DE1295039B - Thermoelektrische Halbleiter-Einrichtung zum Umwandeln von Waerme in elektrische Energie - Google Patents

Thermoelektrische Halbleiter-Einrichtung zum Umwandeln von Waerme in elektrische Energie

Info

Publication number
DE1295039B
DE1295039B DER37252A DER0037252A DE1295039B DE 1295039 B DE1295039 B DE 1295039B DE R37252 A DER37252 A DE R37252A DE R0037252 A DER0037252 A DE R0037252A DE 1295039 B DE1295039 B DE 1295039B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
legs
connecting piece
thermoelectric device
leg
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DER37252A
Other languages
English (en)
Inventor
Dingwall Andrew Gordon Francis
Horsting Carel Willem
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1295039B publication Critical patent/DE1295039B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/81Structural details of the junction
    • H10N10/817Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

Landscapes

  • Footwear And Its Accessory, Manufacturing Method And Apparatuses (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine thermoelektrische Einrichtung zum Umwandeln von Wärme in elektrische Energie, bei der die Wärmeenergie einem Verbindungsstück zugeführt wird, mit dem jeweils ein Ende eines aus p-leitendem und eines aus ii-leitendem Halbleitermaterial bestehenden 'Schenkels elektrisch und thermisch leitend verbunden ist, und das aus einem Material besteht, welches wenigstens annähernd denselben Wärmeausdehnungskoeffizienten wie die Materialien der Schenkel hat und mit diesen bei Temperaturen in der Größenordnung von 800'C in Luft nicht nennenswert chemisch reagiert.
  • Beim Zusammenbau von Thermoelementen mit jeweils einem p-leitenden und einem ii-leitenden Schenkel ist es bekannt, die Schenkel durch Metallbrücken zu verbinden (britische Patentschrift 824 347). Bei hohen Temperaturen können bei diesen bekannten Einrichtungen wegen der unterschiedlichen Wärmedehnungskoeffizienten der Halbleiterschenkel einerseits und des Metalls andererseits und der daraus resultierenden mechanischen Spannungen und wegen ungünstiger chemischer Reaktionen zwischen den Halbleiterwerkstoffen und dem Metall erhebliche Störungen auftreten.
  • Es sind ferner thermoelektrische Anordnungen bekannt, bei denen Schenkel unterschiedlichen Leitungstyps derart geformt sind, daß eine Kontaktbrücke durch Zusammenfügen der Schenkel gebildet wird, wobei die Verbindungsstellen durch Aufbringen von Metallfolien verstärkt werden können (deutsches Gebrauchsmuster 1885 546). Diese Anordnungen weisen im Bereich der gleichrichtenden pn-übergänge verinutlich auf Grund einer wechselweisen Neutralisierung der Dotierungsstoffe einen verhältnismäßig hohen elektrischen Widerstand auf, so daß der Wirkungsgrad der Anordnung gering ist.
  • Ferner ist die Verwendung von Germanium-Silicium-Legierungen mit mindestens 50 Atomprozent Silicium als Material für thermoelektrische Einrichtungen bekannt.
  • Die Erfindung geht von der Aufgabe aus, eine thermoelektrische Einrichtung anzugeben, die auch bei hohen Temperaturen, z. B. oberhalb 800c> C, mit hohem Wirkungsgrad störungsfrei arbeitet. Insbesondere sollen bei einer derartigen Einrichtung die Verbindungen zwischen den Halbleitermaterialien nieder-,ohmig sein.
  • Bei einer thermoelektrischen Einrichtung der eingangs genannten Art wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß nach der Erfindung das Verbindungsstück aus einem Stück eines Halbleitermaterials oder aus zwei miteinander verbundenen Teilen aus Halbleitermaterialien besteht und daß die Schenkel mit dem Verbindungsstück und gegebenenfalls die Teile des Verbindungsstückes untereinander durch ein Edelmetallot derart verbunden sind, daß die Verbindungen nicht gleichrichtende, niederohmige Kontakte bilden.
  • Das Verbindungsstück kann dann aus einem Halbleitermaterial bestehen, das im wesentlichen dieselbe chemische Stabilität, denselben Wärmeausdehnungskoeffizienten und denselben spezifischen Widerstand besitzt wie der Werkstoff der Schenkel.
