DE2521404C3 - Frequenzteiler für hohe Frequenzen - Google Patents

Frequenzteiler für hohe Frequenzen

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DE2521404C3
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
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    • HELECTRICITY
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    • H03B19/00Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/06Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
    • H03B19/14Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
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    • H03K23/002Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains using semiconductor devices

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  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

Die F.rfindung bezieht sich auf <*inen Frequenzteiler für hohe Frequenzen mit einer ersten und einer /weiten bistabilen Kippschaltung, die je zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren enthalten, wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der ersten Kippschaltung über eine erste Stromqulle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist. und wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der zweiten Kippschaltung über eine zweite Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist. während die erste und die zweite Stromquelle mi1 gegenphasigen Taktsignalen gesteuert werden, wobei die Kollektoren der Transistoren der ersten Kippschaltung über die Kollektor-Basis-Strecke eines Hilfstransistors mit einem Kollektor der Transistoren der zweiten Kippschaltung verbunden sind, und wobei die Emitter der Hilfstransistoren über ein strombestimmendes Element mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind.
Die obengenannte Art Teiler ist aus »Digest of Technical Papers. International Solidstate Circuit Conference. Februar 1968. S. 44 bis 45« bekannt und wird häufig in professionellen Messeinrichtungen verwendet. Bekannte Teiler der genannten Art weisen oft den Nachteil auf. daß durch die niedrige Ausbeule der sehr hochfrequenten Transistoren der Selbstkostenpreis eines fuktionierenden Teilers hoch ist.
Weiter haben die jetzigen Teiler die Neigung, immer kleiner zu werden, wobei integrierte Elemente benutzt werden. Diese Verkleinerung hat den Zweck die Kosten herabzusetzen und die Betriebsgeschwindigkeit zu vergrößern.
Eine Schaltung für einen Frequenzteiler zum Teilen sehr hoher Frequenzen ist aus der DE-OS 20 02 578 bekannt. Diese Schaltung arbeilet ebenfalls mit stromgesteuerlen Transistoren und Widßrstandskopp^ lung. Daraus wird jedoch eine multistabile Schaltung nach Art eines Ringzählers aufgebaut, bei der nicht in jeder Stufe zwei bistabile Kippschaltungen verwendet werden und andererseits für die Kopplung der einzelnen Transistoren eine sehr große Anzahl von einzelnen Widerständen notwendig ist, so daß sich diese Schaltung nicht leicht integrieren läßt
Ferner ist aus der DE-AS 20 08 147 eine Schaltung zur Frequenzteilung bekannt, die für hohe f-'reouenzen
ίο dadurch geeignet sein soll, daß besondere Maßnahmen zum schnellen Umladen parasitärer Kapazitäten getroffen sind. Auch hier enthält die enzelne Teilerstufe keine zwei bistabilen Kippstufen, und über die bei deren Kopplung entstehenden Probleme ist nichts ausgesagt.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Frequenzteiler anzugeben, der sich leicht integrieren läßt und der durch hohe Ausbeute billiger ist als die bekannten Teiler. Diese Aufgabe löst die Erfindung dadurch, daß zwischen dem Kollektor und der Basis jedes der Hilfstransistoren ein Kopplungswiderstand angebracht ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert.
Der in der Zeichnung dargestellte Frequenzteiler für hohe Frequenzen enthält eine erste bistabile Kippschaltung I und eine zweite bistabile Kippschaltung II. Die Kippschaltung I enthält zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren Γι und T2. Die Kippschaltung II enthält zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren Ti und 7i. Der gemeinsame Emittei kreis der Transistoren T, und T2 der ersten Kippschaltung I ist über eine erste riurch den Transistor T- und den Widerstand /?i gebildete Stromquelle mit einem Punkt — F. konstanten Potentials verbunden. Der gemeinsame Erniiterkreis der Transistoren T1 und T, der zweiten Kippschaltung II ist über eine /weite durch den Transistor Tg und den Widerstand R-, gebildete Stromquelle mit einem Punkt — Ekonstanten Potentials verbunden. Der Kollektor des Transistors T1 ist üb^r die Kollekior-Basis-Streckedes Hilfstransistors T-, mn dem Kollektor des Transistors Ti verburv;"n. Der Kollektor des Transistors Ti ist über die Kollektor-Basis-Strecke des Hilfstransistors Th mit dem