53
Analog zur Herstellung der Verbindung 50 wurden anstelle· von Triäthylenglykolmonobutyläther 3,42 g Benzolsulfonsäuremethylamid umgesetzt und nach 4 Tagen aufgearbeitet. Das Rohprodukt wurde an Kieselgel (0,05 - 0,2 mm) mit Methylenchlorid als Elutionsmittel chromatographiert. Die ersten, nur ein Hauptprodukt enthaltenden Fraktionen wurden vereinigt, aus Äther umkristallisiert und ergaben 2,85 g (39 % d. Th.) N-Methyl-N-diphenoxymethyl-benzolsulfonamid vom Schmelzpunkt 96 - 97,5° C (Verbindung 53).
609840/09 9 X7
Verbindung 54
93 g Weinsäurediäthylester, 65 g Orthoameisensäuretrimethylester und 0,3 g p-Toluolsulfonsäure wurden unter Rühren erhitzt, wobei man die Reaktionstemperatur in 2,5 Stunden von 92° C auf 141° C steigerte, über eine 20 cm-Vigreux-Kolonne wurden 36,8 g Destillat, überwiegend Methanol, entnommen. Die Destillation des mit 1,5 g Kaliumcarbonat neutralisierten Reaktionsgemisches erbrachte 96,3 g (86 %) 4,5-Dicarbo«ithoxy-2-methoxy-l,3-dioxolan vom Siedepunkt 99 - 102° C/ 0,01 Torr.
30 g dieser Verbindung wurden mit 7,5 g Triät'hylenglykol und 100 mg p-Toluolsulfonsäure 11 Stunden bei 70 - 125° C unter Wasserstrahl vakuum verrührt. In einer zwischengeschalteten Kühlfalle sammelten sich 2,70 g Destillat, überwiegend Methanol. Das Reaktionsgemisch wurde mit 300 mg Kaliumcarbonat neutralisiert, filtriert und in einer Kugelrohrapparatur destilliert, bis in 3 Stunden bei 0,005 Torr und einer Luftbadtemperatur von 125° C nur noch 230 mg -Destillat übergingen. Der Rückstand (21,8 g DI) bestand nach Maßgabe des ^-NMR-Spektrums (CDCI3, TMS) überwiegend aus Triäthyl.englykol -bi s-A.S-d , <f = 6,16 ppm (2-H) (Verbindung 54).
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Verbindung 55
15 g 2-Methoxy-l,3-dioxolan, 12,3 g einer Desti1lationsfraktion aus Polyglykol 200, die einen Hydroxylgehal t von 13,85 % aufwies und zu 84 % aus Pentaäthylenglykol bestand, und 100 mg p-Toluolsulfonsäure wurden unter Rühren in 6 Stunden von 82° C auf 128° C erhitzt. 1,83 g Methanol destillierten ab.
Das Reaktionsgemisch wurde mit 300 mg Kaliumcarbonat verrührt, filtriert und in einer Kugelrohrapparatur von leichtflüchtigen Anteilen befreit, bis zum Schluß bei einer Luftbadtemperatur von 150° C bei 0,01 Torr innerhalb von 2 Stunden nur noch 680 mg Destillat übergingen. Der ölige Rückstand (16,5 g) bestand nach Maßgabe des H-NMR-Spektrums (COCK, TMS) überwiegend aus einem Gemisch beidseitig mit 1,3-Dioxolan-2-yl-resten (cT= 5,89 ppm, 2-H) verätherter Polyglykole (Verbindung 55).
Verbindung 56
32 g 2-Äthyl-2-butyl-1,3-propandiol , 45 g Orthopropionsäure-triäthylester und 150 mg p-Toluolsulfonsäure wurden im Wasserstrahl vakuum in 3,5 Stunden von 80° C auf 105° C erhitzt, anschließend mit 450 mg Kalium-
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carbanat verrührt, filtriert und über eine 20 cm-Vigreux-Kolonne destilliert. Man erhielt 39 g (80 % d. Th.) 2-Äthoxy-2,5-diäthyl-5-butyl-l,3-dioxan vom Siedepunkt 59 - 60° C/0,002 Torr (Verbi ndung 56).
Verbindung 57
Analog zur Herstellung der Verbindung 56 wurden 50 g Orthobenzoesäure-triäthylester umgesetzt. Man erhielt 43,0 g (74 % d. Th.) 2-A>.hoxy-5-äthyl -5-butyl -2-phenyl-l,3-dioxan vom Siedepunkt 81 - 83° C/0,001 Torr (Verbindung 57).
Verbindung 58
10,3 g Triäthylenglykolmonobutyläther, 14,0 g 2-Äthoxy-2,5-diäthyl-5-butyl-1,3-dioxan und 40 mg p-Toluolsulfonsäure wurden im Wasserstrah1 vakuum in 3 Stunden von 70° C auf 110° C erhitzt, anschließend mit 120 mg Kaliumcarbonat verrührt, filtriert und in einer Kugelrohrapparatur destilliert. Die bei einer Luftbadtemperatur von 148 - 158° C und 0,001 Torr übergehende Fraktion (16,/ (j; 83 ';, d. Th.) bestand aus Tr i ä thyl englykolbutyl-(2,5-did thy 1-5-butyl-1,3-dioxacyclohex-2-yl)-a'tiitir (Verbindung 58).
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SS*
Verbindung 59
6,0 g Tri äthyl englykolinonobutyl äther , 7,3 g 2-Äthoxy-5-äthyl-5-butyl-2-phenyl-1,3-dioxan und 20 mg p-Toluolsulfonsäure wurden im Wasserstrahl vakuum 4,5 Stunden auf 112° C erhitzt, mit 60 mg Kaliumcarbonat verrührt, filtriert und in einer Kugelrohrapparatur destilliert. Die bei einer Luftbadtemperatur von 175 - 190 C und 0,003 Torr übergehende Fraktion (8,74 g; 77 % d. Th.) war Triäthylenglykol-butyl-(5-äthy 1-5-butyl-2-phenyl-1,3-dioxacyclohex-2-yl)-ätKer (Verbindung 59).
Verbindung 60
3 g Triäthylenglykol, 10,8 ,g 2-Äthoxy-2,5-diäthyl-5-butyl-1,3-dioxan und 30 mg p-Toluolsulfonsäure wurden 3 Stunden 20 Minuten im Wasserstrahl vakuum unter Rühren auf 100° C erhitzt, mit 90 mg Kaliumcarbonat verrührt, mit 25 ml Benzol versetzt und zweimal mit 10 ml Wasser extrahiert. Die organische Phase wurde über Natriumsulfat getrocknet, im Vakuum vom Lösungsmittel befreit und in einer Kugelrohrapparatur bei einer Luftbadtemperatur von 120° C und 0,003 Torr erhitzt. In 1 Stunde wurden 900 mg Destillat erhalten. Der Rückstand wog 10,80 g (99 % d. Th.) und bestand aus Triäthylenglykolbi s-(2,5-diäthyl-5-butyl-l,3-dioxacyclohex-2-yl)-äther (Verbindung 60).
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Verbindung 61
Analog zur Herstellung der Verbindung 60 wurden 12,9 g 2-Äthoxy-5-äthyl-ö-butyW-phenyl-l.S-dioxan umgesetzt.
Man erhielt 12,6 g (98 % d. Th.) Triäthylenglykol-bis-(5-äthyl-5-butyl-2-phenyl-l,3-dioxacyclohex-2-yl)-ather (Verbindung 61)
Verbindung 62
5,4 g Orthoameisensäuretrimethylester, 33 g Tria'thylenglykolmonobutyläther und 50 mg p-Tol uol sul fonsä'ure wurden 7 Stunden bei Normaldruck und 2 Stunden im Wasserstrahl vakuum auf 1420C erhitzt. 2,48 g Methanol destillierten ab. Die Reaktionsmischung wurde mit 150 mg Kaliumcarbonat verrührt, filtriert und in einer Kugelrohrapparatur unter 0,01 Torr und bei einer Luftbadtemperatur von 143 - 145° C destilliert, bis in 1 Stunde nur noch 0,1 g Destillat erhalten wurde.
Der ölige Rückstand (20 g; 62 % d. Th.) zeigte im IR-Spektrum (CH2CIp) keine OH-Absorption und eine intensive, breite Bande um 1100 cm" . Er bestand überwiegend aus Ort.hoameisensäure-tris-S.e^-trioxatridec-l-yl-ester (Verbindung 62).
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Verbindung 63
10,6 g 4-Cumyl-phenol und 100 g Orthoameisensäure triäthylester wurden unter Rühren im Verlauf von 17 Stunden von 110° C auf 135° C erhitzt, wobei 4,7 g
Äthanol abdesti 11 ierten. überschüssiger Orthoameisen-
säuretriäthylester wurde im Vakuum abgedampft und der
Rückstand in einer Kugelrohrapparatur destilliert.
Bei einer Luftbadtemperatur von 150° C und 0,009 Torr wurden 7,32 g (46 % d. Th.) nach Maßgabe des 1H-NMR-Spektrums ( S= 5,70 ppm; (-O)3CH) nur geringfügig verunreinigter Diäthoxymethyl-4-cumylphenyl-äther erhalten (Verbindung 63).
Verbindung 64
Analog zur Herstellung der Verbindung 63 wurden 11,4 g Bisphenol A mit Orthoameisensäuretriäthylester umgesetzt. Das bei 50° C/0,1 Torr von überschüssigem Qrthoameisensäure-triäthylester befreite Rohprodukt wog 20,93 g und bestand überwiegend aus dem Bisdiäthoxymethyläther des Bisphenols A. Im IR-Spektrum (CH^Clp) sind im Vergleich zum freien Bisphenol A nur eine sehr schwache OH-Absorption bei 3560 cm" , dagegen intensive Banden bei 1040 cm" und 1100 cm festzustellen (Verbindung 64).
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Verbindung 65
Analog zur Herstellung der Verbindung 51 wurden anstelle von Terephthalsäure 2,44 g Benzoesäure umgesetzt und das Reaktionsgemisch nach 2 Stunden aufgearbeitet. Das Rohprodukt wurde aus Pentan umkristallisiert. Es wurden 4,12 g (60 % d. Th.) Benzoesäure-diphenoxymethylester (Verbindung 65) erhalten. Schmelzpunkt 41,5 - 42,5° C.
Verbindung 66
Analog zur Herstellung der Verbindung 60 wurden 12,9 g 5-Äthyl-5-butyl-2-cyclohexyl-2-methoxy-1,3-dioxan vom Siedepunkt 102° C/0,01 Torr, das aus 2-Äthyl-2-butyl-1,3-propandiol und Cyclohexanortho· carbonsäuretrimethylester hergestellt wurde, mit Triäthylenglykol umgesetzt. Man erhielt 14,2 g eines überwiegend aus Triäthylenglykol-bis-(5-äthyl-5-butyl-2-cyclohexyl-l,3-dioxan-2-yl-äther) (Verbindung 66) bestehenden Produktes, das im IR-Spektrum (CH2Cl2) keine OH- und nur eine sehr schwache Carbonylabsorption aufwies.
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Verbindung 67
Analog zur Herstellung der Verbindung 60 wurden 25 g 5-Äthyl-5-butyl-2-methoxy-l,3-dioxan vom Siedepunkt 55 - 56° C/0,002 Torr, das aus 2-Äthyl-2-butyl-1,3-propandiol und Orthoameisensäuretrimethylester hergestellt wurde, mit einer Destillationsfraktion aus Polyglykol 200, die einen Hydroxylgehalt von 13,85 % aufwies und zu 84 % aus Pentaäthylenglykol bestand, umgesetzt. Das mit 300 mg Kaliumcarbonat neutralisierte Rohprodukt wurde in einer Kugelrohrapparatur erhitzti bis im Verlauf von einer Stunde bei einer Luftbadtemperatur von 115° C und 0,0007 Torr nur noch 100 mg Destil lat .übergingen. Man erhielt 30,4 g überwiegend aus dem Bis-5-äthyl-5-butyl-1,3-dioxan-2-yl-äther des Pentaäthylenglykols bestehendes Produkt, das im IR-Spektrum (CH2Cl2) frei von Hydroxyl- und Carbonylabsorptionen war (Verbindung 67).
Verbindung 68
Analog zur Herstellung der Verbindungen 39 - 49 wurden 2,1 g 2-Methoxy-hydrochinon umgesetzt. Das Rohprodukt reinigte man, gelöst iη Methylenchlorid, durch Filtration über Kieselgel. Es resultierten 7,46 g (93 % d. Th.) öliges 1,4-Bis-diphenoxymethoxy-2-methoxy-benzol, dessen IR-Spektrum (CHgCl2) frei von Hydroxyl- und Carbonylabsorptionen war (Verbindung 68).
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HO
Verbindung 69
Analog zur Herstellung der Verbindung 50 wurden 3,88 g 9-Hydroxy-anthracen umgesetzt und aufgearbeitet. Die Reaktionszeit betrug 4 Tage. Das Rohprodukt wurde," qelöst in Methylenchlorid, an Kieselgel chromatographiert. Es fielen 4,03 g (51 % d. Th.) 9-Diphenoxymethoxy-anthracen an, das nach Umkristallisieren aus Äther den Schmelzpunkt 90 - 92° C aufwies (Verbindung 69).
