DE2519338C3 - Verfahren zur Herstellung eines Thermoelements und dessen Anwendung - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Thermoelements mit zwei einstückig
miteinander verbundenen Schenkeln aus thermoelektrisch unterschiedlichen Materialien, insbesondere aus
p-leitendem und η-leitendem Halbleitermaterial, und auf die Anwendung eines nach diesem Verfahren hergestellten Thermoelements.
Thermoelemente dienen der Umformung von Wärme in elektrische Leistung, können aber auch bei der Zufuhr
M) von elektrischer Energie Wärme oder Kälte produzieren.
Ursprünglich wurden Thermoelemente aus zwei Schenkeln hergestellt, die aus verschiedenen Metallen
bestanden und an der Verbindungsstelle miteinander
h'i verlötet waren. Die bei Erwärmung dieser Lötstelle
entstehende Thermospannung ist um so größer, je weiter die beiden Metalle in der thermoelektrischen
Spannungsreihe voneinander entfernt sind und steigt
mit der Temperatur "der heißen Lötstelle, Diese Lötstelle ist jedoch mechanisch und thermisch empfindlich,
insbesondere wenn das Thermoelement höheren Temperaturen oder Erschütterungen ausgesetzt ist.
In neuerer Zeit sind Thermoelemente bekanntgeworden,
bei denen die beiden Leitermaterialien aus einem p-Typ-Halbleiter und einem n-Typ-Halbleiter bestehen.
Als Halbleitermaterialien kommen beispielsweise Bleitellurid,
Germaniumtellurid und Wismuttellurid in Betracht. Hierbei bereitet die mechanische und
elektrische Verbindung durch Löten od. dgl. noch größere Schwierigkeiten,
Aus diesem Grund ist ein Verfahren bekannt (US-PS 32 79 955), bei dem jeweils ein Halbleiterzylinder
zwischen zwei Metallzylmdern angeordnet wird, die
Verbindungsstellen durch elektrolytisch aufgetragene Metallkragen überbrückt werden und die Verbindung
zwischen zwei so hergestellten Säulen durch eine Metallbrücke erfolgt. Derartige Thermoelemente sind
sehr aufwendig.
Bei einem anderen bekannten Verfahren der eingangs genannten An(GB-PS 10 41 689) werden zwei Portionen
von Siliziumcarbidteilchen, von denen die eine mittels Aluminium als p-Typ und die andere mittels
Stickstoff als η-Typ dotiert ist, je in länglichen Hohlräumen einer Form angeordnet Dann werden
diese Portionen unter Krafteinwirkung längs einer Berührungsfläche gegeneinander gepreßt und gesintert.
Damit entsteht ein einheitlicher Körper, der auf der einen Seite aus p-leitendem Material und auf der
anderen Seite aus η-leitendem Material besteht und dazwischen einen Berührungsbereich aufweist, der der
heißen Lötstelle entspricht.
Zur Herstellung von elektrischen Widerstandselementen ist es auch bekannt (DE-OS 23 10 148), einen
porösen Grundkörper aus a-SiC, der Graphit enthält, mit einer Schmelze aus Si in Berührung zu bringen, das
durch Kapillarwirkung in den Grundkörper eindringt und mit dem Graphit durch Reaktionssintern SiC bildet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren dtr eingangs beschriebenen Art anzugeben,
mit dessen Hilfe auf einfache Weise Thermoelemente, auch aus Halbleitermaterial in einer Vielzahl von
Formen hergestellt werden kennen, die eine noch größere mechanische Stabilität haben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein poröser Grundkörper mit untereinander
verbundenen Poren hergestellt und in die Poren schmelzflüssiges Material Eingeführt wird, mit dem in
einen ersten Bereich des Grundkörpers wenigstens eine Komponente des Materials des ersten Schenkels und in
einen daran angrenzenden zweiten Bereich wenigstens eine Komponente des Materials des zweiten Schenkels
zugeführt wird.