Kollektor des Transistors Ti verbunden. Die Kollektoren der Transistoren T1 und Tt sind über die Widerstände /?i bzw. Rt mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Kollektoren der Transiv iren T, und T; sind über die Widerstände Ri bzw. R> mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die F.mmer der Transistoren T-, und 7t, sind über den Widerstand Rh mit einem Punkt — Ekonstanten Poteniials verbunden. Zwischen dem Kollekior und der Basis des Transistors Γι ist der Widerstand Ri und zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors Γ<, ist der Widerstand /?» angeordnet. Das zu teilende Signal wird den Eingängen A und A zugeführt, wobei die diesen beiden Eingängen zugeführten Signale in bezug aufeinander invertiert sind.
Die Wirkungsweise des Frequenzteilers nach der F.rfindung ist wie folgt: Der Te'ler besteht tatsächlich aus zwei stromgesteuerten Kippschaltungen I und Il und zwei durch die Transistoren (T-,. Th) bzw. (T, Tk) gebildeten Differenzverstärkern. Der durch die Transistoren Ts und 7i gebildete Differenzverstärker wird für die koilektcrsteuerung der ersten Kippschaltung I verwendet Der durch die Transistoren Ti und 7» gebildete Differenzverstärker wird für die Emittersteuerung der zweiten Kippschaltung Il verwendet Wenn die Eingangsspannung am Eingang A hoch ist. fließt der
Strom /ι durch den Transistor 7} des unteren Differenzverstärkers und erregt die Kippschaltung I. Die Kippschaltung I gelangt dadurch in den Meisterzustand M]. Ober die Kopplungswiderstände Rj und ßa wird die Kippschaltung II in den Sklavenzustand Si geführt. Der durch die Transistoren Ts und Tb gebildete Differenzverstärker wird von der Kippschaltung II derart gesteuert, daß er den Meisterzustand M, der Kippschaltung I abschwächt (Gegenkopplung). Dies erfolgt mittels des Stromes /2, der die Wirkung des Stromes I\ durch eine Verkleinerung der Differenzspannung der Kippschaltung I teilweise ausgleicht.
Wenn die Eingangsspannung am Eingang A von hoch auf niedrig geschaltet wird geht die Kippschaltung II allmählich von dem Zustand Si in den Zustand M\ über, während die Kippschaltung I von dem Zustand M\ in den Zustand 5ö übergeht. Der nächste Obergang der Eingangsspannung von niedrig zu hoch bewirkt, daß die Kippschaltung I allmählich von dem Zustand Sn in den Zustand Mq und zugleich mittels der Kopplungswiderstände R1 und Ri die Kippschaltung Il von dem Zustand Mi in den Zustand S0 geführt wird. Dies bedeutet, da,ß bei jedem Übergang des Eingangssignals an A von hoch zu niedrig die Kippschaltung I umklappt und bei jedem
5 Obergang der genannten Eingangsspannung von niedrig zu hoch der Frequenzteiler seinen ursprünglichen Zustand erreicht hat Der Frequenzteiler teilt also durch zwei.
Zum Erreichen sehr hoher Frequenzen ist es notwendig, die durch den Basiswiderstand der Transistoren herbeigeführte Verzögerung des durch die Transistoren Ts und Ts gebildeten Differenzverstärkers teilweise auszugleichen. Dies erfolgt dadurch, daß die Phase der Eingangsspannung des Differenzverstärkers in bezug auf die Phasen der beiden Kippschaltungen I und II mittels einer Aufspaltung der Kopplungswiderstände /?7 und Rs gedreht wird, wie mit den gestrichelten Basislinien in der Figur angedeutet ist. Frequenzen von 1250MHz können dann mit diesem Frequenzteiler verarbeitet werden.
Hienru 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Frequenzteiler für hohe Frequenzen mit einer ersten und einer zweiten bistabilen Kippschaltung, die je zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren enthalten, wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der ersten Kippschaltung über eine erste Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, und wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der zweiten Kippschaltung über eine zweite Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, während die erste und die zweite Stromquelle mit gegenphasigen Taktsignalen gesteuert werden, wobei die Kollektoren der Transistoren der ersten Kippschaltung je über die Kollektor-Basis-Strecke eines Hilfstransisiors mit einem Kollektor der Transistoren der zweiten Kippschaltung verbunden sind, und wobei der Emitter der Hilfstransistoren über ein strombestimmendes Element mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind, d a · durch gekennzeichnet, daß zwischen dem Kollektor und der Basis jedes der Hilfstransistoren ein Kopplungswiderstand angeordnet ist.
2. Frequenzteiler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Elektroden der Hilfstransistoren an je einen Abgriff der genannten Kopplungswiderstände angeschlossen sind.
DE2521404A 1974-05-27 1975-05-14 Frequenzteiler für hohe Frequenzen Expired DE2521404C3 (de)

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