DE2550056C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2550056C2 DE2550056C2 DE2550056A DE2550056A DE2550056C2 DE 2550056 C2 DE2550056 C2 DE 2550056C2 DE 2550056 A DE2550056 A DE 2550056A DE 2550056 A DE2550056 A DE 2550056A DE 2550056 C2 DE2550056 C2 DE 2550056C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- active layer
- gaas
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/051—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/072—Heterojunctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/135—Removal of substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/97—Specified etch stop material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/977—Thinning or removal of substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
III-V-Photokathode nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein solches
Verfahren ist aus der US-PS 37 69 536 bekannt.
GaAs-Photokathoden für den Transmissionsbetrieb bestehen im
allgemeinen aus einer aktiven GaAs-Schicht auf einem transparenten
Substrat. Für maximalen Wirkungsgrad sollte die aktive Schicht dünn
sein (2 Mikrometer) und hohe Qualität haben. Um die Defektdichte an
der Grenzschicht zwischen aktiver Schicht und Substrat zu minimieren,
sollten die aktive Schicht und das Substrat hinsichtlich der Gitter
konstanten eng angepaßt sein. Bisher sind GaAs-Transmissions-
Photokathoden durch Epitaxie aus der Dampfphase auf transparente
Substrate wie Al2O3, MgAl2O4 und GaP hergestellt worden. Die
Gitter-Fehlanpassung zwischen der aktiven GaAs-Schicht und den
Substraten sorgt für einen sehr schlechten Wirkungsgrad solcher
Bauelemente. Es wurde festgestellt, daß eine GaAs-AlGaAs-Heterogrenz
schicht, die durch Epitaxie aus der flüssigen Phase präpariert ist,
sowohl transparent gegen sichtbare Strahlung ist als auch niedrige
Defektdichte hat. Bisher sind entsprechend der vorgenannten US-PS
37 69 536 GaAs-AlGaAs-Photokathoden auf temporären Substraten gebildet
worden, und die temporären Substrate sind durch mechanisches und
chemisches Polieren entfernt worden. Diese bekannten Techniken sind
hauptsächlich auf Elemente mit kleinen Oberflächen ohne kritische
Oberflächenforderungen anwendbar, und im allgemeinen ergeben sie in
Verbindung mit Photokathoden keine zufriedenstellenden Resultate.
Mechanisches Polieren erfolgt im allgemeinen mit progressiv
kleinerer Körnung, und die kleineren Körner entfernen im allgemeinen
nicht die anfänglichen Oberflächenkratzer, die von den größeren
Körnern hervorgerufen sind. Die oberflächliche Beschädigung streut
Licht in optischen Anwendungsfällen und behindert ein epitaktisches
Wachsen zusätzlicher Schichten. Bei Transmissions-Photokathoden-
Anwendungen sind Oberflächenfehler besonders unerwünscht, weil die
Unregelmäßigkeiten Elektronen einfangen, dunkle Flecken im Bild
verursachen, aber auch Emissionspunkte erzeugen können,
die helle Flecken im Bild verursachen.
Es sind Versuche gemacht worden, die Oberflächen von
III-V-Elementen dadurch zu präparieren, daß ein Teil einer Schicht
weggeätzt wird. Wenn jedoch versucht wird, erhebliches Material von
einer Schicht durch Ätzen zu entfernen, ergibt sich im allgemeinen,
daß zu viel Material an den Kanten weggeätzt und die Oberfläche
abgerundet wird. Darüber hinaus ist eine genaue Dickenkontrolle beim
Ätzen schwierig, und Versuche, dünne Schichten zu ätzen, können darin
resultieren, daß eine ganze Schicht versehentlich entfernt wird.
Entsprechendes gilt, wenn man in bekannter Weise (DE-OS 23 59 072) die
aktive Schicht aus GaAs auf ein Substrat aus dem gleichen Material
aufwachsen läßt, das dann später in Form einer Fensters weggeätzt
wird.
Bekannt ist es auch (DE-OS 24 04 016 und 22 61 757), zur
Herstellung von Photokathoden eine aktive Schicht auf ein permanentes
Substrat aufwachsen zu lassen, das wiederum durch epitaktisches Wachsen
auf ein zusätzliches Substrat entstanden ist. Durch selektives Ätzen
eines zentralen Teils wird das zusätzliche Substrat anschließend mit
einem Fenster versehen, so daß nur noch ein tragender Rahmen stehen
bleibt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das bekannte Verfahren
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so abzuwandeln, daß auch groß
flächige Photokathoden mit einer sehr dünnen aktiven Schicht hoher
Qualität hergestellt werden können. Die Lösung der Aufgabe ist im
Patentanspruch 1 gekennzeichnet.
Das Hilfssubstrat kann dann mit einem Ätzmittel weggeätzt, das
von der Stoppschicht gestoppt wird, und danach die Stoppschicht durch
Ätzen mit HF entfernt werden. Das Material der aktiven Schicht wirkt
dabei als chemischer Stopp für die HF, und dementsprechend stoppt der
Ätzprozeß automatisch an der Grenze der aktiven Schicht, so daß diese
Schicht in der dünnen Form hoher Qualität verbleibt, in der sie
gewachsen ist. Die Ätzrate der Stoppschicht kann durch den Anteil an
Al in dieser Schicht kontrolliert werden.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
So werden mit Vorteil die Schichten durch epitaktisches Wachsen aus
der flüssigen Phase gebildet. Zur chemischen Passivierung kann zweckmäßig
vor dem Binden der Passivierungsschicht aus AlGaAs an das transparente
Substrat auf der Passivierungsschicht eine zusätzliche Passivierungs
schicht aus SiO2 gebildet werden.
Es zeigen
Fig. 1a bis 1d schematisch die Bildung einer III-V-Photokathode
gemäß der Erfindung;
Fig. 2 ein Flußdiagramm der Verfahrensschritte, mit denen die
III-V-Photokathode nach Fig. 1a bis 1d gebildet wird;
Fig. 3 graphisch den Zusammenhang zwichen Bandlücke und
Gitterkonstante für eine Anzahl von III-V-Verbindungen;
und
Fig. 4 graphisch die Beziehung zwischen der Aluminiumkonzentration
und der Ätzrate in einer III-V-Verbindung.
Gemäß Fig. 1 und 2 wird eine III-V-
Photokathode dadurch hergestellt, daß ein
temporäres Hilfssubstrat 10 vorgesehen wird, auf dem temporären Substrat
eine Stoppschicht 11 gebildet wird, die Al enthält, eine aktive
III-V-Schicht 12 auf der Stoppschicht gebildet wird, eine elektrisch
passivierende Schicht 13 auf der aktiven Schicht gebildet wird,
eine chemisch passivierende Schicht 14 auf der Schicht 13 ge
bildet wird, und die passivierende Schicht 14 mit einem perma
nenten Substrat 15 verbunden wird. Danach wird das temporäre Hilfs
substrat mit einem Ätzmittel entfernt,
das von der Stoppschicht gestoppt wird, und dann wird die
Stoppschicht mit HF mit einer Rate weggeätzt, die durch den
Anteil von Al in dieser Schicht festgelegt ist.
Wie noch näher erläutert wird, hat die aktive III-V-Schicht
einer Photokathode vorzugsweise eine Dicke in der Größenordnung
von 2 Mikrometer. Es wurde festgestellt, daß Schichten hoher Quali
tät und solcher Stärke durch Flüssigphasen-Epitaxie auf Substrat
materialien gewachsen werden können, die hinsichtlich der Gitter
kontanten eng an das aktive Schichtmaterial angepaßt sind. Die
tatsächliche Forderung an die Anpassung hängt mit der Chemie des
Bauelementes, der Wachstumstemperatur und -rate und den Qualitäts
forderungen zusammen, im allgemeinen ergeben jedoch Gitter
konstantenanpassungen innerhalb etwa 0,1% befriedigende Resultate
für Photokathoden. Für die Zwecke der Erfindung muß die aktive
Schicht 12 eng an die Stoppschicht 11 angepaßt sein, die ihrerseits
eng an das temporäre Hilfssubstrat 10 angepaßt sein muß. Bei der
bevorzugten Ausführungsform enthalten das temporäre Hilfssubstrat
und die aktive Schicht die gleichen Elemente, und die Stoppschicht
enthält diese gleichen beiden Elemente plus Aluminium. Aus Fig. 3
ist erkennbar, daß geeignete Kombinationen GaAs und AlGaAs, GaP
und AlGaP, und GaSb und AlGaSb umschließen. Die verschiedenen
III-V-Verbindungen haben hohe Absorptionskoeffizienten bei unter
schiedlichen Wellenlängen, und die Verbindung für einen speziellen
Anwendungsfall muß entsprechend den Wellenlängenanforderungen
ausgewählt werden. Für eine Photokathode wird GaAs als Verbindung
bevorzugt, da es für Photonen mit Wellenlängen kürzer als 0,9
Mikrometer am empfindlichsten ist.