Verbindung 70
20,4 g 2 ,2,5,5-Tetramethylolcyclopentanon, 31,8 g Orthoameisensäuretrimethylester und 150 mg p-Toluolsulfonsäure wurden 2 Stunden verrührt, wobei man die Temperatur von 78° C auf 122° C steigerte. Oper eine aufgesetzte 20 cm-Vigreux-Kolonne destillierten 14,9 g eines Gemisches aus Methanol und wenig Orthoameisensäuretriäthylester ab. Nach Neutralisation des Ansatzes mit 0,5 g Kaliumcarbonat, Verdünnen mit Methylenchlorid, Filtration und Eindampfen des Filtrats im Vakuum erhielt man 33,27 g eines zähen Öls, das 2 Stunden bei 1,8 -· 0,5 Torr auf 200° C erhitzt wurde. Es resultierten 24,8 g eines spröden, farblosen Harzes, das im IR-Spektrum (CH2Cl2) eine intensive Orthoesterabsorptionsbande bei 1080 cm" zeigte (Verbindung 70).
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Allgemeine Vorschrift für die Herstellung der Verbindungen 71 - 84
Zu einer gerührten Lösung vor 0,02 Hol einer sekundären Stickstoffverbindung der allgemeinen Formel R N-H und 3,3 ml Triäthylamin In 25 ml wasserfreiem Methylenchlorid werden unter Feuchtigkeitsausschluß 5 g Diphenoxychlormethan in 5 ml wasserfreiem Methylenchlorid getropft. Während der Zugabe wird das Reaktionsgemisch durch Kühlung bei 5 - 15° C gehalten und anschließend bei Raumtemperatur stehengelassen, bis die Umsetzung nach Maßgabe der Dünnschichtchromatographit weltgehend beendet 1st (in der Regel nach 2 bis 24 Stunden). Das Gemisch wird jeweils mit 20 ml Wasser, 20 ml 15 Xiger Natronlauge und wieder 20 ml Wasser ausgeschüttelt, über Natriumsulfat getrocknet und unter vermindertem Druck eingedampft. Das Rohprodukt kristallisiert man entweder direkt aus dem angegebenen Lösungsmittel um (Methode a) oder -Methode b -, falls möglich, nach Vorreinigung durch Süulenchromatographie an Kieselgel (Laufmittel Methylen-Chlorid + 1 * Triethylamin). Man erhält die N-Diphenoxymethylderivate, wie in Tabelle 7 angegeben.
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Tabelle 7 Verbindungen der allgemeinen Formel R N-CH(OPh)2 (Ph » Phenyl)
Verbindung R CH3
-CH-CHj-CO-
Schmp., ° C umkristallisiert aus Ausbeute Methode
Nr. -(CHj)3-CO- Lösungsmittel (% d.Theorie) b
ν," Ph
-CHj-CH-CHj-CO-
57 - 60 Pentan 50 b
72 50 - 52,5 Methanol / Wasser 57 a
O 73 -(CHj)5-CO- 92 - 94 Methanol 72
C)
O
(9
-(CHj)11-CO- a
ο 74 -OC-(CHj)2-CO- 86 - 88 Methanol 71 b 1)
«o 75 69 - 72 Methanol 50 <
a
76 ^^ CO-
Cl
78,5 - 80 Äther 45 κ
77 Cl vJ^CO- 1 Λ kJ
a
/ /
78
Cl ^ÖJ^CO- UX
137 - 139
Äthylacetat 1 O
89
a
79 Cl 172,5 - 175 Äthanol / Äthylacetat 47
Tabelle 7 Fortsetzung
Verbindung
Nr.
80
83
84
CX
co
CO
QT co
Schmp., ° C
110 - 111,5
125 - 127
146 - 148,5
97 - 98,5
120 - 122,5
umkristallisiert aus
Lösungsmittel
Äther
Äther
Äther
Äther / Äthanol
Äther
Ausbeute
(% d.Theorie)
Reaktionszeiten:
1) 14 Tage
2) 5 Tage
3) 40 Tage
72
13
63
60
61
Methode
a 2)„
a 3)
Verbindung 85
Analog zur Herstellung der Verbindungen 71 - 84 werden 3,93 gßenzaldehydphenylhydrazon mit 5 g Diphenoxychlormethan umgesetzt und nach 5 Tagen nach Methode a aufgearbeitet. Das Rohprodukt kristallisiert man aus Di-isopropyläther um und erhält 4,2 g (53 % d. Th.) Benzaldehyd-N-diphenoxymethyl-N-phenyl-hydrazon vom Schmelzpunkt 126 - 128,5° C.
Verbindungen 86 - 89
Analog zur Herstellung der Verbindungen 71 - 84 werden jeweils 0,02 Mol a) Cyclohexanonoxim, b) eC-Benzaldehydoxim, c) ß-Benzaldehydoxim und d) Benzophenonoxim anstelle der sekundären Stickstoffverbindung mit 5 g Diphenoxy-chlormethan umgesetzt. Man erhält als dünnschichtchromatographisch (Kieselgel-Platten, Laufmittel ToIuol/Aceton 9 : 1) praktisch einheitliche ölige Rohprodukte die Diphenoxy-methyloximäther a) Verbindung 86 (Ausbeute 77 % d. Th.), b) Verbindung 87 (Ausbeute 92 % d. Th.) und c) Verbindung 88 (Ausbeute 86 % d.Th.) sowie d) nach Umkristal1isation des Rohproduktes aus Äther o-Diphenoxy-methyl-benzophenonoxim, Schmelzpunkt 89 - 90° C (Verbindung 89, Ausbeute 76 %d. Th.).
Verbindungen 90 - 94
Analog zur Herstellung der Verbindungen 71 - 84 werden die in Tabelle 8 aufgeführten Diphenoxymethyläther durch Umsetzung von 0,02 Mol Monohydroxyverbindung bzw. 0,01 Mol Dihydroxyverbindung mit 5 g Diphenoxychlormethan erhalten.
Tabelle 8
Verbi ndung
Nr.
9_0 3-Diphenoxymethoxy-2-methyl -cyclohex-2-en-l-on; Schmp. 56-58° C (aus Di i sopropyläther); Ausbeute 67 % d. Th.
.91 4-Diphenoxymethoxy-benzoesäure-3,6,9-
trioxa-n-tridecyl-(I)-ester; öl. Ausbeute 45 % d. Th. nach Säulenchromatographie an Kieselgel
9J2 l-Diphenoxymethoxy-2,6-dimethyl-benzol ; öl. Ausbeute 97 % d. Th.
93 8-Diphenoxymethoxy-chinol in, Schmp. 80 - 82,5° C (aus Äthylacetat). Ausbeute 83 % d. Th.
Tetra chlor-l,4-bi s-di phenoxymethoxy- benzol; Schmp. 104 - 106° C Ausbeute 84 % d. TH.
Schmp. 104 - 106° C (aus Äther/Äthanol);
Das Ausgangsmaterial für die Verbindung 9^, 4-Hydroxy-benzoe säure-3,6,9-trioxa-n-tridecyl-(l)-estert wird durch Veresterung von Benzoesäure mit Triäthylenglykolmonobutyläther
dargestelIt.
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Verbindung 95
25,4 g 2-Phenoxy-l ,3-propandiol /JJ. Amer . chem . Soc . Tj), 35 2 2 (1948]7, 11 g Orthoameisensäuretrimethylester und 100 ng p-Toluoisulfonsäure werden unter Rühren 5 Stunden erhitzt, wobei man die Badtemperatur allmählich von 100° C auf 160° C steigert. Ober eine aufgesetzte 20 cm lange Vigreux-Ko1onne destillieren 6,43 g Methanol ab. Nach dem Abkühlen verrührt man das Reaktionsgemisch mit 50 ml Äther und 400 mg wasserfreiem Kaliumcarbonat, filtriert es und befreit das Filtrat in einer Kugelrohrapparatur von leichter flüchtigen Anteilen, bis bei einer Luftbadtemperatur von 200° C und 0,002 Torr kaum noch Substanz übergeht. Der Rückstand, ein zähes, fast farbloses öl (11,2 g) besteht aus 1,3-Di-/7-(5-phenoxy-l,3-dioxa-cyclohexoxy _)7-2-phenoxy-propan (Verbindung 95).
1HNMR(CDCl3, TMS) : <f = 5,33 - 5,57 ppm ( (-O)3CH).
Verbindung 96
7,2 g des Bisorthoesters Dispiro-3, ll-dimethoxy-2,4,10,12-tetraoxa-/5~,l ,5,27-pentadecan-7-on vom Schmelzpunkt 132 - 133,5° C - dargestellt durch Umsetzung von 2,2,5,5-Tetrahydroxymethyl-cyclopentanon mit Orthoameisensäuretrimethylester in Gegenwart katalytischer Mengen von p-Toluolsulfonsäure und fraktionierte Kristallisation
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des Rohproduktes aus Methanol - 3,7 g Triäthylenglykol und 30 mg p-Tol ul sul fonsä'ure werden 1 Stunde auf 105 - 115° C erhitzt, wobei 0,87 g Methanol abdesti 11ieren und sich ein zähes Harz bildet, das in 50 ml Methylenchlorid gelöst, mit 0,5 g Kaliumcarbonat verrührt, filtriert und unter vermindertem Druck vom Lösungsmittel befreit wird. Der Rückstand ist nach Trocknung im Hochvakuum bei 50° C 10,59 g (Verbindung 96). Nach Maßgabe des IR-spektroskopisehen Vergleichs sind 65 - 70 % der Hydroxygruppen des eingesetzten Triä'thylen· glykols in Orthoestergruppen umgewandelt (Omav = 1080 cm" ;
w ΠΙ β λ
in CH2Cl2,
Verbindungen 97 - 99
2,5 g Diphenoxychlormethan werden als 30 %ige Lösung in Methylenchlorid unter Rühren zu a) 4,2 g, b) 6,25 g und c) 9 g Novolak entsprechend Beispiel 2 in 25 ml wasserfreiem Dioxan und 1,7 ml Triethylamin getropft. Man läßt die Gemische 20 Stunden bei 20 - 25° C stehen, dekantiert die überstehenden Lösungen von ungelöstem Material, verdünnt sie mit je 100 ml Äthylacetat, extrahiert sie fünfmal mit je 50 ml Wasser, trocknet, sie über Natriumsulfat und dampft sie unter vermindertem Druck ein. Die resultierenden, Diphenoxymethoxygruppen enthaltenden Harze wiegen a) 4,37 g (Verbindung 97), b) 7,05 g (Verbindung 98) und c) 10,62 g (Verbindung 99).
6?
Verbindungen 100 - 102
Analog zur Herstellung der Verbindungen 97 - 99 werden
a) 9 g, b) 11,4 g und c) 15,7 g Novolak nach Beispiel 1 in 50 ml wasserfreiem Äthylacetat in Gegenwart von 1,7 ml Triethylamin mit je 2,5 g Diphenoxychlormethan umgesetzt und aufgearbeitet. Die Diphenoxymethoxygruppen enthaltenden Harze wiegen a) 6,07 g (Verbindung 100), b) 6,98 g (Verbindung 101) und c) 12,3 g (Verbindung 102).
Verbindung 103
Analog zur Herstellung des für die Verbindung 54 als Ausgangsmaterial eingesetzten Dioxolans wird l-Phenoxy-2,3-propandiol in 2-Methoxy-4-phenoxymethyl-1,3-dioxolan (Sdp. 93 - 94° C/ 0,02 Torr; Ausbeute 89 % d. Th.) übergeführt.
10,5 g dieser Verbindung, 3,36 g l-Phenoxy-2,3-propandiol und 50 mg p-Toluolsulfonsäure werden in 2,5 Stunden unter Rühren von 100° C bis 130° C erhitzt, dann unter Wasserstrahlvakuum weitere 2 Stunden bei 130° C gerührt. In einer vorgeschalteten Kühlfalle werden 1,45 g Destillat, überwiegend Methanol, aufgefangen. Den Kolbeninhalt behandelt man mit 50 ml wasserfreiem Methylenchlorid und 0,5 g Kaliumcarbonat» filtriert das Gemisch und dampft das Filtrat un.ter vermindertem Druck ein. Der Rückstand wird in einer Kugelrohr-
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apparatur erhitzt, bis im Verlauf von 45 Minuten bei 130° C Luftbadtemperatur und 0,001 Torr kein Destillat mehr übergeht. Es verbleiben als Rückstand 10,07 g l-Phenoxy-2,3-bi s-(4-phenoxymethy1-1,3-dioxacyclopent-2-yloxy)~propan (Verbindung 103, zähes öl, Ausbeute 96 % d. Th.)· Das IR-Spektrum (in CH2Cl2) zeigte keine Hydroxylabsorption an.
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/ur Herstellung tiritr ü f f >> e L-Üruc k t υ μπ wird folgende Beschichtungslosung angesetzt:
94,6 Gt. Methyläthylkelon
4,0 Gt. Phenol-Formaldehyd-Novülak (Alnovol PN 429) 1,2 Gt. Verbindung 4 (Tabelle 1) 0,2 Gt. Naphthochinon (1, 2)-diazid-(2)-4-sulfo-
chlori d
0,01 Gt. Kristal 1 violett.