  • Die erwähnten Nachteile der bekannten Halbleiter-Thermoelemente werden durch die Erfindung vermieden.
  • An Hand der Zeichnung sollen im folgenden Ausführungsbeispiele der Erfindung erläutert werden. F i g. 1 ist eine Vorderansicht einer thermoelektrischen Einrichtung gemäß der Erfindung; F i g. 2 zeigt einen Querschnitt der thermoelektrischen Einrichtung in der Ebene 2-2 der F i g. 1 bei einer durch die Pfeile gegebenen Betrachtungsrichtung; F i g. 3 zeigt einen Querschnitt der thermoelektrischen Einrichtung in der Ebene 3-3 der F i g. 1 in der durch die Pfeile angegebenen Betrachtungsrichtung; F i g. 4 ist eine perspektivische Ansicht der in F i g. 1 gezeigten thermoelektrischen Einrichtung; F i g. 5 ist eine perspektivische Ansicht einer anderen Ausführungsform nach der Erfindung.
  • In den F i g. 1 bis 4 wird ein thennoelektrischer Generator 10 mit Halbleiterschenkeln vom N-Typ, die mit N, und solchen vom P-Typ, die mit P bezeichnet sind, gezeigt. Die Schenkel N und P können beispielsweise aus Silicium-Germanium-Legierungen mit mindestens 50 Atomprozent Silicium bestehen. Diese Schenkel können polykristaffin oder aus einem Einkristall hergestellt sein. Der Schenkel P ist stark dotiert mit einem Elektronenakzeptor aus der Gruppe IIIb des Periodensystems. Der Schenkel N ist stark mit einem Elektronendonator aus der Gruppe Vb des Periodensystems dotiert.
  • Ein Schuh NS aus einem Halbleitermaterial vom N-Typ, das dem des Schenkels N ähnlich ist, ist verlötet mit dem Ende des Schenkels N, welches das heiße Ende werden soll, und zwar vorzugsweise mit Hilfe eines Edelmetalls, wie Gold, Silber, Ruthenium, Rhodium, Palladium, Iridium oder Platin, oder einer Legierung mit einem oder mehreren dieser Elemente, wobei der Anteil an Edelmetallen mindestens 50 % des Gesamtgewichts der Legierung beträgt. Ein Schuh PS aus einem Halbleitermaterial vom P-Typ, das dem des Schenkels P ähnlich ist, wird mit dem heißen Ende des Schenkels P verlötet mittels eines Edelmetalls oder einer Edelmetallegierung, in der der Anteil an Edelmetallen mindestens 50 % des Gesamtgewichts ausmacht. Die Schuhe NS und PS können rechteckige Blöcke von im wesentlichen derselben Größe sein und aneinandergrenzende Anliegeflächen besitzen, die jeweils mindestens so groß sind wie der senkrecht zu der Längsachse jedes Schenkels genommene Schenkelquerschnitt. Die Schuhe sind miteinander mittels eines Edelmetalls oder einer der obenerwähnten Edelmetallegierungen verlötet. Die der Wärmeaufnahme dienende Fläche der SchuheNS und PS soll eine ausreichende Größe zur Aufnahme einer angemessenen Wärmemenge besitzen, um den thermoelektrischen Generator 10 wirksam zu betätigen.
  • Die Verbindung der Schuhe NS und PS miteinander und mit den Schenkeln N bzw. P mittels eines Edelmetalls oder einer Edelmetallegierung kann im Vakuum bei einer Temperatur von etwa 10751 C und bei einem Druck von etwa 50 g/CM2 innerhalb von etwa 2 Minuten hergestellt werden. Unter diesen Bedingungen erhält man zwischen den Schuhen NS und PS eine feste, nicht gleichrichtende Verbindung 15 mit einem verhältnismäßig geringen elektrischen Widerstand statt eines typischen gleichrichtenden PN-Übergangs mit hohem Widerstand.
  • Ein Paar weiterer, z. B. aus Wolfram bestehender Schuhe 12 bzw. 14 wird an die kalten Enden der Schenkel N bzw-. P durch irgendeine geeignete Befestigungstechnik befestigt, wie z. B. dadurch, daß man die Wolframschuhe an die kalten Enden der Schenkel mit Kupfer anlötet. Da die Temperatur an den kalten Enden der thermoelektrischen Einrichtung gewöhnlich während des Betriebs der Einrichtung verhältnismäßig niedrig ist, und zwar normalerweise niedriger als 200' C, manchmal Zimmertemperatur, sind keine besonderen Vorsichtsmaßnahmen erforderlich, um chemisch stabile Verbindungen mit gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten an den kalten Enden herzustellen. Gegebenenfalls jedoch können die Metallschuhe 12 bzw. 14 mit den Schenkeln N bzw. P mittels eines Edelmetalls oder einer Edelmetallegierung verbunden werden, und zwar gleichzeitig mit der Herstellung der Verbindung der Schuhe NS und PS miteinander und mit den zugehörigen Schenkeln N bzw. P.
  • Die Schuhe NS bzw. PS können aus einem Stück mit den Schenkeln N bzw. P gebildet werden, statt, wie oben dargelegt, die Schuhe an diese Schenkel anzulöten. In diesem Fall werden nur die aneinander angrenzenden Flächen der Schuhe NS und PS miteinander verlötet. Wenn die Schuhe NS und PS miteinander verlötet sind, bilden sie ein Verbindungsstück 16, dem die Wärmeenergie zugeführt wird. Die Querschnittsfläche des Verbindungsstücks 16 parallel zu den an der Lötstelle 15 aneinander angrenzenden Flächen der Schuhe NS und PS soll im wesentlichen dieselbe Größe besitzen wie der Querschnitt jedes N-bzw. P-Schenkels senkrecht zu deren Längsachsen, d. h. zu der Richtung des durchfließenden Stroms, so daß der Strom von einem Schenkel zu dem anderen durch das heiße Verbindungsstück 16 fließen kann, ohne daß der elektrische Widerstand sich längs des Strompfads wesentlich ändert.
  • Zum Betrieb des thermoelektrischen Generators 10 wird an das Verbindungsstück 16 durch irgendwelche geeigneten Maßnahmen Wärme gebracht. Die Temperatur T,7, bei der die Wärme zugeführt wird, kann beinahe so hoch sein wie der Schmelzpunkt des Edelmetalls, das zum Verlöten der das Verbindungsstück 16 bildenden Schuhe NS und PS verwendet wurde. Die Wolframschuhe 12 und 14 werden in Berührung mit einer nicht gezeigten Wärmesenke gebracht, um sie auf einer - verglichen mit der höheren Temperatur TI, - verhältnismäßig niedrigeren Temperatur Tc zu halten. Unter diesen Bedingungen wird eine mit einem Voltmeter V meßbare Spannung zwischen den Schuhen 12 und 14 erzeugt, und es fließt ein Strom durch einen Verbraucher L, der hier als Widerstand dargestellt und zwischen die Schuhe 12 und 14 eingeschaltet ist.
  • Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung bestand das die heißen Enden der Schenkel N und P verbindende Verbindungsstück 16 aus demselben Halbleitermaterial wie die Schenkel selbst, doch ist dies nicht notwendig. Das Verbindungsstück darf aber von den Schenkeln hinsichtlich seiner Zusammensetzung nicht zu sehr abweichen, weil es im wesentlichen denselben linearen Ausdehnungskoeffizienten wie die Schenkel besitzen soll. Es muß aus einem Material bestehen, das mit dem Material der Schenkel bei Arbeitstemperaturen nicht reagiert. Es soll einen geringen elektrischen Widerstand aufweisen und schließlich aus einem bei hohen Temperaturen in Anwesenheit von Luft an sich chemisch stabilen Material bestehen, d. h., es soll keinen flüchtigen Bestandteil enthalten, der bei höheren Temperaturen abdampft, und es soll nicht zu stark oxydieren. Wenn die Schenkel aus Germanium-Silicium-Legierungen hergestellt werden mit einem Siliciumgehalt in dem Bereich von 50 bis 95 Atomprozent - Materialien, die für den Betrieb bei hohen Temperaturen geeignet sind -, dann kann das die beiden Schenkel an den heißen Enden der Einrichtung verbindende Verbindungsstück aus einem stark dotierten Silicium vom N-Typ oder P-Typ bestehen. Gemäß F i g. 5 weist eine thermoelektrische Einrichtung 10 a einen Schenkel N vom N-Typ, einen Schenkel P vom P-Typ und ein Verbindungsstück 18 aus einem Material vom N-Typ, z. B. Silicium, auf. Wenn das Verbindungsstück 18 aus überschußleitendem Silicium besteht, so liegt die Thermo-Kontaktstelle zwischen dem Schenkel P vom P-Typ und dem Verbindungsstück 18. Wenn das heiße Verbindungsstück 18 aber aus defekt leitendem Sificium besteht, so liegt die Thermo-Kontaktstelle zwischen dem Schenkel N vom N-Typ und dem Verbindungsstück 18. Die Schenkel N bzw. P können Wolframschuhe 12 bzw. 14 tragen, die an den gegenüberliegenden kalten Enden der Schenkel befestigt sind.
  • Silicium ist ein geeignetes Material für das Verbindungsstück 18 dieser Einrichtung, da sein Wärmeausdehnungskoeffizient sehr wenig von dem der siliciumreichen Silicium-Germanium-Legierungen abweicht, was für diesen Einrichtungstyp erforderlich ist, wenn bei höchstmöglichen Temperaturen gearbeitet werden soll. Ferner ist Silicium bei hohen Temperaturen äußerst stabil, reagiert nicht mit den in den Schenkeln verwendeten Silicium-Germanium-Legierungen und hat bei starker Dotierung einen ausreichend geringen spezifischen elektrischen Widerstand. Das Verbindungsstück 18 kann mit den Schenkeln N und P wie in den vorherigen Beispielen mittels Edelmetallegierungen und in der beschriebenen Art und Weise verbunden werden.
  • Die Querschnittsfläche des Verbindungsstücks 18 in einer zur Längs- oder Querachse des Verbindungsstücks senkrechten Ebene soll mindestens gleich der Fläche der Enden der Schenkel N oder P sein.
  • Die der Wärmeaufnahme dienende Fläche des Verbindungsstücks 18 ist größer oder mindestens ebenso groß wie die Summe der Flächen der Schenkelenden, mit welchen das Verbindungsstück verbunden wird. Hierdurch wird eine zur Wärmeaufnahme ausreichende Fläche für einen wirksamen Betrieb der Einrichtung gewährleistet. Würde diese Fläche dagegen verkleinert, so würde viel Wärme vergeudet werden, und der Wirkungsgrad würde dadurch verringert.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Thermoelektrische Einrichtung zum Umwandeln von Wärme in elektrische Energie, bei der die Wärmeenergie einem Verbindungsstück zugeführt wird, mit dem jeweils ein Ende eines aus p-leitendem und eines aus n-leitendem Halbleitermaterial bestehenden Schenkels elektrisch und thermisch leitend verbunden ist und das aus einem Material besteht, welches wenigstens annähernd denselben Wärmeausdehnungskoeffizienten wie die Materialien der Schenkel hat und mit diesen bei Temperaturen in der Größenordnung von 800' C in Luft nicht nennenswert chemisch reagiert, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungsstück (16,18) aus einem Stück eines Halbleitennaterials oder aus zwei miteinander verbundenen Teilen (NSPS) aus Halbleitermaterialien besteht und daß die Schenkel (N,P) mit dem Verbindungsstück (16,18) und gegebenenfalls die Teile (NSPS) des Verbindungsstücks untereinander durch ein Edelmetallot derart verbunden sind, daß die Verbindungen nicht gleichrichtende, niederohmige Kontakte bilden.
  2. 2. Thermoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei miteinander verbundenen Teile (NS, PS) des Verbindungsstücks (16) aus einem p-leitenden Halbleiterkörper (PS), der thermisch und elektrisch mit dem einen Ende des p-leitenden Schenkels (P), und aus einem n-leitenden Halbleiterkörper (NS), der thermisch und elektrisch mit dem einen Ende des n-leitenden Schenkels (N) verbunden ist, bestehen (F i g. 1 und 4). 3. Thermoelektrische Einrichtung nach Anspruch 2, bei der die beiden Schenkel senkrecht zu der Richtung des sie durchfließenden Stromes wenigstens annähernd gleiche Querschnittsflächen haben, dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetallot zur Verbindung der die beiden das Verbindungsstück bildenden Halbleiterkörper (NS, PS) aus Gold, Silber, Ruthenium, Rhodium, Palladium, Iridium oder Platin oder einer mindestens 50 Gewichtsprozent eines dieser Edelmetalle enthaltenden Legierung besteht, wobei die miteinander verbundenen Flächen der Halbleiterkörper (NS, PS) mindestens ebenso groß sind wie die genannten Querschnittsflächen der Schenkel (N, P). 4. Thermoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungsstück (18) aus einem p-leitenden Halbleitermaterial besteht (F i g. 5)-5. Thermoelektrische Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schenkel (N, P) und das Verbindungsstück (16, 18) aus Germanium-Silicium-Legierungen mit mindestens 50 Atomprozent Silicium bestehen.
DER37252A 1963-02-19 1964-02-19 Thermoelektrische Halbleiter-Einrichtung zum Umwandeln von Waerme in elektrische Energie Pending DE1295039B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US259630A US3342646A (en) 1963-02-19 1963-02-19 Thermoelectric generator including silicon germanium alloy thermoelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1295039B true DE1295039B (de) 1969-05-14

Family

ID=22985710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DER37252A Pending DE1295039B (de) 1963-02-19 1964-02-19 Thermoelektrische Halbleiter-Einrichtung zum Umwandeln von Waerme in elektrische Energie

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3342646A (de)
BE (1) BE643994A (de)
DE (1) DE1295039B (de)
GB (1) GB1024101A (de)
NL (1) NL6401456A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3533855A (en) * 1965-03-17 1970-10-13 Albert Lederman Electrical measurement devices
US3496027A (en) * 1965-05-03 1970-02-17 Rca Corp Thermoelectric generator comprising thermoelements of indium-gallium arsenides or silicon-germanium alloys and a hot strap of silicon containing silicides
US3442718A (en) * 1965-10-23 1969-05-06 Rca Corp Thermoelectric device having a graphite member between thermoelement and refractory hot strap
DE1539333B1 (de) * 1967-04-01 1970-06-04 Siemens Ag Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US3748904A (en) * 1971-05-28 1973-07-31 Us Navy Semiconductor electromagnetic radiation isolated thermocouple
US4019113A (en) * 1974-11-20 1977-04-19 James Keith Hartman Energy conversion device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE653017C (de) * 1934-06-14 1937-11-12 Werner Schilling Rohrfoermige, aus durch Isolierschichten getrennten Ringscheiben zusammengesetzte Thermosaeule
DE878521C (de) * 1945-03-16 1953-06-05 Siemens Ag Einrichtung zur Umformung von Waerme in elektrische Energie mit Hilfe einer aus mehreren Elementen bestehenden Thermosaeule
DE1018557B (de) * 1954-08-26 1957-10-31 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von gleichrichtenden Legierungskontakten auf einem Halbleiterkoerper
GB824347A (en) * 1956-10-01 1959-11-25 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to thermoelectric devices
DE1885546U (de) * 1961-09-19 1964-01-09 Siemens Ag Thermoelektrische anordnung.

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US781289A (en) * 1904-10-18 1905-01-31 William A Spinks & Company Thermo-electric element.
GB190717490A (en) * 1907-07-31 1908-07-30 William Fennell An Improvement in Thermo Electric Generators
US2402663A (en) * 1942-04-11 1946-06-25 Bell Telephone Labor Inc Thermoelectric device
US2993340A (en) * 1959-04-09 1961-07-25 Carrier Corp Refrigeration system
FR1265481A (fr) * 1959-07-03 1961-06-30 Siemens Ag Dispositif thermo-électrique, en particulier couple thermo-électrique
US3105906A (en) * 1959-11-24 1963-10-01 Rca Corp Germanium silicon alloy semiconductor detector for infrared radiation
US3072733A (en) * 1961-07-17 1963-01-08 Sasaki Yozo Thermoelectric generator

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE653017C (de) * 1934-06-14 1937-11-12 Werner Schilling Rohrfoermige, aus durch Isolierschichten getrennten Ringscheiben zusammengesetzte Thermosaeule
DE878521C (de) * 1945-03-16 1953-06-05 Siemens Ag Einrichtung zur Umformung von Waerme in elektrische Energie mit Hilfe einer aus mehreren Elementen bestehenden Thermosaeule
DE1018557B (de) * 1954-08-26 1957-10-31 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von gleichrichtenden Legierungskontakten auf einem Halbleiterkoerper
GB824347A (en) * 1956-10-01 1959-11-25 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to thermoelectric devices
DE1885546U (de) * 1961-09-19 1964-01-09 Siemens Ag Thermoelektrische anordnung.

Also Published As

Publication number Publication date
US3342646A (en) 1967-09-19
NL6401456A (de) 1964-08-20
BE643994A (de) 1964-06-15
GB1024101A (en) 1966-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE977615C (de) Verfahren zur Herstellung eines fuer Signaluebertragungsvorrichtungen bestimmten Halbleiterelements
DE2041497B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE1811389C3 (de) Flächenhaftes Halbleiterbauelement
DE102006040283A1 (de) Thermoelektro-Elementeeinrichtung und thermoelektrisches Modul
DE1086350B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, z. B. eines Siliziumgleichrichters
DE1200905B (de) Verfahren zur Umwandlung von Waermeenergie in elektrische Energie und Thermoelement zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
DE1539275B2 (de) PeltiT-Element
DE976348C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergaengen und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente
DE1180015C2 (de) Mittel zur elektrischen Isolierung und ther-mischen Kontaktierung bei einer nach dem Seebeck- oder Peltier-Effekt arbeitenden thermoelektrischen Batterie
DE2130122A1 (de) Schottkygrenzschicht-Feldeffekttransistor
DE1291418B (de)
DE1180812B (de) Thermoelement bzw. Peltierelement
DE1130522B (de) Flaechentransistor mit anlegierten Emitter- und Kollektorelektroden und Legierungs-verfahren zu seiner Herstellung
DE1295039B (de) Thermoelektrische Halbleiter-Einrichtung zum Umwandeln von Waerme in elektrische Energie
DE1036394B (de) Verfahren zur Erzeugung einer pn-Verbindung in einem p-Typ-Koerper aus Silizium
DE2855816C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit einer Schottky-Sperrschichtdiode
DE1029936B (de) Legierungs-Verfahren zum Herstellen von p-n-Schichten
DE1262388B (de) Verfahren zur Erzeugung eines nicht-gleichrichtenden UEbergangs zwischen einer Elektrode und einem dotierten thermoelelktrischen Halbleiter fuer ein thermoelektrisches Geraet
DE1489287C3 (de) Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen
DE1130525B (de) Flaechentransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper eines bestimmten Leitungstyps
DE1277967C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere einer thermoelektrischen Halbleiteranordnung
DE1202366B (de) Verfahren zum Herstellen eines nicht loesbaren elektrischen Kontaktes an einer thermoelektrischen Anordnung
AT250699B (de) Thermoelektrische Einrichtung
AT212439B (de) Stromleiter mit stark gekrümmter Stromspannungskennlinie zur Verwendung in Regeleinrichtungen
DE1110323C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen