DE2547106B2 - Dielektrisches Festkörper-Bauelement zum Speichern in Matrixform - Google Patents
Dielektrisches Festkörper-Bauelement zum Speichern in MatrixformInfo
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910002112 ferroelectric ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N30/00 – H10N35/00
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Description
Die Erfindung betrifft ein dielektrisches Festkörper-Bauelement
der im Oberbegriff des Patentanspruchs angegebenen Gattung, wie es aus der deutschen
Offenlegungsschrift 19 45 755 bekannt ist
Bei diesem Bauelement verläuft das zwischen den einander kreu:';nden Elektroden bestehende Feld im
wesentlichen parallel zur Oberfläche der dielektrischen Scheibe. Die Dicke der Scheibe wird also nicht effektiv
genutzt Werden andererseits, wi». bei dem bekannten Bauelement vorgesehen, beide Oberflächen der dielektrischen
Scheibe mit Elektroden-Matrizen bestückt, so besteht die Gefahr, daß die von beiden Oberflächen aus
in der Scheibe erzeugten elektrischen Felder einander stören.
Bei dem bekannten Festkörper-Bauelement ist ferner diejenige Fläche, die zur Ausbildung von elektrischen
Feldern im Oberflächenbereich der dielektrischen Scheibe zur Verfügung steht, im Vergleich zur
Gesamtfläche klein, da ein erheblicher Anteil der Gesamtfläche von den Elektroden selbst sowie von den
Isolierschichten, die die einander kreuzenden Elektroden gegeneinander isolieren, eingenommen wird. Um
Kurzschlüsse zwischen den Elektroden aufgrund gewisser, bei der Fertigung unvermeidbarer Fehlausrichtungen
mit Sicherheit zu vermeiden, müssen die Isolierschichten in ihrer Fläche größer sein als die Elektroden.
Daraus ergibt sich, daß bei der bekannten Anordnung die dielektrische Scheibe auch in ihrer Fläche nicht
effektiv ausgenutzt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein dielektrisches Festkörper-Bauelement zum Speichern in
Matrix form der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der das Volumen der dielektrischen Scheibe zur
Speicherung effektiver ausgenutzt wird und trotzdem sämtliche mit externen Anschlüssen zu versehende
Elektroden auf derselben Fläche der Scheibe angeordnet sind.
Die erfindiingsgemäBe Lösung dieser Aufgabe ist im
Kennzeichnungsteil des Patentanspruchs angegeben.
Danach besteht zwischen einer Kreuzungsstelle und der gegenüberliegenden getrennten Elektrode eine
erste Kapazität sowie zwischen dieser getrennten Elektrode und dem an die Kreuzungsstelle anschließenden
Bereich eine zweite Kapazität in Reihe mit der ersten Kapazität, so daß das elektrische Feld die
dielektrische Scheibe zweimal vollsetzt, Auf diese Weise läßt sich praktisch das gesamte Volumen der Scheibe
unter den Elektroden ausnutzen, die ihrerseits ohne allzu große Zwischenräume nebeneinander angeordnet
werden können. Daraus ergibt sich eine wesentlich höhere Speicherdichte.
ίο Da ferner nur die wie bei dem bekannten Bauelement
auf der gleichen Oberfläche der dielektrischen Scheibe angeordneten Zeilen- und Spaltenelektroden extern
anzuschließen sind, steht die die getrennten, aber extern
nicht anzuschließenden Elektroden tragende andere
'5 Oberfläche zur Stützung und Halterung der dielektrischen
Scheibe zur Verfugung.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert In den
Zeichnungen zeigen
μ Fig. la, Ib und Ic in Vorderseitendraufsicht im
Längsschnitt und in Rückseitendraufsicht ein Ausführungsbcispie!
der Erfindung;
F i g. 2a und 2b im Längsschnitt und in Vorderseitendraufsicht das Ausführungsbeispiel der Erfindung in
vergrößerter Darstellung; und
F i g. 3a und 3b Äquivalentschaltbilder für eine Matrix bzw. eine Kreuzungsstelle dieser Matrix.
Auf die Vorderseite einer Scheibe 1 aus dem ferroelektrischen keramischen Werkstoff PLZT werden
30 Zeilenelektroden und 30 Spaltenelektroden aufgebracht (F i g. 1 a, Ib und Ic). Parallel zu der 30 mm langen
Kante der Scheibe werden dünne streifenförmige Schichten fester Lösungen von Indiumoxid und
Zinn(IV)-oxid im Molverhältnis von 91 :9 durch Kathodenzerstäubung aufgebracht Diese Dünnschichtstreifenelektroden
2 sind jeweils 500 μίτι breit, haben
einen Abstand von 120ΰμπι voneinander und sind
29 mm lang. Senkrecht zu dieser Elektrodenschar werden in gleicher Weise Dünnschichtstreifenelektroden
3 aufgebracht, die js 600,jur. breit sind, einen
Abstand von 900 μπι voneinander haben und 39 mm
lang sind. Auf diese Weise sind auf ein und derselben Oberfläche der Scheibe Zeilenelektroden und Spaltenelektroden
aufgebracht. Die beiden Elektrodenscharen sind durch SiO2-Schichten 4 (F i g. 3a und 3b) elektrisch
gegeneinander isoliert. Die äußeren Endpunkte der Dünnschichtelek»roden sind mit Cr-Ai'-Schichten 11'
und 12' nach dem Aufdampfverfahren beschichtet. An den so hergestellten Elektroden sind Anschlußdrähte 11
und 12 aus Gold befestigt.
Auf die Rückseite der PLZT-Scheibe 1 werden dann voneinander getrennte rechteckige durchsichtige
1η2θ3—SnÜ2-Elektroden 5 aufgebracht, die je eine
Kantenlänge von 800 μπι χ 1000 μιτι haben. Diese
voneinander getrennten Elektroden sind auf der Rückseite der Scheibe in der Weise angebracht, daß sie
Flächen bedecken, die auf der Vorderseite der Scheibe der Kreuzungsstelle der Zeilen- und Spaltenelektroden
und ihrer näheren Umgebung entsprechen. Die so
W) hergestellte Struktur wird dann am Trägerrahmen
gehaltert, wobei das fertige dielektrische Matrixbauelement erhalten wird.
In der F i g. 3a ist ein Äquivalentschaltbild für eine in
dieser Weise hergestellte 5 χ 6 bit-Matrix gezeigt, die
ft"' je Kreuzungsstelle ein Paar in Reihe geschalteter Elemente
aufweist.
In der F i g. 3b ist eine Kreuzungsstelle zwischen einer
bestimmten Spaltenelektrode 2 und einer bestimmten
Zeilenelektrode 3 dargestellt. Die ferroelektrischen
kapazitiven Elemente CX und CZ sind durch den Elektroden 5 entsprechende Leitungen miteinander
verbunden. Da die Elektroden an den Stellen Cl und
C2 gleiche Fläche besitzen, kenn for die in Pig.2a
gezeigte spontane Polarisation 20 und 2C die durch Pfeile angedeutete antiparallele Ausrichtung vollständig
bewirkt werden. Die Elektroden 2 und 5 bilden einen Kondensator C1, während die Elektroden 3 und 5 einen
Kondensator Cl bilden. Die gemeinsame Elektrode beider Kondensatoren entspricht im Äquivalentschaltbild
nach F i g. 3a und 3b einer Reihenschaltung dieser beiden Kondensatoren CX und CZ Die Entfernungen
zwischen den Elektroden 2 und 3 sind im Vergleich zu den Entfernungen zwischen den Elektroden der is
Kondensatoren CX und C2 kurz. Der Wert der
Dielektrizitätskonstanten der elektrisch isolierenden
Zwischenschicht 4, in dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel also der SiCVSchicht, ist gering. Die Kapazität
des Kondensators CZ, der zwischen den Elektroden 2 und 3 gebildet wird, ist also gegenüber der Kapazität der
Kondensatoren CX und CI vernachlässigbar. Es sei
beispielsweise angenommen, daß der Abstand zwischen den Elektrodenpaaren der Kondensatoren CX, CI und
C3, also die Abstände dX :d2:d3, 10:10:1 betrage.
Die Dielektrizitätskonstanten ε 1, ε 2 und ε 3 der Kondensatoren Cl, C2 und C3 sollen im Verhältnis
von 100 :100:4 stehen. Die Kapazität des Kondensators
C3 ist also im Vergleich zu den Kapazitäten der Kondensatoren Cl und C2 nicht einmal halb so groß.
Da die Scheibe 1 des Ausführungsbeispiels ein Ferroelektrikum ist, bleibt seine Polarisation selbst dann
konstant, wenn die Elektroden 2 und 3 kurzgeschlossen sind. Die ferroelektrische Scheibe besitzt also ein
stabiles Polarisationsgedächtnis.
Das Matrixba'jelement kann in der für andere
bekannte Matrixelemente an sich bekannten Weise angesteuert und getrieben werden. So kann beispielsweise
nach dem System der Spannungskoinzidenz, punktweise, zeilenweise oder mit freiem Zugriff
geschrieben werden, also durch entsprechende Ansteuerung der Matrix Information im ferroelektrischen oder
ferroelektrisch polarisierbaren Wc «stoff der Scheibe 1
gespeichert werden.
Claims (1)
- Patentanspruch:Dielektrisches Festkörper-Bauelement zum Speichern in Matrixform mit einer Scheibe aus dielektrischem Werkstoff, dessen spontane elektrische Polarisation durch an Zeilen- und Spaltenelektroden angelegte Spannungen änderbar ist, bei dem die Zeilen- und Spaltenelektroden auf einer Seite der Scheibe angeordnet und an ihren Kreuzungsstellen durch eine Zwischenschicht elektrisch gegeneinander isoliert sind, dadurch gekennzeichnet, daß an den den Kreuzungsstellen der Zeilen- und Spaltenelektroden (2,3) entsprechenden Stellen auf der anderen Seite der Scheibe (1) voneinander getrennte Elektroden (5) derart angeordnet sind, daß sie jeweils sowohl den gesamten Bereich der Kreuzungsstelle, in dem die eine (2) der Zeilen- und Spaltenelektroden unmittelbar auf der Scheibe (1) liegt, als auch einen daran anschließenden Bereich gleicher Größe, in dem die andere (3) der Zeilen- und Spalteneifcktroden unmittelbar auf der Scheibe (1) liegt, überdecken.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12038774A JPS541159B2 (de) | 1974-10-21 | 1974-10-21 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2547106A1 DE2547106A1 (de) | 1976-04-22 |
DE2547106B2 true DE2547106B2 (de) | 1980-09-25 |
DE2547106C3 DE2547106C3 (de) | 1981-05-21 |
Family
ID=14784939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2547106A Expired DE2547106C3 (de) | 1974-10-21 | 1975-10-21 | Dielektrisches Festkörper-Bauelement zum Speichern in Matrixform |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4071841A (de) |
JP (1) | JPS541159B2 (de) |
DE (1) | DE2547106C3 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NO309500B1 (no) * | 1997-08-15 | 2001-02-05 | Thin Film Electronics Asa | Ferroelektrisk databehandlingsinnretning, fremgangsmåter til dens fremstilling og utlesing, samt bruk av samme |
JP3737292B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2006-01-18 | パイオニア株式会社 | 光変調装置及び光学的情報処理システム |
TW571403B (en) * | 2001-06-22 | 2004-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and the driving method |
US7593250B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-09-22 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Ferroelectric nanostructure having switchable multi-stable vortex states |
US20060083048A1 (en) * | 2004-06-18 | 2006-04-20 | Naumov Ivan I | Multi-stable vortex states in ferroelectric nanostructure |
JP4610311B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-01-12 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 立体画像表示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3106606A (en) * | 1961-07-19 | 1963-10-08 | Lab For Electrionics Inc | Magneto-optic display device |
US3531182A (en) * | 1968-09-11 | 1970-09-29 | Atomic Energy Commission | Multiremanent ferroelectric ceramic optical devices |
JPS539099B1 (de) * | 1971-07-14 | 1978-04-03 | ||
US3767975A (en) * | 1971-09-21 | 1973-10-23 | A Glenn | Electrical switching device and circuit board therefor |
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-
1974
- 1974-10-21 JP JP12038774A patent/JPS541159B2/ja not_active Expired
-
1975
- 1975-10-21 DE DE2547106A patent/DE2547106C3/de not_active Expired
- 1975-10-21 US US05/624,338 patent/US4071841A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS541159B2 (de) | 1979-01-20 |
JPS5160196A (de) | 1976-05-25 |
DE2547106C3 (de) | 1981-05-21 |
US4071841A (en) | 1978-01-31 |
DE2547106A1 (de) | 1976-04-22 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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