DK143779B - Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelement - Google Patents
Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelement Download PDFInfo
- Publication number
- DK143779B DK143779B DK191476AA DK191476A DK143779B DK 143779 B DK143779 B DK 143779B DK 191476A A DK191476A A DK 191476AA DK 191476 A DK191476 A DK 191476A DK 143779 B DK143779 B DK 143779B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- melt
- base body
- dopant
- pores
- conductor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 36
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYSA-N germanium telluride Chemical compound [Te]=[Ge]=[Te] GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/8556—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing germanium or silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/107—Melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
143779
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af et termoelement med to elektrisk i serie koblede ledermaterialer med forskellige termoelektriske egenskaber, specielt en p-type-halvleder og en n-type-halvleder.
5 Termoelementer tjener til omformning af varme i elektrisk effekt, men kan også ved tilførsel af elektrisk energi producere varme eller kulde.
Oprindelig blev termoelementer fremstillet af to forskellige metaller, som ved forbindelsesstedet blev sammenloddet med 10 hinanden. Den ved opvarmningen af dette loddested opståede termospænding er jo større, jo længere de to metaller ligger fra hinanden i den termoelektriske spændingsrække, og den stiger med det varme loddesteds overtemperatur. Dette lodde-sted er dog mekanisk og termisk følsomt, specielt når termo-15 elementet er udsat for højere temperaturer eller rystelser.
I nyere tid er termoelementer blevet kendt, ved hvilke de to ledermaterialer består af en p-type-halvleder og en n-type-halvleder. Som halvledermaterialer kommer eksempelvis blytel-lurid, germaniumtellurid og wismuttellurid i betragtning.
20 Ganske vist volder herved de mekaniske og elektriske forbindelser endnu større vanskeligheder ved lodning og lignende. Specielt er flerdelte termoelementer blevet kendt, ved hvilke en halvleder-cylinder holdes mellem to metalcylindre, og forbindelsesstederne shuntes via elektrolytisk påførte 143779 2 metalkraver, hvorved forbindelsen mellem de således fremstillede søjler sker ved hjælp af en metalbro.
Opfindelsen har til hensigt at angive en fremgangsmåde af den i indledningen beskrevne art, med hvis hjælp der på 5 simpel måde kan fremstilles termoelementer, som har en meget stabil elektrisk og mekanisk forbindelse mellem de to ledermaterialer, som også kan fremstilles som halvleder-termoele-ment, og som kan fremstilles i et stort antal former.
Denne opgave løses ifølge opfindelsen ved, at der fremstil-10 les et porøst grundlegeme med indbyrdes forbundne porer, og at der i porerne indføres et smelteflydende materiale, med hvilket i det mindste en komponent af det første ledermateriale indføres i et første område, og at der i et andet område tilføres i det mindste en komponent af det andet ledermateri-15 ale.
Ved denne fremgangsmåde danner grundlegemet et støtteskelet, som er udformet i eet stykke, hvis porer er fyldt med en størknet smelte. Som følge deraf fås et meget kompakt legeme, der har en stor mekanisk holdbarhed. De forskellige lederegen-20 skaber indføres med det smelteflydende materiale under bibeholdelse af grundlegemets udformning i eet stykke. Man behøver derfor ikke nogen lodde- eller andre forbindelser for at holde disse ledermaterialer i sikker elektrisk kontakt ved umiddelbar berøring med en neutral mellemleder eller -25 hvad der foretrækkes - ved umiddelbar berøring med hinanden. Termoelementets form kan frit vælges, da man kan give grundlegemet en hvilken som helst form.
En særlig foretrukken fremgangsmåde består i, at det smelteflydende materiale tilføres porerne ved kapillar-opsugning 30 af en smelte. Ved kapillarvirkningen bliver smeltens materiale med stor sikkerhed transporteret ind i porerne, således at disse i det væsentlige fuldstændig fyldes, og på berørings- 143779 3 stedet for de to ledermaterialer inde i porerne fås en god elektrisk kontakt.
I reglen er det tilstrækkeligt, når grundlegemet kun ned-dykkes i smelten med sin ende og bliver deri så længe, at 5 smelten er trængt ind i porerne i det første henholdsvis det andet område.
Som smelteflydende materiale kan til enhver tid anvendes det første henholdsvis andet ledermateriale.
En anden mulighed består i, at porerne delvis fyldes med i 10 det mindste en første komponent af ledermaterialet, at det smelteflydende materiale mindst indeholder en anden komponent af ledermaterialet, og at disse komponenter i porerne bringes til reaktion til dannelse af ledermaterialet. Dette er fx ved et flertal af halvledere som ledermateriale gunstigt, 15 specielt når halvlederen selv, altså reaktionsproduktet, har et højere smeltepunkt end i hvert fald den anden komponent.
I stedet for er det også muligt, at grundlegemet indeholder mindst en første komponent af ledermaterialet, det smelteflydende materiale mindst en anden komponent af ledermaterialet, 20 at disse komponenter bringes til reaktion i grundlegemet.
Herved dannes ledermaterialerne ved omsætning af i det mindste en del af grundlegemets materiale.
Ved en foretrukken udførelsesform er der sørget for, at ved anvendelse af en p-type-halvleder og en n-type-halvleder som 25 ledermaterialer, transporteres et p-doteringsmiddel og et n-doteringsmiddel med det smelteflydende materiale ind i porerne. Da doteringsmidlet først bringes på plads af det smelteflydende materiale, fås to skarpt fra hinanden adskilte, men en sikker kontaktflade med hinanden dannende halvledere 30 af forskellige ledningsevnetyper i grundlegemet. Herved kan grundlegemet bringes i berøring med et doteringsmiddel 143779 4 indeholdende smelte. Grundlegemet kan også først forsynes med doteringsmaterialer og derefter bringes i berøring med smelten. Eksempelvis kan doteringsmidlerne allerede indbringes i grundlegemet ved fremstillingen af dette.
5 Når et p-doteringsmiddel anbringes ved den ene ende og et n-doteringsmiddel ved den anden ende i grundlegemet, og begge ender derefter bringes i berøring med smelten, stiger de forskelligt doterede smelter fra modsatte sider op i grundlegemet, til de berører hinanden.
10 Det er også muligt at anbringe det ene doteringsmiddel i midten og det andet doteringsmiddel ved enden af grundlegemet og da kun bringe sidstnævnte ende i berøring med smelten. Herved tages med i købet, at den igennem det samlede grundlegeme opstigende smelte tilsættes det sidstnævnte 15 doteringsmiddel, men at det førstnævnte doteringsmiddel fra midten af grundlegemet er i overvægt, således at der til slut haves to forskelligt doterede halvledere.
Når halvledernes forskellige ledningsevner opnås ved hjælp af doteringsmidler, kan til dannelse af de to ledermateri-20 aler anvendes samme smelte.
Ved et foretrukket udførelseseksempel sørges der for, at grundlegemet fremstilles af ved hjælp af et bindemiddel sammenholdt «*-- eller β -SiC, hvis porer delvis er fyldt med kulstof, at der anvendes en smelte af Si, og at begge leder-25 materialer frembringes i porerne under tilsætning af doteringsmidler ved reaktionssintring. Kulstoffet kan herved tilsættes som grafit, men den kan også opnås ved termisk opløsning af phenolharpiks eller lignende i grundlegemet. Reaktionssintringen af Si og C i et rørlegeme af ^-SiC er i og for sig 30 kendt (DE-OS 2 310 148}.
En anden mulighed består i, at grundlegemet fremstilles af 143779 5 ved hjælp af et bindemiddel sammenholdt kulstofkorn som grafitkorn, at der anvendes en smelte af Si, og at begge ledermaterialer frembringes i grundlegemet under tilsætning af doteringsmidler ved reaktionssintring. På denne måde 5 bliver grundlegemet i det mindste delvis omsat til p- henholdsvis n-ledende P-SiC.
Som doteringsmiddel kan anvendes de sædvanlige tilsætningsstoffer, ved SiC fx aluminium som p-type-doteringsmiddel og antimon som n-type-doteringsmiddel.
10 Det er endvidere gunstigt, når der tilføres så meget smeltet Si, at der efter reaktionssintringen forbliver frit Si i grundlegemet, og at Si'en i et område mellem grundlegemets ender bortætses. Det ved enderne tilbageblivende Si letter anbringelsen af tilslutningskontakter ganske betydeligt.
15 Desuden nedsættes den specifikke modstand, således at temperaturbelastningen på det kolde tilslutningssted er ringere,
Man kan endvidere fremstille et U-formet grundlegeme, som med begge ender samtidig neddykkes i smelten. Herved forkortes fremstillingen tidsmæssigt.
20 Opfindelsen bliver nedenfor nærmere beskrevet i henhold til tegningen, i hvilken der er skematisk viste forskellige udførelsesformer. Den viser:
Fig. 1 et termoelement i en digie ved afslutningen af fremstillingsprocessen, 25 fig. 2 et tværsnit i området for berøringszonen mellem de to ledermaterialer, fig. 3 et grundlegeme umiddelbart efter indsættelsen i en digie, 143779 6 fig. 4 en anden udførelsesform for et grundlegeme umiddelbart efter indsættelsen i en digie, fig. 5 et yderligere grundlegeme med det første ledermateriale i en første digie og 5 fig. 6 grundlegemet i fig. 5 med begge ledermaterialer i en anden digie.
I en smeltedigle 1 befinder sig to rum 2 og 3, som er skilt fra hinanden ved hjælp af en væg 4. I rum 2 befinder sig en smelte 5 af flydende Si, der som p-type-doteringsmiddel er 10 tilsat aluminium. I rum 3 befinder sig en smelte 6 af flydende Si, der som n-type-doteringsmiddel er tilsat antimon.
Disse smelter holdes på en temperatur på ca. 1600°C.
Et grundlegeme 7 i form af en U-formet stav er formet af ®{. -SiC-korn 8 og grafitkorn under tilsætning af et binde-15 middel. Der fremkommer en struktur, ved hvilken der mellem
SiC-kornene 8 tilbagestår porer, som kun delvis er fyldt med grafitkorn, således at der resterer en restporøsitet. Dette grundlegeme 7 er med sin ende 9 neddykket i smelten 5 og samtidig med sin ende 10 i smelten 6.
20 Som følge af kapillarvirkningen i det porøse grundlegeme 7 stiger doteret flydende silicium op i grundlegemets 7 begge ben, indtil de to forskellig doterede silicium-andele mødes langs berøringsfladen 11. Under opstigningen reagerer siliciumet med kulstof under dannelse af P -SiC under samtidig 25 forhøjelse af temperaturen til 2300°C (reaktionssintring).
Således opstår i porerne 12 ved området 13 et første ledermateriale i form af p-doteret SiC, mens der i porerne i det andet område 15 opstår et andet ledermateriale 16 i form af n-doteret SiC. Begge ledermaterialer 14 og 16 er som følge 30 af sintringen fast forbundet med hinanden og står langs berøringsfladen 11 i elektrisk kontakt med hinanden. Udsætter 143779 7 man området for berøringsfladen 11 for en høj temperatur og begge ender 9 og 10 for en lavere temperatur, fås en termo-spænding.
Ved udførelsesformen ifølge fig. 3 er der i en digie 17 kun 5 et enkelt rum 18, i hvilket der befinder sig en eneste smelte 19 af flydende ikke doteret silicium. Et grundlegeme 20 i form af en U-formet bukket stav af en blanding af SiC og C er med begge sine ender 21 og 22 neddykket i smelten 19. Begge ender er allerede under grundlegemets 20 fremstil-10 ling forsynet med et p-type-doteringsmiddel 23 henholdsvis et n-type-doteringsmiddel 24, fx aluminium henholdsvis antimon. Når nu det flydende Si stiger opad gennem grundlegemets 20 ben, doteres det ved gennemløbet af doteringszonerne, således at der til slut opstår et tilsvarende termoelement 15 som ved udførelsesformen i fig. 1.
I fig. 4 er der i en digie 25, som kun består af et enkelt rum 26, anbragt en enkelt smelte 27 med ikke doteret silicium. Heri er neddykket en ende 28 af et grundlegeme 29 i form af en lige stav med tilsvarende sammensætninger som 20 stavene 7 og 20. Dette grundlegeme indeholder ved enden 28 et p-doteringsmiddel 30 og i midten en større mængde af et n-doteringsmiddel 31. Når nu siliciumet i grundlegemet 29 stiger opad, dannes i det nederste område 32 en p-doteret SiC-halvleder, mens der i et øvre område 33 på grund af 25 overvægten af n-doteringsmiddel dannes en n-doteret SiC-halvleder .
I fig. 5 er der vist en digie 34, hvis inderrum 35 er fyldp med en smelte 36 bestående af p-doteret silicium. I denne smelte er der anbragt et grundlegeme 37 i form af en aflang 30 stav, hvis sammensætning svarer til de førhen beskrevne grundlegemer. Dette grundlegeme 37 neddykkes med sin ende 38 så længe i smelten 36, at siliciumet har nået højden 39. På denne måde forsynes området 40 med en p-doteret SiC- 8 halvleder. Derefter anbringes grundlegemet 37 i en digie 41, hvis inderrum 42 er forsynet med en smelte 43 med n-doteret silicium. I denne smelte 43 bliver grundlegemets 37 ende 44 neddykket, og man venter, til siliciumet har nået 5 højden 39. Det andet område 45 er da fyldt med en n-doteret SiC-halvleder.
Ved samtlige udførelsesformer kan man gå således frem, at den på grund af kapillarvirkningen opstigende Si-mængde er større, end hvad der er nødvendigt for reaktionssintringen 10 med kulstoffet C. Derfor forbliver der efter reaktionssintringen frit Si tilbage i termoelementet. Denne frie Si fjernes i området 46 mellem enderne 38 og 44 (fig. 6) ved ætsning. Ætsningen kan fx ske med en blanding af salpetersyre og flus-syre. Ved de ender 38 og 44, som i drift for-15 bliver kolde, kan der på forholdsvis simpel måde anbringes en tilslutningskontakt, fx idet der påføres et metal, som med den fri Si danner en eutektisk legering, som i det væsentlige er ohmsk ledende. Herfor kommer fx aluminium, sølv, guld eller antimon på tale.
20 I alle udførelseseksempler kan man også fremstille grundlegemerne 7, 20, 29 eller 37 af ved hjælp af et bindemiddel sammenholdt grafitkorn 8. Når doteret flydende silicium i et sådant grundlegeme stiger op, fås ved reaktionssintring mellem grafitkornene i grundlegemet og siliciumet β -SiC 25 med p- eller n-dotering, således at ledermaterialerne i det væsentlige dannes ved hjælp af grundlegemet.
Til opnåelse af andre doterede halvledere kan man i stedet for silicium også anvende et andet materiale i smelten, fx titan, hvorved grundlegemets sammensætning må være tilsva-30 rende valgt. På tilsvarende måde kan der anvendes et grundlegeme af porøst glas, som neddykkes i smelteflydende metal.
Claims (12)
1. Fremgangsmåde til fremstilling af et termoelement med to elektrisk i serie koblede ledermaterialer med forskellige termoelektriske egenskaber, specielt en p-type-halvleder og en n-type-halvleder, kendeteg- 5 netved, at der fremstilles et porøst grundlegeme med indbyrdes forbundne porer, og at der i porerne indføres et smelteflydende materiale, med hvilket i det mindste en komponent af det første ledermateriale indføres i et første område, og at der i et andet om- 10 råde tilføres i det mindste en komponent af det andet ledermateriale.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at det smelteflydende materiale tilføres porerne ved kapillar-opsugning af en smelte.
3. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendetegnet v e d, at grundlegemet kun neddykkes i smelten med sin ende og bliver deri så længe, at smelten er trængt ind i porerne i det første henholdsvis det andet område.
4. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1-3, kende- 20. e g n e t v e d, at der som smelteflydende materiale anvendes det smeltede første henholdsvis andet ledermateriale.
5. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1-3, kendetegnet ved, at porerne delvis fyldes med i det 25 mindste en første komponent af ledermaterialet, at det smelteflydende materiale mindst indeholder en anden komponent af ledermaterialet, og at disse komponenter i porerne bringes ti.1 reaktion til dannelse af ledermaterialet. ίο f 4877-9
6. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1-3, kendetegnet ved, at grundlegemet indeholder mindst en første komponent af ledermaterialet, det smelteflydende materiale mindst en anden komponent af lederma- 5 terialet, og at disse komponenter bringes til reaktion i grundlegemet.
7. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1-6, kendetegnet ved, at ved anvendelsen af en p-typehal vleder og en n-type-halvleder som ledermaterialer, j. o transporteres et p-doteringsmiddel og et n-doterings middel med det smelteflydende materiale ind i porerne.
8. Fremgangsmåde ifølge krav 2 og 7, kendetegnet ved, at grundlegemet bringes i berøring med et doteringsmiddel indeholdende smelte (fig. 1, 5 og 6).
9. Fremgangsmåde ifølge krav 2 og 7, kendetegnet ved, at grundlegemet først forsynes med doteringsmidler og derefter bringes i berøring med smelten (fig. 3 og 4).
10. Fremgangsmåde ifølge krav 9, kendetegnet 20. e d, at doteringsmidlet ved fremstillingen af grund legemet indbringes i dette.
11. Fremgangsmåde ifølge krav 9 eller 10, kendetegnet ved, at et p-doteringsmiddel anbringes ved den ene ende og et n-doteringsmiddel ved den anden ende i 25 grundlegemet, og at begge ender derefter bringes i berøring med smelten (fig. 3).
12. Fremgangsmåde ifølge krav 9 eller 10, kendetegnet v e d, at et doteringsmiddel anbringes i midten og det andet doteringsmiddel ved enden af grundlegemet, 30 og at da kun sidstnævnte ende bringes i berøring med smelten (fig. 4).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2519338A DE2519338C3 (de) | 1975-04-30 | 1975-04-30 | Verfahren zur Herstellung eines Thermoelements und dessen Anwendung |
DE2519338 | 1975-04-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DK191476A DK191476A (da) | 1976-10-31 |
DK143779B true DK143779B (da) | 1981-10-05 |
DK143779C DK143779C (da) | 1982-02-22 |
Family
ID=5945471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DK191476A DK143779C (da) | 1975-04-30 | 1976-04-29 | Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelement |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4032371A (da) |
JP (1) | JPS5915192B2 (da) |
CA (1) | CA1063252A (da) |
CH (1) | CH607334A5 (da) |
DE (1) | DE2519338C3 (da) |
DK (1) | DK143779C (da) |
FR (1) | FR2309985A1 (da) |
GB (1) | GB1548748A (da) |
NL (1) | NL7604430A (da) |
SE (1) | SE408837B (da) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4169739A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-02 | Semix, Incorporated | Method of making silicon-impregnated foraminous sheet by partial immersion and capillary action |
US4171991A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-23 | Semix, Incorporated | Method of forming silicon impregnated foraminous sheet by immersion |
US4174234A (en) * | 1978-04-12 | 1979-11-13 | Semix, Incorporated | Silicon-impregnated foraminous sheet |
US4349407A (en) * | 1979-05-09 | 1982-09-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of forming single crystals of beta silicon carbide using liquid lithium as a solvent |
JPS6151592U (da) * | 1984-09-05 | 1986-04-07 | ||
EP0907211A1 (en) * | 1997-10-01 | 1999-04-07 | Imra Europe S.A. | A peltier effect module and a method of manufacturing it |
DE10030354A1 (de) | 2000-06-21 | 2002-01-10 | Bosch Gmbh Robert | Thermoelektrisches Bauelement |
US6887421B2 (en) * | 2002-01-14 | 2005-05-03 | Redunndant Materials, Inc. | Method for making a silicon carbide resistor with silicon/silicon carbide contacts by induction heating |
DE102006055120B4 (de) * | 2006-11-21 | 2015-10-01 | Evonik Degussa Gmbh | Thermoelektrische Elemente, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
JP4468967B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2010-05-26 | カルソニックカンセイ株式会社 | 照明装置 |
EP3196951B1 (de) | 2016-01-21 | 2018-11-14 | Evonik Degussa GmbH | Rationelles verfahren zur pulvermetallurgischen herstellung thermoelektrischer bauelemente |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2431326A (en) * | 1942-10-29 | 1947-11-25 | Carborundum Co | Silicon carbide articles and method of making same |
US2938807A (en) * | 1957-08-13 | 1960-05-31 | James C Andersen | Method of making refractory bodies |
US3171871A (en) * | 1960-07-19 | 1965-03-02 | Norton Co | Method of making electrical heater bars |
GB1052587A (da) * | 1964-06-30 | |||
CH504764A (de) * | 1968-12-10 | 1971-03-15 | Hugo Dipl Phys Wyss | Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Widerstandskörpers |
-
1975
- 1975-04-30 DE DE2519338A patent/DE2519338C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-04-06 CH CH427276A patent/CH607334A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-04-14 US US05/676,737 patent/US4032371A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-04-20 SE SE7604538A patent/SE408837B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-04-26 NL NL7604430A patent/NL7604430A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-04-29 DK DK191476A patent/DK143779C/da active
- 1976-04-29 CA CA251,433A patent/CA1063252A/en not_active Expired
- 1976-04-30 GB GB17712/76A patent/GB1548748A/en not_active Expired
- 1976-04-30 JP JP51049792A patent/JPS5915192B2/ja not_active Expired
- 1976-04-30 FR FR7612960A patent/FR2309985A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE408837B (sv) | 1979-07-09 |
DE2519338B2 (de) | 1978-05-24 |
DE2519338A1 (de) | 1976-11-04 |
FR2309985B1 (da) | 1982-04-23 |
GB1548748A (en) | 1979-07-18 |
JPS51134590A (en) | 1976-11-22 |
CA1063252A (en) | 1979-09-25 |
SE7604538L (sv) | 1976-10-31 |
US4032371A (en) | 1977-06-28 |
JPS5915192B2 (ja) | 1984-04-07 |
DE2519338C3 (de) | 1979-01-18 |
DK191476A (da) | 1976-10-31 |
DK143779C (da) | 1982-02-22 |
FR2309985A1 (fr) | 1976-11-26 |
CH607334A5 (da) | 1978-12-15 |
NL7604430A (nl) | 1976-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK143779B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af et termoelement | |
Slack et al. | Thermal conductivity of germanium from 3 K to 1020 K | |
NO125298B (da) | ||
US10305012B2 (en) | Electrical converter and heater module with heat insulators having different cross-sectional areas | |
US3527622A (en) | Thermoelectric composition and leg formed of lead,sulfur,and tellurium | |
US3235957A (en) | Method of manufacturing a thermoelectric device | |
NO136063B (da) | ||
US3117013A (en) | Glass composition | |
TW500839B (en) | System and method for growing single crystal by rotary unidirectional setting | |
Khairulin et al. | Mutual Diffusion in Liquid Rubidium–Bismuth Alloys | |
Çadırlı et al. | Dependence of electrical and thermal conductivity on temperature in directionally solidified Sn–3.5 wt% Ag eutectic alloy | |
KR20200124224A (ko) | 열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 열전 변환 모듈, 및 열전 변환 재료의 제조 방법 | |
US3063876A (en) | Preparation of junctions in silicon carbide members | |
JPH09172204A (ja) | 熱電変換装置およびその製造方法 | |
JPH069260B2 (ja) | 熱電気変換素子の製造方法 | |
US3150017A (en) | Doping a pulled semiconductor crystal with impurities having different diffusion coefficients | |
US2585791A (en) | High-temperature electric resistance oven | |
CN107427946B (zh) | 通过金属间化合物装配两个元件的钎焊方法以及含有通过金属间化合物装配的两个元件的装置 | |
CN205803011U (zh) | 一种石墨压块支架 | |
US2926290A (en) | Semi-conductor device | |
US3076731A (en) | Semiconductor devices and method of making the same | |
JP2014239160A (ja) | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール | |
US2929137A (en) | Method of making ohmic connections to silicon semiconductor devices | |
US2985550A (en) | Production of high temperature alloyed semiconductors | |
SU1505719A1 (ru) | Инструмент дл контактной точечной сварки |