DE2521404A1 - Frequenzteiler fuer hohe frequenzen - Google Patents

Frequenzteiler fuer hohe frequenzen

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DE2521404A1 DE19752521404 DE2521404A DE2521404A1 DE 2521404 A1 DE2521404 A1 DE 2521404A1 DE 19752521404 DE19752521404 DE 19752521404 DE 2521404 A DE2521404 A DE 2521404A DE 2521404 A1 DE2521404 A1 DE 2521404A1
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Wolfdietrich Geor Kasperkovitz
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H—ELECTRICITY
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    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
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Description

PHN. 7580. Va/EVH.
1>r" λ. -ΊΤ"1% L*. 1975.
:"::-: N.Y.Philips' Gloeihnipanfabneken " 2521404
A^Na, PHN- 7580 ,»ι.ί.:,.<3 vMi 13· Mai 1975
Frequenzteiler für hohe Frequenzen
Die Erfindung bezieht sich auf einen Frequenzteiler für hohe Frequenzen mit einer ersten und einer zweiten bistabilen Kippschaltung, die je zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren enthalten, wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der ersten Kippschaltung über eine erste Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, und wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der zweiten· Kippschaltung über eine zweite Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, während die erste und die zweite Stromquelle mit gegenphasigen Takt Signalen
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PHN.7580,
1.4.75. - 2 -
252U04
gesteuert werden, wobei die Kollektoren der Transistoren der ersten Kippschaltung über die Kollektor-Basis-Strecke eines Hilfstransistors mit einem Kollektor der Transistoren der zweiten Kippschaltung verbunden sind, und wobei die Emitter der Hilfstransistoren über ein strombestimmendos Element mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind.
Die obengenannte Art Teiler wird häufig in professionellen Messanlagen verwendet. Bekannte Teiler der genannten Art weisen oft den Nachteil auf, dass durch die niedrige Ausbeute der sehr hochfrequenten Transistoren der Selbstkostenpreis der Teiler hoch ist. Weiter haben die jetzigen Teiler die Neigung, immer kleiner zu werden, wobei integrierte Elemente benutzt werden. Diese Verkleinerung hat den Zweck, die Kosten herabzusetzen und die Betriebsgeschwindigkeit zu vergrössern.
Die Erfindung bezweckt, einen Frequenzteiler zu schaffen, der sich leicht integrieren lässt und ausserdem billiger als die bekannten Teiler ist. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Kollektor und der Basis jedes der Hilfstransxstoren ein Kopplungswiderstand angebracht ist.
Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert.
509 8 50/0 878
PHN.7580 1.^.75.
252U04
Der in der Zeichnung dargestellte Frequenzteiler' für hohe Frequenzen enthält einte erste ,bistabile Kippschaltung· I und eine zweite bistabile Kippschaltung II, Die Kippschaltung I enthält zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren T- und Tp. Die Kippschaltung II enthält zv/ei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren To und Th, Der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren T- und Tp der ersten Kippschaltung I ist über eine erste durch den Transistor T1-, und den ¥iderstand R- gebildete Stromquelle mit einem Punkt -E konstanten Potentials verbunden. Der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren To und Tj, der zweiten Kippschaltung II ist über eine zweite durch den Transistor To und den Widerstand R-gebildete Stromquelle mit einem Punkt -E konstanten Potentials verbunden. Der Kollektor des Transistors T-ist über die Kollektor-Basis-Strecke des Hilfstransistors Tt mit dem Kollektor des Transistors Tj, verbunden. Der Kollektor des Transistors T, ist über die Kollektor-Basis-Strecke des Hilf stransistors T^- mit dem Kollektor des Transistors T„ verbunden. Die Kollektoren der Transistoren To und Tu sind über die Widerstände R„ bzw. Rr mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Kollektoren der Transistoren T- und T- sind über die Widerstände R-
KW, R„ mit einen Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Emitter der Transistoren T- und T,- sind über den
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PHM, 7580». 1.4,75.
Widerstand R,- mit einem Punkt -E konstanten Potentials verbunden. Zwischen dem Kollektor und der Basis des
Transistors Te ist der Widerstand R„ und zwischen der 5 -7
Basis und dem Kollektor des Transistors T^ ist der Wider.stand Ro angeordnet» Das zu teilende Signal wird den Eingängen A und Ä zugeführtf wobei die diesen beiden Eingängen, zügeführten Signale in bezug aufeinander inver~ tiert sind«
Die Wirkungsweise des Frequenzteilers nach dex* Erfindung ist wie folgt: Der Teiler besteht tatsächlich aus zwei stromgesteuerten Kippschaltungen I und -II und zwei durch die Transistoren (T^ ι T^) bzw. (Tr , Tg) gebildeten Differenzvex'stärkern. Der durch die Transistoren Tj- und T/- gebildete- Differenzverstärker wird für die Kollektorsteuerung der ersten Kippschaltung I verwendet. Der durch die Transistoren T„ und To gebildete Differenzverstärker wird für di.e Emittersteuerung der zweiten Kippschaltung II verwendet» Wenn die Eingangsspannung am Eingang A hoch ist, fliesst der Strom I1 durch den Transistor T~ des unteren Differenzverstärkers und erregt die Kippschaltung I, Die Kippschaltung I gelangt dadurch in den Meisterzustand M1. Ueber die Kopplungswiderstände R-, und Rg wird die Kippschaltung II in den Sklavenzu-
stand Sn geführt. Der durch die Transistoren T- und IV l 5 6
gebildete Differenzverstärker wird von dex* Kippschaltung II
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PHN.7580.
1.4.75. — 5 —
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derart gesteuert, dass er den Meisterzustand M1 der
• *
Kippschaltung I abschwächt (Gegenkopplimg) . Dies erfolgt mittels des Stromes Ipf der die Wirkung des Stromes durch eine Verkleinerung der Differenzspannung der Kippschaltung I teilweise ausgleicht.
Wenn die Eingangsspannung am Eingang Λ von hoch auf niedrig geschaltet wird, geht die Kippschaltung II allmählich von dem Zustand S1 in den Zustand M1 über, während die Kippschaltung I von dem Zustand M1 in den Zustand S übergeht. Der nächste Uebergang der Eingangsspannung von niedrig zu hoch bewirkt, dass die Kippschaltung allmählich von dem Zustand S in den Zustand M und
ο ο
zugleich mittels der Kopplungwiderstände R~ tind Ro die Kippschaltung II von dem Zustand M1 in den Zustand S geführt wird. Dies bedeutet, dass bei jedem Uebergang des Eingangssignals an A von hoch zu niedrig die Kippschaltung I umklappt und bei jedem Uebergang der genannten Eingangsspannung von niedrig zu hoch der Frequenzteiler seinen ursprünglichen Zustand erreicht hat. Der Frequenzteiler teilt also durch zwei.
Zum Erreichen sehr hoher Frequenzen ist es
no.twendig, die durch den Basiswiderstand der Transistoren herbeigeführte Verzögerung des durch die Transistoren Τς und T^ gebildeten Differenzverstärkers teilweise auszugleichen, Dies erfolgt dadurch, dass die Phase der
509850/0878
PHN.7580. 1.4.75. - 6 - ■
252H04
Eingangs spannung des Differenzverstärkers in bezug auf die.Phasen der beiden Kippschaltungen I und II mittels einer Aufspaltung der Kopplungswiderstände R„ und R„
gedreht wird, wie mit den gestrichelten Basislinien in der Figur angedeutet ist. Frequenzen von 1250 MHz können dann mit diesem Frequenzteiler verarbeitet werden.
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Claims (2)

  1. PHN. 7580.
    252U04
    PATENTANSPRUECHE ϊ
    Frequenzteiler für hohe Frequenzen mit einer ersten und einer zweiten bistabilen Kippschaltung, die je zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren enthalten, wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der ersten Kippschaltung über eine erste Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, und wobei der gemeinsame Einitterkreis der Transistoren der zweiten Kippschaltung über eine zweite Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, während die erste und die zweite Stromquelle mit gegenphasigen Taktsignalen gesteuert werden, wobei die Kollektoren der Transistoren der ersten Kippschaltung je über die Kollektor-Basis-Strecke eines Hilfstransistors mit einem Kollektor der Transistoren der zweiten Kippschaltung verbunden sind, und wobei der Emitter der Hilfstransistoren über ein strombestimmehdes Element mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Kollektor und der Basis jedes der Hilfstransistoren ein Kopplungswiderstand angeordnet ist.
  2. 2, Frequenzteiler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis-Elektroden der Hilfstransistoren an je eine Spitze der genannten Kopplungswiderstände angeschlossen sind.
    509850/0878
    Leerseite
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