Damit beschichtet man eine durch trockenes Bürsten mechanisch aufgerauhte Aluminium-Folie auf einer Schleuder (150 U/min), wobei sich ein Schichtgewicht von ca. 1,5 - 2,0 g/m ergibt. Das ausreichend getrocknete lichtempfindliche Material wird unter einer positiven Strich- und Raster-Vorlage mit einer 5 kW Metal 1-Halogen-Lampe im Abstand von 140 cm 100 Sekunden belichtet, wonach ein starker blaugrüner Bildkontrast zu sehen ist. Entwickelt wird durch Sprühen mit der folgenden Entwicklerlösung:
5,5 % Natriummetasilikat . 9 H2O
3,4 % Trinatriumphosphat . 12 H2O
0,4 % Mononatriumphosphat (wasserfrei)
90,7 % destilliertes Wasser
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Innerhalb vun SO bekunden werden die belichteten Schichtpartien entfernt, und die blaugetärbten unbelichteten Schi cnttei1e bleiben als Druckschablone stehen. Die so hergestellte Offsetdruckplatte kann wie üblich mit fetter farbe eingefärbt und in die Druckmaschine gespannt uder für den späteren Einsatz mit handelsüblichen Konservierungsmitteln überwischt werden.
Beispiel 2
Mit einer Beschichtungslösung aus
4,0 Gt. Phenol-Formaldehyd-Novoiak '
(Alnovul PN 430)
1,2 Gt. Verbindung 21 (Tabelle 3) 0,2 Gt. 4-(4-Methoxy-<£ -methyl-sty ryl )-6-tri chlorii.ethyl -2-pyron (Schmp.: 140° C)
und 0,01 Gt. .Kristall violett » in 94,6 Gt. Methylethylketon
wird eine durch Naß-Bürsten mechanisch aufgerauhte Aluminium-Folie in einem Walzenantragsverfahren einseitig
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überzogen und getrocknet, v.'obei ein Schichtgewicht von
ca. 2,0 g/in eingestellt wird. Kach 2 Minuten Belichtung unter den in Beispiel 1 genannten Bedingungen erhält man ein kontrastreiches gut sichtbares Bild. Zur Herstellung der Offsetdruckplatte wird mit der folgenden Entwicklerlösung der belichtete Teil der Schicht entfernt:
1,3 % Natriummetasilikat . 9 H3O
0,8 % Trinatriumphosphat . 12 H3O
0,1 % Mononatriumphosphat (wasserfrei)
0,1 % Thymolblau
97,7 % destilliertes Wasser.
Nach 10.000 Drucken war die Wiedergabe der 60er Raster
noch in Ordnung; der Druckversuch wurde dann abgebrochen.
Anstelle des angegebenen Trichlormethylpyrons können
auch das 4- (4-Methoxy~phenyl) -e-trichlormethyl-^-
pyron (Schm. 143° C) oder das 4-(4-Methoxy-styryl)-6-trichlormethyl-2-pyron (Schmp.: 166° C) in gleicher
Menge verwendet werden.
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Die Unterschiede bei der Herstellung dieser Druckplatten sind gering, da diese drei Halogenverbindungen ähnlich wirksam beim Spalten dieses Orthoesters sind. Ihre Wirksamkeit kann an einem mitkopierten Halbton-Stufenkeil verglichen werden. Größere anwendungstechnische Unterschiede sind möglich bei Variation des Gehalts an Novolak· Harz. Bei geringem Gehalt der Schicht an Novolak bis etwa gleichen Anteil wie Orthoester wird die Entwicklung verlangsamt, bei zu hohem Novolak-Antei1 ebenfalls. Am günstigsten ist ein Mengenverhältnis Novolak-Orthoester von etwa 2 : 1.
Beispiel 3 Die folgenden Substanzen wurden zu einer Beschichtungs-
lösung kombiniert:
4,5 Gt. des in Be i s pi 31 2 angegebenen Novolaks 1,4 Gt. Verbindung 3 (Tabelle 1) 0,3 Gt. 4-(4-Phenyl-butadien-l-yl)-6-trichlo>-
methyl-2-pyron (Schmp.: 184° C) 0,01 Gt. Kristallviolett
93,8 Gt. Methylisobutylketon
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Mit dieser Lösung beschichtet man eine mechanisch aufgerauhte Aluminium-Folie, die nach DT-PS 1 Π4 mit Polyvinylphosphonsäure vorbehandelt ist. Nach Belichtung unter einer positiven Vorlage erhält man ein kontrastreiches, gut sichtbares Bild. Zur Herstellung der Druckform wird die belichtete Platte in an sich bekannter Weise mit der folgenden Entwicklerlösung entwickelt, wobei die belichteten Schichtbereiche entfernt werden und die tiefblau gefärbten unbelichteten Schichtteile als Druckschablone für Offset stehenbleiben:
0,6 % NaOH
0,5 % Natriummetasilikat . 5 H?0
1,0 % n-Butanol
97,9 % destilliertes Wasser
Anstelle des genannten Trichiormethylpyrons können auch gleiche Mengen 4-(4-Methoxy- <£-methyl -styryl) -6-tri chlormethyl-2-pyron oder 4-(4-Nitro-styryl)-6-trichlormethyl -2-pyron (Schmp.: 207° C) verwendet werden.
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Die Lichtempfindlichkeit dieser vorsensibi1isierten Offsetdruckplatten entspricht der von Beispiel 2, lediglich die mit dem zuletzt genannten Trichlorinethyl pyron ist etwas unempfindlicher. Die Druckqualität war nach 10.000 Drucken noch gut.
Beispiel 4
Eine Kopierschi chf f öl gender Zusammensetzung
25 % Verbindung 5 (Tabelle 1) 4 % 2,4-Bis-(trichlormethyl)-6-p-methoxystyryl-s-
tri azi η
70 % des'in Beispiel 1 verwendeten Novolak-s und 1 I Kris ta!!violett
2 wird in einer Schichtdicke von ca. 2 g/m auf einen mit
Metalldrahtbürsten aufgerauhten Aluminium-Träger aufgebracht und das Material für Offsetplatten verwendet. Nach Belichtung unter üblichen Lichtquellen wird mit dem in Beispiel 3 angegebenen Entwickler innerhalb 1 Minute die belichtete Schicht entfernt, mit Wasser nachgespült und mit Fettfarbe eingefärbt oder konserviert.
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Diese vorsensibi1isierte Offsetdruckplatte wurde für Praxistests auf ihre Lagerfähigkeit näher untersucht. Bei forcierter Lagerung im Wärmeschrank bei 42° C waren nach 100 Tagen nur geringe Unterschiede im Vergleich zu den Ausgangswerten festzustellen. Die erforderliche Entwicklungszeit war lediglich auf 1 1/2 Minuten verlängert, aber gleichzeitig die Entwicklerresistenz, d. h. die Einwirkungszeit bis zum beginnenden Bildangriff auf 10 Minuten verlängert. Daraus kann abgeleitet werden, daß die Lagerfähigkeit solcher Positiv-Platten bei Normaltemperaturen mindestens 1 Jahr beträgt.
Beispiel 5 Als Offsetkopierschichten wurden die folgenden Kombinationen
geprüft:
In 94,59 Gt. Methylethylketon werden gelöst:
4,0 Gt. des in Beispiel 2 angegebenen Novolaks 1,2 Gt. Verbindung 22 (Tabelle 3) 0,01 Gt. Kristallviolett und
0,2 Gt. Naphthochinone,2)-diazid-(2)-5-$u.1fochlorid
und damit mechanisch aufgerauhtes Aluminium beschichtet. Nach 6 Minuten Belichten unter einer positiven Vorlage mit dem Röhren-Belichtungsgerät Printaphot und 1 Minute (
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261Q842
Tauchen und überwischen mit dem in Beispiel 1 angegebenen Entwickler wird eine blaue Kopie der Vorlage auf der schleierfrei sauberen Aluminium-Oberfläche erhalten. Ähnliche Ergebnisse können erhalten werden, wenn als säureabspaltende Verbindungen die folgenden Diazoniumsalze in gleicher Menge genommen werden:
4-(Di-n-propyl-amino)-benzol diazonium-tetrafl uoroborat,
A-Morpholino^.B-diäthoxy-benzoldiazonium-tetrafluoroborat,
2-Dimethy1 ami no-4,5-dimethyl-benzoldiazoniumtetrachlorozinkat,
Diphenylamin-4-diazoniuni-sulfat,
4-Heptamethylenimi no-benzoldiazoni um-hexafluorophosphat.
Wenn - auch in Abhängigkeit vom Trocknungsgrad dieser Schichten - die saubere Entwicklung erschwert ist, kann durch Veränderung der Entwicklerkonzentration oder Mitverwendung von Lösungsmitteln oder z. B. durch Entwicklung mit 50 Äigem Äthanol die Verarbeitung der jeweiligen Schicht angepaßt werden.
Beispiel 6 Zur Herstellung einer Rückvergrößerungsplatte werden
4,0 Gt. des in Beispiel 1 angegebenen Novolaks 1,2 Gt. Verbindung 37
0,2 Gt. 4-(4-Phenyl-butadien-l-yl)-6-trich1ormethyl-
2-pyron und
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0,01 Gt. Kristall violett in 94,6 Gt. Methyläthylketon
gelöst und auf eine gebürstete Aluminium-Platte aufgeschleudert.
Belichtet wird 3 Minuten lang mit einem Projektor Leitz Prado f = 85 mm 1 : 2,5 mit einer 150-Watt-Lampe durch ein Diapositiv im Abstand von 160 cm. Durch Tauchen in dem in Beispiel 1 angegebenen Entwickler erhält man innerhalb 30 Sekunden eine vergrößerte Kopie des schwarz-weißen Strichbildes auf dem Diapositiv, die durch Drucken in einer Kleinoffsetmaschine vervielfältigt werden kann.
Ähnliche Ergebnisse werden erhalten, wenn als Orthoester die Verbindung 70 in gleicher Menge verwendet wird.
Beispiel 7
Zur Herstellung einer Positiv-Trockenresist-Schicht werden in einer Mischung von 46 Gt. Methyläthylketon und 14 Gt. Dioxan
30 Gt. des in Beispiel 1 angegebenen Novolaks 8 Gt. Verbindung 6 (Tabelle 1) und 2 Gt. Naphthochinon-(l,2)-diazid-{2)-4-
sulfochlorid
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gelöst. Die Lösung kann noch beliebig mit einem löslichen Fdrbbtüff oder auch einem feinteiligen Farbstoffpigment angefärbt werden.
Damit wird eine ca. 25.um dicke, nach DT-OS 2 236 941, Beispiel I1 vorbehandelte Polyesterfolie ca. 40 - 50.um dick beschichtet und getrocknet. Zum Schutz gegen Staub und Verkratzungen kann darauf noch eine Polyä'thylen-Deckfolie aufkaschiert werden.
Zur Herstellung von Leiterplatten kann dieser Positiv-Trockenresist nach Abziehen der Deckfolie in einem handelsüblichen Laminator auf einen gereinigten vorgewärmten Träger laminiert werden, der aus einem Isolierstoffmaterial mit ein- oder beidseitiger 35,um dicker Kupfer-Auflage besteht. Nach Abziehen der Trägerfolie, eventuell Nachtrocknen, Belichten unter einer Vorlage mit einer 5 kW Metal 1-Haiogen-Lampe (140 cm Abstand, ca. 100 Sekunden) und ca. 5-7 Minuten Sprühentwickeln mit dem Entwickler von Beispiel 1, der geringe Mengen Lösungsmittel wie n-Butanol enthalten kann, erhält man eine ausgezeichnete bildmäßige Resistschicht. Sie widersteht nicht nur den Bedingungen von Ätzprozessen, z. B.
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- Mr.
mit FeCl3, sondern ist auch galvano-resistent bei der Herstellung durchkontaktierter Schaltungen, insbesondere dem galvanisehen Aufbau von Kupfer und Nickel hintereinander.
Mit dieser Schicht sind trotz ihrer Dicke relativ kurze Belichtungszeiten möglich, welche bei gleich dicken Positivschichten auf Basis von Naphthochinondiaziden nicht erreichbar sind.
Beispiel 8
Für die Bebilderung mit Elektronenstrahlen wird eine Lösung
4,0 Gt. des Novolaks von Beispiel 2 1,2 Gt. Verbindung 44
0,2 Gt. 4-(2-Furyl-(2)-vinyl)-6-trichlormethyl-2-
pyron (Schmp.: 171° C) und 0,01 Gt. Kristall violett in 94,6 Gt.· Methylethylketon
durch Schleudern auf anodisiertes Aluminium aufgebracht. Bei 10 Torr wird darauf mit einem Elektronenstrahl eine Spur erzeugt, die visuell schon deutlich erkennbar
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ist. Durch Variation der Bestrahlungsbedingungen werden die folgenden Energiebereiche gefunden, bei denen die Schicht positiv arbeitet, d. h. an den bestrahlten Stellen mit dem Entwickler nach Beispiel 1
' innerhalb von 10 Sekunden bis 3 Minuten weggelöst wird. Mit dieser Schicht wird ein positives Bild erhalten, wenn bei einer angelegten Spannung von
_2
11 kV mit einer Energie von etwa 1 bis 100 . 10
2 Joule/cm bestrahlt wird.
Bei einer zum Vergleich mitbestrahlten handelsüblichen Positiv-Flachdruckplatte auf Naphthochinondiazid-Basis
-2 2 waren dagegen 275 bis 550 . 10 Joule/cm notwendig.
Beispiel 9
Für die Herstellung einer Positiv-Farbfolie wird folgende
Lösung angesetzt:
2,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 0,6 Gt. Verbindung 20 (Tabelle 2) 0,1 Gt. Diphenylamin-4-diazonium-sulfat 0,005 Gt. Kristallviolett in 97,3 Gt. Methyläthylketon.
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-TO-
Damit wird Polyesterfülie von 100.um Dicke am Band beschichtet, getrocknet und aufgerollt. Dieses vorsensibi1isierte Positiv-Material gibt nach Belichten unter einer positiven Vorlage (100 Sekunden im t einer 5 kW Metal 1-Halogen-Lampe), Entwickeln durch Benetzen und Oberwischen mit dem in Beispiel 3 angegebenen Entwickler, Abspülen mit Wasser und Trocknen eine blaue Kopie der Vorlage. Sie dient als Anhaltskopie bei der Standmontage·
Ein ähnliches Ergebnis wird erhalten, wenn als spalt- ·. barer Orthoester die Verbindung 34 B eingesetzt und 200 see. belichtet wird. Ebenfalls brauchbar sind die Orthoester
Verbindung 13 (Tabelle 2)
Verbindung 15 (Tabelle 2)
Verbindung 16 (Tabelle 2)
Verbindung 18 (Tabelle 2)
Verbindung 17 (Tabelle 2)
Verbindung 33
Wegen ihrer schlechten Löslichkeit sind die Verbindungen 14 und 19 (Tabelle 2) weniger gut geeignet.
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Beispiel 10
Eine Lösung aus
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2 1,2 Gt. Verbindung 23 (Tabelle 3)
0,2 Gt. 4-(2,4-Dimethoxy-styryl)-6-trichlormethyl-
2-pyron (Schmp. 180° C) und 0,01 Gt. Kristall violett in 94,6 Gt. Methylethylketon
wurde zu einer Schicht von 2 - 2,5.um Dicke auf anodisiertes Aluminium aufgeschleudert und getrocknet. Nach 3 Minuten Belichten unter einer positiven Vorlage mit einer 3 kW Xenon-Impuls1ampe im Abstand 120 cm wurden mit dem folgenden Entwickler die belichteten Schichtpartien schleierfrei innerhalb 15 - 30 Sekunden entfernt.
7 % Trinatriumphosphat . 12 H2O 3 % Natriummetasilikat . 9 H2O % destilliertes Wasser
Beim Einfärben dieser Druckplatte wie üblich mit fetter Farbe werden die Bildstellen geschwärzt. Die Entwick-
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1ungsbedingungen werden nur wenig verändert, wenn die Verbindung 23 zur Hälfte durch Verbindung 24 ersetzt wird.
Beispiel 11 In der folgenden Beschichtungsmischung wird der Einfluß
der Halogenverbindung geprüft
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 1,2 Gt. Verbindung 29 (Tabelle 4) 0,1 Gt. des in Beispiel 4 als Starter genannten
Triazins und
0,01 Gt. Kristall violett in 94,7 Gt. Methylethylketon.
Mit dieser Lösung beschichtet man etwa 2,um dick eine mechanisch aufgerauhte Aluminium-Folie. Nach 20 Sekunden Belichtung mit der 5 KW Metal 1-Halogen-Lampe unter einer positiven Vorlage erhält man ein kontrastreiches, gut sichtbares Bild. Zur Herstellung der Druckform wird die belichtete Platte in bekannter Weise mit einer Lösung von 5 % Natriummetasilikat in destilliertem Wasser entwickelt, wobei die belichteten Schichtbereiche entfernt
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«Γ
werden und die tiefblau gefärbten unbelichteten Schichtteile als Druckschablonen stehenbleiben.
Anstelle dieses Orthoesters kann in gleicher Menge die Verbindung 28 (Tabelle 4) verwendet werden.
Die Druckplatte mit dem Mono-orthoester ist merklich lichtempfindlicher als die mit dem Bis-orthoester als säureabspaltbare Verbindung.
Wirdder Gehalt der beim Belichten säureabspaltenden Halogenverbindung bis auf die 10-fache Menge gesteigert, so bewirkt dies eine Verlängerung der Entwicklungszeit.
Beispiel 12 Eine Beschichtungsiösung von
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2 1,2 Gt. Verbindung 27 (Tabelle 3)
0,2 Gt. 4-(3,4-Methylendioxy-styryl)-6-trichlor-
methyl-2-pyron (Schmp.: 182° C) und 0,01 Gt. Kristal!violett in 94,6 Gt. Methyläthylketon
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wird durch Schleudern auf ein Trägermaterial aufgebracht, das aus Aluminium mit einer dünnen Chromschicht besteht. Nach 20 Sekunden Belichten und Tauchen in 5 %ige Natriummetasilikatlösung wird innerhalb 1 Minute die belichtete Schicht sauber von der Chromoberf 1 ä'che entfernt. Anschließend kann die Platte zum Drucken in einer Offsetmaschine verwendet werden.
Beispiel 13 Zur Herstellung einer Positiv-Photoresistlösung werden
8,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2
1,5 Gt. Verbindung 4 (Tabelle 1)
1,0 Gt. Verbindung 25 (Tabelle 3)
0,5 Gt. des in Beispiel 12 angegebenen Trichlormethylpyrons und
0,01 Gt. Kristallviolett in
60,0 Gt. Methylethylketon und
29,0 Gt. Acetonitril
gelost. Damit werden die aus einer 35.um dicken Kupferfolie und einem Isoliermaterial bestehenden Verbundplatten für die Herstellung von Leiterplatten beschichtet.
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Nach dem Trocknen der ca. 3.um dicken Schicht und 4 Minuten Belichten im Röhrenbelichtungsgerät Printaphot unter einer positiven Vorlage einer Schaltung wird durch Tauchen oder Sprühen mit dem in Beispiel angegebenen Entwickler das Kupfer an den belichteten Stellen freigelegt.
Anschließend wird mit einem der üblichen Ätzmittel für Kupfer, z. B. Ferrichlorid-Lösung, geätzt, wobei die noch mit der unbelichteten Resistschicht versehenen Teile der Kupferfolie stehenbleiben. Auch bei dreifächer Ätzzeit, bezogen auf die notwendige Zeit zum Wegätzen der freigelegten Kupferschicht, sind die dann unterätzten Resistkanten der Schablone entsprechend glatt und nicht ausgebrochen. Die noch lichtempfindliche Schicht kann nach der Ätzung entfernt werden durch Nachbelichten ohne Vorlage und nochmalige Behandlung mit dem Entwickler oder durch Entschichten mit stark alkalischen Lösungen, ζ. Β. ·5 % NaOH oder mit polaren Lösungsmitteln wie Aceton. Nach dem Bestücken der Leiterplatte mit den elektronischen Bauelementen können die Leiterbahnen wie üblich durch Verzinnen geschützt und verlötet werden. Nach
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drei Wochen Lagerung dieses Positiv-Kopierläckes bei Raumtemperatur wurden wieder brauchbare Ergebnisse erzielt, statt 1,5 Minuten wurde 2 Minuten sprühentwickelt.
Ähnliche Ergebnisse werden erhalten, wenn die Verbindung 4 durch die gleiche Menge der Verbindung ersetzt wird.
Beispiel 14
Auf elektrolytisch aufgerauhtes und anodisiertes Aluminium wird aufgetragen eine Beschichtungslb'sung aus :
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2
1,2 Gt. Verbindung 26 (Tabelle 3)
0,2 Gt. Tris-tribrommethyl-s-triazin und
O1Ol Gt. Kristal1 violett in
94,6 Gt. Methylethylketon.
Eine weitere Lösung wird unter Ersatz des Triazins durch die gleiche Menge 4-Methyl-6-trichlormethyl-2-pyron hergestellt.
809840/09S?
Ferner werden zu Teilen beider Lösungen noch je 0,08 % des Sensibi1isators N-Phenyiacridon hinzugefügt und mit den Lösungen ebenfalls Platten beschichtet.
Während die Schichten ohne Sensibilisatorzusatz erst im ungefilterten Licht einer Quecksilberhochdrucklampe innerhalb üblicher Bestrahlungszeiten zufriedenstellende Ergebnisse liefern, reichen 200 Sekunden Belichten mit der 5 kW-Metal1-Halogenlampe und Tauchen mit überwischen in dem Entwickler von Beispiel 1 im Falle der sensibilisierten Schichten aus, um eine Offset-Druckplatte herzustellen, die erst nach 20 000 Drucken Ausbrüche in den Lichtpunkten der 60er Raster zeigt.
Beispiel 15 Es werden
6,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 1,8 Gt. Verbindung 32 (Tabelle 4) 0,3 Gt. des Triazins von Beispiel 4 und
0,02 Gt. Kristallviolett in 91,9 Gt. Methylethylketon
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SO
gelöst. Eine damit beschichtete drahtgebürstete Aluminiumfolie wird unter der 5 kW Metal 1-Halogen-Lampe nur ca. 5 Sekunden belichtet und gibt dann beim Tauchen in den Entwickler von Beispiel 3 eine positive Kopie der Vorlage. Davon kann auch gedruckt werden.
Beispiel 16
Es werden
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1
2,0 Gt. Novolak Alnovol PN 320
1,6 Gt. Verbindung 9 (Tabelle 1)
0,4 Gt. 4-(4-Methoxy-cC-methyl-styryl)-6-trichlormethyl-2-pyron und
0,01 Gt. Kristallviolett in
60,0 Gt. Methylethylketon und
32,0 Gt. Acetonitril
gelöst. Damit wird auf der Schleuder eine mechanisch aufgerauhte Aluminiumplatte beschichtet und getrocknet. Zur Verarbeitung zu einer Offsetdruckplatte wird an-
609840/0997
schließend 150 Sekunden bildmäßig unter der 5 kW Metal 1-Halogen-Lampe belichtet, etwa 0,5 - 1 Minute mit dem Entwickler von Beispiel 3 durch Sprühen entwickelt, gespült und eingefärbt.
Beispiel 17
Eine Beschichtungslösung wird hergestellt aus
8,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 2,4 Gt. Verbindung 1
0,4 Gt. 4-(4-Methoxy-styryl)-6-trichlormethyl -
2-pyron und
0,02 Gt. Kristal!violett in 89/2 Gt. Methyläthyl keton,
die mit bis zu 40 Gt. Trichlorethylen verdünnt werden kann.
Damit wird ein Nickel-Zylinder mindestens 20,um dick beschichtet, der wie üblich mit einer elektrisch leitenden Trennschicht versehen ist. Sodann wird unter einer Strich- oder autotypischen Positiv-Vorlage rund belichtet und mit dem Entwickler von
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Beispiel 3 entwickelt. Die Druckform wird nun galvanisch dadurch aufgebaut, daß beim folgenden Vernickeln sich rund um die stehengebliebenen nicht belichteten punkt- bzw. strich-förmigen Schichtreste eine immer dicker werdende Nickelhaut auf der dünnen Trennschicht bildet. Wenn die Ni ekel schicht die bezüglich Resistdicke und der mechanischen Eigenschaften günstigste Dicke erreicht hat, wird die so gebildete Rundschablone mittels der Trennschicht axial vom Formzylinder abgezogen und von Resten der Kopierschicht und des Trennmittels z. B. mittels Aceton befreit. Die je nach Tonwert verschieden großen bi1dförmigen Löcher bzw. Linien in der zylindrischen Nickelhaut sind dann offen für den Durchtritt der Farbe beim Rotations-Siebdruck.
Die verwendete Kopierschicht haftet gut auf der Trennschicht, trocknet schnell und erlaubt eine saubere Kopie darauf,· d. h. an den späteren Bildstellen bleiben die Schichtpunkte trotz der ungünstigen Relation von Höhe zu Breite, insbesondere bei kleinen Bildpunkten, fest auf der Trennschicht stehen, während an den belichteten Stellen eine schleierfreie Entwicklung mögli ch ist.
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Beispiel 18
Eine brauchbare Druckplatte wird wie folgt erhalten.
Es werden
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2
1,2 Gt. Verbindung 30 (Tabelle 4)
0,2 Gt. 2-Methoxy-4,6-bis-tribrommethy1-
s-tri azi η
0,08 Gt. N-Phenylacridon und
0,01 Gt. Kristallviolett in
94,5 Gt. Methylethylketon
gelöst. Damit wird eine mechanisch gekörnte Aluminiumfolie beschichtet. Eine entsprechende Beschichtungslösung mit der gleichen Menge Michlers Keton anstelle von N-Phenylacridon und eine Vergleichslösung ohne beide Sensibilisatoren wird analog verarbeitet. Nach 200 Sekunden Belichten mit der 5 kW Metal 1-Halogen-Lampe wird bei der ersten Platte beim Entwickeln mit dem Entwickler von Beispiel 10 innerhalb von 20 Sekunden eine saubere Druckplatte erhalten.
Bei der zweiten ist das Ergebnis bei 300 Sekunden Belichten ähnlich, bei der dritten Platte (ohne Sensibilisator) ist die Belichtungszeit noch länger.
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Beispiel 19
Eine 180,um dicke Polyesterfolie wird beschichtet
mit folgender Lösung:
5,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2 1,0 Gt. Polyvinylpyrrolidon
(Lu.viskol K 90)
1,8 Gt. Verbindung 31 (Tabelle 4) 0,3 Gt. 4-(4-Cyano-styryl)-6-trichlormethyl-2-
pyron (Schmp.: ca, 250 C) und 2,0 Gt. Sudantiefschwarz BB (CI. 26150) in 89,9 Gt. Methyläthyl keton.
Mit dieser grau-schwarzen Folie kann die Montage in der Offsetkopie erleichtert und kontrolliert werden. Dazu wird ein Stück passender Größe unter der Vorlage 20 Sekunden mit der Metal 1-Halogen-Lampe belichtet und mit dem Entwickler von Beispiel 1 entwickelt. Man erhält so eine direkte Kopie der Vorlage. Nach Gebrauch kann die bebilderte Folie mit Aceton oder durch Nachbelichten ohne Vorlage und Entwickeln mit dem Entwickler von Beispiel 10 entschichtet und als Montagefolie für die Klebemontage nochmals verwendet werden.
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- 99Γ-
Beispiel 20
Eine Beschichtungsiösung wird angesetzt aus
6,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2
2,0 Gt. Verbindung 43
0,2 Gt. des in Beispiel 4 angegebenen Triazins und
0,01 Gt. Kristallviolett in
91,8 Gt. Methylethylketon.
Damit können Mehrmetal1 platten beschichtet werden, die aus Messing/Chrom, Aluminium/Kupfer/Chrom oder Eisen/ Kupfer/Chrom bestehen. Die nach speziellen Verfahren hergestellte" hydrophile Chromoberfläche muß vor der Beschichtung durch Abspülen mit Wasser von der Schutzschicht befreit werden.
Nach dem Auftragen der 3eschichtungslösung nach einem der eingeführten Verfahren und Trocknen in einem Durchlaufofen erhält man eine glänzende, gut lägerfähige vorsensibi1isierte Hochleistungs-Offsetdruckplatte für die Negativ-Kopie. Es wird unter einer 5 kW Metall-Halogen-Lampe im Abstand von 140 cm bei einer ca. 3,um dicken Schicht 5 Sekunden belichtet. Dann werden mit dem Entwickler von Beispiel 1, dem noch
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alkalisches Netzmittel wie Phenylsulfonat zugesetzt werden kann, durch Tauchen oder Sprühen und gegebenenfalls überwischen mit einem Tampon innerhalb von ca. 2 Minuten die belichteten Schichtpartien entfernt. Die so freigelegte Chromschicht wird anschließend mit einem handelsüblichen Chromentferner bis zum darunter liegenden Messing bzw. Kupfer weggeätzt. Mit einem passenden (alkalischen) Entschichter oder polaren Lösungsmittel wird schließlich die unbelichtete Schicht entfernt, so daß die hydrophile Chromschicht neben den oleophilen Bildpartien aus Messing oder Kupfer fertig zum Konservieren oder Einfärben zum Drucken ist.
Beispiel 21 Es werden
10,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 3,0 Gt. Diphenoxymethyl-naphthyl-(2)-äther 0,5 Gt. Naphthochinon-(l,2)-diazid-(2)-
4-sulfochlorid und 0,01 Gt. Kristallviolett in
86,5 Gt. Methylethylketon
603840/0337
gelöst. Damit wird ein ca. 0,5 mm dickes Blech aus einer speziellen Kupfer-Legierung zunächst beidseitig durch Tauchen beschichtet. Nach der Tauchbeschichtung (bis 10 g/m ) wird beidseitig durch zueinander spiegelbildlich deckungsgleiche Vorlagen des gewünschten Formteils belichtet, durch Sprühen mit dem Entwickler von Beispiel 11 entwickelt und wiederum durch beidseitiges Sprühen, z. B. mit FeCl ..-Lösung, geätzt. Wenn das Bild des Metallteils, z. B. einer Federzunge, im Nutzen, d. h. in größerer Zahl, nebeneinander in einem Arbeitsgang kopiert wird, lohnt sich diese Formätztechnik besonders. Die erfindungsgemäße Kopie.rschicht ist dafür besonders geeignet durch gute Haftung auf zahlreichen verschiedenen Metalloberflächen .
Anstelle des verwendeten Orthoameisensäureesters kann die gleiche Menge der Verbindung 69 verwendet werden.
Beispiel 22
Es werden
9 6t. Novolak nach Beispiel 1 1 Gt. Vinylacetat-Crotonsäure-Mischpolymerisat 95 : 5
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.3 Gt. Verbindung 2 (Tabelle 1)
0,5 Gt. des Triazins von Beispiel 4 und
0,3 Gt. Zaponechtviolett BE (CJ. 12196) in
86,2 Gt. Äthyl englykolmonoäthyläther
gelöst. Eine gesäuberte Zinkplatte wird mit dieser Lösung beschichtet und getrocknet. Die erhaltene lichtempfindliche Positiv-Zinkatzplatte wird unter einer positiven Vorlage mit einer 3 kW Xenon-Impulslampe in 120 cm Abstand 5 Minuten belichtet. Nach dem Entfernen der belichteten Schichtteile durch Tauchen und überwischen mit dem Entwickler von Beispiel 3 erhält man ein Bild, das durch Ätzen mit 3-5 %iger Salpetersäure, ggf. unter Zusatz von Flankenschutzmittel, zu einem Klischee, einer Hochdruckplatte, verarbeitet wird. Zur Verbesserung der Haftung bzw. Verankerung dieser Schicht während der Einstufenätzung und beim manuellen Nachätzen zur Tonwertkorrektur kann die Platte nach der Entwicklung und vor der Ätzung 5 - 15 Minuten bei 100 - 200° C getempert werden. Ähnliche Ergebnisse erhält man bei Ersatz der Verbindung 2 durch Verbindung 10 (Tabelle 1) oder Verbindung 68.
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Beispiel 23
Eine Beschichtungsiösung aus
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 1,2 Gt. Verbindung 8 (Tabelle 1) 0,2 Gt. 2,5-Diäthoxy-4-(p-tolyl-
mercapto-)-benzoldiazoni umhexaf1uoro-phosphat und 0,1 Gt. Kristall violett in 94,6 Gt. Methyläthylketun
wird auf mechanisch aufgerauhtes Aluminium durch Schieudern aufgetragen und getrocknet. Unter einer positiven Vorlage mit der 5 kW Metal 1-Haiogen-Lampe 60 Sekunden belichtet, entsteht ein Bild; nach ca. 1 Minuten Tauchen in den Entwickler von Beispiel 1 eine saubere Kopie der Vorlage.
Beispiel 24
Für die Bebilderung mit Laser-Strahlen wird die Lösung
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 1,2 Gt. Verbindung 37 0,2 Gt. des in Beispiel 8 angegebenen Pyrons und
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PU
0,01 Gt. Kristall violett in 94,6 Gt. Methyläthyl keton
auf eine zur Verwendung als Druckplatte geeignete Papierfolie aufgetragen, welche mit einem Überzug aus hydrophilem kolloidalem Bindemittel mit feinteiligem anorganischem Pigment nach den Angaben der US-PS 2 534 588 versehen ist. Mit einem Argon-Ionen-Laser einer Strahlstromstärke von maximal 32 Ampere und 3 Watt Lichtleistung über alle Spektral 1inien wird bildmäßig bestrahlt. Durch Fokussierung mit einer Optik erhielt der bestrahlte Fleck einen Durchmesser von etwa 10,um. Variiert wurde die Strahl Stromstärke zwischen 17 und 32 A und die Schreibgeschwindigkeit des Laserstrahls zwischen 60 und 30 mm/sec. Nach der Bestrahlung in diesem Energiebereich war die Spur schon zu erkennen. Sie wurde durch 10 - 20 Sekunden Entwickeln mit dem Entwickler von Beispiel 1 sauber entwickelt und durch Einfärben der unbestrahlten Bereiche mit fetter Farbe - wie für Offsetdruckplatten üblich. -deutlich hervorgehoben.
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.„.
Beispiel 2 5
Die Kopierschicht folgender Zusammensetzung wird verwendet zur Herstellung von Tiefdruckzylindern zum Bedrucken von Papier und Folien im autotypischen Tiefdruck.
73 Gt. Novolak nach Beispiel 1
12 6t. Verbindung 41
10 Gt. Verbindung 50
3,5 Gt. des in Beispiel 4 genannten Triazins
1,5 Gt. Kristall violett.
Dazu wird eine je ndch Schichtdicke, Trocknung und Serätebedingungen in weiten Grenzen bezüglich Wahl der Lösungsmittel und des Feststoffgehalts verschieden ansetzbare Lösung dieser Substanzen mit Hilfe einer Spritzpistole gleichmäßig auf einen frisch polierten rotierenden Kupferzylinder aufgetragen und getrocknet. Anschließend wird mit einer in Ti,efdruckbetrieben üblichen Belichtungsanlage unter einer autotypischen Negativ-Vorlage rund belichtet. Entwickelt wird durch Aufgießen von 5 %iger Natriummetasilikatlösung auf den langsam rotierenden Zylinder, gefolgt von Abspulen mit
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--we--
Wasser, Trocknen und evtl. Abdecken der bildfreien Stellen mit Asphaltlack. Dann werden wie üblich die Tiefdrucknäpfchen mit Ferrichiorid-Lösungen geätzt, Kopierschicht und Abdeckldck entfernt und der damit druckfertige Tiefdruckzylinder ggf. noch verchromt.
Ähnliche Ergebnisse werden erhalten, wenn als Orthoester die Verbindung 43 oder die Verbindung 50 statt der Verbindung 41 eingesetzt werden.
Beispiel 26
Zum Bebildern mittels Elektronenstrahlen eignen sich Schichten folgender Zusammensetzung. Auf mechanisch aufgerauhtes Aluminium werden Schichten der Dicke ca. 2.um aufgetragen, getrocknet, bestrahlt, entwickelt und mit fetter Farbe eingefärbt:
74 % Novolak nach Beispiel 1
22 % Orthoester
3,8 % Starter und
0,2 % Farbstoff.
Bei Einhaltung der in folgender Tabelle genannten Bedingungen arbeiten die elektronenbestrahlten Schichten positiv.
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Tabelle
crt cb co
Ortho-
ester
Verbin
dung Nr
Starter Spannung· eingestrahlte
Energie^
(Joule/cm )
Entwickler
aus Bei
spiel
Entwicklungs
zeit ■
(Sekunden)
21 Diazoniumsalz von
Beispiel 23
11 kV 1-3.0 . 10~2 3 30
Triazin von Beisp. 4 11 kV 10-60 . 10~2 3 45
C2Br5H 11 kV 10-300 .10"2 3 30
Tribrommethyl-phenyl-
suIfon
11 kV 100-500 .10~2 3 15
26 Diazoniumsalz von
Beispiel 23
11 kV 10-150 .10~2 3 30 *
Ur
2,5-Diäthoxy-4-benzoyl-
amino-benzoldiazonium-
tetrachlorozinkat
11 kV 20- 60 .10~2 3 30
4 Diazoniumsalz von
Beispiel 23 '
11 kV 10-100 .10~2 1 45
44 C2Br5H
Tris-tribrom-methyl-
triazin
11 kV
11 kV
40-600 .10"2
10- 60 .10"2
1
1
60
ro
ic σ>
CD
CO
Fortsetzung Tabelle 5
Ortho Starter • Spannung eingestrahlte Entwickler 1 I
Entwicklungs
ester Energie _ aus Bei zeit
Verbin (Joule/αη ) spiel 1 (Sekunden)
dung Nr.
44 Triazin von Beispiel 4 11 kV 1 - 30 .10"2 1 30
CD
CO
OO
2-Tribroramethy1- 11 kV 10 - 60 .10"2 1 10
•Τ
Ο
chinolin
/09 C2Br5H 11 kV 1 -100 .10~2 20
CD
>*, 2 , 2 * , 4,,6,6 *-Hexabrora- 11 kV 20 -100 .10"2 60
diphenylamin
Die Verwendung kürzerwellig, d. h. nicht int sichtbaren Licht und auch außerhalb der optimalen Emission gebräuchlicher Lichtquellen absorbierender, jedoch für Bestrahl ung· mi t Elektronen gut brauchbarer Säurespender wie z. B. Pentabromäthan und Tris-tribrommethyl· triazin bietet den besonderen Vorteil, daß Schichten mit diesen Startern bei normalem Licht hantierbar sind. Bei Belichten von Schichten mit diesen beiden Startern unter der 5 kW Metal 1-Haiogen-Lampe 3 Minuten lang und Entwickeln mit dem Entwickler von Beispiel 3 war selbst nach 5 Minuten kein Bild zu erhalten.
Beispiel 27
Es werden
4,0 6t. Novolak nach Beispiel 1
1,2 Gt. Verbindung 53
0,2 Gt. des in Beispiel 4 angegebenen Triazins und
0,4 Gt. Rhodamin G extra in
94,2 Gt. Methyläthylketon
gelöst. Statt dieses Rotfarbstoffes kann für entsprechende Blau-Farbfolien eingefärbt werden mit Victoriareinblau FGA (CJ. Basic Blue 81).
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Mit diesen Lösungen werden Polyesterfolien von 180.um Dicke in einer Schichtdicke von maximal 1 um beschichtet und getrocknet. Nach 20 Sekunden Belichten mit der Metal 1-Halogen-Lampe unter positiven Vorlagen, welche die entsprechenden Farbauszüge für einen Mehrfarben-Druck sein können, erhält man beim Entwickeln mit wäßrig-alkalischem Entwickler, z. B. dem Entwickler von Beispiel 1, farbige Kopien der verwendeten Vorlagen. Die Klarheit und Haftfestigkeit dieser Schichten ist wegen der guten Verträglichkeit der Orthoester mit den anderen Schichtkomponenten auf den unvorbehandelten Polyesterfolien-Oberflächen besonders günstig und augenfällig.
Ähnlich gute Ergebnisse anstelle der Verbindung werden mit dem Amidacetal Verbindung 52 erhalten.
Beispiel 28
Ein Gemisch von Orthoestern wird verwendet zur Herstellung von Farbfolien für die Offsetkopie. Es werden
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2
0,8 Gt. Verbindung 4 (Tabelle 1)
0,4 Gt. Verbindung 7 (Tabelle 1)
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0,2 Gt. des in Beispiel 12 angegebenen
Pyrans und
2,0 Gt. Grasolechtgelb in 92,6 Gt. Methylethylketon
gelöst. Statt dieses Gelbfarbstoffs kann für entsprechende Rot-Farbfolien eingefärbt werden mit Grasolechtrubin 2 BL (CJ. Solvent Red 128).
Mit diesen Lösungen werden Polyesterfolien von 100,um Dicke zu einer Schichtdicke von maximal I. um beschichtet und getrocknet. Nach "Beiichten unter positiven Vorlagen, welche die entsprechenden Farbauszüge für einen Mehrfarbendruck sein können, erhält man beim Entwickeln mit 3 %iger Natronlauge farbige Kopien der verwendeten Vorlagen.
Anstelle der Verbindung 7 können die Verbindungen 11 oder 24 eingesetzt werden.
Beispiel 29
Es werden
-4,0 Gt. Novoiak nach Beispiel 2 1,2 Gt. der Verbindung 51
" 60 9 840/0997
0,2 Gt. des Di dzoni üinsal z-Kondensati onsprodukts von Beispiel 4 der DT-OS 2 041 395 und 0,01 Gt. Kristall violett in
94,6 Gt. Methyläthyl keton-Methanol-Gemisch ' 8 : 2
gelöst und auf drahtgebürstetes Aluminium aufgebracht und getrocknet. Nach 100 Sekunden Belichten mit der Metall-Halogen-Lampe ist ein kontrastreiches Bild zu sehen, das durch Tauchen in dem Entwickler von Beispiel 1 innerhalb von ca. 20 Sekunden entwickelt wird. Eine ähnliche Kopie auf Aluminium, von der ebenfalls gedruckt werden kann, erhält man, wenn als lichtempfindlicher Säurespender 2 ,5-Diäthoxy-4-benzoylamino-benzoldiazoniumchlorid als Zinkchlorid-Doppelsalz verwendet wird. Zum schnelleren Lösen dieser Diazoverbindung können Alkohole wie Äthylenglykolmonomethyläther oder Methanol als Lösungsmittel mitverwendet werden.
Beispiel 30
Eine Beschi c'htungsl ösung aus
6,0 Gt. Styrol-Mal einsäureanhydrid-Mischpolymerisat (Säurezahl 300, Molgewicht ca . 1500)
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/03
1,6 Üt. Verbiη dung 4 1,
0,3 Gt. des in Beispiel a angegebenen Pyrons und
0,01 Gt. Kristall violett in
92,1 Gt. Methyl äthyl keton
wird auf naßgebürstetes Aluminium geschleudert und getrocknet. Nach 70 Sekunden Belichten mit der 5 kW Metal 1-Haiogen-Lampe werden die belichteten Schichtpartien durch Tauchen und Wischen mit 5 Xiger Triäthanolamiη-Lösung entfernt. Die positive Kopie der Vorlage kann auch durch kurzes Abspülen mit Isopropanol entwickelt werden. Ein ähnliches Ergebnis wird erzielt, wenn als Starter in gleicher Menge eine Verbindung verwendet wird, die durch Chlorieren von 4-(4-Methoxy-styryl) -e-trichlormethyl-^-pyron wie folgt erhalten wird:
Herstellung von 4-(4-Methoxy-styryl)-6-trichlormethyl -2-pyron :
Zu einer Suspension von 57,5 g 4-(4-Methoxy-phenyl)-2-methyl-butadien-2-carbonsäure in 200 ml Benzol gibt man 1 ml Dimethylformamid und leitet bei 50° C
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/10
innerhalb von Z Stunden 7L· g Phosgen ein. Anschließend wird das Lösungsmittel im Vakuum abdestilliert und der Rückstand zusammen mit 95 g Trichloracetylchlorid in 4.00 ml Methylenchlorid aufgelöst. Bei 5 - 10° C tropft man unter Rühren zu dieser Lösung eine Mischung von 58 g Triäthylamin und 70 ml Methylenchlorid, rührt 24 Stunden bei der gleichen Temperatur und noch weitere 24 Stunden bei Raumtemperatur und wäscht zweimal in Wasser und zweimal in wäßriger NaHCO^-Lösung, trocknet mit Natriumsulfat und destilliert das Lösungsmittel im Vakuum ab. Der Rückstand wiegt 92 g und besitzt einen Schmelzpunkt von 160 C. Durch Umkristallisieren aus Acetonitril erhöht sich der Schmelzpunkt auf 166- C.
ChIorierung
6,9 g des Pyrons werden in 30 ml Chloroform gelöst und mit 2,9 g Sulfurylchlorid 30 Minuten unter Rückfluß erhitzt Anschließend wird die Lösung viermal mit Wasser gewaschen, mit Natriumsulfat getrocknet und im Vakuum eingedampft. Der Rückstand wird mit Methanol verrieben, abgesaugt und getrocknet, 3,5 g, Schmelzpunkt 160 C.
Beispiel 31
Für einen Lichtempfindlichkeits-Vergleich von Orthoester- und Acetal-Schichten werden
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MA
4,0 Gt1. tfovola-k na.ch Beispiel, i 0,2 Gt. des in Beispiel 4 genannten Triaz-ins 0,01 Gt.. KriStallinoLett und 1,2 Gt, des 8>is-tetrahydropyran-2-yl -athers <des 4,4 '*- tSopropy) i den-di phenol s in 94,6 Gt, Methylethylketon
gelöst. Zwei weitere Beschichtungslösungen werden unter Ersatz der Acetal verbi ndurig durch je gleiche Mengen der Verbindungen 40 bzw. S hi-rgestel 11. Die Lösungen werden auf mechanisch aufgerauhtes Aluminium aufgebracht, getrocknet, belichtet und in it dem Entwickler von Beispiel 1 entwickelt.
Um diese drei Schichten in ca. 1 1/2 Minuten aufent-· wickeln zu können, sind mit der 5 kW Metal 1-Halogen-Lampe folgende Mi rides tbel i chturujszei ten nötig: Acetal: ca. 100 Sekunden, Verbindung 40: 1-3 Sekunden, Verbindung 3: 10 - 20 Sekunden. Ähnlich lichtempfindlich wie Verbindung 40 sind die homologen Verbindungen mit 1 bis etwa 30 Äthylenoxid-Einheiten. Die Verbindungen aus Polyglykol 600 (mit im Mittel 13 Einheiten) bis
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All
Polyglykol 1000 (durchschnittlich etwa 23 Äthylenoxidein heiten) bewirken mit zunehmender Kettenlänge eine Verlangsamung der Entwicklung, was jedoch durch Verwendung von Alnovol PN 430 statt PN 429 kompensiert werden kann.
Beispiel 32 Eine Lösung aus
6,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2 1,8 Gt. Verbindung 21 (Tabelle 3) 0,3 Gt. 2,4-Bis-(trichlormethyl)-6-p-
dimethyl-aminostyryl-s-triazin und 0,02 Gt. Kristal!violett in 91,9 Gt. Methylethylketon
wird auf drahtgebürstetes Aluminium aufgetragen und getrocknet. Mit einem 3 Watt Argon-Ionen-Laser der Strahlstromstarke 32 A wird mit einer Geschwindigkeit von 10 - 30 mm/sec darauf geschrieben. Nach ca. 30 Sekunden Tauchen oder Abspülen mit dem Entwickler von Beispiel 1 ist die Schicht an der Schreibspur des Lasers entfernt. Oie unbelichteten Schichtpartien können, mit fetter Farbe eingefärbt, zum Drucken in Offsetmaschinen verwendet werden.
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Beispiel 33
Platten aus gebürstetem Aluminium werden durch Tauchen
in Lösungen aus
10,64 6t. Novolak nach Beispiel 1 3,20 Gt. Orthoester und 0,16 Gt. 2 ,4-Bis-trichlormethyl-6-pmethoxy-styryl-s-triazin in
86,0 Gt. Methylethylketon
beschichtet, nach dem Herausziehen und Abdunsten des Lösungsmittels 20 Sekunden in einem warmen Luftstrom getrocknet und durch eine Strichvorlage, die von einer 1 mm starken Glasplatte bedeckt ist, belichtet. Das Belichtungsgerät ist mit vier Leuchtstoffröhren der Firma Philips (TLAK 40 W/05) im Abstand von 4 cm bestückt. Die Entfernung der Röhrenperipherie von der Plattenoberfläche beträgt ca. 5 cm.
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Die Belichtungszeiten sind bei Verwendung der einzelnen Orthoester wie folgt:
Verbindung Belichtungszeit
(Sekunden)
65 20
55 30
54 30
36 0,5 35 0,5 38 0,5
59 1,5
61 1,5
63 1,5
62 1,5
64 1,5
66 1,5
67 2,5
60 3,0
Nach Entwicklung mit dem Entwickler von Beispiel 1 wird in allen Fällen ein positives Abbild der Vorlage erhalten
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/'S
Beispiel 34
Folgende Beschichtungslösungen mit Acetalen als säurespaltbare Verbindungen wurden zur Herstellung von elektronenstrahl empfindl i chen Offsetdruckplatten-Schichten verwendet. Dazu werden
4,0 6t. Novolak von Beispiel 1
1,2 Gt. des Acetals von Beispiel 31
0,2 Gt. Starter und
0,02 Gt. Kristall violett in
94,6 Gt. Methylethylketon
gelöst und damit mechanisch aufgerauhtes Aluminium beschichtet (Stammlösung A). Durch Ersatz des Acetals durch den Bi stetrahydropyranylether des 4 ,4'-Dihydroxy-diphenylsulfons wird Stammlösung B erhalten.
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Mt9
Tabelle 6
2 Joule/cm Sekunden
A Diazoniumsalz 11 kV 2 - 100 . 10"2 45 von Beispiel 23
C2Br5H 11 kV 1 - 100 . ΙΟ"2 35
Triazin von 11 kV 1 - 30 . 1Q~2 50 Bei spiel 4
B Tris-tribrom- 11 kV 10 - 300 . 10"2 30 methyl-triazin
Triazin von 11 kV 10 - 100 . 10"2 30 Beispiel 4
4-(2,4,6-Trimeth- 11 kV 10 - 150 . 10"2 45 oxy-styryl)-6-
trichlormethyl-
2-pyron'
(Schmp. 170° C)
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Analog Beispiel 26 wird unter vorstehenden Bestrahlungsbedingungen die Schicht an den bestrahlten Stellen mit dem Entwickler von Beispiel 1 entfernt. Bei Verwendung der nur kurzwellig 1icht-absorbierenden Starter sind die Schichten kaum licht- aber normal elektronenstrahlempfindlich.
- 115a -6098AO/0 997
Beispiel 35 Mit einer Lösung aus
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 2,
1,2 Gt. der Verbindung 76,
0,2 Gt. des Triazins aus Beispiel 4 und
0,1 Gt. Kristall violett in
94,5 Gt. Butan-2-on
wird eine drahtgebürstete Aluminiumfolie durch Schleudern beschichtet. Durch 20 Sekunden bildmäßige Belichtung mit der Metall-Halogen-Lampe und Entwicklung durch Tauchen in dem Entwickler von Beispiel 1 werden die belichteten Bereiche entfernt, so daß ein positives Abbild der Vorlage entsteht.
Anstelle der Verbindung 76 können mit ähnlichem Erfolg die Verbindungen 77 und - wenn der in Beispiel 3 genannte Entwickler verwendet wird - 84 eingesetzt werden.
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Das Beispiel 35 wird wiederholt, indem anstelle des Triazins 2,5-üiäthoxy-4-(p-äthoxyphenyl)-benzol-diazoniumhexaf1uorophosphat in gleicher Menge eingesetzt wird und als Orthocarbonsäurederivate anstelle der Verbindung 76 die Verbindungen 78, 80 oder 91 in gleicher, oder die Verbindung 93 in der halben Menge verwendet werden. Entwickelt wird mit dem Entwickler des Beispiels 3. In allen Fällen erhä'lt man eine positive Kopie der Vorlage.
Beispiel 37
Zum Bebildern mittels Elektronenstrahlen eignen sich auch Schichten, bei denen der Orthoester, ein Harz oder Lösungsmittelreste gleichzeitig auch als Starter wirken können. Dazu werden Schichten von 2 - 3 ,u Dicke auf mechanisch aufgerauhtes Aluminium aufgetragen, wobei die folgenden vier Beschichtungslösungen verwendet werden:'
a) 4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 0,02 Gt. Kristallviolett
1,2 Gt. der Verbindung 94 94,8 Gt. Butanon
b) 4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 0,02 Gt. KH stall violett
1,2 Gt. der Verbindung 79 94*8 Gt. Butanon
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c) 4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 0,02 Gt. Kristall violett
1,2 Gt. der Verbindung 37
0,2 Gt. eines Chlordiphenylharzes (Clophenharz W) 94,6 Gt. Butanon
d) 4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 0,02 Gt. Kristallviolett
1,2 Gt. der Verbindung 37 38,0 Gt. Dichlorethylen 56,8 Gt. Butanon.
Anstelle des Chlordiphenylharzes unter c) kann auch die gleiche Menge Chlorparaffinharz verwendet werden.
Schicht Spannung eingestrahlte Entwickler Entwick· kV Enerqie 2 aus lungs-Joule/cm Beispiel zeit
a 11 50-300Ί0"2 1 2 min.
b 11 100-600'10"2 3 3 min.
C 11 10- 80-10"2 1 30 see.
d 11 10- 80-10"2 1 20 see.
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Nach Bestrahlung mit Elektronen unter den vorstehenden Bedingungen wird analog Beispiel 26 die Schicht an den bestrahlten Stellen entfernt. Diese Schichten sind nur gegen Elektronenstrahlen empfindlich, können also bei üblicher Beleuchtung verarbeitet werden.
Beispiel 38 Für die Bebilderung mittels Elektrorienstrahlen sind auch Schichten folgender Zusammensetzung brauchbar:
a) 70 Gt. Novolak nach Beispiel 1
25 Gt. N-(2-Tetrahydropyranyl)-N-(£-naphthyl)-N-phenylami n
4,7 Gt. Triazin wie in Beispiel 4 0,3 Gt. Kristal!violett
b) 70 Gt. Novolak nach Beispiel 1
Gt. N-(2-Tetrahydropyranyl)-phenothiaziη 4,7 Gt. Triazin wie in Beispiel 4 0,3 Gt. Kristal!violett
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Die aus Butanon auf mechanisch aufgerauhtes Aluminium ca. 2,u dick aufgetragenen und getrockneten Kopiers'chichten werden unter den in Beispiel 8 genannten
Bedingungen bestrahlt. Bei einer Energie von 20-100'10 Joule/cm2 im Falle a) und I-30'IO"2 Joule/cm2 im Falle b) und Behandlung mit Entwickler von Beispiel 1 wird innerhalb 3 Minuten bzw. 1 Minute jeweils ein positives Bild erhalten.
Beispiel 39 Mit einer Lösung aus
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1 1,2 Gt. Verbindung 74
0,2 Gt. 2,5-Diäthoxy-4-p-tolylmercapto-benzoldiazoniumhexafluorophosphat und
0,1 Gt. Kristall violett in 94,5 Gt. Butanon
wird eine elektrolytisch aufgerauhte und anodisierte
Aluminiumfolie durch .Schleudern so beschichtet, daß sich
nach dem Trocknen ein Schichtgewicht von 1,9 g/m einstellt. 10 Sekunden Belichtung durch eine Vorlage mit einer 5 kW-Metal1-Halogen-Lampe ergeben ein kontrast-
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reiches Bild, das mit dem in Beispiel 3 angegebenen Entwickler in 45 Sekunden unter Herauslösen der belichteten Stellen zur Offsetdruckplatte entwickelt wi rd.
Diese Platte liefert bei einem Druckversuch in einer Offsetdruckmaschine mehr als 140.000 Drucke einwandfreier Qualität. Ein ähnliches Ergebnis wird erhalten, wenn die Beschichtungsiösung statt der Verbindung 74 die Verbindungen 3, 71, 72, 73, 75 oder die oligomere Verbindung 70 in gleicher Menge enthält, wobei im letzten Falle auch der lichtempfindliche Säurespender durch 0,2 g des im Beispiel 10 angegebenen Trichlormethylpyrons ersetzt wird.
Beispiel 40
Schichten auf drahtgebürstetem Aluminium, die durch Aufschleudern einer Lösung von jeweils 1,2 Gt. der Verbindungen 81, 82, 87, 88 oder 89 zusammen mit
4,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1
0,2 Gt. 2-(4-Methoxystyryl)-4,6-bis-trichlormethyl s-tri azi η und
0,05 Gt. Kristall violett in 94,55 Gt. Butanon
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erhalten werden, belichtet man durch eine Vorlage 50 Sekunden mit der Metal 1-Haiogen-Lampe. Entwicklung unter Verwendung des in Beispiel 3 genannten Entwicklers ergibt in allen Fällen innerhalb von höchstens einer Minute ein positives Bild.
Ein vergleichbares Ergebnis wird erzielt, wenn als Orthocarbonsäurederivate die Verbindungen 83, 85, 86, 90 oder 92 in obengenannter Rezeptur eingesetzt und die belichteten Stellen mit dem im Beispiel 1 verwendeten Entwickler heraus· gelöst werden.
Beispiel 41
In diesem Beispiel wird die Funktionsfähigkeit von Harzen mit Orthoesterqruppen in der Seitenkette als durch Säuren spaltbare Komponenten in positiv arbeitenden Kopiermassen gezei gt.
Mit Kristall violett angefärbte Schichten von etwa 2.u Dicke auf mechanisch aufgerauhtem Aluminium, die aus Butanon als Lösungsmittel aufgebracht und normal getrocknet werden und folgende Zusammensetzung aufweisen:
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Verbindung Harz Starter Bei.-Zeit
(Anteil in %) (Anteil in %) (Anteil in %) (Sekunden)
97 (48,3) aus Bei spi el 2 3,4 50
(48,3)
98 (48,3) aus Beispiel 2 3,4 50
(48,3)
99 (96,3) 3,7 100
100 (22,2) 1 3,7 50
aus Beispiel
101 (22,2) (74,1) 1 3,7 50
aus Beispiel
102 (96,3) (74,1) 3,7 100
lassen sich nach bildmäßigem Belichten nit der Metal 1-Haiogen-Lampe mit dem Entwickler aus Beispiel 3 in höchstens 100 Sekunden entwickeln, wobei die vom Licht getroffenen Schichtteile entfernt werden.
Als Starter, d. h. lichtempfindlicher Säurespender, dient 2 ,5-Diäthoxy-4-p-tolymercapto-benzoldiazonium-hexaf 1 uorophosphat.
Beispiel 4 2 In diesem Beispiel wird gezeigt, daß Orthoester-Schichten
ähnlich wie o-Naphthochinondiazidschichten nach dem Ent-
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wickeln zu Offsetdruckformen wä'rmebehandel t werden können. Dazu werden Beschichtungslösungen angesetzt, bestehend aus
6,0 Gt. Novolak nach Beispiel 1
2,0 Gt. Verbindung 95
0,2 Gt. des Triazinsvon Beispiel 4
0,01 Gt. Kristallviolett in
91,8 Gt. Butanon.
Weitere Lösungen werden mit jeweils 2,0 Gt. der Verbindungen 96, 103, 37, 4 und 72 anstelle von Verbindung 95 hergestellt.
Damit beschichtete Folien aus mechanisch aufgerauhtem Aluminium werden wie üblich belichtet und mit Entwickler aus Beispiel 1 entwickelt.
Zur Erhöhung chemischer und mechanischer Stabilität der Schichten z. B. gegen Auswaschmittel, Korrekturmittel, UV-härtbare Druckfarben und Druckbeanspruchung in der Offsetmaschine werden die kopierten Platten 10 Minuten auf 240° C erhitzt. Nach dieser Temperung werden sie zur Reinigung der bildfreien Stellen nochmals mit dem Entwickler 3 Minuten behandelt. Korrekturen sollten vor dieser Wärmebehandlung erfolgen, da diese Schichten gegen Einwirkung von Korrekturmitteln längere Zeit resistent werden.
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Claims (15)

1. Strahlungsempfindliche Kopiermasse, die als wesentliche Bestandteile (1) eine bei Bestrahlung Säure abspaltende Verbindung und (2) eine Verbindung enthält, die mindestens eine durch Säure spaltbare C-O-C- Bindung aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Säure spaltbare Verbindung (2) eine Verbindung mit mindestens einer Orthocarbonsäureester- und bzw. oder Carbonsäureamidacetaigruppierung ist.
2. Kopiermasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung (2) die allgemeine Formel I
OR,
ι >J
R1-C- OR4 (I)
hat, worin
R, H, eine ggf. substituierte Alkylgruppe, eine ggf substituierte Phenylgruppe oder eine ggf. substituierte Cycloalkylgruppe,
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R2 R5O, R6(R7)N oder Rg N bedeutet,
a) R3 und R4 gleich oder verschieden sind und jedes einen
ggf. substituierten Alkyl-, Alkenyl-, Cycloalkyl-, Cycloalkenyl- oder Arylrest, und
R,- einen Rest der für R_ und R4 angegebenen
Bedeutung, einen Acylrest oder, wenn R, = H und R3 = R4 = Phenyl ist, einen ggf. substituierten Methylenaminorest bedeuten
oder
b) R-, R4 und R5 jeweils zu zweit gemeinsam einem ggf.
substituierten Ring angehören,
Rg einen Acyl- oder Sulfonylrest oder einen
ggf. substituierten Methylenaminorest,
R7 einen Alkyl- oder Phenylrest,
Rg ■ zusammen mit dem Stickstoffatom einen 4- bis
13-gliedrigen ggf. substituierten heterocyclischen Ring, ggf. mit N, 0 oder S als weiteren Heteroatomen, bedeuten, an dem 1- - 2 ggf. substituierte aromatische oder ein cycloaliphatischer Ring annelliert sein können, und
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wobei die Reste R,, Rp. R3 und R4 7 !Sammen mindestens 10 C-Atome enthalten.
3. Kopiermasse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Verbindung der Formel I R, H, Methyl, Äthyl, Cyclohexyl oder Phenyl bedeutet
4. Kopiermasse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Verbindung der Formel I die Reste R,, R2, R3 und R4 insgesamt mindestens 14 C-Atome haben.
5. Kopiermasse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Verbindung der Formel I R„ die Bedeutung R5O hat.
6. Kopiermasse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Verbindung die Formel I die Gruppierung
R3
0
R1-C- OR4 R2
mindestens zweimal vorkommt.
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7. Kopiermasse nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Reste R_, R- und R5 aromatisch ist.
8. Kopiermasse nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der aromatische Rest die allgemeine Formel III
)V-o-
R1O
hat, worin entweder
R,Q, Rj. und Rj2 gleich oder verschieden sind und
H, Alkylreste mit 1-6 C-Atomen, die durch Alkoxy-, Alkoxycarbonyl- oder Acylreste mit 1-3 C-Atomen, durch Halogenatome oder Cyanidgruppen substituiert sein können, Alkoxyreste mit 1-6 C-Atomen, Acylreste mit 1 - 7 C-Atomen, Alkoxycarbonylres te mit 1-5 C-Atomen, Halogenatome, Cyanid-, Nitrogruppen, Aryloxy-, Thiophenyl-, oder Arylsulfonylreste mit je 6-15 C-Atomen oder Aralkylreste
mit 7 - 12 C-Atomen bedeuten 609840/099"/
R10 Wasserstoff und
R11 und R12 die zur Bildung eines anneTlierten Benzolrings erforderlichen Methingruppen bedeuten.
9. Kopiermasse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Verbindung der Formel I
R3 und R. zusammen mit der Gruppe -0-C-O-einen 5- oder 6-gliedrigen Ring bilden, der unsubstituiert oder durch Alkylreste, Alkoxyreste, Alkoxycarbonyl■ reste mit jeweils 1-6 C-Atomen, durch Halogenamine, Phenoxy- Phenoxyal kyl- oder Benzyloxyreste substituiert ist, oder über ein gemeinsames Spiro-Kohlenstoffatom mit einem weiteren 5- oder 6-gliedrigen Ring verknüpft ist,
R5 ein Alkylrest mit 1-15 C-Atomen, dessen Kette durch Sauerstoffatome unterbrochen sein kann, oder ein Alkylenrest mit 2 - 20 C-Atomen ist,
dessen Kette ebenfalls durch Sauerstoff· 609840/0 997
atome unterbrochen sein kann und dessen zweite freie Valenz an einen weiteren Rest -0-C(R1)(OR3)(OR4) gebunden ist, wobei die Alkyl- oder Alkylenreste durch Phenoxyreste substituiert sein können.
10. Kopiermasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie als bei Bestrahlung Säure abspaltende Verbindung (1) eine organische Halogenverbindung mit mehr als einem Halogenatom an einem Kohlen Stoffatom oder an einem aromatischen Ring enthält.
11. Kopiermasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie als bei Bestrahlung Säure abspaltende Verbindung (1) eine lichtempfindliche Diazoverbindung enthält.
12. Kopiermasse nach Patentanspruch 1, dadurch, gekennzeichnet, daß sie zusätzlich noch ein Bindemittel enthält.
13. Kopiermasse nach Patentanspruch 12", dadurch gekennzeichnet, daß sie als Bindemittel ein al kaiilösliches Harz enthält.
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- Ϊ3Ό" -
14. Kopiermasse nach Patentanspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daS sie als alkalilösliches Bindemittel-ei η Phenolharz enthält.
15. Verfahren zur Aufzeichnung von energiereicher Strahlung, bei dem man ein strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial aus einem Träger und einer strahlungsempfindlichen Schicht, die als wesentliche Bestandteile (1) eine bei Bestrahlung Säure abspaltende Verbindung und (2) eine Verbindung enthält, deren Löslichkeit durch Säureeinwirkung erhöht wird, bildmäßig mit energiereicher Strahlung in solcher Dosis bestrahlt, daß die Löslichkeit der Schicht, insbesondere in Wasser und wäßrigen Lösungen, an den bestrahlten Stellen zunimmt, und die bestrahlten Stellen mittels einer Entwicklerlösung entfernt, dadurch gekennzeichnet, daß man als Verbindung (2) eine Verbindung mit mindestens einer Orthocarbonsäureester- und bzw. oder Carbonsäureamidacetalgruppierung oder eine Verbindung, die mindestens eine durch Säure spaltbare Bindung der allgemeinen Formel
CH
'C \ ^ C ~ Z
H 609840/0997
aufweist, in der Z den Rest -OAr, -NRSO2Ar
oder j)
X"»
darstellt und Ar ein einwertiger oder zweiwertiger aromatischer Rest und R ein niederer Alkylrest ist, verwendet.
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ZA (1) ZA761861B (de)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2389155A1 (fr) * 1977-04-25 1978-11-24 Hoechst Ag Matiere a copier sensible aux rayonnements
EP0006626A2 (de) * 1978-07-05 1980-01-09 Hoechst Aktiengesellschaft Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern
EP0006627A2 (de) * 1978-07-05 1980-01-09 Hoechst Aktiengesellschaft Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
DE3009873A1 (de) * 1979-03-16 1980-09-25 Daicel Chem Photoempfindliche masse
EP0022571A1 (de) * 1979-07-16 1981-01-21 Hoechst Aktiengesellschaft Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern
EP0268790A2 (de) 1986-10-17 1988-06-01 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur abtragenden Modifizierung von mehrstufig aufgerauhten Trägermaterialien aus Aluminium oder dessen Legierungen und deren Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplatten
EP0318649A2 (de) * 1987-09-13 1989-06-07 Hoechst Aktiengesellschaft Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial für hochenergetische Strahlung
EP0410606A2 (de) 1989-07-12 1991-01-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse
US5015554A (en) * 1987-08-04 1991-05-14 Hoechst Aktiengesellschaft Positive radiation-sensitive mixture
US5332648A (en) * 1990-12-27 1994-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Potosensitive composition and method of forming a pattern using the same
EP0702271A1 (de) 1994-09-06 1996-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positiv arbeitende Druckplatte
US5529886A (en) * 1992-12-14 1996-06-25 Hoechst Aktiengesellschaft Polymers having N,N-disubstituted sulfonamide pendent groups and use thereof
US5705317A (en) * 1994-12-15 1998-01-06 Agfa-Gevaert Ag Radiation-sensitive mixture
EP1627736A1 (de) 2004-08-18 2006-02-22 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Verfahren zur Herstellung photoempfindlicher Flachdruckplatten und Verfahren zu deren Verwendung

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5569265A (en) * 1978-11-15 1980-05-24 Hitachi Ltd Pattern-forming method
US4299906A (en) * 1979-06-01 1981-11-10 American Hoechst Corporation Light-sensitive color proofing film with surfactant in a light-sensitive coating
US4356252A (en) * 1979-12-26 1982-10-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive negative-working tonable element
DE3023201A1 (de) * 1980-06-21 1982-01-07 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3038605A1 (de) * 1980-10-13 1982-06-03 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefkopien
DE3039926A1 (de) * 1980-10-23 1982-05-27 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial
US4365019A (en) * 1981-08-06 1982-12-21 Eastman Kodak Company Positive-working resist quinone diazide containing composition and imaging method having improved development rates
DE3144499A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3151078A1 (de) * 1981-12-23 1983-07-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefbildern
EP0092901B1 (de) * 1982-04-23 1987-10-14 Autotype International Limited Photopolymere
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3236560A1 (de) 1982-10-02 1984-04-05 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches schichtuebertragungsmaterial und verfahren zur herstellung einer photoresistschablone
EP0164083B1 (de) * 1984-06-07 1991-05-02 Hoechst Aktiengesellschaft Positiv arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung
DE3445276A1 (de) * 1984-12-12 1986-06-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung einer flachdruckform
US4737426A (en) * 1985-05-15 1988-04-12 Ciba-Geigy Corporation Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides
CA1308596C (en) * 1986-01-13 1992-10-13 Rohm And Haas Company Microplastic structures and method of manufacture
US4837124A (en) * 1986-02-24 1989-06-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4912018A (en) * 1986-02-24 1990-03-27 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist based on imide containing polymers
US4968581A (en) * 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
DE3613632A1 (de) * 1986-04-23 1987-10-29 Hoechst Ag Photopolymerisierbares gemisch und dieses enthaltendes photopolymerisierbares aufzeichnungsmaterial
DE3621376A1 (de) * 1986-06-26 1988-01-07 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JP2719909B2 (ja) * 1986-07-02 1998-02-25 コニカ株式会社 感光性組成物および感光性平版印刷版
DE3628720A1 (de) * 1986-08-23 1988-02-25 Hoechst Ag Vorsensibilisierte druckplatte und verfahren zur herstellung einer druckform fuer den wasserlosen flachdruck
JPS63265242A (ja) * 1987-04-23 1988-11-01 Fuji Photo Film Co Ltd 多色画像形成方法
US4775609A (en) * 1987-05-18 1988-10-04 Hoescht Celanese Corporation Image reversal
DE3716848A1 (de) * 1987-05-20 1988-12-01 Hoechst Ag Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials
US4962171A (en) * 1987-05-22 1990-10-09 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US4810613A (en) * 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US5081001A (en) * 1987-05-22 1992-01-14 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
DE3717933A1 (de) * 1987-05-27 1988-12-08 Hoechst Ag Photopolymerisierbares gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von hochwaermebestaendigen reliefstrukturen
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
DE3730783A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730787A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730785A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3737734A1 (de) * 1987-11-06 1989-05-18 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3810632A1 (de) * 1988-03-29 1989-10-12 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial
DE3810631A1 (de) * 1988-03-29 1989-10-12 Hoechst Ag Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand
DE3827901A1 (de) * 1988-08-17 1990-02-22 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JPH02119032U (de) * 1989-03-06 1990-09-25
DE3907954A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
DE3907953A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US5220037A (en) * 1989-07-22 1993-06-15 Basf Aktiengesellschaft Sulfonium salts and use thereof
DE3930087A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3930086A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-21 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0422628A3 (en) * 1989-10-13 1992-02-26 E.I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive element
GB8923459D0 (en) * 1989-10-18 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Positive-acting photoresist compositions
JP2571136B2 (ja) * 1989-11-17 1997-01-16 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
DE4002397A1 (de) * 1990-01-27 1991-08-01 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
TW202504B (de) * 1990-02-23 1993-03-21 Sumitomo Chemical Co
DE4007924A1 (de) * 1990-03-13 1991-09-19 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US5071731A (en) * 1990-04-10 1991-12-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous processable photosensitive element with an elastomeric layer
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
DE4032162A1 (de) * 1990-10-10 1992-04-16 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
US5085972A (en) * 1990-11-26 1992-02-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Alkoxyalkyl ester solubility inhibitors for phenolic resins
US5225316A (en) * 1990-11-26 1993-07-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company An imagable article comprising a photosensitive composition comprising a polymer having acid labile pendant groups
JPH04204848A (ja) * 1990-11-30 1992-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
DE4110057A1 (de) * 1991-03-27 1992-10-01 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung eines mehrfarben-pruefbildes und hierfuer geeignetes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112968A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare verbindungen, diese enthaltendes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112969A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare strahlungsempflindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112970A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare strahlungsempfindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JPH04328555A (ja) * 1991-04-26 1992-11-17 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
EP0520654A1 (de) * 1991-06-21 1992-12-30 Hoechst Celanese Corporation Tief-UV-empfindliche, positive Photoresistzusammensetzungen
DE69218393T2 (de) * 1991-12-16 1997-10-16 Wako Pure Chem Ind Ltd Resistmaterial
JP2944296B2 (ja) 1992-04-06 1999-08-30 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版の製造方法
DE4242051A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch
DE69415457T2 (de) 1993-09-03 1999-07-15 Shinetsu Chemical Co Tertiärbutylesterderivate der 4,4-bis (4'Hydroxyphenyl)pentansäure und diese enthaltende positive Photoresiste
GB9326150D0 (en) * 1993-12-22 1994-02-23 Alcan Int Ltd Electrochemical roughening method
DE4414896A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungempfindliches Gemisch
DE4414897A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Aromatische Diazoniumsalze und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
JPH0954437A (ja) 1995-06-05 1997-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 化学増幅型ポジレジスト組成物
JP3591672B2 (ja) 1996-02-05 2004-11-24 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US6060222A (en) 1996-11-19 2000-05-09 Kodak Polcyhrome Graphics Llc 1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser
WO2001021611A1 (fr) * 1999-09-17 2001-03-29 Kansai Paint Co., Ltd. Polyorthoester et composition reticulable contenant ce compose
JP3969909B2 (ja) 1999-09-27 2007-09-05 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3963624B2 (ja) 1999-12-22 2007-08-22 富士フイルム株式会社 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
JP3848077B2 (ja) * 2000-11-20 2006-11-22 キヤノン株式会社 分解性樹脂組成物およびその処理方法
US20050084797A1 (en) * 2003-10-16 2005-04-21 Agfa-Gevaert Heat-sensitive lithographic printing plate precursor
JP5024292B2 (ja) * 2006-09-25 2012-09-12 Jsr株式会社 感光性樹脂組成物
JPWO2008149966A1 (ja) * 2007-06-08 2010-08-26 協和発酵ケミカル株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
CN104211588B (zh) 2009-05-19 2017-01-11 本州化学工业株式会社 4-酰基芳烷基苯酚衍生物
US8632943B2 (en) 2012-01-30 2014-01-21 Southern Lithoplate, Inc. Near-infrared sensitive, positive-working, image forming composition and photographic element containing a 1,1-di[(alkylphenoxy)ethoxy]cyclohexane
US8846981B2 (en) 2012-01-30 2014-09-30 Southern Lithoplate, Inc. 1,1-di[(alkylphenoxy)ethoxy]cyclohexanes

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1070863A (en) * 1964-06-12 1967-06-07 Gevaert Photo Prod Nv Light-sensitive photographic materials
GB1359472A (en) * 1970-09-01 1974-07-10 Agfa Gevaert Photographic recording and reproduction of information
US3753718A (en) * 1972-02-04 1973-08-21 Scott Paper Co Photosensitive medium comprising a cyclic acetal of furfural, a lower haloalkane, and silica
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2389155A1 (fr) * 1977-04-25 1978-11-24 Hoechst Ag Matiere a copier sensible aux rayonnements
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
EP0006626A2 (de) * 1978-07-05 1980-01-09 Hoechst Aktiengesellschaft Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern
EP0006627A2 (de) * 1978-07-05 1980-01-09 Hoechst Aktiengesellschaft Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern
EP0006627A3 (en) * 1978-07-05 1980-01-23 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive mixture and process for producing relief images
EP0006626A3 (en) * 1978-07-05 1980-01-23 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive mixture and process for producing relief images
DE3009873A1 (de) * 1979-03-16 1980-09-25 Daicel Chem Photoempfindliche masse
EP0022571A1 (de) * 1979-07-16 1981-01-21 Hoechst Aktiengesellschaft Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern
EP0268790A2 (de) 1986-10-17 1988-06-01 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur abtragenden Modifizierung von mehrstufig aufgerauhten Trägermaterialien aus Aluminium oder dessen Legierungen und deren Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplatten
US5015554A (en) * 1987-08-04 1991-05-14 Hoechst Aktiengesellschaft Positive radiation-sensitive mixture
EP0318649A2 (de) * 1987-09-13 1989-06-07 Hoechst Aktiengesellschaft Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial für hochenergetische Strahlung
US5403697A (en) * 1987-09-13 1995-04-04 Hoechst Aktiengesellschaft Positive radiation-sensitive mixture and recording material produced therefrom
EP0318649A3 (de) * 1987-09-13 1991-08-07 Hoechst Aktiengesellschaft Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial für hochenergetische Strahlung
EP0410606A2 (de) 1989-07-12 1991-01-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse
US5332648A (en) * 1990-12-27 1994-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Potosensitive composition and method of forming a pattern using the same
US5529886A (en) * 1992-12-14 1996-06-25 Hoechst Aktiengesellschaft Polymers having N,N-disubstituted sulfonamide pendent groups and use thereof
EP0702271A1 (de) 1994-09-06 1996-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positiv arbeitende Druckplatte
US5705317A (en) * 1994-12-15 1998-01-06 Agfa-Gevaert Ag Radiation-sensitive mixture
US5998567A (en) * 1994-12-15 1999-12-07 Clariant Gmbh Radiation-sensitive mixture
EP1627736A1 (de) 2004-08-18 2006-02-22 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Verfahren zur Herstellung photoempfindlicher Flachdruckplatten und Verfahren zu deren Verwendung

Also Published As

Publication number Publication date
ZA761861B (en) 1977-03-30
GB1548757A (en) 1979-07-18
NL185244C (nl) 1990-02-16
JPS51120714A (en) 1976-10-22
FR2305757A1 (fr) 1976-10-22
AU1243176A (en) 1977-10-06
IT1057380B (it) 1982-03-10
DK145957C (da) 1983-09-26
SE412128B (sv) 1980-02-18
DK145957B (da) 1983-04-25
IE43574B1 (en) 1981-04-08
NL185244B (nl) 1989-09-18
AU507618B2 (en) 1980-02-21
CH621416A5 (de) 1981-01-30
IE43574L (en) 1976-09-27
DK136476A (da) 1976-09-28
JPS6020738B2 (ja) 1985-05-23
BE839974A (fr) 1976-09-24
ES446435A1 (es) 1978-03-16
SE7602345L (sv) 1976-09-28
CA1093368A (en) 1981-01-13
DE2610842C3 (de) 1979-02-22
FR2305757B1 (de) 1978-04-14
BR7601873A (pt) 1976-09-28
US4101323A (en) 1978-07-18
DE2610842B2 (de) 1978-06-15
NL7603032A (nl) 1976-09-29

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