Bei diesem Vorgehen bildet der Grundkörper ein einteiliges Stützgerüst, dessen Poren mit einer erstarrten
Schmelze gefüllt sind. Infolgedessen ergibt sich ein sehr kompakter Körper, der eine höhere mechanische
Festigkeil als ein poröser Sinterkörper hat. Die gefüllten Poren lassen eine korrodierende Atmosphäre
nicht in das Innere des Thermoelements dringen, so daß sich eine höhere Korrosionsbeständigkeit ergibt. Die
unterschiedlichen Leitfähigkeitseigenschaften werden erst mit dem schmelzflüssigen Material unter Beibehaltung
der Einteiligkeit des Grundkörpers eingebracht. Durch das Einführen des schmelzflüssigen Materials
lassen sich definierte Berührungsflächen erzeugen. Die die Schenkel bildenden Materialien stehen daher in
sicherem elektrischem Kontakt durch unmittelbare Berührung mit einem neutralen Zwischenleiter oder —
was bevorzugt wird — durch unmittelbare Berührung miteinander. Die Form des Thermoelements ist beliebig
wählbar, da dem Grundkörper eine beliebige Form gegeben werden kann.
Ein besonders bevorzugtes Verfahren besteht darin, daß das schmelzflüssige Material durch kapillares
Aufsaugen aus einer Schmelze den Poren des ίο Grundkörpers zugeführt wird. Durch die Kapillarwirkung
wird das Material der Schmelze mit großer Sicherheit in die Poren transportiert, so daß diese sich
im wesentlichen vollständig füllen und an der Berührungsstelle der beiden Schenkelmaterialien innerhalb
der Poren sich ein guter elektrischer Kontakt ergibt.
In der Regel genügt es, den Grundkörper nur mit
seinem Ende in die Schmelze zu tauchen und darin so lange zu belassen, bis die Schmelze in die Poren des
ersten bzw. zweiten Bereichs gedrungen ist.
Als schmelzflüssiges Material kann jeweils das geschmolzene Material des ersten '.„zw. des zweiten Schenkels verwendet werden.
Als schmelzflüssiges Material kann jeweils das geschmolzene Material des ersten '.„zw. des zweiten Schenkels verwendet werden.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß die Poren teilweise mit mindestens einer ersten Komponente des
Schenkelmaterials gefüllt werden, das schmelzflüssige Materia! mindestens eine zweite Komponente des
Schenkelmaterials enthält und diese Komponenten in den Poren zur Bildung dieses Schenkelmaterials zur
Reaktion gebracht werden. Dies ist beispielsweise bei in einer Vielzahl von Halbleitern als Schenkelmaterial
günstig, insbesondere wenn der Halbleiter selbst, also das Reaktionsprodukt, einen höheren Schmelzpunkt hat
als zumindest die zweite Komponente.
Statt dessen ist es auch möglich, daß der Grundkörper Ji mindestens eine erste Komponente des Schenkelmaterials
enthält, das schmelzflüssige Material mindestens eine zweite Komponente dieses Schenkelmaterials
enthält und diese Komponenten im Grundkörper zur Reaktion gebracht werden. Hierbei rverde^ die
Schenkelmaterialien durch Umsetzung wenigstens eines Teils des Materials des Grundkörpers gebildet
Eii einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist dafür
gesorgt, daß bei Verwendung eines p-Ieitenden Halbleitermaterials und eines η-leitenden H&lbieiterma-■tr)
terials als Schenkelmaterialien ein p-Dotierungsmittel und ein n-Dotierungsmittel mit dem schmelzflussigen
Material in die Poren transportiert wird. Da das Dotierungsmittel erst von dem schmelzflüssigen Material
an Ort und Stelle gebracht wird, erhält man zwei w sauber voneinander getrennte, aber eine sichere
Kontaktfläche miteinander bildende Halbleiter unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps im Grundkörper. Hierbei
kann der Grundkörper mit einer Dotierungsmittel enthaltenden Schmelze in Berührung gebracht werden.
<■>■>
Dann können Dotierungsmaterialien die Herstellung des Grundkörpers nicht beeinträchtigen. Durch Wahl
der Dotierungsmittel kann auch der Schmelzpunkt beeinflußt, insbesondere herabgesetzt werden. Der
Grundkörper kann aber auch zunächst mit Dotierungsbii
materialien versetzt und dann mit der Schmelze in Berührung gebracht werden. Beispielsweise können die
Dotterungsmittel schon bei der Herstellung des Grundkörpers in diesen eingebracht worden sein.
Wenn ein p-Dotierungsmittel an einem Ende und ein
<■', n-Dotierungsmittel am anderen Ende in dem Grundkörper
angeordnet und dann beide Enden mit der Schmelze in Berührung gebracht werden, steigen die unterschiedlich
dotierten Schmelzen von entgegengesetzten Seiten
her im Grundkörper auf, bis sie einander berühren.
Es ist auch möglich, daß das eine Dotierungsmittel in der Mitte und das andere Dotierungsmittel an einem
Ende des Grundkörpers angebracht und dann lediglich dieses Ende mit der Schmelze in Berührung gebracht
wird. Hierbei wird in Kauf genommen, daß die durch den gesamten Grundkörper aufsteigende Schmelze mit
dem letztgenannten Dotierungsmittel versetzt ist, daß aber von der Mitte des Grundkörpers an das
erstgenannte Dotierungsmittel überwiegt, so daß im Endeffekt zwei unterschiedlich dotierte Halbleiter
vorhanden sind.
Wenn die unterschiedliche Leitfähigkeit der Halbleiter
durch die Dotierungsmittel erzeugt wird, kann zur Erzeugung beider Schenkelmaterialien dieselbe
Schmelze verwendet werden.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist dafür gesorgt, daß der Grundkörper aus durch ein Bindemittel
zusammengehaltenem <x- oder S-SiC hergestellt wird. dessen Poren teilweise mit Kohlenstoff gefüllt sind, eine
Schmelze aus Si verwendet wird und unter Zusatz von Dotierungsmitteln durch Reaktionssinterung die beiden
Schenkelmaterialien in den Poren erzeugt werden. Der Kohlenstoff kann hierbei als Graphit zugesetzt sein, er
kann aber auch durch thermische Zersetzung eines Phenolharzes od. dgl. im Gnindkörper erzeugt werden.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß der Gruridkörper aus durch ein Bindemittel zusammengehaltenen
Kohlenstoff-Körnern, wie Grapim-Körnern,
hergestellt wird, daß eine Schmelze aus Si verwendet wird und daß unter Zusatz von Dotierungsmitteln durch
Reaktionssinterung die beiden Schcnkclmaterialien im Grundkörper erzeugt werden. Auf diese Weise wird der
Grundkörper wenigstens teilweise zu p- bzw. η leitendem /?-SiC umgesetzt.
Als Dotierungsmittel können die üblichen Zusätze verwendet werden, bei SiC beispielsweise Aluminium
als p-Typ-Dotierungsmittel und Antimon als η-Typ-Dotierungsmittel.
Günstig ist es ferner, wenn so viel geschmolzenes Si zugeführt wird, daß nach dem Reaktionssintern freies Si
im Grundkörper verbleibt und daß in einem Bereich zwischen den Enden des Grundkörpers das Si
weggeätzt wird. Das an den Enden verbleibende Si erleichtert das Anbringen der Anschlußkontakte ganz
erheblich. Außerdem wird der spezifische Widerstand herabgesetzt, so daß die Temperaturbelastung der
kalten Anschlußstelle geringer ist.
Des weiteren kann ein U-förmiger Grundkörper hergestellt und mit beiden Enden gleichzeitig in die
Schmelze getaucht werden. Hierdurch wird die Herstellung zeitlich verkürzt.
Der poröse Grundkörper kann aus gesintertem a- oder ß-SiC und die Schenkelmaterialien aus p- bzw.
η-dotiertem /?-SiC bestehen. Hierbei bildet das dotierte Siliziumkarbid zwei Halbleiter mit sehr großen Thermospannungen.
Für den η-Typ ergibt sich etwa +300 μ V/CC und für den p-Typ -300 μ V/°C, so daß das
gesamte Thermoelement eine Thermospannung von ungefähr 600 μ V/°C abgibt. Durch den Einbau des
dotierten SiC in die Poren des Grundkörpers ergibt sich die Möglichkeit, die beiden SiC-Halbleiter in fester
mechanischer Verbindung und in sicherem elektrischen Kontakt miteinander zu halten. Dieses Thermoelement
kann auch sehr hohen Temperaturen bis über 20000C
ausgesetzt werden. Es kann ferner in korrodierender Atmosphäre eingesetzt werden.
AU Material des Grundkörpers kommen aber auch andere Stoffe in Betracht, beispielsweise Glas. Bor,
Bornitrit, Aluminiumoxid oder andere Materialien, die, wenn die Schenkelmaterialien sich in den Poren
befinden, eine ausreichende Isolation bewirken und unter den Herstellungsbedingungen und Betriebsbedingungen
keine störende Verformung erfahren. Auch die Schenkelmaterialien können beliebig gewählt werden,
beispielsweise unter den bisher für Thermoelemente verwendeten Metallen und Halbleitern.
Auch die zu wählende Form des Thermoelements kann leicht den gewünschten Anwendungsbedingungen
angepaßt werden. Sehr zweckmäßig ist es in der Regel, wenn der poröse Grundkörper und damit das
Thermoelement Stabform hat. Die Länge des Stabes bewirkt, daß die heiße Verbindungsstelle wenig
thermischen Einfluß auf die kalten Anschlußstellen hat.
Infolge der Gestaltungsfreiheit kann man dem Thermoelement auch eine Form geben, die es als
Konstruktionsbauteil für temp'.-iaturbelasleic Konstruktionen
geeignet macht. Das Konstruktionsbauteil dient dann gleichzeitig dazu, die Temperatur im Rereich
dieses Kunsiruktionsbauteils zu messen. Beispielsweise
können die erwähnten Siliziumkarbid-Thermoelemente als Konstruktionsteile in Diisenmotoren verwendet
werrli.-n. z. B. als Wandauskleidung oder als im
Düsenkanal liegender Stützpfeiler.
Ausfiihrungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend
an F.ind der Zeichnung näher erläutert. Ls zeigt
Fig. 1 ein Thermoelement in einem Tiegel am Ende der Fertigstellung,
F i g. 2 einen Querschnitt im Bereich der Berührungszone zwischen den beiden Schenkelmatenalien,
Fig. 3 einen Grundkörper unmittelbar nach dem Einsetzen in einen Tiegel,
F i g. 4 eine andere Ausführungsform eines Grundkörpers unmittelbar nach dem Einsetzen in einen Tiegel,
F i g. 5 einen weiteren Grundkörper mit dem ersten Leitermaterial in einem ersten Tiegel und
Fig. 6 den Grundlcerner der F i g. 5 mit beiden
Schenkelmaterialien in einem zweiten Tiepel.
In einem Schmelztiegel 1 befinden sich zwei Räume 2 und 3, welche durch eine Wand 4 voneinander getrennt
sind. Im Raum 2 befindet sich eine Schmelze 5 aus flüssigem Si, dem Aluminium als p-Typ-Dotierungsmittel
zugesetzt ist. Im Raum 3 befindet sich eine Schmelze 6 aus flüssigem Si, dem Antimon als n-Typ-Dotierungsmittel
zugesetzt ist. Diese Schmelzen werden auf einer Temperatur von etwa 16000C gehalten.
Ein Grundkörper 7 in der Form eines U-förmigen Stabes ist aus Λ-SiC-Körnern 8 und Graphitkörnern
unter Zusatz von Bindemittel geformt worden. Es ergibt sich eine Struktur, bei der zwischen den SiC-Körnern 8
Poren verbleiben, die nur teilweise mit Graphitkörnern gefüllt sind, so daß eine Restporosität verbleibt. Dieser
Grundkörper 7 ist mit seinem Ende 9 in die Schmelze 5 und gleichzeitig mit seinem Ende 10 in die Schmelze 6
getaucht worden.
Infolge der Kapillarwirkung des porösen Grundkörpers 7 steigt dotiertes flüssiges Silizium in den beiden
ι Hälften des Grundkörpers 7 nach oben, bis sich die beiden unterschiedlich dotierten Siliziumanteile längs
der Berührungsfläche 11 treffen. Während des Aufsteigens
reagiert das Silizium mit dem Kohlenstoff unter Bildung von /J-SiC unter gleichzeitiger Erhöhung der
; Temperatur bis zu 23000C (»Reaktionssinterung«).
Somit entsteht in den Poren 12 des Bereichs 13 ein erstes leitendes Material in der Form von positiv
dotiertem SiC, das den einen Schenkel des Thermoele-
mems bildet, wahrend in den Poren des zweiten
Bereichs 15 ein zweites leitendes Material 16 in der Form von negativ dotiertem SiC entsteht, das den
anderen Schenkel des Thermoelements bildet. Beide Schenkelmaterialien 14 und 16 sind infolge der ;
Sinterung fest miteinander verbunden und stehen längs der Berührungsfläche 11 in elektrischem Kontakt
rrr;<:inander. Setzt man den Bereich der Berührungsfläche
41 einer hohen Temperatur und die beiden Enden 9 und 10 einer geringeren Temperatur aus, ergibt sich eine
Thermospannung.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 3 ist in einem Tiegel 17 nur ein einziger Raum 18 vorgesehen, in
welchem sich eine einzige Schmelze 19 aus flüssigem, nicht dotiertem Silizium befindet. Ein Grundkörper 20 in
der Form eines U-förmig gebogenen Stabes aus einem Gemisch von SiC und C ist mit seinen beiden Enden 21
und 22 in die Schmelze 19 getaucht. Beide Enden sind hprpjtc während d?r H^rs'.cüun*7 des Orundlcörn^rR ^o
mit einem p-Dotierungsmittel 23 bzw. einem n-Dotierungsmittel 24, z. B. Aluminium bzw. Antimon versehen
worden. Wenn nun das flüssige Si in den beiden Hälften des Grundkörpers 20 nach oben steigt, wird es beim
Durchlaufen der Dotierungszonen dotiert, so daß im Endeffekt ein ähnliches Thermoelement wie bei dem
Ausführungsbeispiel der F i g. 1 entsteht.
In F i g. 4 ist in einem Tiegel 25 ein einziger Raum 26
mit einer einzigen Schmelze 27 aus nicht dotiertem Silizium vorgesehen. Hierin ist ein Ende 28 eines
Grundkörpers 29 in der Form eines geraden Stabes mit ä' nlicher Zusammensetzung wie die Stäbe 7 und 20
eingetaucht. Dieser Grundkörper enthält am Ende 28 ein p-Dotierungsmittel 30 und in der Mitte eine größere
Menge eines n-Dotierungsmittels 31. Wenn nun das Silizium im Grundkörper 29 nach oben steigt, bildet sich
im unteren Bereich 32 ein positiv dotierter SiC-Halbleiter,
während sich im oberen Bereich 33 durch das Überwiegen des n-Dotierungsmittels ein negativ dotierter
SiC-Halbleiter bildet.
In F i g. 5 ist ein Tiegel 34 gezeigt, dessen Innenraum
35 mit einer Schmelze 36 aus positiv dotiertem Silizium gefüllt ist. In diese Schmelze ist ein Grundkörper 37 in
der Form eines länglichen Stabes gesetzt worden, dessen Zusammensetzung den zuvor beschriebenen
Grundkörper entspricht, Dieser Grundkörper 37 wird mit seinem Ende 38 so lange in die Schmelze 36
getaucht, bis das Silizium die Höhe 39 erreicht hat. Auf diese Weise ist der Bereich 40 mit einem positiv
dotierten SiC-Halbleiter versehen. Alsdann wird der Grundkörper 37 in einen Tiegel 41 (F i g. 6) gebracht,
dessen Innenraum 42 mit einer Schmelze 43 aus negativ dotiertem Silizium versehen ist. In diese Schmelze 43
wird das Ende 44 des Grundkörpers 37 getaucht und abgewartet, bis das Silizium die Höhe 39 erreicht hat.
Dann ist der zweite Bereich 45 mit einem negativ dotierten SiC-Halbleiter gefüllt.
Bei sämtlichen Ausführungsbeispielen kann so vorgegangen werden, daß die durch Kapillarwirkung
aufsteigende Si-Menge größer ist als sie für die Reaktionssinterung mit dem C benötigt wird. Daher
verbleibt nach der Reaktionssinterung freies Si im Thermoelement. Dieses freie Si wird im Bereich 46
zwischen den Enden 38 und 44 (Fig.6) durch Ätzen entfernt. Das Ätzen kann beispielsweise mit einer
Mischung aus Salpetersäure und Flußsäure geschehen. An den im Betrieb kälter bleibenden Enden 38 und 44
kann dann auf verhältnismäßig einfache Weise ein Anschlußkontakt angebracht werden, beispielsweise
indem ein Metall aufgetragen wird, das mit dem freien Si eine eutektische Legierung bildet, die im wesentlichen
ohmisch leitend ist. Hierfür kommen beispielsweise Aluminium, Silber, Gold oder Antimon in Frage.
In allen Ausführungsbeispielen kann man auch den Grundkörper 7,20,29 oder 37 aus durch ein Bindemittel
zusammengehaltenen Graphit-Körnern 8 herstellen. Wenn in einem solchen Grundkörper dotiertes flüssiges
Silizium hochsteigt, ergibt sich durch Reaktionssinterung zwischen den Graphit-Körnern des Grundkörpers
und dem Silizium 0-SiC mit p- oder η-Dotierung, so daß die Schenkelmaterialien im wesentlichen durch den
Grundkörper gebildet werden.
Zur Erzielung anderer dotierter Halbleiter kann statt des Silizium auch ein anderes Material in der Schmelze
verwendet werden, z. B. Titan, wobei die Zusammensetzung des Grundkörpers entsprechend gewählt weruen
muß. In ähnlicher Weise kann ein Grundkörper aus porösem Glas verwendet und in Schmelzen aus
flüssigem Metall getaucht werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentansprüche:1. Verfahren zur Herstellung eines Thermoelements mit zwei einstückig miteinander verbundenen Schenkeln aus thermoelektrisch unterschiedlichen Materialien, insbesondere aus p-leitendem und η-leitendem Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß ein poröser Grundkörper mit untereinander verbundenen Poren hergestellt und in die Poren schmelzflüssiges Material eingeführt wird, mit dem in einen ersten Bereich des Grundkörpers wenigstens eine Komponente des Materials des ersten Schenkels und in einen daran angrenzenden zweiten Bereich wenigstens eine Komponente des Materials des zweiten Schenkels zugeführt wird.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das schmelzflüssige Material durch kapillares Aufsaugen aus einer Schmelze den Poren des Grundkörpers zugeführt wird.3. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper nur mit seinem Ende in die Schmelze getaucht und darin so lange belassen wird, bis die Schmelze in die Poren des ersten bzw. zweiten Bereichs gedrungen ist.4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als schmelzflüssiges Material jeweils das geschmolzene Material des ersten bzw. zweiten Schenkels verwendet wird.5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Poren teilweise mit mindestens einer erstem Komponente des Schenkelmaterials gefüllt werden das schmelzflüssige Material mindestens eine zweite Kpmponente dieses Schenkelmaterials enthält und diese Komponenten in den Poren zur Bildung des Schenkelmaterials zur Reaktion gebracht werden.6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper mindestens eine erste Komponente des Schenkelmaterials enthält, das schmelzflüssige Material mindestens eine zweite Komponente dieses Scher, kelmaterials enthält und diese Komponenten im Grundkörper zur Reaktion gebracht werden.7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung eines p-leitenden Halbleitermaterials und eines n-leitenden Halbleitermaterials als Schenkelmaterialien ein p-Dotierungsmittel und ein n-Dotierungsmittel mit dem schmelzflüssigen Material in die Poren transportiert wird.8. Verfahren nach Anspruch 2 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper mit einer Dotierungsmittel enthaltenden Schmelze in Berührung gebracht wird (F i g. 1,5 und 6).9. Verfahren nach Anspruch 2 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper zunächst mit Dotierungsmitteln versetzt und dann mit der Schmelze in Berührung gebracht wird (F i g. 3 und 4).IQ. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dotierungsmittel bei der Herstellung des Grundkörpers in diesen eingebracht werden.U. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein p-Dotierungsmittel an einem Ende und ein n-Dotierungsmittel am anderen Ende in dem Grundkörper angeordnet wird und daß dann beide Enden mit der Schmelze in Berührung gebracht werden (F i g. 3),12. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Dotierungsmittel in der Mitte und das andere Dotierungsmittel an einem Ende des Grundkörpers angebracht wird und daß dann lediglich dieses Ende mit der Schmelze in Berührung gebracht wird (F i g. 4).13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, ίο dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung beider Schenkelmaterialien dieselbe Schmelze verwendet wird (F i g. 3 und 4).14. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 und 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkör per aus durch ein Bindemittel zusammengehaltenem «- oder /3-SiC hergestellt wird, dessen Poren teilweise mit Kohlenstoff gefüllt sind, daß eine Schmelze aus Si verwendet wird und daß unter Zusatz von Dotierungsmitteln durch Reaktionssinte rung die beiden Schenkelmaterialien in den Poren erzeugt werden.15. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper aus durch ein Bindemittel zusammengehaltenen Kohlen stoff-Körnern hergestellt wird, daß eine Schmelze aus Si verwendet wird und daß unter Zusatz von Dotierungsmitteln durch Reaktionssinterung die beiden Schenkeimaterialien im Grundkörper erzeugt werden.jo 16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurchgekennzeichnet, daß so viel geschmolzenes Si zugeführt wird, daß nach dem Reaktionssintern freies Si im Grundkörper verbleibt und daß in einem Bereich zwischen den Enden des Grundkörpers dasSi weggeätzt wird.17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein U-förmiger Grundkörper hergestellt und mit beiden Enden gleichzeitig in die Schmelze getaucht wird (Fig.) und 3).-ίο 18. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 16,dadurch gekennzeichnet, daß der poröse Grundkörper in Stabform hergestellt wird.19. Anwendung des nach einem der Ansprüche 1 bis 18 hergestellten Thermoelements als Konstruk tionsbauteil für temperaturbelastete Konstruktio nen.
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