III-V-Verbindungen guter Qualität sind kommerziell verfügbar und
zur Verwendung als temporäres Hilfssubstrat 10 geeignet. Die Dicke
dieses Substrats ist nicht kritisch, und eine Dicke in der Größen
ordnung von 0,5 mm (0,020″) hat gute Ergebenisse geliefert. Da in
der bevorzugten Ausführungsform das temporäre Hilfssubstrat schließlich
durch Ätzen entfernt wird, können Ätzzeit und -Material dadurch
gespart werden, daß das Substrat nicht zu dick gemacht wird.
Die Stoppschicht 11 wird epitaktisch auf die Oberfläche 16 des
temporären Hilfssubstrats 10 aufgewachsen. Wie bereits erwähnt,
enthält diese Schicht Al und sie wirkt als chemischer Stopp für das
Ätzmittel, das dazu verwendet wird, das temporäre Substrat zu
entfernen. Die Aluminiumkonzentration in Schicht 11 bestimmt die
Rate, mit der diese Schicht im letzten Schritt des Verfahrens
weggeätzt wird. Fig. 4 zeigt die Beziehung zwischen der Ätzrate
und der Aluminiumkonzentration für Al x Ga1- x As, das bei Zimmer
temperatur mit einer HF-Wasser-Lösung mit einer HF-Konzentration
von 0,49 geätzt wird, wobei x die Aluminiumkonzentration ist.
Da die Ätzrate bei Aluminiumkonzentrationen unter 0,3 sehr niedrig
ist, wird eine Aluminiumkonzentration von wenigstens 0,3 bevor
zugt.
Da die exponierte Oberfläche 17 der Stoppschicht 11 die Oberfläche
für epitaktisches Wachsen der aktiven Schicht 12 bildet, spiegelt
sich die Qualität der Oberfläche 17 in der Kristallqualität der
aktiven Schicht wider, insbesondere im zunächst gewachsenen Teil.
Eine Oberfläche hoher Qualität kann dadurch gewährleistet werden,
daß die Schicht 11 dick genug gemacht wird, um die Effekte von
Problemen, wie eine geringe Fehlanpassung zwischen Substrat 10
und Schicht 11 oder ein Substratmaterial von schlechterer als
gewünschter Qualität, zu überwinden. Gleichzeitig werden unnötig
dicke Schichten vermieden, um Zeit und Material beim Wachsen und
in der Ätzphase des Verfahrens zu sparen. Es wurde festgestellt,
daß eine Stoppschicht-Dicke in der Größenordnung von 0,5-5 Mikrometer
besonders befriedigende Resultate ergibt.
Wie bereits angedeutet, wird die aktive Schicht 12 epitaktisch
auf die Oberfläche 17 der Stoppschicht 11 aufgewachsen. Die Dicke
der Schicht 12 kann auf weniger als 0,1 Mikrometer genau dadurch be
stimmt werden, daß die Temperaturänderung und die Zeit für das
epitaktische Wachsen kontrolliert werden. Eine Dicke der aktiven
Schicht von 2-5 Mikrometer wird für Photokathoden bevorzugt, weil die
Elektronendiffusionslängen in diesem Bereich liegen. Für andere
Anwendungsfälle können jedoch aktive Schichten hoher Qualität
von nur 0,1 Mikrometer Stärke erzeugt werden.
Zusätzlich zu den binären III-V-Verbindungen, die oben erwähnt
sind, können auch andere Verbindungen, deren Gitterkonstante
ausreichend an die Gitterkonstante der Schicht 11 angepaßt ist,
in der aktiven Schicht verwendet werden. Solche Verbindungen sind
die ternären Verbindungen AlGaAs, InGaAs, GaAsP und GaAsSb. Die
Verwendung von drei Elementen in der aktiven Schicht erlaubt eine
engere Gitterkonstantenanpassung an die Stoppschicht als es mit
binären Verbindungen möglich ist. Wenn Al in der aktiven Schicht
benutzt wird, soll seine Konzentration in dieser Schicht erheblich
niedriger sein als seine Konzentration in der Stoppschicht, um
eine versehentliche Erosion der aktiven Schicht während des
Ätzens der Stoppschicht zu verhindern.
Die Passivierungsschicht 13 wird epitaktisch auf die Oberfläche 18
der aktiven Schicht 12 aufgewachsen. Sie wird aus einem Material
wie AlGaAs gebildet, dessen Gitterkonstante eng an die der aktiven
Schicht angepaßt ist, und das für Lichtenergie der gewünschten
Wellenlänge transparent ist. Diese Schicht arbeitet als elektrischer
Passivator und gewährleistet eine Bindung hoher Qualität zwischen
der aktiven Schicht und dem permanenten Substrat. Geeignete
Stärken für Schicht 13 liegen in der Größenordnung von 2-5 Mikrometer.
Die Passivierungsschicht 14 wird auf der Oberfläche 19 der Schicht 13
gebildet, um eine Diffusion von unerwünschten Substanzen während
der Bindung am Substrat 15 in die aktive Schicht 12 zu ver
hindern. Bei der bevorzugten Ausführungsform wird die Schicht 14
aus SiO2 in einer Stärke in der Größenordnung von 0,2 Mikrometer
gebildet, und zwar durch Hochfrequenz-Zerstäubung auf die Oberfläche 19. Die
Dicke der Schicht 14 ist nicht kritisch, sie soll jedoch wenigstens
0,01 Mikrometer betragen, um einen adäquaten Schutz gegen Diffusion
zu schaffen, und kleiner sein als 0,4 Mikrometer, um Komplikationen
aufgrund thermischer Dehnung zu vermeiden.
Das permanente Substrat 15 wird aus einem Material gebildet, das
transparent für Photonen ist und auch thermische Dehnungseigen
schaften ähnlich denen der aktiven Schicht 12 hat. Eine bevor
zugte Photokathode hat eine aktive GaAs-Schicht und ein Borsilikat
glas-Substrat. Die Dicke des Glassubstrats ist unkritisch und kann
in der Größenordnung von 0,5 mm bis 6,5 mm (0,020-0,250″) liegen.
Die Baueinheit, die aus dem temporären Hilfssubstrat 10 und den
Schichten 11-14 besteht, wird in der in der US-Patentschrift
37 69 536 beschriebenen Weise durch Wärme an das Substrat 15
gebunden. Kurz gesagt, wie zum Binden die Oberfläche 20 der
Passivierungsschicht 14 mit einer Oberfläche des Substrats 15 in
Berührung gebracht. Die Temperatur wird auf etwa die Entspannungstemperatur
(strain point) des Glassubstrats erhöht und bei einem Druck
in der Größenordnung von 1000 Pa zehn Minuten lang gehalten. Die
Zeit, die dazu notwendig ist, wärmezubinden, hängt von der
Entspannungstemperatur des Substrats, der
Temperatur beim Wärmebinden und dem Druck ab, der
die Passivierungsschicht gegen das Substrat drückt.
Nach dem Wärmebinden wird das temporäre Substrat 10 mit einem
geeigneten Ätzmittel weggeätzt, beispielsweise NH4OH-H2O2. Stopp
schicht 11 dient als chemischer Stopp für dieses Ätzmittel und
verhindert ein Ätzen über die Grenzschicht von Substrat 10 und
Schicht 11 hinaus.
Wenn das Substrat 10 entfernt worden ist, wird die Schicht 11
mit HF weggeätzt. Die aktive Schicht 12 dient als chemischer Stopp
für das Ätzmittel HF, und das Ätzen stoppt an der Grenzschicht
zwischen Schicht 11 und Schicht 12. Es wird ein Produkt in Form
eines III-V-Bauelementes erhalten, das aus einer aktiven Schicht 12,
Passivierungsschichten 13 und 14 und Substrat 15 besteht, wobei die
aktive Schicht 12 die gleiche hohe Qualität hat, mit der sie
aufgewachsen wurde.
Die Oberfläche eines im Handel erworbenen GaAs-Substrats mit einem
Durchmesser von 19 mm (0,75″) und einer Stärke von 0,5 mm (0,020″)
wurde für epitaktisches Wachsen dadurch präpariert, daß sie
mit einer Brom-Methylalkohol-Lösung geätzt wurde, die 1% Brom
bei Zimmertemperatur enthielt. Das Substrat wurde dann in ein
Graphitschiffchen gebracht, und das Schiffchen und das Substrat
wurden in eine interte Atmosphäre von mit Pd gereinigtem H2 in
einem Kristallwachsofen mit einer ersten Schmelze von Ga-Al-As
mit einem Gewichtsverhältnis Al-Ga von 3 × 10-3, einer zweiten
Schmelze von GaAs und einer dritten Schmelze von Al-Ga-As mit
einer geeigneten Aluminiumzusammensetzung gebracht, um Al x Ga1- x As
mit geeigneter Bandlücke für den gewünschten Anwendungsfall zu
erzeugen, wobei jede Schmelze 5 g Ga enthielt. Die Temperatur im
System wurde auf 900°C gebracht. Das Substrat wurde mit der
ersten Schmelze in Kontakt gebracht und dort gehalten, bis das
System auf 895°C abgekühlt war, wobei eine Al0,5Ga0,5As-Stoppschicht
mit einer Dicke von 4 Mikrometer gebildet wurde. Die Stoppschicht wurde
mit der GaAs-Schmelze in Berührung gebracht und dort gehalten,
während das System auf 893°C abkühlte, wobei eine aktive GaAs-
Schicht mit einer Dicke von 2 Mikrometer gebildet wurde. Die aktive
Schicht wurde dann mit der dritten Schmelze in Berührung gebracht
und dort gehalten, während das System auf 883°C abkühlte, wobei
eine AlGaAs-Passivierungsschicht mit einer Dicke von 5 Mikrometer ge
bildet wurde. Das Substrat und die daraufgewachsenen Schichten
wurden aus dem Ofen herausgenommen und eine 0,2 Mikrometer starke
Schicht aus SiO2 wurde auf der Oberfläche der AlGaAs-Passivierungs
schicht durch Hochfrequenz-Zerstäubung gebildet. Das Substrat und die Schichten
wurden dann an ein Glassubstrat wärmegebunden, das eine Dicke
von 1,3 mm (0,05″) hatte und einen Dehnungs
koeffizienten, der eng an den des GaAs angepaßt war. Die Wärme
bindung wurde bei einer Temperatur von
680°C durchgeführt, bei einem Druck von etwa
1000 Pa und für eine Zeit in der Größenordnung von 10 Minuten.
Die gebundene Baueinheit wurde auf Zimmertemperatur abgekühlt und
das GaAs-Substrat wurde mit NH4OH-H2O₂ weggeätzt, und die AlGaAs-
Stoppschicht wurde mit HF mit einer Konzentration von 0,49 wegge
ätzt. Die aktive GaAs-Schicht des erhaltenen Bauelementes hatte
eine Oberflächengleichförmigkeit in der Größenordnung von
0,1 Mikrometer.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung einer III-V-Photokathode, bei dem auf einem
Hilfssubstrat aus GaAs eine aktive Schicht aus GaAs und auf der aktiven
Schicht eine Passivierungsschicht gebildet werden, das Hilfssubstrat
mit den darauf gebildeten Schichten an ein für Photonen transparentes
Substrat gebunden wird, wobei sich die Passivierungsschicht dem
transparenten Substrat am nächsten befindet, und das Hilfssubstrat
entfernt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß auf dem Hilfssubstrat zunächst eine Stopp schicht aus AlGaAs, die aktive Schicht und darauf die Passivierungsschicht aus AlGaAs gebildet werden und
daß nach dem Entfernen das Hilfssubstrats auch die Stoppschicht entfernt wird, und zwar durch Ätzen mit HF.
daß auf dem Hilfssubstrat zunächst eine Stopp schicht aus AlGaAs, die aktive Schicht und darauf die Passivierungsschicht aus AlGaAs gebildet werden und
daß nach dem Entfernen das Hilfssubstrats auch die Stoppschicht entfernt wird, und zwar durch Ätzen mit HF.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten durch epitaktisches Wachsen
aus der flüssigen Phase gebildet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Binden an das transparente Substrat
auf der erstgenannten Passivierungsschicht eine zusätzliche Passivierungs
schicht aus SiO2 gebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das Hilfssubstrat durch Ätzen entfernt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stoppschicht aus Al x Ga1- x As mit x größer
als 0,3 gebildet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht aus GaAs einen Anteil Al,
In oder Sb enthält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/524,691 US3959045A (en) | 1974-11-18 | 1974-11-18 | Process for making III-V devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2550056A1 DE2550056A1 (de) | 1976-05-26 |
DE2550056C2 true DE2550056C2 (de) | 1989-02-09 |
Family
ID=24090286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752550056 Granted DE2550056A1 (de) | 1974-11-18 | 1975-11-07 | Iii-v-photokathode und verfahren zu ihrer herstellung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3959045A (de) |
JP (1) | JPS5951700B2 (de) |
DE (1) | DE2550056A1 (de) |
FR (1) | FR2291610A1 (de) |
GB (1) | GB1492215A (de) |
NL (1) | NL7513489A (de) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4198263A (en) * | 1976-03-30 | 1980-04-15 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Mask for soft X-rays and method of manufacture |
DE2909985C3 (de) * | 1979-03-14 | 1981-10-22 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoffs und Verwendung eines solchen Verbundwerkstoffes |
DE3067381D1 (en) * | 1979-11-15 | 1984-05-10 | Secr Defence Brit | Series-connected combination of two-terminal semiconductor devices and their fabrication |
US4286373A (en) * | 1980-01-08 | 1981-09-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making negative electron affinity photocathode |
EP0193830A3 (de) * | 1980-04-10 | 1986-10-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Sonnenzellenvorrichtung mit mehreren einzelnen Sonnenzellen |
US4372803A (en) * | 1980-09-26 | 1983-02-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for etch thinning silicon devices |
US4445965A (en) * | 1980-12-01 | 1984-05-01 | Carnegie-Mellon University | Method for making thin film cadmium telluride and related semiconductors for solar cells |
US4427714A (en) * | 1981-01-16 | 1984-01-24 | Pa Management Consultants Limited | Thin films of compounds and alloy compounds of Group III and Group V elements |
FR2507386A1 (fr) * | 1981-06-03 | 1982-12-10 | Labo Electronique Physique | Dispositif semi-conducteur, emetteur d'electrons, dont la couche active possede un gradient de dopage |
US4596626A (en) * | 1983-02-10 | 1986-06-24 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Method of making macrocrystalline or single crystal semiconductor material |
DE3321535A1 (de) * | 1983-04-22 | 1984-10-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen einer halbleiterphotokathode |
US4599792A (en) * | 1984-06-15 | 1986-07-15 | International Business Machines Corporation | Buried field shield for an integrated circuit |
US4649627A (en) * | 1984-06-28 | 1987-03-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating silicon-on-insulator transistors with a shared element |
US4859633A (en) * | 1985-01-31 | 1989-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Process for fabricating monolithic microwave diodes |
DE3524765A1 (de) * | 1985-07-11 | 1987-01-22 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen einer durchsichtphotokathode |
EP0213488A2 (de) * | 1985-08-26 | 1987-03-11 | Itt Industries, Inc. | Verfahren zur Herstellung von Mikrowellen-monolithischen integrierten Schaltungen aus Galliumarsenid |
US4908325A (en) * | 1985-09-15 | 1990-03-13 | Trw Inc. | Method of making heterojunction transistors with wide band-gap stop etch layer |
JPH0716077B2 (ja) * | 1985-10-11 | 1995-02-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
US4829018A (en) * | 1986-06-27 | 1989-05-09 | Wahlstrom Sven E | Multilevel integrated circuits employing fused oxide layers |
US4902641A (en) * | 1987-07-31 | 1990-02-20 | Motorola, Inc. | Process for making an inverted silicon-on-insulator semiconductor device having a pedestal structure |
US4876212A (en) * | 1987-10-01 | 1989-10-24 | Motorola Inc. | Process for fabricating complimentary semiconductor devices having pedestal structures |
IL84118A (en) * | 1987-10-07 | 1991-03-10 | Semiconductor Devices Tadiran | Process for ii-vi compound epitaxy |
US4929867A (en) * | 1988-06-03 | 1990-05-29 | Varian Associates, Inc. | Two stage light converting vacuum tube |
US5032543A (en) * | 1988-06-17 | 1991-07-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Coplanar packaging techniques for multichip circuits |
JPH0712094B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1995-02-08 | 信越半導体株式会社 | 発光半導体素子用エピタキシャルウェーハの製造方法 |
US4891329A (en) * | 1988-11-29 | 1990-01-02 | University Of North Carolina | Method of forming a nonsilicon semiconductor on insulator structure |
US4943540A (en) * | 1988-12-28 | 1990-07-24 | At&T Bell Laboratories | Method for selectively wet etching aluminum gallium arsenide |
US5130111A (en) * | 1989-08-25 | 1992-07-14 | Wayne State University, Board Of Governors | Synthetic diamond articles and their method of manufacture |
US5013681A (en) * | 1989-09-29 | 1991-05-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
US5110748A (en) * | 1991-03-28 | 1992-05-05 | Honeywell Inc. | Method for fabricating high mobility thin film transistors as integrated drivers for active matrix display |
US5465009A (en) * | 1992-04-08 | 1995-11-07 | Georgia Tech Research Corporation | Processes and apparatus for lift-off and bonding of materials and devices |
US5401983A (en) * | 1992-04-08 | 1995-03-28 | Georgia Tech Research Corporation | Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices |
US5286335A (en) * | 1992-04-08 | 1994-02-15 | Georgia Tech Research Corporation | Processes for lift-off and deposition of thin film materials |
US5455202A (en) * | 1993-01-19 | 1995-10-03 | Hughes Aircraft Company | Method of making a microelectric device using an alternate substrate |
US5358880A (en) * | 1993-04-12 | 1994-10-25 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing closed cavity LED |
US5512375A (en) * | 1993-10-14 | 1996-04-30 | Intevac, Inc. | Pseudomorphic substrates |
US5399231A (en) * | 1993-10-18 | 1995-03-21 | Regents Of The University Of California | Method of forming crystalline silicon devices on glass |
US5414276A (en) * | 1993-10-18 | 1995-05-09 | The Regents Of The University Of California | Transistors using crystalline silicon devices on glass |
US5395481A (en) * | 1993-10-18 | 1995-03-07 | Regents Of The University Of California | Method for forming silicon on a glass substrate |
US5488012A (en) * | 1993-10-18 | 1996-01-30 | The Regents Of The University Of California | Silicon on insulator with active buried regions |
US5391257A (en) * | 1993-12-10 | 1995-02-21 | Rockwell International Corporation | Method of transferring a thin film to an alternate substrate |
US6331753B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-12-18 | Litton Systems, Inc. | Image intensifier tube |
JP4766628B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2011-09-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
US6525335B1 (en) | 2000-11-06 | 2003-02-25 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting semiconductor devices including wafer bonded heterostructures |
US6658041B2 (en) | 2002-03-20 | 2003-12-02 | Agilent Technologies, Inc. | Wafer bonded vertical cavity surface emitting laser systems |
WO2004084275A2 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Crystal Photonics, Incorporated | Method for making group iii nitride devices and devices produced thereby |
US7202141B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-04-10 | J.P. Sercel Associates, Inc. | Method of separating layers of material |
US7728274B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-06-01 | Subrahmanyam Pilla | Imaging system with negative electron affinity photocathode |
TWI384434B (zh) * | 2008-08-28 | 2013-02-01 | Au Optronics Corp | 可撓式顯示面板及其製造方法、光電裝置及其製造方法 |
US10062554B2 (en) * | 2016-11-28 | 2018-08-28 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Metamaterial photocathode for detection and imaging of infrared radiation |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3288662A (en) * | 1963-07-18 | 1966-11-29 | Rca Corp | Method of etching to dice a semiconductor slice |
GB1239893A (en) * | 1970-03-05 | 1971-07-21 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to photocathodes |
JPS4936792B1 (de) * | 1970-10-15 | 1974-10-03 | ||
US3721593A (en) * | 1971-08-13 | 1973-03-20 | Motorola Inc | Etch stop for koh anisotropic etch |
US3769536A (en) * | 1972-01-28 | 1973-10-30 | Varian Associates | Iii-v photocathode bonded to a foreign transparent substrate |
US3914136A (en) * | 1972-11-27 | 1975-10-21 | Rca Corp | Method of making a transmission photocathode device |
DE2261757A1 (de) * | 1972-12-16 | 1974-06-20 | Philips Patentverwaltung | Semitransparente photokathode |
GB1439822A (en) * | 1973-02-06 | 1976-06-16 | Standard Telephones Cables Ltd | Gallium arsenide photocathodes |
-
1974
- 1974-11-18 US US05/524,691 patent/US3959045A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-11-05 GB GB45911/75A patent/GB1492215A/en not_active Expired
- 1975-11-07 DE DE19752550056 patent/DE2550056A1/de active Granted
- 1975-11-18 JP JP50137876A patent/JPS5951700B2/ja not_active Expired
- 1975-11-18 FR FR7535192A patent/FR2291610A1/fr active Granted
- 1975-11-18 NL NL7513489A patent/NL7513489A/xx not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5173379A (en) | 1976-06-25 |
DE2550056A1 (de) | 1976-05-26 |
NL7513489A (nl) | 1976-05-20 |
JPS5951700B2 (ja) | 1984-12-15 |
US3959045A (en) | 1976-05-25 |
FR2291610A1 (fr) | 1976-06-11 |
GB1492215A (en) | 1977-11-16 |
FR2291610B1 (de) | 1983-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2550056C2 (de) | ||
DE3300131C2 (de) | Integriertes optisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE19751294B4 (de) | Halbleiter-Einrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE112018006528T5 (de) | Lichtemittierende halbleitervorrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
DE2153862C3 (de) | ||
DE1814029C3 (de) | Verfahren zur Erzeugung einkristalliner und polykristalliner Halbleiterbereiche auf einem inkristallinen Halbleitersubstrat für die Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE2239687A1 (de) | Verfahren zum beenden des aetzvorganges beim aetzen mit einem fluessigen koh-aetzmittel und aetzbarriere zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE4010889A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer vergrabenen laserdiode mit heterostruktur | |
EP0218039B1 (de) | Verfahren zur Übertragung feinster Fotolackstrukturen | |
DE68923765T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Epitaxialscheibe vom doppelten Heteroübergangs-Typ. | |
DE2522489C3 (de) | ||
DE2627355A1 (de) | Lichtabstrahlendes festkoerperelement, insbesondere halbleiterlaser, und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3922009C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines verlustarmen, optischen Wellenleiters in einer epitaktischen Silizium-Schicht | |
DE60311412T2 (de) | InP-basierte Hochtemperaturlaser mit InAsP-Quantenschachtschichten und Sperrschichten aus Gax(AIIn)1-xP | |
DE2100292A1 (de) | Halbleiteranordnung mit relativ kleinen geometrischen Abmessungen und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE2442694C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines mit einem Elektronenstrahl abzutastenden Ladungsspeicherschirms einer Farbaufnahmeröhre | |
DE69124674T2 (de) | Verfahren zum Aufwachsen eines Verbundhalbleiters und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaser | |
DE2527528B2 (de) | Ladungsspeicherplatte für eine Bildaufnahmeröhre und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE4421539C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters aus einer Verbindung der Gruppe II-VI | |
DE2556503C2 (de) | Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen einer Halbleiterschicht auf einem Substrat | |
DE3709134A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2658304A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE69623854T2 (de) | Trockenätzverfahren | |
DE10048475C2 (de) | Passivierung der Resonatorendflächen von Halbleiterlasern auf der Basis von III-V-Halbleitermaterial | |
DE2540901A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements hoher leistung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OGA | New person/name/address of the applicant | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BERNHARDT, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHE |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: DERZEIT KEIN VERTRETER BESTELLT |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: INTEVAC, INC., SANTA CLARA, CALIF., US |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W., DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT. KRAMER, R., DIPL.-ING.,8000 MUENCHEN ZWIRNER, G., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING., 6200 WIESBADEN HOFFMANN, E., DIPL.-ING., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN |